JP4773199B2 - 非対称電力駆動を用いた電力増幅装置 - Google Patents
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Description
したがって、キャリア増幅器が最大の入力電力で駆動した時、ピーク増幅器の基本電流成分がキャリア増幅器より低いだけでなく、ピーク増幅器で要求される最大の入力電力で駆動されないため、更に低い基本電流の大きさを生成するようになる。結果的に、ドハーティ増幅器は最大の出力電力を生成できないという問題点を有することになる。
したがって、本発明の目的は、非対称電力駆動を用いて高効率を維持しながら最適の線形性を達成するドハーティ増幅器を提供することにある。
図5は、本発明の一実施形態による非対称電力駆動を用いたN-ウェイ(ここで、N=2)電力増幅装置のブロック図である。図5の電力増幅装置は、非対称電力駆動器500、伝送ライン502、互いに並列に連結されているキャリア増幅器504及びピーク増幅器506、オフセットライン508、第1クォータウェーブ伝送ライン510、及び第2クォータウェーブ伝送ライン512を含む。
非対称電力駆動器500は、キャリア増幅器504とピーク増幅器506の非対称電力を駆動するためのものであって、キャリア増幅器504及びピーク増幅器506にそれぞれ異なる電力容量、好ましくはキャリア増幅器504よりもピーク増幅器506に更に多くの電力容量が供給されるようにする。この時、電力容量は「gm」として表示されることができ、その単位はI/Vである。また、電力容量はデバイスサイズを意味することもある。
第1クォータウェーブ伝送ライン510は、インピーダンスインバータとして作用し、ドハーティ動作を具現する。例えば、第1クォータウェーブ伝送ライン510は、2RO(ROは、負荷インピーダンスを意味する)のように出力を逆に変化させる。第2クォータウェーブ伝送ライン512は、負荷インピーダンスを50Ωから25Ωに変化させる。通常、特性インピーダンス50Ωに対して1個のキャリア増幅器と(N-1)個のピーク増幅器が並列に連結されてドハーティ増幅器を構成するため、ドハーティ増幅器の負荷インピーダンスは50Ωという特性インピーダンスに対してRO/Nに構成しなければならない。例えば、図5では、N=2の2-ウェイ増幅装置であるため、負荷インピーダンスを50Ωから25Ωに変化させる第2クォータウェーブ伝送ライン512を構成しなければならず、この場合の第2クォータウェーブ伝送ライン512の特性インピーダンスは、
図8に示すように、キャリア増幅器とピーク増幅器とは、それぞれ電流源ICとIPに表わされ、キャリア増幅器の負荷インピーダンスはZC、ピーク増幅器の負荷インピーダンスはZP、ドハーティ増幅器の負荷インピーダンスはZLである。
図9Aに示すように、入力電力が増加することにより、各電流源の基本電流成分が増加するようになる。この時、入力電力をキャリア増幅器とピーク増幅器に同一に印加する場合、バイアス差によりキャリア増幅器の基本電流成分が最大となるが、ピーク電流成分は最大電流成分に及ばなくなる。したがって、「even」モード(すなわち、対称電力駆動方式)の場合のように基本電流成分において差が生じる。
図9Bは、図9Aの基本電流成分に応じて負荷インピーダンスと入力電圧レベルとの間の相関関係を示すグラフである。
図10Aの左側のグラフは、低い電力でピーク増幅器がターンオンされ始める時点で対称と非対称電力駆動時の負荷ラインを示すもので、図9Bに示したように、ほぼ同一の負荷ラインが形成されることが分かる。すなわち、「even」と「uneven」の場合、低い電力範囲では負荷インピーダンスが2倍となるため、図10Aの左側のグラフのような負荷ラインを有する。
