KR101484796B1 - Ｎ-웨이 도허티 분산형 전력 증폭기 - Google Patents

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Abstract

광대역 코드 분할 다중 액세스 및 직교 주파수 분할 멀티플렉싱 같은 멀티플렉싱 변조된 신호들의 높은 피크 대 평균 전력 비율에 대해 효율 영역을 확장하기 위한 N-웨이 도허티 구조를 사용하는 전력 증폭기가 개시된다. 실시예에서, 본 발명은 N-웨이 도허티 증폭기에 대해 듀얼-피드 분산형 구조를 사용하여 적어도 하나의 메인 증폭기와 적어도 하나의 피킹 증폭기 간 분리를 향상시키고, 또한 고 출력 백-오프 전력에서 이득 및 효율 성능 양자 모두를 향상시킨다. 입력 및 출력 중 어느 하나 또는 양자 모두에 하이브리드 커플러들이 사용될 수 있다. 적어도 몇몇 구현예에서, 증폭, 전력 분할 및 결합의 통합에 기인하여 회로 공간이 또한 보존된다.
전력 증폭기, 도허티 구조, 듀얼-피드, 커플러, N-웨이

Description

Ｎ-웨이 도허티 분산형 전력 증폭기{N-WAY DOHERTY DISTRIBUTED POWER AMPLIFIER}
본 발명은 일반적으로 고 전력 통신 시스템들에 관한 것이다. 더 상세하게는, 본 발명은 그러한 시스템들을 위한 고 효율 고 전력 증폭기들에 관한 것이다.
IS-95, PCS, WCDMA, OFDM 등과 같은 현대의 디지털 무선 통신 시스템들에서, 전력 증폭기들은 광 대역폭 및 많은 수의 캐리어들을 갖는 쪽으로 진보되었다. 최근, WiBRO 및 WiMAX에서 쓰이는 것과 같은 제한된 대역폭 내에서 정보를 효율적으로 전송하기 위한 기술로서 OFDM(orthogonal frequency division multiplexing) 변조가 매력적이다. 그러나, OFDM 신호가 다수의 독립적으로 변조된 서브-캐리어들로 구성되기 때문에, OFDM은 보다 높은 PAR(peak-to-average power ratio) 신호를 생성한다. 64-서브캐리어 OFDM 신호에 대한 전형적인 PAR는 대략 8-13 dB이다. 서브-캐리어들의 수가 2048로 증가하게 되면, PAR 또한 전형적으로 11 dB 내지 16 dB까지 증가한다. 이들 높은 PAR들을 가지면서 동작하도록 설계된 전력 증폭기들은 효율성을 상당한 정도로 열화시킨다.
도허티(Doherty) 증폭기는 고 출력 백-오프(back-off) 전력에서 효율을 향상시키기 위한 기술로서 알려져 있다. 이 증폭기의 주요한 잇점은, 스위칭 모드 증 폭기들, EER, LINC 등과 같은 다른 효율 향상 증폭기들 또는 기술들과는 달리, 고 전력 증폭기에 적용될 때 구성이 용이하다는 것이다. 최근 결과들을 보면 도허티 증폭기는 대칭 도허티 구조, 비균일(uneven) 전력 트랜지스터들을 갖는 비대칭 도허티 구조, 및 다중 병렬(multi-paralleled) 트랜지스터들을 사용하는 N-웨이(way) 도허티 구조로서도 사용되는 것으로 보고되고 있다. 대칭 도허티 증폭기의 경우, 최대 효율 포인트는 6 dB 백-오프 전력에서 얻어진다.
비대칭 도허티 증폭기는 메인 및 피킹(peaking) 증폭기들에 대해 서로 다른 전력 디바이스 크기들의 조합을 사용하여 다양한 백-오프 전력들에서 고 효율을 얻을 수 있다. 유감스럽게도, 서로 다른 디바이스 매칭 회로들 및 메인 증폭기와 피킹 증폭기 간의 지연 부정합(delay mismatch) 때문에 비대칭 도허티 증폭기의 이득 및 출력 전력을 최적화하는 것은 어렵다.
종래의 N-웨이 도허티 증폭기는 동일한 디바이스들로 된 다중 병렬 트랜지스터들을 사용함으로써 종래의 2-웨이 도허티 구조에 비해 효율 향상을 가져왔다. 종래의 N-웨이 도허티 증폭기의 한가지 단점은 N-웨이 입력 전력 분배기(splitter)에서의 손실에 기인하여 총 이득이 감소될 것이라는 점이다. 낮은 이득 상황들 하에서, 종래의 N-웨이 도허티 증폭기는 구동 증폭기의 전력 소모를 증가시킬 것이다.
또한, 종래의 N-웨이 도허티 증폭기는 고 출력 백-오프 전력에서는 향상된 효율을 제공할 수 있지만, 종래의 N-웨이 도허티 증폭기들의 성능은 보다 높은 PAPR(peak-to-average power ration) 신호들에 대해서는 이득 및 효율 양자 모두에 대해 열화된다.
이에 따라, 고 전력 통신 시스템들에서 고 출력 백-오프 전력에서의 N-웨이 도허티 증폭기의 이득 및 효율 성능을 향상시키기 위해 회로-레벨 및 시스템-레벨 기술들을 동시에 적용하는 방법에 대한 필요성이 해당 분야에 남아 있다.
