JPH03190310A - 可変利得増幅器 - Google Patents
可変利得増幅器Info
- Publication number
- JPH03190310A JPH03190310A JP32991789A JP32991789A JPH03190310A JP H03190310 A JPH03190310 A JP H03190310A JP 32991789 A JP32991789 A JP 32991789A JP 32991789 A JP32991789 A JP 32991789A JP H03190310 A JPH03190310 A JP H03190310A
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- JP
- Japan
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- variable
- nearly
- phase
- gain amplifier
- gain
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波やミリ波等の高周波帯域で使用
するのに適した可変利得増幅器に関するものである。
するのに適した可変利得増幅器に関するものである。
第４図ｚ（ａ） 、 （ｂ）は従来の可変利得増幅器の
基本的な構成と具体的な構成を示す回路図であり、同図
において、（１）は増幅用の電界効果型トランジスタ（
ＦＥＴ）、（２）は可変Ｘ抵抗、（４）は入力端子、（
５）は出力端子、（６）は直流阻止用キャパシタ、（２
１）は可変抵抗として作用するＦＥＴ、（８）は可変抵
抗制御用端子である。
基本的な構成と具体的な構成を示す回路図であり、同図
において、（１）は増幅用の電界効果型トランジスタ（
ＦＥＴ）、（２）は可変Ｘ抵抗、（４）は入力端子、（
５）は出力端子、（６）は直流阻止用キャパシタ、（２
１）は可変抵抗として作用するＦＥＴ、（８）は可変抵
抗制御用端子である。
Ｆ Ｅ Ｔ （１）としてゲート幅１２００ ｈ鳳のも
のを使用した場合の可変利得増幅器の動作について説明
する。
のを使用した場合の可変利得増幅器の動作について説明
する。
今、可変抵抗制御用端子（８）に制御電圧を印加すると
、その制御電圧に応じてＦ Ｅ Ｔ （２１）のソース
・ドレイン間の抵抗が変化して、抵抗による帰還量が変
わり、可変利得増幅器の利得が変化する。その時のＦ
Ｅ Ｔ （２１）のソース・ドレイン間、すなわち可変
抵抗（２）のアドミタンス値と増幅器の利得との関係は
、動作周波数を例えば３ ＧＨｚにした場合、第３図（
ｂ）の曲線りのようになる。この曲線から分かるように
、アドミタンス値を約０．００２（Ｓ）〜０．０１２５
（Ｓ）まで変化させると、利得は約９．０ｄＢ〜２．５
ｄＢまで変化する。また、この時の増幅器の位相（角度
）は第３図（ａ）の曲線Ｂに示すように、約１２０°〜
１４０°まで変化する。
、その制御電圧に応じてＦ Ｅ Ｔ （２１）のソース
・ドレイン間の抵抗が変化して、抵抗による帰還量が変
わり、可変利得増幅器の利得が変化する。その時のＦ
Ｅ Ｔ （２１）のソース・ドレイン間、すなわち可変
抵抗（２）のアドミタンス値と増幅器の利得との関係は
、動作周波数を例えば３ ＧＨｚにした場合、第３図（
ｂ）の曲線りのようになる。この曲線から分かるように
、アドミタンス値を約０．００２（Ｓ）〜０．０１２５
（Ｓ）まで変化させると、利得は約９．０ｄＢ〜２．５
ｄＢまで変化する。また、この時の増幅器の位相（角度
）は第３図（ａ）の曲線Ｂに示すように、約１２０°〜
１４０°まで変化する。
従来の可変利得増幅器では、可変抵抗（２）、具体的に
はＦ Ｅ Ｔ （２１）のソース・ドレイン間の抵抗を
変化させると利得が変化するが、それと共に増幅器の位
相も変わるので、位相の値が重要となる各種のマイクロ
波機器ではその増幅器を使用することができないという
問題点があった。
はＦ Ｅ Ｔ （２１）のソース・ドレイン間の抵抗を
変化させると利得が変化するが、それと共に増幅器の位
相も変わるので、位相の値が重要となる各種のマイクロ
波機器ではその増幅器を使用することができないという
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、利得を変化させても位相が一定に保持される
可変利得増幅器を得ることを目的とする。
たもので、利得を変化させても位相が一定に保持される
可変利得増幅器を得ることを目的とする。
この発明に係る可変利得増幅器は、電界効果型トランジ
スタの入力端と出力端との間に、可変抵抗を含む帰還回
路を接続し、かつ、その入力端と出力端との間に、ある
いは入力端と出力端のうちの少なくともいずれか一方に
、可変容量を含む位相補償回路を接続したものである。
スタの入力端と出力端との間に、可変抵抗を含む帰還回
路を接続し、かつ、その入力端と出力端との間に、ある
いは入力端と出力端のうちの少なくともいずれか一方に
、可変容量を含む位相補償回路を接続したものである。
この発明における可変利得増幅器では、位相補償回路の
可変容量値を変化させることにより、増幅器の位相はそ
の利得の変化とは無関係に一定に維持される。
可変容量値を変化させることにより、増幅器の位相はそ
の利得の変化とは無関係に一定に維持される。
以下、この発明の実施例を図について説明する。第１図
／（ａ） 、 （ｂ）はこの発明の一実施例による可変
利得増幅器の基本的な構成と具体的な構成を示す回路図
