JPH03258008A - 位相温度補償型高周波増幅器 - Google Patents
位相温度補償型高周波増幅器Info
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- JPH03258008A JPH03258008A JP2055590A JP5559090A JPH03258008A JP H03258008 A JPH03258008 A JP H03258008A JP 2055590 A JP2055590 A JP 2055590A JP 5559090 A JP5559090 A JP 5559090A JP H03258008 A JPH03258008 A JP H03258008A
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
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- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はマイクロストリップ回路で構成される位相温
度補償型高周波増幅器に関するものである。
度補償型高周波増幅器に関するものである。
従来、マイクロ波帯の高周波増幅器では小型／軽量化の
ため、能動素子として電界効果トランジスタ（以下、Ｆ
ＥＴという。）を用い、前記ＦＥＴのゲート端子、およ
びドレイン端子にそれぞれマイクロストリップ線路を接
続することによりマイクロストリップ回路を構成した高
周波増幅器が知られている。
ため、能動素子として電界効果トランジスタ（以下、Ｆ
ＥＴという。）を用い、前記ＦＥＴのゲート端子、およ
びドレイン端子にそれぞれマイクロストリップ線路を接
続することによりマイクロストリップ回路を構成した高
周波増幅器が知られている。
上述の高周波増幅器の一実施例を第２図に示す。
第２図で（１）はＦＥＴ、 （ｌａ）は前記ＦＥＴのゲ
ート端子、 （ｌｂ）は前記ＦＥＴのドレイン端子、
（ｌｃ）は前記ＦＥＴのソース端子、（２）は信号入力
端子（３）は第１のコンデンサ、（４）は入力整合回路
を構成する第１のマイクロストリップ線路、（５）は出
力整合回路を構成する第２のマイクロストリップ線路、
（６）は第２のコンデンサ、 （７） ｉ＊信号出力端
子、（８）はゲート側バイアス端子、（９）はドレイン
側バイアス端子、 （１０）はグランド端子である。
ート端子、 （ｌｂ）は前記ＦＥＴのドレイン端子、
（ｌｃ）は前記ＦＥＴのソース端子、（２）は信号入力
端子（３）は第１のコンデンサ、（４）は入力整合回路
を構成する第１のマイクロストリップ線路、（５）は出
力整合回路を構成する第２のマイクロストリップ線路、
（６）は第２のコンデンサ、 （７） ｉ＊信号出力端
子、（８）はゲート側バイアス端子、（９）はドレイン
側バイアス端子、 （１０）はグランド端子である。
次に動作について説明する。Ｆ Ｅ Ｔ （１）の７−
ス端子（ｌｃ）はグランド端子〔１０）に接地し、この
接地点に対してゲート端子（ｌａ）にゲート側バイアス
端子（８）を介して負電圧を、またドレイン端子（１ｂ
）にドレイン側バイアス端子（９）を介して正電圧を印
加して適正なバイアス状態に設定すると、ＦＥ Ｔ （
１）は増幅素子として動作可能な状態となる。
ス端子（ｌｃ）はグランド端子〔１０）に接地し、この
接地点に対してゲート端子（ｌａ）にゲート側バイアス
端子（８）を介して負電圧を、またドレイン端子（１ｂ
）にドレイン側バイアス端子（９）を介して正電圧を印
加して適正なバイアス状態に設定すると、ＦＥ Ｔ （
１）は増幅素子として動作可能な状態となる。
さらに入力側のインピーダンス整合をとる第１のマイク