발명의 개요
따라서, 본 발명은 전술한 문제점들을 고려하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 고 전력 통신 시스템 애플리케이션들에 대해 고 출력 백-오프 전력에서 도허티 증폭 구조의 이득 및 효율 성능을 향상시키기 위한 방법을 제공하는 것이다. 이들 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따라, 듀얼-피드(dual-feed) 분산형 증폭 기술이 사용된다. 종래의 N-웨이 도허티 증폭기의 전력 분배기 및 결합기는 전송 라인들을 갖는 하이브리드 커플러(coupler)들로 대체된다. 종래의 N-웨이 도허티 증폭기에 비해, 본 발명은 고 효율과 함께 높은 이득 성능 뿐만 아니라 입력 및 출력에서 양호한 분리를 달성할 수 있다.
본 발명의 추가의 목적들 및 잇점들은 첨부 도면과 결합하여 취해진 다음의 상세한 설명으로부터 보다 완전히 이해될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따라 듀얼-피드 분산형(DFD) 방법을 사용하는 N-웨이 도허티 증폭기의 실시예를 도시하는 개략도이다.
도 2는 출력 백-오프 전력의 다양한 레벨들에서의 N-웨이 도허티 듀얼-피드 분산형 증폭기의 효율 특성을 도시하는 그래프이다.
도 3은 본 발명에 따른 3-웨이 도허티 분산형 증폭기의 실시예를 도시하는 개략도이다.
도 4는 본 발명에 따른 3-웨이 도허티 분산형 증폭기의 실시예의 이득 및 전력 부가 효율 성능(PAE)의 시뮬레이션 결과들을 도시하는 그래프이다.
도 5는 본 발명에 따른 3-웨이 도허티 분산형 증폭기의 실시예의 이득 및 전력 부가 효율 성능(PAE)의 측정 결과들을 도시하는 그래프이다.
도 6은 본 발명에 따른 3-웨이 도허티 분산형 증폭기의 실시예를 사용하여 단일-톤(single-tone) 신호에 대한 피킹 증폭기들의 바이어스 전압 및 션트 커패시터의 함수로서 이득 및 PAE 성능 변동의 측정 결과들을 도시하는 그래프이다.
도 7은 본 발명에 따른 3-웨이 도허티 분산형 증폭기를 사용한 단일 WCDMA 캐리어에 대한 스펙트럼의 측정 결과들을 도시하는 그래프이다.
도 8은 본 발명에 따른 하이브리드 모드 전력 증폭기 시스템을 도시한다.
일반적으로, 본 발명은 고 출력 백-오프 전력에서 고 이득 및 고 효율 성능들을 달성하기 위해 N-웨이 도허티 증폭기 구조로서 SEDFD(single-ended dual-feed distributed) 증폭 방법을 사용하는 것을 포함한다. 몇몇 실시예에서, 이득 및 효율 성능은 반 파장 길이의 게이트 및 드레인 라인들의 말단에서 N-웨이 피킹 증폭기들의 게이트 바이어스 및 션트 커패시터들을 각각 조정함으로써 최대화된다. 따라서, 종래의 N-웨이 도허티 증폭기들에 비해, 본 발명은 멀티플렉싱 변조된 신호들에 대해 보다 높은 이득 및 보다 높은 PAE(power added efficiency)를 달성한다. 따라서, 본 발명에 의해 제공되는 방법 및 장치는 이후 NWDPA(N-way Doherty Distributed Power Amplifier)로 칭해진다. 이제, 첨부 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 NWDPA의 다양한 실시예들이 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 SEDFD 방법을 사용하는 N-웨이 도허티 증폭기를 도시하는 개략도이다. 메인 SEDFD 증폭기(108) 및 피킹 SEFDF 증폭기(107)에 RF 입력 신호(101)가 전력 분배기에 의해 입력으로서 제공된다. 각각의 SEDFD 증폭기는 두 개의 전송 라인(109, 110, 111, 112) 및 N개의 다중 트랜지스터(113, 114)로 구성된다. SEDFD 메인 증폭기(107) 및 피킹 증폭기(108)에 있는 모든 트랜지스터들(113, 114)은 중심 주파수에서의 반파장 길이를 갖는 게이트 및 드레인 라인들(109, 110, 111, 112) 양자에 의해 접속되고 동일하게 동작한다. SEDFD 증폭기(107, 108)의 입력 신호는 게이트 라인(109, 111)을 따라 분배되고, 증폭된 출력 신호는 드레인 라인(110, 112)을 따라 결합된다. 각각의 트랜지스터가 신호에 동일 위상(in phase)의 전력을 부가하기 때문에, SEDFD 증폭기(107, 108)는 보다 높은 이득을 제공할 수 있다. SEDFD 메인 증폭기(108)와 SEDFD 피킹 증폭기(107) 간의 위상들을 동기시키기 위해 λ/4 마이크로스트립 라인(103)이 SEDFD 피킹 증폭기(107) 앞에 있다. SEDFD 메인 증폭기(108)의 출력 신호는 마이크로스트립 λ/4 임피던스 변환기(104)를 통해 지나가고 전력 결합기(105)에 의해 SEDFD 피킹 증폭기(107)의 출력 신호와 결합된다.
