JP4773347B2 - 成膜装置及びその成膜方法 - Google Patents
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Description
これらの装置では、基板に対して反応ガスを照射する照射手段にイオンガン及びDCプラズマを使用している。
さらに、これらの装置で基板上の薄膜を効率よく反応させるためには、放電のプラズマ密度を向上させることが必要になるが、プラズマ密度を向上させるために放電圧力を上げると、反応ガスが成膜領域に拡散してしまい、ターゲット表面と反応して化合物を形成し、成膜速度が著しく低下するという問題がある。
請求項10記載の発明は、成膜手段がスパッタリング手段、蒸着手段及び化学蒸着手段のいずれかである構成を有している。
そのため、真空チャンバの内面に何の処理も施さない場合と比して、低い圧力での安定した放電を維持することができ、スパッタ手段による成膜領域と照射手段による反応領域とを雰囲気分離することができる。
したがって、簡単に低コストで装置を構成することができると共に、良好な特性を有する金属化合物膜をより速い成膜速度で形成できる。
この場合、プラズマ照射手段は、真空チャンバ外のマイクロ波発生源と、真空チャンバに設けられたホーンまたはアンテナとを有し、マイクロ波発生源で発生させたマイクロ波をホーンまたはアンテナを介して真空チャンバ内に導入し、そのマイクロ波によって反応ガスをプラズマ化するようにしても良い。
[図2]本発明の他の実施形態に係る成膜装置の(a)概略平面図、及び(b)概略側面図
[図3]比較例の成膜装置の(a)概略平面図、及び(b)概略側面図
3 基板
5 回転ドラム
6 スパッタカソード
7 スパッタリングターゲット
9 成膜領域
11 反応領域
12 アンテナ
14 酸化領域
15 誘電体板
16 磁気回路
17 反応ガス導入管
18 真空排気口
成膜手段は、物理蒸着法及び化学蒸着法によるものが適用可能である。物理蒸着としては、真空蒸着、スパッタリング及びイオンプレーティングが適用可能である。
プラズマ照射手段は、マイクロ波、特にECRにより発生するプラズマを照射するのが好ましい。
図1(a)、(b)を参照して、1は、本発明に係るカルーセル式スパッタリング成膜装置を示す。
このスパッタリング成膜装置1は、真空チャンバ2を備えており、その真空チャンバ2内の略中央部に、基板3を外周に保持した状態で回転軸4を中心に回転する円筒状の回転ドラム5が設けられている。
真空チャンバ1内周面の、スパッタカソード6が設けられている部分の近傍には、回転ドラム5の外周近傍まで延びる防着板8が設けられている。この防着板8によって、真空チャンバ1内の空間が分割され、スパッタ手段による成膜領域9が構成される。
この成膜領域9は、真空チャンバ1を貫通して設けられているスパッタガス導入管10によって真空チャンバ1外と連通しており、このスパッタガス導入管10を介して、外部の図示しないスパッタガス源から成膜領域9にスパッタガスが供給される。このスパッタガス導入管10とガス源との間にはガスの流量調整が可能なコンダクタンスバルブが設けられている。
この反応領域11を囲う真空チャンバ1にはマイクロ波アンテナ(プラズマ照射手段)12が設けられており、このマイクロ波アンテナ12は、真空チャンバ1外の導入窓13及び導波管14を介して図示しないマイクロ波発生源と接続されている。
これにより、マイクロ波発生源で発生したマイクロ波は、導波管14から導入窓13を介して伝播され、マイクロ波アンテナ12によって反応領域11内に導入される。この反応領域11を囲う真空チャンバ1の内面は、誘電体板15で被覆されている。
また、この反応領域11は、真空チャンバ1を貫通して設けられている反応ガス導入管17によって真空チャンバ1外と連通しており、この反応ガス導入管17を介して、外部の図示しない反応ガス源から反応領域11に反応ガスが供給される。この反応ガス導入管17とガス源との間にはガスの流量調整が可能なコンダクタンスバルブが設けられている。
真空チャンバ1の回転軸4を挟んで反応領域11と対向する位置には、図示しない真空排気系に接続される真空排気口18が設けられている。これにより、真空チャンバ1内の排気を行う。
したがって、活性種の失活を大幅に低減されたプラズマを基板上に形成された薄膜に照射するので、良好な特性を有する金属化合物をより速い成膜速度で得ることができる。
本実施形態に係る成膜方法は、真空チャンバ内で、基板を保持した回転ドラムを回転させて基板を順次搬送し、基板が成膜手段と対向する位置にて基板に薄膜を形成する薄膜形成工程と、真空チャンバの内面が誘電体で覆われたプラズマ照射領域と基板とが対向する位置にてプラズマ化された反応ガスを照射して基板上の薄膜を反応させる反応工程とを備え、成膜工程と反応工程を順次繰り返し行うことができるものである。
ここで成膜手段はスパッタリングであるが、これに限らず、例えば真空蒸着及びイオンプレーティングなどの物理蒸着手段、さらにプラズマCVDなどの化学蒸着手段も適用可能である。
次に、真空排気口18を介して真空排気系によって真空チャンバ1内を排気すると共に、スパッタガス導入管10からスパッタガスを、反応ガス導入管17から反応ガスを、それぞれ真空チャンバ1内に導入する。これにより、真空チャンバ1内が所定の圧力状態とされる。
次いで、装置1内の2つのスパッタカソード6のうち、一方のスパッタカソード6にのみ電圧を印加する。また、磁気回路16により磁場発生を行うと共に、マイクロ波アンテナ12からマイクロ波を導入し、反応ガス導入管17から導入される反応ガスをプラズマ化して反応領域11をプラズマ雰囲気にする。
このとき、スパッタガス導入管10からのスパッタガスによってスパッタカソード6上のスパッタリングターゲット7がスパッタされ、回転ドラム5に保持されている基板3に薄膜が形成される(薄膜形成工程)。
さらに回転ドラム5を回転させると、回転ドラム5の回転位置がスパッタリング位置を離脱して反応位置、すなわち、回転ドラム5に保持されている基板3が反応領域11内に存在する位置にくる。