ロストリップ線路（４）および出力側のインピーダンス
整合をとる第２のマイクロストリップ線路（５）によっ
て動作周波数帯におけるＦＥＴ（１）の入力および出力
インピーダンスと外部回路のインピーダンスとを整合さ
せることにより、信号入力端子（２）に入力された高周
波信号は増幅されて信号出力端子（７）より出力される
。
ロストリップ線路（４）および出力側のインピーダンス
整合をとる第２のマイクロストリップ線路（５）によっ
て動作周波数帯におけるＦＥＴ（１）の入力および出力
インピーダンスと外部回路のインピーダンスとを整合さ
せることにより、信号入力端子（２）に入力された高周
波信号は増幅されて信号出力端子（７）より出力される
。
なお、第１のコンデンサ（３）は、ゲート端子へのバイ
アス電流が入力端子から外部へ漏れ出さないように機能
するＤＣカットである。同様に第２のコンデンサ（６）
は、ドレイン側バイアスのためのＤＣカットである。
アス電流が入力端子から外部へ漏れ出さないように機能
するＤＣカットである。同様に第２のコンデンサ（６）
は、ドレイン側バイアスのためのＤＣカットである。
従来の高周波増幅器は以上のように構成されているので
、環境温度の変化によってＦＥＴのインピーダンスが変
化した場合に、これに関連して増幅器から出力される信
号の位相も変動する。すなわち第３図の破線Ａに示すよ
うに、温度Ｔが基準値Ｔ。から変化した場合１位相ψも
ψ、からψ。。
、環境温度の変化によってＦＥＴのインピーダンスが変
化した場合に、これに関連して増幅器から出力される信
号の位相も変動する。すなわち第３図の破線Ａに示すよ
うに、温度Ｔが基準値Ｔ。から変化した場合１位相ψも
ψ、からψ。。
またはψ−のように変化する。さらにＦＥＴ個々のばら
つきによってインピーダンスの温度変動度にもばらつき
が生じるため、複数の増幅器間で位相特性の温度変動度
にばらつきが生じるという現象があった。
つきによってインピーダンスの温度変動度にもばらつき
が生じるため、複数の増幅器間で位相特性の温度変動度
にばらつきが生じるという現象があった。
このため、複数の増幅器間の位相温度特性が問題になる
ような通信システム、例えばマルチビームアンテナ装置
では従来の高周波増幅器に関して次に述べるような課題
があった。
ような通信システム、例えばマルチビームアンテナ装置
では従来の高周波増幅器に関して次に述べるような課題
があった。
マルチビームアンテナ装置では、第５図に示すように複
数のアンテナ素子ａ１〜ａ、１からの信号を複数のグイ
プレクサｂ１〜ｂ９および複数の高周波増幅器ｃ１〜Ｃ
Ｎを介して受信ビーム形成回路ｄで合成することによっ
てビームを形成する。このとき各信号の位相量を変える
ことによって電気的にビームの方向を変えることができ
るのが特長である。
数のアンテナ素子ａ１〜ａ、１からの信号を複数のグイ
プレクサｂ１〜ｂ９および複数の高周波増幅器ｃ１〜Ｃ
Ｎを介して受信ビーム形成回路ｄで合成することによっ
てビームを形成する。このとき各信号の位相量を変える
ことによって電気的にビームの方向を変えることができ
るのが特長である。
しかるに、従来の増幅器をこのマルチビームアンテナ装
置に用いる際には、各々の増幅器に温度の差が生した際
には増幅器によって位相が異なってしまう。また、すへ
ての増幅器の温度が均一に設定されたとしても、各々の
増幅器によって位相の温度変動度が異なるために、やは
り増幅器によって信号位相が異なってしまう。
置に用いる際には、各々の増幅器に温度の差が生した際
には増幅器によって位相が異なってしまう。また、すへ
ての増幅器の温度が均一に設定されたとしても、各々の
増幅器によって位相の温度変動度が異なるために、やは
り増幅器によって信号位相が異なってしまう。