도 2는 다양한 출력 백-오프 전력에서의 NWDPA의 효율 특성을 도시하는 그래프이다. 최대 전력 레벨에 대해 NWDPA의 효율은
Figure 112009071509847-pct00001
로 주어지고, 중간(medium) 전력 레벨에 대한 효율은
Figure 112009071509847-pct00002
로 주어진다. 여기에서, v0 및 vmax는 각각 출력 전압 및 최대 출력 전압이고, M은 메인 증폭기를 위한 트랜지스터들의 수이며, P는 피킹 증폭기를 위한 트랜지스터들의 수이다. 실시예들에 좌우되어, 메인 및 피킹 증폭기들은 단일 트랜지스터들 또는 다중 트랜지스터들 중 어느 하나이거나, 또는 다른 형태의 증폭기들일 수 있다. 부가하여, 트랜지스터들은 다시 실시예들에 좌우되어 분리되거나 통합될 수 있다. 낮은 전력 레벨에 대해, NWDPA의 효율은
Figure 112009071509847-pct00003
로서 표현된다.
출력 백-오프 전력의 다양한 레벨들에 대한 증폭기의 효율은 메인 및 피킹 증폭기들의 수의 함수로서 계산된다. 확장된 백-오프 상태 XBO와 메인 및 피킹 증폭기들의 수 간의 관계는
Figure 112009071509847-pct00004
로 주어진다.
도 3은 본 발명의 3-웨이 도허티 SEDFD 증폭기의 실시예를 도시하는 개략도이다. 9.5 dB의 백-오프 전력에서 고 효율을 제공하기 위해, 증폭기는 동일한 유형의 트랜지스터들을 사용하는 하나의 메인 증폭기(203)와 두 개의 피킹 증폭기(204, 205)로 구성된다. RF 입력 신호(201)는 90° 하이브리드 커플러(202)를 통과하여 메인 증폭기(203) 및 두 개의 피킹 증폭기(204, 205)로 분리된다. 입력 임피던스 매칭 회로들(206, 207, 208)은 커플러와 메인 증폭기(203) 및 피킹 증폭기들(204, 205) 사이에 접속된다. 적어도 몇몇 실시예들에서, 메인 증폭기(203)는 클래스-AB(Class-AB) 증폭기로서 바이어싱되고(biased), 피킹 증폭기들(204, 205)은 클래스-C(Class-C) 증폭기들로서 바이어싱된다. 메인 증폭기가 클래스 AB 모드에서 일반적으로 바이어싱되면, 이득 컴프레션(a gain compression) 특성을 가질 것이다. 대조적으로, 피킹 증폭기가 클래스 C 모드에서 일반적으로 바이어싱되면, 게인 확장 특성을 가질 것이다. 적어도 몇몇 실시예에서, 본 발명은 보다 선형의 전력 증폭기를 만들기 위해 클래스 AB 메인 증폭기의 이득 컴프레션이 클래스 C 피킹 증폭기들의 이득 확장에 의해 보상되도록, 상보적인 특성들을 이용한다.
최적화된 전력을 얻기 위해, 출력 임피던스 매칭 회로들(209, 210, 211)은 메인 증폭기(203) 및 피킹 증폭기들(204, 205)의 출력들에 접속된다. 션트 커패시터 CM(212)는, 본 명세서에 참조로서 통합되고 2006년 11월에 출원된 미국 가출원번호 제60/846,905호의 선형성 최적화 도허티 증폭기 방법에 기초하여 NWDPA의 선형성을 최적화하기 위해 메인 증폭기(203)의 출력 임피던스 매칭 회로(209)에 접속된다. 원하는 출력 백-오프 전력에서 피크 효율 포인트를 얻기 위해, 출력 임피던스 매칭 회로들(209, 210, 211)과 λ/4 임피던스 변환기들(214, 215) 사이에 보상 라인들(213)이 삽입된다. 피킹 증폭기들(204, 205)은, 몇몇 실시예들에서, 설명 및 명료성의 목적을 위해 FET로 도시된 제1 피킹 증폭기의 각각의 게이트 및 드레인에 반파장 마이크로스트립 라인들(217, 218)을 갖는 듀얼-피드 분산형 구조를 사용하여 결합된다. 도 3에서, 피킹 증폭기(1)는 듀얼-피드 분산형 구조를 사용하여 피킹 증폭기(2)와 결합된다. 듀얼-피드 분산형 구조는 제2 피킹 증폭기의 각각의 게이트 및 드레인에 관계된 입력 및 출력 임피던스 매칭 회로들을 통해 각각 접속된, 반파장 및 1/4 파장 라인들 및 단락 회로화된(short-circuited) 1/4 파장 길이의 마이크로스트립 라인들(219, 220)을 포함한다. 제2 피킹 증폭기는 설명되는 실시예에서 간소화를 목적으로 단일 트랜지스터로서 도시되었지만, 하나 또는 그 이상의 트랜지스터들일 수 있다. 출력에서 1/4 파장 길이의 전송 라인들은 몇몇 실시예에서 하이브리드 커플러로 대체될 수 있다.