である。同図において、（３）は可変抵抗（２）に並列
に接続された可変容量、（３１）は可変容量（３）を実
現する可変容量ダイオード、（９）は可変容量制御用端
子、（７）＋２直流阻止用キヤパシタである。その他の
部分は第４図に示す可変利得増幅器の場合と同様である
。
／（ａ） 、 （ｂ）はこの発明の一実施例による可変
利得増幅器の基本的な構成と具体的な構成を示す回路図
である。同図において、（３）は可変抵抗（２）に並列
に接続された可変容量、（３１）は可変容量（３）を実
現する可変容量ダイオード、（９）は可変容量制御用端
子、（７）＋２直流阻止用キヤパシタである。その他の
部分は第４図に示す可変利得増幅器の場合と同様である
。
Ｆ Ｅ Ｔ （２１）の可変抵抗制御用端子（８）に例
えば約Ｏ〜２■の制御電圧を印加し、可変容量ダイオー
ド（３１）の可変容量制御用端子（９）に例えば約１〜
５ｖの制御電圧を印加して、第３図（ｃ）に示すように
、Ｆ Ｅ Ｔ （２１）、すなわち、可変抵抗（２）の
アドミタンス値が約０．００２（Ｓ）〜０．０１２５（
Ｓ）に、また可変容量ダイオード（３１）、すなわち可
変容量（３）の可変容量値が約０．２０（ｐＦ）〜０．
７０（ｐＦ）に変化するように設定すると、可変利得増
幅器の利得は、動作周波数を例えば３ ＧＨｚに設定し
た場合、上記アドミタンス値に対して、第３図（ｂ）の
曲線Ｃに示すように、約６．５ ｄＢ〜−０，３ｄＢま
で変化する。この時の可変利得増幅器の位相は第３図（
ａ）の点線Ａで示すように約１０７°で一定となる。な
お、直流阻止用キャパシタ（６）、 （７）は高周波帯
では短絡回路として機能するので、上記アドミタンス値
、可変容量値を考慮する時は無視することができる。
えば約Ｏ〜２■の制御電圧を印加し、可変容量ダイオー
ド（３１）の可変容量制御用端子（９）に例えば約１〜
５ｖの制御電圧を印加して、第３図（ｃ）に示すように
、Ｆ Ｅ Ｔ （２１）、すなわち、可変抵抗（２）の
アドミタンス値が約０．００２（Ｓ）〜０．０１２５（
Ｓ）に、また可変容量ダイオード（３１）、すなわち可
変容量（３）の可変容量値が約０．２０（ｐＦ）〜０．
７０（ｐＦ）に変化するように設定すると、可変利得増
幅器の利得は、動作周波数を例えば３ ＧＨｚに設定し
た場合、上記アドミタンス値に対して、第３図（ｂ）の
曲線Ｃに示すように、約６．５ ｄＢ〜−０，３ｄＢま
で変化する。この時の可変利得増幅器の位相は第３図（
ａ）の点線Ａで示すように約１０７°で一定となる。な
お、直流阻止用キャパシタ（６）、 （７）は高周波帯
では短絡回路として機能するので、上記アドミタンス値
、可変容量値を考慮する時は無視することができる。
第２図はこの発明の他の実施例による可変利得増幅器の
構成を示す、この増幅器は、出力端子（５）と接地点と
の間にローデツドライン型の可変移相器を位相補償回路
として設けたものであり、その可変移相器は伝送線路（
１０）、可変容量ダイオード（３２）、直流阻止用キャ
パ、シタ（１１）の直列結合体で構成されている。なお
、伝送線路（１０）は負荷との関係で所望のインピーダ
ンスを得るために設けたものである。この増幅器では、
可変容量制御用端子（１２）に所望の電圧を印加するこ
とにより増幅器の位相を一定に保つことができる。
構成を示す、この増幅器は、出力端子（５）と接地点と
の間にローデツドライン型の可変移相器を位相補償回路
として設けたものであり、その可変移相器は伝送線路（
１０）、可変容量ダイオード（３２）、直流阻止用キャ
パ、シタ（１１）の直列結合体で構成されている。なお
、伝送線路（１０）は負荷との関係で所望のインピーダ
ンスを得るために設けたものである。この増幅器では、
可変容量制御用端子（１２）に所望の電圧を印加するこ
とにより増幅器の位相を一定に保つことができる。
なお、この実施例では、可変移相器はローデツドライン
型のものであるが、この型に限定されるものではなく、
その他の／＼イブリッド型等であってもよい、また、可
変移相器を出力端に付加したが、入力端に、あるいは入
出力端の双方に付加してもよい。
型のものであるが、この型に限定されるものではなく、
その他の／＼イブリッド型等であってもよい、また、可
変移相器を出力端に付加したが、入力端に、あるいは入
出力端の双方に付加してもよい。
以上のように、この発明による可変利得増幅器では、位
相補償回路の可変容量によって位相量を調整することが
できるので、位相量を変えることなく利得を変化させる
ことができる。
相補償回路の可変容量によって位相量を調整することが
できるので、位相量を変えることなく利得を変化させる
ことができる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）はこの発明の一実施例による
可変利得増幅器の基本的な構成と具体的な構成を示す回
路図、第２図はこの発明の他の実施例による可変利得増
幅器の構成を示す回路図、第３図（ａ）乃至（Ｃ）はこ
の発明の一実施例による可変利得増幅器と従来の可変利
得増幅器の特性を示す図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は
従来の可変利得増幅器の基本的な構成と具体的な構成を
示す回路図である。 （１） は電界効果型ト ランジスタ、 （２） （２１）は 可変抵抗、 （３） （３１）、 （３２）は可変容量、 （４） は 入力端、 （５） は出力端である。 なお、 図中、 同一符号は同−又は相当部分を示 す。 代 理 人 犬 石 増 雄 島３ 図（ａ） ヱ１−ミｙ；スイｔｔ４蝙ｉレハイｉ椙しめ藺イ本晃３