従って、従来の増幅器の持つ上記２つの要素のため、ア
ンテナ素子ａ１〜ａＮからの各信号間で温度による位相
のばらつきが生じ、システムとしての必要なビーム方向
に関する誤差、および利得の低下を生じるという解決す
べき課題があった。
ンテナ素子ａ１〜ａＮからの各信号間で温度による位相
のばらつきが生じ、システムとしての必要なビーム方向
に関する誤差、および利得の低下を生じるという解決す
べき課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされた
もので、温度によらず一定の位相を保つ高周波増幅器を
得ることを目的とする。
もので、温度によらず一定の位相を保つ高周波増幅器を
得ることを目的とする。
この発明に係る位相温度補償型高周波増幅器は。
温度によって位相が変化するようにバイアスが制御され
たバラクタダイオードをブランチライン型又はインタデ
ィジタル型ハイブリッド線路を介して従来の高周波増幅
器に付加したものである。
たバラクタダイオードをブランチライン型又はインタデ
ィジタル型ハイブリッド線路を介して従来の高周波増幅
器に付加したものである。
この発明における位相温度補償型高周波増幅器は、バラ
クタダイオードのバイアス値を正特性サーミスタによっ
て温度制御し、バラクタダイオードの位相を温度によっ
て変化させることにより。
クタダイオードのバイアス値を正特性サーミスタによっ
て温度制御し、バラクタダイオードの位相を温度によっ
て変化させることにより。
ＦＥＴの位相温度変動を補償し、温度によらず増幅器全
体の位相を常に一定に保つことを可能とする。
体の位相を常に一定に保つことを可能とする。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（ａ）で（１）はＦＥＴ、（ｌａ）は前記ＦＥＴのゲ
ート端子、 （ｌｂ）は前記ＦＥＴのドレイン端子、
（ｌｃ）は前記ＦＥＴのソース端子、（２）は信号入力
端子、（３）は第１のコンデンサ、（４）は入力整合回
路を構成する第１のマイクロストリップ線路、（５）は
出力整合回路を構成する第２のマイクロストリップ線路
、（６）は第２のコンデンサ、（７）は信号出力端子、
（８）はゲート側バイアス端子。
図（ａ）で（１）はＦＥＴ、（ｌａ）は前記ＦＥＴのゲ
ート端子、 （ｌｂ）は前記ＦＥＴのドレイン端子、
（ｌｃ）は前記ＦＥＴのソース端子、（２）は信号入力
端子、（３）は第１のコンデンサ、（４）は入力整合回
路を構成する第１のマイクロストリップ線路、（５）は
出力整合回路を構成する第２のマイクロストリップ線路
、（６）は第２のコンデンサ、（７）は信号出力端子、
（８）はゲート側バイアス端子。
（９）はドレイン側バイアス端子、 （１０）は第１の
グランド端子、 （ｌｌａ）はマイクロストリップ線路
によって構成されるブランチライン型ハイブリッド線路
、 （１２）は第１のバラクタダイオード、 （１３）
は第２のバラクタダイオード、 （１４）は第３のマイ
クロストリップ線路、 （１５）は第４のマイクロスト
リップ線路、 （１６）は正特性サーミスタ、 （１７
）は第１の抵抗、 （１８）は第２の抵抗、 （１９）
は第３の抵抗（２０）は第４の抵抗、 （２１）は正電
圧電源、 （２２）は第３のコンデンサ、 （２３）は
第２のグランド端子、（２４）は第３のグランド端子、
（２５）は第４のグランド端子である。
グランド端子、 （ｌｌａ）はマイクロストリップ線路
によって構成されるブランチライン型ハイブリッド線路
、 （１２）は第１のバラクタダイオード、 （１３）
は第２のバラクタダイオード、 （１４）は第３のマイ
クロストリップ線路、 （１５）は第４のマイクロスト
リップ線路、 （１６）は正特性サーミスタ、 （１７
）は第１の抵抗、 （１８）は第２の抵抗、 （１９）