반파장 라인들(217 및 218)은, 몇몇 실시예에서, 동작하는 전력 증폭기 대역폭의 중심 주파수에서 설정된다. 션트 커패시터 Cp(221, 222)는 NWDPA의 이득 및 효율 양자 모두를 최적화하기 위해 단락 회로화된 1/4 파장 길이의 마이크로스트립 라인들(219, 220)의 양 말단에 접속된다. 오프셋 라인(213)은 메인 증폭기(203)와 피킹 증폭기들(204, 205) 간의 누설 전력을 방지하기 위해 포함될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 하이브리드 커플러(202)는 얼마간의 이득 컴프레션을 유발할 수 있고, 이것은 피킹 증폭기들의 이득 확장에 의해 보상될 수 있다. 부가의 하이브리드 커플러는 몇몇 실시예들에서 출력부에 접속될 수 있다. 더욱이, 당업자는 메인 분산형 증폭기들 및 피킹 분산형 증폭기들이 개별의 미니어처 마이크로웨이브 집적 회로들로서 또는 하나의 집적된 MMIC 상에 구축될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
NWDPA의 성능 검사 시에, 42 dBm 고 전력 증폭기가 150 W의 p1dB를 갖는 LDMOS FET들을 사용하여 설계되고 구현된다.
도 4는 도 3에 도시된 바와 같은 3-웨이 도허티 분산형 증폭기를 사용하여 2140 MHz의 주파수에서 단일 톤 신호에 대한 이득 및 PAE의 시뮬레이션 결과를 도시하는 그래프이다. 클래스 AB 바이어싱된 메인 증폭기의 동작점은 IDQ=510 mA, VGS=3.82 V 및 VDS=27 V이다. 클래스 C로 바이어싱된 피킹 증폭기들의 동작점들은 1) 피킹 증폭기 1: IDQ=0 mA, VGS=2.4 V 및 VDS=27 V이고, 2) 피킹 증폭기 2: IDQ=0 mA, VGS=2.6 V 및 VDS=27 V이다. 듀얼-피드 분산형 구조를 사용하는 결합된 피킹 증폭기의 출력 임피던스는 4.65+j2.1Ω이다. 대략 0.25λ의 오프셋 라인이 삽입되었다; 이것은 521Ω의 최적 출력 저항에 대응한다. 시뮬레이션 결과들로부터, 대략 200 W의 PEP(peak envelope power)에서 43% PAE가 얻어졌다. 결과적으로, 피크 효율 포인트로부터 9.5 dB 백-오프 전력에서 40% PAE가 달성되었다. 이것은 6dB 피킹 포인트에서 종래의 2-웨이 도허티 증폭기의 효율에 비해 대략 7%의 효율 향상이 있었고, 도 4에도 도시되어 있다. 2130 MHz부터 2150 MHz에 걸쳐서 대략 10.5 dB의 이득이 얻어졌다.
도 5는 본 발명의 3-웨이 도허티 분산형 증폭기의 이득 및 PAE의 측정 결과들을 도시하는 그래프이다. 메인 증폭기의 동작점은 IDQ=480 mA, VGS=3.9 V이다. 피킹 증폭기들의 동작점들은 1) 피킹 증폭기 1: IDQ=0 mA, VGS=2.1 V이고, 2) 피킹 증폭기 2: IDQ=0 mA, VGS=1.9 V이다. 각각 15 pF 및 0.5 pF의 션트 커패시터들, CP 및 CM이 사용된다. 131 W의 PEP에서 42.7%의 PAE 및 9.5 dB 백 오프에서 39.5%의 PAE가 각각 달성된다. 9.5 dB 백 오프에서 대략 11 dB의 이득이 얻어졌다.
도 6은 본 발명에 따른 3-웨이 도허티 분산형 증폭기의 실시예를 사용하여 단일-톤 신호에 대한 피킹 증폭기들의 바이어스 전압 및 션트 커패시터의 함수(function)로서 이득 및 PAE 성능 변화의 측정 결과들을 도시하는 그래프이다. CP의 최적화 및 두 개의 피킹 증폭기들의 바이어스 포인트는 PAE가 PEP에서 감소되긴 했지만 9.5 dB 백 오프에서 대략 8% 및 2 dB의 효율 및 이득 향상을 가져왔다.
도 7은 본 발명에 따른 3-웨이 도허티 분산형 증폭기의 실시예를 사용한 단일 WCDMA 캐리어에 대한 스펙트럼의 측정 결과들을 도시하는 그래프이다. 동작점들은 각각 VGS=3.79 V(메인 PA), VGS=3.1 V(피킹 PA1) 및 VGS=2.5 V(피킹 PA2)이었다. 각각 9.1 pF 및 0.5 pF의 션트 커패시터들 CP 및 CM이 사용되었다. 높은 선형성을 달성하기 위해, 무기억(memoryless) 및 기억-기반(memory-based) 디지털 프리디스토션(digital predistortion)의 양자 모두가 적용되었다. 41 dBm 출력 전력 및 +2.5 MHz 오프셋 주파수에서 무기억 후 -51 dBC 및 기억 보상 후 -54 dBc의 ACLR 성능들이 얻어졌다.