このとき、マイクロ波アンテナ12からのマイクロ波でプラズマ化された反応ガスが、薄膜形成工程で基板3に形成された薄膜と反応し、化合物膜が形成される(反応工程)。
このとき、反応領域11に面する真空チャンバ1の内面が誘電体板15で覆われているので、プラズマ化した反応ガスの失活が大幅に低減され、また、拡散するプラズマと真空チャンバ1の内面との電気的な相互作用も低減される。
そして、回転ドラム5を回転させ続けることにより、薄膜形成工程と反応工程とを交互に複数回繰り返し、所望の化合物膜を得る。
このように本実施形態の成膜方法では、基板上に薄膜形成後、マイクロ波により反応ガスをプラズマ化して活性化後、その活性種の失活を大幅に低減されたプラズマを照射して基板上の薄膜と反応させるので、良好な特性を有する例えば金属化合物膜をより速い成膜速度で形成することができる。
また、本実施形態のスパッタリング装置は、種々の化合物膜、例えば、酸化膜や窒化膜、フッ化膜等に適用可能であり、この場合、所望の化合物膜に応じて反応ガスを選択する。
なお、本発明は上記実施形態のものに限定されるものではなく、必要に応じて種々変更することが可能である。
そして、2箇所のスパッタカソード6のうち一方のスパッタカソード6に対して、外部交流電源により40kHz、5kWの交流電力を印加した。
この状態で、成膜を60分間連続して行った。これにより得られた膜を分析したところ、TaとOの化学量論比が2:5であり、アモルファス構造である事がわかった。また、膜中に不純物は検出されず、可視光領域における膜の光学特性を測定したところ、屈折率が2.14、消衰計数が2×10−5と、良好な光学薄膜を得ることができた。
[比較例]
図3に示すスパッタリング成膜装置30は、図1に示したスパッタリング成膜装置1の構成から、誘電体板15を除いたものである。このスパッタリング成膜装置30で、実施例1と同じ成膜条件で成膜を行った。これにより得られた膜を分析したところ、消衰計数が9×10−5と、実施例1で得られた光学薄膜よりも著しく光学特性が劣る膜であった。
Claims (10)
- 真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に設置され、基板を外周に保持して回転する円筒状の回転ドラムと、
前記回転ドラムの外周面に対向して設置され、対向する位置の前記基板に薄膜を形成する成膜手段と、
前記回転ドラムの外周面に対向して設置され、対向する位置の前記基板に反応ガスをプラズマ化して照射するプラズマ照射手段とを備え、
前記プラズマ照射手段は、前記真空チャンバの壁面が外側に突出して構成される直方体形状の反応領域に設置され、
前記成膜手段が設置された薄膜形成領域と、前記反応領域の雰囲気が分離され、
前記反応領域の前記真空チャンバの内面が誘電体板で覆われ、
前記プラズマ照射手段が、マイクロ波によって反応ガスをプラズマ化する成膜装置。 - 前記プラズマ照射手段が、前記真空チャンバ外のマイクロ波発生源と、前記真空チャンバに設けられたホーン及びアンテナのいずれかを有し、前記マイクロ波発生源で発生させたマイクロ波をホーン及びアンテナのいずれかを介して前記真空チャンバ内に導入し、そのマイクロ波によって反応ガスをプラズマ化することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記プラズマ照射手段が、真空チャンバ外のマイクロ波発生源と、真空チャンバに設けられた誘電体の真空窓とを有し、マイクロ波発生源で発生させたマイクロ波を真空窓を介して真空チャンバ内に導入し、そのマイクロ波によって反応ガスをプラズマ化することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記プラズマ照射手段の前記プラズマを発生する領域に磁界を形成する磁界形成手段を備え、その磁界形成手段は、強度が87.5mTである磁界をシート状及びカスプ状のいずれかに形成し、その磁界によって電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記成膜手段が、スパッタリング手段、蒸着手段及び化学蒸着手段のいずれかである請求項1〜4の何れか1項に記載の成膜装置。
- 真空チャンバ内で、基板を保持した回転ドラムを回転させ、この保持された基板が成膜手段と対向する位置にて前記基板に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記真空チャンバの対応する内面が誘電体板で覆われた反応領域と、前記基板とが対向する位置にてプラズマ化された反応ガスを照射して前記基板上の薄膜と反応させる反応工程とを備え、
前記反応領域は前記真空チャンバの壁面が外側に突出して構成される直方体形状に形成され前記反応領域では、マイクロ波によって反応ガスをプラズマ化し、
前記薄膜形成工程が行われる薄膜形成領域と、前記反応領域の雰囲気が分離され、
前記薄膜形成工程と前記反応工程とを繰り返し行う成膜方法。 - 前記反応工程は、前記反応領域に、強度が87.5mTである磁界をシート状及びカスプ状のいずれかに形成し、その磁界によって電子サイクロトロン共鳴プラズマを発生させる工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の成膜方法。
- 前記真空チャンバには誘電体の真空窓が設けられており、前記反応工程が、その真空窓からマイクロ波を導入して、表面波プラズマを発生させる工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の成膜方法。
- 前記反応領域において、反応ガスをプラズマ化してイオン及びラジカルのいずれか、或いは両方を発生させることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記成膜手段が、スパッタリング手段、蒸着手段及び化学蒸着手段のいずれかである請求項6〜9のいずれか1項に記載の成膜方法。
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007186773A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Bridgestone Corp | 成膜方法及び装置 |