は第３の抵抗（２０）は第４の抵抗、 （２１）は正電
圧電源、 （２２）は第３のコンデンサ、 （２３）は
第２のグランド端子、（２４）は第３のグランド端子、
（２５）は第４のグランド端子である。
次に動作について説明する。Ｆ Ｅ Ｔ （１）のソー
ス端子（１ｃ）を第１のグランド端子（ｌＯ）に接地し
この接地点に対してゲート端子〔１ａ〕にゲート側バイ
アス端子（８）を介して負電圧を、またドレイン端子（
ｌｂ）にトレイン側バイアス端子（９）を介して正電圧
を印加して適正なバイアス状態に設定すると、ＦＥＴ（
１）か増幅素子として動作可能な状態となる点は従来の
高周波増幅器とまったく同じである。
ス端子（１ｃ）を第１のグランド端子（ｌＯ）に接地し
この接地点に対してゲート端子〔１ａ〕にゲート側バイ
アス端子（８）を介して負電圧を、またドレイン端子（
ｌｂ）にトレイン側バイアス端子（９）を介して正電圧
を印加して適正なバイアス状態に設定すると、ＦＥＴ（
１）か増幅素子として動作可能な状態となる点は従来の
高周波増幅器とまったく同じである。
サラに、第１のマイクロストリップ線路（４）および第
２のマイクロストリップ線路（５）によって動作周波数
帯におけるＦ Ｅ Ｔ （１）の入力および出力インピ
ーダンスと外部回路のインピーダンスとを整合させるこ
とにより、信号入力端子（２）に入力された高周波信号
が増幅されて信号出力端子（７）より出力されるも従来
の高周波増幅器と全く同しである。
２のマイクロストリップ線路（５）によって動作周波数
帯におけるＦ Ｅ Ｔ （１）の入力および出力インピ
ーダンスと外部回路のインピーダンスとを整合させるこ
とにより、信号入力端子（２）に入力された高周波信号
が増幅されて信号出力端子（７）より出力されるも従来
の高周波増幅器と全く同しである。
また、第１のコンデンサ（３）が、ゲート端子へのバイ
アス電流が入力端子から外部へ漏れ出さないようなりＣ
カットとして機能する点、同様に第２のコンデンサ（６
）が、ドレイン側バイアスのためのＤＣカットである点
も従来の高周波増幅器と同一である。
アス電流が入力端子から外部へ漏れ出さないようなりＣ
カットとして機能する点、同様に第２のコンデンサ（６
）が、ドレイン側バイアスのためのＤＣカットである点
も従来の高周波増幅器と同一である。
しかし、この発明による位相温度補償型高周波増幅器で
は、ブランチライン型ハイブリット線路（１１）、
ブランチライン型ハイブリッド線路（１■）と第２のグ
ランド端子（２３）の間に接続された第１のバラクタダ
イオード（１２）、およびブランチライン型ハイブリッ
ド線路（ｌｌａ）と第３のグランド端子〔２４）の間に
接続された第２のバラクタダイオード（１３）とによっ
て可変移相回路を形成し、増幅器の位相の温度補償を行
なうことができる。
は、ブランチライン型ハイブリット線路（１１）、
ブランチライン型ハイブリッド線路（１■）と第２のグ
ランド端子（２３）の間に接続された第１のバラクタダ
イオード（１２）、およびブランチライン型ハイブリッ
ド線路（ｌｌａ）と第３のグランド端子〔２４）の間に
接続された第２のバラクタダイオード（１３）とによっ
て可変移相回路を形成し、増幅器の位相の温度補償を行
なうことができる。
バラクタダイオードにかかる電圧は、正電圧電源（２１
）により供給される電圧を第３の抵抗（１９）と正特性
サーミスタ（１６）、正特性サーミスタに並列接続され
た第１の抵抗（１７）および正特性サーミスタと第４の
グランド端子（２５）の間に接続された第２の抵抗（１
８）を用いて適当な値に抵抗分割し、これを保護抵抗で
ある第４の抵抗（２０）を介し、さらに、誘導性の第３
のマイクロストリップ線路（１４）と開放端をもつ容量
性の第４のマイクロストリップ線路（１５）とで構成さ