요약하면, 본 발명의 NWDPA는, 종래의 N-웨이 도허티 증폭기에 비해, NWDPA가 도허티 증폭기와 결합한 SEDFD 구조를 사용하기 때문에 이득 성능을 보다 효과적으로 향상시킨다. 본 발명에 따른 하이브리드 전력 증폭기 시스템이 도 8에 도시되어 있는데, 이 시스템에서는 변조된 RF 입력 신호(800)가 디지털 프리디스토션 컨트롤러(805)에 제공되어, 그 다음으로 그 출력을 본 발명에 따른 전력 증폭기(810)에 제공한다. RF 출력(815)이 모니터링되고, 출력을 나타내는 신호가 피드백 신호(820)로서 컨트롤러(805)로 피드백된다.
본 발명이 바람직한 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 본 발명이 그 실시예들에 설명된 상세한 내용들에 국한되는 것은 아니라는 것이 이해될 것이다. 전술한 설명에 다양한 대체물들 및 수정들이 가해질 수 있고, 다른 것들도 본 명세서의 교시에 기초하여 당업자에게는 명확할 것이다. 따라서, 그러한 모든 대체물들 및 수정들은 첨부된 청구범위에 정의되는 바와 같이 본 발명의 범위 내에 포괄되도록 의도하였다.

Claims (17)

  1. N-웨이 도허티 분산형 증폭기로서,
    RF 입력,
    적어도 하나의 메인 분산형 증폭기,
    적어도 두 개의 피킹(peaking) 분산형 증폭기,
    입력 신호에 응답하여, 입력을 상기 적어도 하나의 메인 분산형 증폭기와 상기 적어도 두 개의 피킹 분산형 증폭기에 각각 제공하는 하이브리드 커플러, 및
    상기 RF 입력에 응답하여, 상기 적어도 하나의 메인 분산형 증폭기와 상기 적어도 두 개의 피킹 분산형 증폭기 간의 위상을 동기화시키는 위상 동기화기
    를 포함하는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 RF 입력은 싱글-엔디드 듀얼-피드(single-ended dual-feed)인 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 메인 분산형 증폭기의 모든 트랜지스터들은 상기 적어도 두 개의 피킹 분산형 증폭기의 트랜지스터들과 동일한 유형의 트랜지스터인 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 메인 분산형 증폭기의 이득 컴프레션(gain compression)은 상기 적어도 두 개의 피킹 분산형 증폭기의 이득 확장(gain expansion)에 의해 보상되는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 메인 분산형 증폭기와 상기 적어도 두 개의 피킹 분산형 증폭기에 동작적으로 접속되는 션트 커패시터들을 더 포함하고, 상기 메인 및 상기 피킹 분산형 증폭기들의 위상은 상기 션트 커패시터들의 커패시턴스에 의해 제어되는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  6. 제1항에 있어서,
    다양한 출력 백-오프 전력에서의 증폭기의 효율은 다음의 수학식과 같이 상기 메인 및 상기 피킹 증폭기들의 수의 함수로서 결정되고,
    Figure 112009071509847-pct00005
    여기에서, v0 및 vmax는 각각 출력 전압 및 최대 출력 전압이고, M은 상기 메인 증폭기에 대한 트랜지스터들의 수이며, P는 상기 피킹 증폭기에 대한 트랜지스터들의 수인 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  7. 제1항에 있어서,
    확장된 백-오프 상태 XBO는 다음의 수학식
    Figure 112009071509847-pct00006
    에 의해 기술되는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 N-웨이 도허티 분산형 증폭기는 피드-포워드(feed-forward) 선형화 기술의 메인 증폭기로서 설정되는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 N-웨이 도허티 분산형 증폭기는 디지털 프리-디스토터(a digital pre-distorter)로부터 입력을 수신하는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 메인 분산형 증폭기들 및 상기 피킹 분산형 증폭기들은 첫번째의 개별 미니어처 마이크로웨이브 집적 회로들 및 두번째의 하나의 집적 MMIC를 포함하는 그룹 중 하나를 포함하는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 위상 동기화기는 상기 피킹 증폭기의 위상을 상기 메인 증폭기의 위상보다 90°만큼 지연시키는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 위상 동기화기는 상기 메인 분산형 증폭기들과 상기 피킹 분산형 증폭기들 간의 위상들을 동기화시키기 위해 상기 피킹 증폭기들 앞에 λ/4 마이크로스트립 라인을 포함하는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 메인 분산형 증폭기들 및 상기 피킹 분산형 증폭기들의 전단(front end)들 각각에 접속된 입력 임피던스 매칭 회로들을 더 포함하는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 메인 분산형 증폭기와 상기 적어도 두 개의 피킹 분산형 증폭기에 접속된 게이트 및 드레인 라인들을 더 포함하고, 상기 게이트 및 드레인 라인들은 상기 N-웨이 도허티 분산형 증폭기의 중심 주파수에서의 반파장 길이 라인을 갖는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 메인 분산형 증폭기와 상기 적어도 두 개의 피킹 분산형 증폭기의 적어도 하나의 출력에 접속되는 출력 임피던스 매칭 회로들을 더 포함하는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 메인 분산형 증폭기로부터 상기 피킹 분산형 증폭기로의 전력 누설을 방지하기 위해 상기 메인 분산형 증폭기들 및 상기 피킹 분산형 증폭기들에 대한 출력 임피던스 매칭 회로들의 단부들 간에 삽입된 적어도 하나의 오프셋 라인을 더 포함하는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
  17. 제1항에 있어서,
    오프셋 라인들에 접속된 특성 임피던스 Z0를 위한 λ/4 임피던스 변환기를 더 포함하는 N-웨이 도허티 분산형 증폭기.