図（ｂ） 一？’Ｌ−ミクン又哨輛、ヒ多噛中昌で１ｉ“Ｊ＜％ヒ
を九８脅に丁ドＳ７シ又 （Ｓ） ！！Ｐｌ］ 国（ａ） 晃２に０ 曾 偽３ 図（Ｃ） −ｎ−＋ｖ以ｆｆｉ＊ｆｔ＊ｌイ＃ｔＩ）ｒシ１−ト（
第４ 図（ａ） 第４ 図（ｂ）
可変利得増幅器の基本的な構成と具体的な構成を示す回
路図、第２図はこの発明の他の実施例による可変利得増
幅器の構成を示す回路図、第３図（ａ）乃至（Ｃ）はこ
の発明の一実施例による可変利得増幅器と従来の可変利
得増幅器の特性を示す図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は
従来の可変利得増幅器の基本的な構成と具体的な構成を
示す回路図である。 （１） は電界効果型ト ランジスタ、 （２） （２１）は 可変抵抗、 （３） （３１）、 （３２）は可変容量、 （４） は 入力端、 （５） は出力端である。 なお、 図中、 同一符号は同−又は相当部分を示 す。 代 理 人 犬 石 増 雄 島３ 図（ａ） ヱ１−ミｙ；スイｔｔ４蝙ｉレハイｉ椙しめ藺イ本晃３
図（ｂ） 一？’Ｌ−ミクン又哨輛、ヒ多噛中昌で１ｉ“Ｊ＜％ヒ
を九８脅に丁ドＳ７シ又 （Ｓ） ！！Ｐｌ］ 国（ａ） 晃２に０ 曾 偽３ 図（Ｃ） −ｎ−＋ｖ以ｆｆｉ＊ｆｔ＊ｌイ＃ｔＩ）ｒシ１−ト（
第４ 図（ａ） 第４ 図（ｂ）
Claims (1)
- （１）電界効果型トランジスタの入力端と出力端との間
に、可変抵抗を含む帰還回路を接続し、且つ、その入力
端と出力端の間に、あるいはその入力端と出力端のうち
の少なくともいずれか一方に、可変容量を含む位相補償
回路を接続して構成された可変利得増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32991789A JPH03190310A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 可変利得増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32991789A JPH03190310A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 可変利得増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03190310A true JPH03190310A (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=18226712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32991789A Pending JPH03190310A (ja) | 1989-12-19 | 1989-12-19 | 可変利得増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03190310A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5355096A (en) * | 1993-07-06 | 1994-10-11 | Trw Inc. | Compace HBT wide band microwave variable gain active feedback amplifier |
| JP2010530148A (ja) * | 2007-04-23 | 2010-09-02 | ダリ システムズ カンパニー リミテッド | Ｎウェイ分散電力増幅器 |
| US9184703B2 (en) | 2007-04-23 | 2015-11-10 | Dali Systems Co. Ltd. | N-way doherty distributed power amplifier with power tracking |
-
1989
- 1989-12-19 JP JP32991789A patent/JPH03190310A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5355096A (en) * | 1993-07-06 | 1994-10-11 | Trw Inc. | Compace HBT wide band microwave variable gain active feedback amplifier |
| JP2010530148A (ja) * | 2007-04-23 | 2010-09-02 | ダリ システムズ カンパニー リミテッド | Ｎウェイ分散電力増幅器 |
| US9184703B2 (en) | 2007-04-23 | 2015-11-10 | Dali Systems Co. Ltd. | N-way doherty distributed power amplifier with power tracking |
| US10298177B2 (en) | 2007-04-23 | 2019-05-21 | Dali Systems Co. Ltd. | N-way doherty distributed power amplifier with power tracking |
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