対称電力駆動のドハーティ増幅器の不適切な負荷変調現象による大きいインピーダンスに対して最大電力を出しつつ一層優れた線形性を得るためには、非対称電力駆動のような負荷ラインを有するように整合回路を変化させなければならない。図10Bに示すように、大きいインピーダンスを減少させることによって負荷ラインの勾配を大きくし、最適なロードが達成できる。したがって、対称電力駆動の増幅装置をより一層線形的にもっていくとともに最大電力を出すことができる。
図示のように、出力電力が大きくなるほど、キャリア及びピーク増幅器間の位相差が180°となり、それぞれの増幅器のIM3レベルが同一にならなければ、互いに相殺される効果が発生しない。「uneven」を用いる増幅器の場合、180°の位相差が発生する領域が、より広く分布することが分かる。すなわち、高いパワーレベルではキャリア及びピーク増幅器が互いに円滑に相殺できるようにキャリア及びピーク増幅器のIM3レベルが互いに同一であり、位相差が180°となるように設計されることが好ましい。要するに、図11Bで、非対称電力駆動が大きくなるほど、キャリア増幅器のIM3位相は、平均出力が低い地点からマイナス方向に大きくなり、逆にピーク増幅器のIM3位相は、プラス方向に大きくなり、180°となる領域が大きくなる。また、最適のインピーダンスを有するように整合回路を変化させた場合は、位相にそれほど大きい変化はないが、図11Aに示すように、IM3のレベルは小さくなることが分かる。更に、非対称電力駆動が大きくなるほど、平均出力が高い領域でIM3レベルが小さくなることが確認できた。したがって、IM3レベルが低くて同じであり、互いの位相が反対になる場合、キャリア及びピーク増幅器が円滑な負荷変調現象を起こすように線形的に設計されて、最適の線形性を達成できることが確認された。
非対称電力駆動器500は、対称電力駆動に用いる3dBハイブリッドカップラ1202及び減衰器1204を含む。3dBハイブリッドカップラ1202は、入力電力をキャリア増幅器504及びピーク増幅器506に供給する機能を行う。減衰器1204は3dBハイブリッドカップラ1202とキャリア増幅器504との間に接続されてキャリア増幅器504への電力の強度を減衰させる。したがって、ピーク増幅器506に提供される電力をキャリア増幅器504に比べて、相対的に高めることができる。
図13Aに示すように、キャリア及びピーク増幅器は、それぞれ入力及び出力整合回路とこれらの間に配置されているMOS(Metal Oxide Semiconductor)FET(Field Effect Transistor)系の素子を含む。MOS FET素子は、キャリア及びピーク増幅器内の入力整合回路とともにゲートバイアスを印加させるためのゲート端子Gと、キャリア及びピーク増幅器内の出力整合回路とともにドレインバイアスを印加させるためのドレイン端子Dと、アースに接地されるソース端子Sとからなる。
図14に示すように、本発明による非対称電力駆動を用いた電力増幅装置は、カップラ1400、電力検出器1402、バイアスコントローラ1406、非対称電力駆動器500、伝送ライン502、キャリア増幅器504、ピーク増幅器506、オフセットライン508、及び第1及び第2クォータウェーブ伝送ライン510及び512を含む。
図14の実施形態は、図13AのMOS系の素子だけでなく、図13BのBJT系の素子への適用も可能で、それに対する連結関係及び動作は、本発明の技術分野において通常の知識を有する者であれば、容易に分かることであるため、具体的な説明は省略する。
図15Aは、図12の構成に対して、Motorola Inc.から購入可能なMRF281素子で測定した線形性であるACLR(Adjacent Channel Leakage Ratio)を平均出力電力の観点から実験した結果グラフを示す。ACLRとは、CDMAのようなスペクトルのある信号に対して、周波数ドメイン上から任意のオフセットだけ離れた近接チャネルと自己チャネルとのスペクトル上において、マーカー・ツー・マーカー(marker-to- marker)により比較したことをいう。すなわち、ACLRは、他チャネルから自己チャネルのマーカーを差し引いた値を意味する。この際に発生した隣接チャネルのスペクトルは、増幅器の非線形特性により生成されるものであって、ACLRもまた増幅器の線形性を表す指標として用いられる。