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Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8669812B2 (en) * 2004-11-23 2014-03-11 Schilmass Co., L.L.C. High power amplifier
US8076975B1 (en) * 2004-11-23 2011-12-13 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Broadband high power amplifier
US8274332B2 (en) 2007-04-23 2012-09-25 Dali Systems Co. Ltd. N-way Doherty distributed power amplifier with power tracking
EP2342880B1 (en) * 2008-09-30 2014-04-02 Telecom Italia S.p.A. A method of transmitting digital signals, corresponding transmission system and computer program product therefor
EP2339746B1 (en) * 2009-12-15 2013-02-20 Nxp B.V. Doherty amplifier with composed transfer characteristic having multiple peak amplifiers
KR101709347B1 (ko) * 2009-12-16 2017-03-09 삼성전자주식회사 결합셀 도허티 전력 증폭 장치 및 방법
KR101124425B1 (ko) * 2010-01-20 2012-03-22 포항공과대학교 산학협력단 분포 도허티 전력 증폭기
DE102010034067A1 (de) * 2010-08-12 2012-02-16 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Hochfrequenzleistungsverstärker mit Doherty-Erweiterung
WO2012086015A1 (ja) * 2010-12-21 2012-06-28 富士通株式会社 増幅装置
CN102185563B (zh) * 2011-04-29 2016-03-02 中兴通讯股份有限公司 一种Doherty功放装置
US8339201B1 (en) * 2011-06-17 2012-12-25 Infineon Technologies Ag Wideband doherty amplifier circuit having a constant impedance combiner
CN102427331B (zh) * 2011-10-09 2014-04-16 上海东洲罗顿通信股份有限公司 高效率线性功放的线路配置方法
US9209511B2 (en) * 2011-10-14 2015-12-08 Anaren, Inc. Doherty power amplifier network
US8717099B2 (en) 2012-03-16 2014-05-06 Infineon Technologies Ag Wideband doherty amplifier circuit with peaking impedance absorption
US8970297B2 (en) * 2012-03-19 2015-03-03 Qualcomm Incorporated Reconfigurable input power distribution doherty amplifier with improved efficiency
CN104604125A (zh) 2012-06-21 2015-05-06 爱立信（中国）通信有限公司(中国) Doherty放大器
KR101541262B1 (ko) 2012-08-09 2015-07-31 악셀 와이어리스 리미티드 디지털 용량 중심적 분산형 안테나 시스템
WO2014075735A1 (en) * 2012-11-16 2014-05-22 Nokia Solutions And Networks Oy High efficiency high peak-to-average ratio broadband 3-way power amplifier
CA2892093A1 (en) 2012-11-26 2014-05-30 Adc Telecommunications, Inc. Forward-path digital summation in digital radio frequency transport
US20140146797A1 (en) 2012-11-26 2014-05-29 Adc Telecommunications, Inc. Timeslot mapping and/or aggregation element for digital radio frequency transport architecture
EP2923475B1 (en) 2012-11-26 2018-02-14 ADC Telecommunications, Inc. Flexible, reconfigurable multipoint-to-multipoint digital radio frequency transport architecture
US9750082B2 (en) 2013-10-07 2017-08-29 Commscope Technologies Llc Systems and methods for noise floor optimization in distributed antenna system with direct digital interface to base station
US9787457B2 (en) 2013-10-07 2017-10-10 Commscope Technologies Llc Systems and methods for integrating asynchronous signals in distributed antenna system with direct digital interface to base station
CN105830385B (zh) * 2013-10-11 2019-10-29 康奈尔大学 信号处理装置、放大器及方法
US20160241201A1 (en) * 2013-10-18 2016-08-18 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Power amplifier for amplification of an input signal into an output signal
EP2876810B1 (en) * 2013-11-22 2016-04-13 Samba Holdco Netherlands B.V. Doherty Amplifier
KR101704541B1 (ko) * 2014-05-27 2017-02-23 광운대학교 산학협력단 2단 불균형 도허티 전력 증폭 장치
EP2983291B1 (en) * 2014-08-07 2017-12-06 Ampleon Netherlands B.V. Integrated 3-way doherty amplifier
EP3198755B1 (en) 2014-09-23 2020-12-23 Axell Wireless Ltd. Automatic mapping and handling pim and other uplink interferences in digital distributed antenna systems
EP3238352A4 (en) 2014-12-23 2018-08-22 Axell Wireless Ltd. Harmonizing noise aggregation and noise management in distributed antenna system
EP3054589B1 (en) * 2015-02-04 2018-07-04 Ampleon Netherlands B.V. Doherty amplifier
WO2016127028A1 (en) 2015-02-05 2016-08-11 Commscope Technologies Llc Systems and methods for emulating uplink diversity signals
US9712343B2 (en) 2015-06-19 2017-07-18 Andrew Wireless Systems Gmbh Scalable telecommunications system
JP6611394B2 (ja) * 2015-07-28 2019-11-27 ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド 電力増幅器、電力増幅方法、ならびに電力増幅制御装置および方法
CN108123690B (zh) 2016-11-30 2023-04-28 住友电工光电子器件创新株式会社 多赫蒂放大器
US10418947B2 (en) 2017-03-01 2019-09-17 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Doherty amplifier
US10432147B2 (en) 2017-03-01 2019-10-01 Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. Inverted three-stage Doherty amplifier
US11011813B2 (en) * 2019-07-12 2021-05-18 Nxp B.V. Power amplifier with shielded transmission lines
WO2021049983A1 (en) * 2019-09-10 2021-03-18 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Sequential continuous wideband amplifiers
CN115776281A (zh) * 2021-09-06 2023-03-10 中兴通讯股份有限公司 功率放大器架构和电路板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6741867B1 (en) * 1999-11-30 2004-05-25 Nec Corporation Non-linear distortion compensation circuit, transmitter device to be employed in the same and mobile communication unit
US6915118B2 (en) * 2000-06-21 2005-07-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Linear compensated amplifying equipment

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US710972A (en) * 1902-05-17 1902-10-14 Robert Harris Catching-machine for rolling-mills.