KR100838045B1 (ko) * | 2007-11-28 | 2008-06-12 | 심문식 | 스퍼터링과 이온 빔 증착을 이용한 산화박막 증착장치 |
CN101692485B (zh) * | 2009-09-30 | 2011-11-02 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 密封箱 |
WO2016203585A1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び成膜装置 |
JP6392912B2 (ja) * | 2017-01-31 | 2018-09-19 | 学校法人東海大学 | 成膜方法 |
CN107805784B (zh) * | 2017-12-08 | 2018-12-21 | 泉州市派腾新材料科技有限公司 | 一种oled蒸镀设备 |
CN111074225A (zh) * | 2020-01-09 | 2020-04-28 | 上海嘉森真空科技有限公司 | 一种微波等离子辅助的溅射光学成膜方法 |
JP7415155B2 (ja) * | 2020-01-16 | 2024-01-17 | 日新電機株式会社 | スパッタリング装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0310081A (ja) * | 1989-03-31 | 1991-01-17 | Anelva Corp | 真空放電装置 |
JPH056751A (ja) * | 1991-02-20 | 1993-01-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 活性酸素発生装置 |
JPH06291375A (ja) * | 1993-04-01 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜超電導体の製造方法及びその製造装置 |
JPH08203881A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Aneruba Kk | 表面処理装置 |
JP2000202349A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-07-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 塗布装置 |
JP2002256429A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Tomonobu Hata | スパッタリング装置 |
JP2003185799A (ja) * | 2001-12-17 | 2003-07-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 蛍光体シート製造装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01298151A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Raimuzu:Kk | 化合物薄膜の形成方法 |
JP2775053B2 (ja) * | 1988-08-19 | 1998-07-09 | 塩野義製薬株式会社 | モルフィン類を含有する外用製剤 |
JPH0298151A (ja) * | 1988-10-04 | 1990-04-10 | Nec Corp | ワイヤーボンダのカットクランプ装置 |
JP3057185B2 (ja) * | 1991-08-21 | 2000-06-26 | 横河電機株式会社 | 波形表示装置 |
JP3077623B2 (ja) * | 1997-04-02 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | プラズマ化学気相成長装置 |
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2005
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JPH0310081A (ja) * | 1989-03-31 | 1991-01-17 | Anelva Corp | 真空放電装置 |
JPH056751A (ja) * | 1991-02-20 | 1993-01-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 活性酸素発生装置 |
JPH06291375A (ja) * | 1993-04-01 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜超電導体の製造方法及びその製造装置 |
JPH08203881A (ja) * | 1995-01-30 | 1996-08-09 | Aneruba Kk | 表面処理装置 |
JP2000202349A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-07-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 塗布装置 |
JP2002256429A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Tomonobu Hata | スパッタリング装置 |
JP2003185799A (ja) * | 2001-12-17 | 2003-07-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 蛍光体シート製造装置 |
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