れる高周波雑音に対するチョーク回路を介することによ
って印加される。
）により供給される電圧を第３の抵抗（１９）と正特性
サーミスタ（１６）、正特性サーミスタに並列接続され
た第１の抵抗（１７）および正特性サーミスタと第４の
グランド端子（２５）の間に接続された第２の抵抗（１
８）を用いて適当な値に抵抗分割し、これを保護抵抗で
ある第４の抵抗（２０）を介し、さらに、誘導性の第３
のマイクロストリップ線路（１４）と開放端をもつ容量
性の第４のマイクロストリップ線路（１５）とで構成さ
れる高周波雑音に対するチョーク回路を介することによ
って印加される。
上述のようにして適当な電圧を印加すると、２個のバラ
クタダイオードは互いに等しい一定の容量値をもつ。
クタダイオードは互いに等しい一定の容量値をもつ。
ＦＥＴ（１）によって増幅された高周波信号はブランチ
ライン型ノ１イブリッド線路（ｌｌａ）を介して２個の
バラクタダイオード（１２）（１３）に入力されるが、
ここで信号は反射され、再びブランチライン型ハイブリ
ッド線路（ｌｌａ）を経て信号出力端子（７）に伝搬す
る。この際にバラクタダイオードのもつ容量値によって
位相が変化する。
ライン型ノ１イブリッド線路（ｌｌａ）を介して２個の
バラクタダイオード（１２）（１３）に入力されるが、
ここで信号は反射され、再びブランチライン型ハイブリ
ッド線路（ｌｌａ）を経て信号出力端子（７）に伝搬す
る。この際にバラクタダイオードのもつ容量値によって
位相が変化する。
従ってバラクタダイオードの印加電圧を変化させると、
これに応じてノ１イブリッド線路及び２個のバラクタダ
イオードからなる移相器回路部の位相が変化する。第４
図の曲線Ｃは／４ラクタダイオードの端子間電圧と移相
器の位相量との関係を示した特性曲線である。この図で
常温での基準電圧として■。なる電圧を与えると、移相
器はφ。なる位相値をもつ。
これに応じてノ１イブリッド線路及び２個のバラクタダ
イオードからなる移相器回路部の位相が変化する。第４
図の曲線Ｃは／４ラクタダイオードの端子間電圧と移相
器の位相量との関係を示した特性曲線である。この図で
常温での基準電圧として■。なる電圧を与えると、移相
器はφ。なる位相値をもつ。
ここで環境温度が変化すると、正特性サーミスタ（１６
）の抵抗値が変化するためにｔＸＩラクタダイオードの
印加電圧も変化し、高温の場合は電圧が増加し３例えば
Ｖ。の値になる。これに応じて移相器回路部の位相はφ
。の値に変化する。逆に低温側では印加電圧が減少し１
位相もφ−の値に変化する。
）の抵抗値が変化するためにｔＸＩラクタダイオードの
印加電圧も変化し、高温の場合は電圧が増加し３例えば
Ｖ。の値になる。これに応じて移相器回路部の位相はφ
。の値に変化する。逆に低温側では印加電圧が減少し１
位相もφ−の値に変化する。
このとき増幅器全体では、第３図の破線Ａに示すＦＥＴ
の位相温度特性を上述のように移相器回路部の制御され
た位相温度特性で補償するため。
の位相温度特性を上述のように移相器回路部の制御され
た位相温度特性で補償するため。
実戦Ｂに示すように温度によらず一定の位相値を得るこ
とができる。
とができる。
さらに、第３の抵抗（１９）と、正特性サーミスタ（１
６）、第１の抵抗（１７）、及び第２の抵抗（１８）と
の分割比を変えることによって移相器回路部の位相量を
任意に設定できるので、ＦＥＴのばらつきによって生ず
る位相量のばらつきを一定にするような調整ができる。
６）、第１の抵抗（１７）、及び第２の抵抗（１８）と
の分割比を変えることによって移相器回路部の位相量を
任意に設定できるので、ＦＥＴのばらつきによって生ず
る位相量のばらつきを一定にするような調整ができる。
また、第１の抵抗（１７）、及び第２の抵抗（１８）の