US4700151A (en) 1985-03-20 1987-10-13 Nec Corporation Modulation system capable of improving a transmission system
GB2204202B (en) 1987-04-28 1991-11-27 Racal Communications Equip Radio transmitters
US5121412A (en) 1989-01-03 1992-06-09 Motorola, Inc. All-digital quadrature modulator
US4929906A (en) 1989-01-23 1990-05-29 The Boeing Company Amplifier linearization using down/up conversion
US5132639A (en) 1989-09-07 1992-07-21 Ortel Corporation Predistorter for linearization of electronic and optical signals
JPH03190310A (ja) * 1989-12-19 1991-08-20 Mitsubishi Electric Corp 可変利得増幅器
US5049832A (en) 1990-04-20 1991-09-17 Simon Fraser University Amplifier linearization by adaptive predistortion
JP2883260B2 (ja) 1993-04-20 1999-04-19 三菱電機株式会社 歪補償回路
US5579342A (en) 1994-09-22 1996-11-26 Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Communications Pre-compensated frequency modulation (PFM)
US5486789A (en) 1995-02-28 1996-01-23 Motorola, Inc. Apparatus and method for providing a baseband digital error signal in an adaptive predistorter
FI98014C (fi) * 1995-06-30 1997-03-25 Nokia Mobile Phones Ltd Kuutiointipiiri signaalin esisäröyttämiseksi
US5903823A (en) 1995-09-19 1999-05-11 Fujitsu Limited Radio apparatus with distortion compensating function
US5675287A (en) 1996-02-12 1997-10-07 Motorola, Inc. Digital DC correction circuit for a linear transmitter
US5732333A (en) 1996-02-14 1998-03-24 Glenayre Electronics, Inc. Linear transmitter using predistortion
US5937011A (en) 1996-03-26 1999-08-10 Airnet Communications Corp. Multi-carrier high power amplifier using digital pre-distortion
US5898338A (en) 1996-09-20 1999-04-27 Spectrian Adaptive digital predistortion linearization and feed-forward correction of RF power amplifier
US6246865B1 (en) 1997-02-04 2001-06-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Device and method for controlling distortion characteristic of predistorter
US6252461B1 (en) 1997-08-25 2001-06-26 Frederick Herbert Raab Technique for wideband operation of power amplifiers
US5959499A (en) 1997-09-30 1999-09-28 Motorola, Inc. Predistortion system and method using analog feedback loop for look-up table training
US5936464A (en) 1997-11-03 1999-08-10 Motorola, Inc. Method and apparatus for reducing distortion in a high efficiency power amplifier
US5963549A (en) 1997-12-10 1999-10-05 L-3 Communications Corporation Fixed wireless loop system having baseband combiner predistortion summing table
FI105506B (fi) 1998-04-30 2000-08-31 Nokia Networks Oy Vahvistimen linearisointimenetelmä ja vahvistinjärjestely
US6054896A (en) 1998-12-17 2000-04-25 Datum Telegraphic Inc. Controller and associated methods for a linc linear power amplifier
KR100326176B1 (ko) 1998-08-06 2002-04-17 윤종용 이동통신시스템의전력증폭장치및방법
US6275685B1 (en) 1998-12-10 2001-08-14 Nortel Networks Limited Linear amplifier arrangement
US6697436B1 (en) 1999-07-13 2004-02-24 Pmc-Sierra, Inc. Transmission antenna array system with predistortion
US6751447B1 (en) 1999-12-30 2004-06-15 Samsung Electronics Cop., Ltd. Adaptive digital pre-distortion circuit using output reference signal and method of operation
US6242979B1 (en) 2000-02-23 2001-06-05 Motorola, Inc. Linearization using parallel cancellation in linear power amplifier
GB0011326D0 (en) 2000-05-11 2000-06-28 Nortel Networks Corp A linear amplifier arrangement
KR100374828B1 (ko) * 2000-09-15 2003-03-04 엘지전자 주식회사 적응성 전치왜곡 송신기
US20020179830A1 (en) * 2000-11-01 2002-12-05 Pearson Robert M. Halbach Dipole magnet shim system
KR20020054149A (ko) 2000-12-27 2002-07-06 엘지전자 주식회사 디지털 전치왜곡기를 갖는 기지국 송신장치
KR100398664B1 (ko) 2001-02-21 2003-09-19 주식회사 쏠리테크 중간주파수 대역 사전왜곡에 의한 전력 증폭기 선형화 장치
US6983025B2 (en) 2001-04-11 2006-01-03 Tropian, Inc. High quality power ramping in a communications transmitter
EP1391059B1 (en) 2001-05-31 2009-01-21 Magnolia Broadband, Inc. Communication device with smart antenna using a quality-indication signal
US6928122B2 (en) 2001-06-07 2005-08-09 Motorola, Inc. Amplifier predistortion system and method
US7035345B2 (en) 2001-06-08 2006-04-25 Polyvalor S.E.C. Adaptive predistortion device and method using digital receiver