図15Bは、平均出力電力の観点からドレイン効率を実験した結果を示すグラフである。図示のように、非対称電力駆動であるほど高効率特性を確認できる。
図16A及び図16Bは、それぞれ非対称電力駆動を適用した場合の結果とともに対称電力駆動時に整合回路を最適化させることによって、整合変動(MV)効率と線形性がどれほど改善されるかを確認する実験グラフである。
結果的に、従来技術の対称電力駆動を適用した場合には、キャリア増幅器とピーク増幅器のロードが非常に大きくなることによって、最適の性能を具現できないのに対して、本発明による非対称電力駆動を適用した場合には、最適の線形性を有するとともに高効率特性を発揮できる。
Claims (8)
- 電力増幅装置であって、
1つのキャリア増幅器と残りの(N−1)個のピーク増幅器とからなるN個の増幅器が並列に連結されているドハーティ増幅器と、
前記N個の増幅器を非対称電力駆動を用いて駆動する非対称電力駆動手段と、
前記ドハーティ増幅器の出力端に連結され、前記電力増幅装置の負荷インピーダンスを調節して前記ドハーティ増幅器の負荷変調を誘導するドハーティネットワークとを含み、
前記非対称電力駆動手段は、
任意のカップリング比を有し、入力電力を前記キャリア増幅器及び前記(N−1)個のピーク増幅器に分配するカップラと、
前記カップラと前記(N−1)個のピーク増幅器との間に配置され、前記(N−1)個のピーク増幅器への電力の強度を増幅させる増幅器とを備え、
前記ドハーティネットワークは、
前記キャリア増幅器と前記(N−1)個のピーク増幅器にそれぞれ連結され、前記(N−1)個のピーク増幅器が動作しない間に前記電力増幅装置の負荷インピーダンスを調節するN個のオフセットラインと、
前記キャリア増幅器に連結されているオフセットラインに連結され、前記キャリア増幅器の出力インピーダンスを1/4波長の長さに変化させる第1クォータウェーブ伝送ラインと、
前記(N−1)個のピーク増幅器に連結されているオフセットラインからのインピーダンスを1/4波長の長さに変換させて前記電力増幅装置の負荷インピーダンスを決定する第2クォータウェーブ伝送ラインと
を備える
ことを特徴とする電力増幅装置。 - 前記非対称電力駆動手段は、前記(N−1)個のピーク増幅器に供給される電力を前記キャリア増幅器に供給される電力よりも高くする
ことを特徴とする請求項1に記載の電力増幅装置。 - 前記(N−1)個のピーク増幅器に供給される電力の強度は、何れも同一である
ことを特徴とする請求項2に記載の電力増幅装置。 - 前記(N−1)個のピーク増幅器に供給される電力の強度が、互いに異なる
ことを特徴とする請求項2に記載の電力増幅装置。 - 前記キャリア増幅器及び前記ピーク増幅器はそれぞれ、
入力整合回路と、
出力整合回路と、
前記入力整合回路及び出力整合回路の間に連結されているMOS FETとから構成される
ことを特徴とする請求項1に記載の電力増幅装置。 - 前記キャリア増幅器及び前記ピーク増幅器はそれぞれ、
入力整合回路と、
出力整合回路と、
前記入力整合回路及び出力整合回路の間に連結されているBJT素子とから構成される
ことを特徴とする請求項1に記載の電力増幅装置。 - 前記電力増幅装置は、前記MOSFETにゲートバイアス及びドレインバイアスを印加するバイアスコントローラを更に含む
ことを特徴とする請求項5に記載の電力増幅装置。 - 前記電力増幅装置は、前記BJT素子にベースバイアス及びコレクタバイアスを印加するバイアスコントローラを更に含む
ことを特徴とする請求項6に記載の電力増幅装置。
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