US7068984B2 (en) 2001-06-15 2006-06-27 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Systems and methods for amplification of a communication signal
GB2376583B (en) 2001-06-15 2005-01-05 Wireless Systems Int Ltd Time alignment of signals
US7158765B2 (en) 2001-07-31 2007-01-02 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for controlling power of a transmitted signal
US7103329B1 (en) 2001-10-25 2006-09-05 Rockwell Collins, Inc. Adaptive feedback channel for radio frequency power amplifiers
US7058139B2 (en) 2001-11-16 2006-06-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Transmitter with transmitter chain phase adjustment on the basis of pre-stored phase information
US6703897B2 (en) 2001-12-26 2004-03-09 Nortel Networks Limited Methods of optimising power amplifier efficiency and closed-loop power amplifier controllers
KR100553252B1 (ko) * 2002-02-01 2006-02-20 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 휴대용 단말기의 전력 증폭 장치
US7248642B1 (en) 2002-02-05 2007-07-24 Andrew Corporation Frequency-dependent phase pre-distortion for reducing spurious emissions in communication networks
US20030179830A1 (en) 2002-03-25 2003-09-25 Eidson Donald B. Efficient, high fidelity transmission of modulation schemes through power-constrained remote relay stations by local transmit predistortion and local receiver feedback
US6985704B2 (en) 2002-05-01 2006-01-10 Dali Yang System and method for digital memorized predistortion for wireless communication
US8064850B2 (en) 2002-05-01 2011-11-22 Dali Systems Co., Ltd. High efficiency linearization power amplifier for wireless communication
EP1511182B1 (en) 2002-05-31 2011-07-13 Fujitsu Limited Table reference predistortor
US7113551B2 (en) 2002-07-25 2006-09-26 Intersil Corporation Transmitter with limited spectral regrowth and method therefor
US7321635B2 (en) 2002-08-16 2008-01-22 Andrew Corporation Linearization of amplifiers using baseband detection and non-baseband pre-distortion
US6798295B2 (en) * 2002-12-13 2004-09-28 Cree Microwave, Inc. Single package multi-chip RF power amplifier
US6922102B2 (en) * 2003-03-28 2005-07-26 Andrew Corporation High efficiency amplifier
US7259630B2 (en) 2003-07-23 2007-08-21 Andrew Corporation Elimination of peak clipping and improved efficiency for RF power amplifiers with a predistorter
US7042287B2 (en) 2003-07-23 2006-05-09 Northrop Grumman Corporation System and method for reducing dynamic range and improving linearity in an amplication system
US6963242B2 (en) 2003-07-31 2005-11-08 Andrew Corporation Predistorter for phase modulated signals with low peak to average ratios
US7109792B2 (en) 2003-09-17 2006-09-19 Andrew Corporation Table-based pre-distortion for amplifier systems
US7469491B2 (en) 2004-01-27 2008-12-30 Crestcom, Inc. Transmitter predistortion circuit and method therefor
JP2005277801A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Hitachi Kokusai Electric Inc 増幅器
JP4520204B2 (ja) * 2004-04-14 2010-08-04 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
US7847630B2 (en) * 2004-11-05 2010-12-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Amplifier
US7104310B2 (en) 2004-12-27 2006-09-12 Hunter Automated Machinery Corporation Mold making machine with separated safety work zones
KR20060077818A (ko) * 2004-12-31 2006-07-05 학교법인 포항공과대학교 비대칭 전력 구동을 이용한 전력 증폭 장치
US7382194B2 (en) * 2006-01-18 2008-06-03 Triquint Semiconductor, Inc. Switched distributed power amplifier
KR100814415B1 (ko) * 2007-02-14 2008-03-18 포항공과대학교 산학협력단 하모닉 제어 회로를 이용한 고효율 도허티 전력 증폭기
US8013680B2 (en) * 2007-11-05 2011-09-06 Viasat, Inc. Distributed Doherty amplifiers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6741867B1 (en) * 1999-11-30 2004-05-25 Nec Corporation Non-linear distortion compensation circuit, transmitter device to be employed in the same and mobile communication unit
US6915118B2 (en) * 2000-06-21 2005-07-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Linear compensated amplifying equipment

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