値を変えて正特性サーミスタの温度変化量を緩和し、２
個のバラクタダイオードへの印加電圧の温度変動度を調
節することにより、ＦＥＴの温度による位相変動度のば
らつきに対する調整ができる。
値を変えて正特性サーミスタの温度変化量を緩和し、２
個のバラクタダイオードへの印加電圧の温度変動度を調
節することにより、ＦＥＴの温度による位相変動度のば
らつきに対する調整ができる。
またブランチライン型／＼イブリッド線路を用（１てい
るため、バラクタダイオードのインピーダンスによらず
増幅回路部と移相器回路部とのマンチングは良好に保た
れる。従って移相器部分ではＦＥＴによる増幅機能を妨
げることなく位相量のみを変化させることができる。
るため、バラクタダイオードのインピーダンスによらず
増幅回路部と移相器回路部とのマンチングは良好に保た
れる。従って移相器部分ではＦＥＴによる増幅機能を妨
げることなく位相量のみを変化させることができる。
さらに、２個のバラクタダイオードへの印加電圧は、移
相器回路部の外部に対して何ら影響を与えないよう、第
２のコンデンサ（６）及び第３のコンデンサ（２０）に
よりブロックされる。
相器回路部の外部に対して何ら影響を与えないよう、第
２のコンデンサ（６）及び第３のコンデンサ（２０）に
よりブロックされる。
第１図（ｂ）はこの発明の他の実施例を示す図であり、
第１図（ａ）と異なるところはブランチライン型ハイブ
リッド線路（ｌｌａ）をインタディジタル型ハイブリッ
ド線路（ｌｌｂ）としたところであり。
第１図（ａ）と異なるところはブランチライン型ハイブ
リッド線路（ｌｌａ）をインタディジタル型ハイブリッ
ド線路（ｌｌｂ）としたところであり。
その作用、効果は第１図（ａ）に示したものと同様であ
る。
る。
なお上記実施例ではハイブリッド線路としてブランチラ
イン型、インタディジタル型のノ蔦イブリッド線路を用
いたが、２個のバラクタダイオードなどにより可変移相
回路を形成するものであれば他のハイブリッド線路も適
用可能である。
イン型、インタディジタル型のノ蔦イブリッド線路を用
いたが、２個のバラクタダイオードなどにより可変移相
回路を形成するものであれば他のハイブリッド線路も適
用可能である。
以上のように、この発明によれば、２個のバラクタダイ
オードをハイブリッド路線を介して高周波増幅器に接続
し、２個のバラクタダイオードのバイアス値を環境温度
の変動に従って変化させられるように構成したので、バ
ラクタダイオードの位相を環境温度によって変化させる
ことにより。
オードをハイブリッド路線を介して高周波増幅器に接続
し、２個のバラクタダイオードのバイアス値を環境温度
の変動に従って変化させられるように構成したので、バ
ラクタダイオードの位相を環境温度によって変化させる
ことにより。
ＦＥＴの位相の温度変動を補償し、結果としてＦＥＴ個
々の位相のばらつき、ＦＥＴ個々の位相温度変動度のば
らつき、及び環境温度の変化によらず常に一定の位相量
を得られる位相温度補償型高周波増幅器を得られる効果
がある。
々の位相のばらつき、ＦＥＴ個々の位相温度変動度のば
らつき、及び環境温度の変化によらず常に一定の位相量
を得られる位相温度補償型高周波増幅器を得られる効果
がある。
第１図（ａ）はこの発明による位相温度補償型高周波増
幅器の一実施例を示す構成図、第１図（ｂ）はこの発明
による位相温度補償型高周波増幅器の他の実施例を示す
構成図、第２図は従来の高周波増幅器を示す構成図、第
３図は高周波増幅器の位相の温度依存性を示す特性図、
第４図はパラクタダイオードとブランチライン型／）イ
ブリット線路により構成した移相回路における印加電圧
と移相量の変化を示す特性図、第５図は高周波増幅器を
用いたマルチビームアンテナ装置の一実施例を示す図で
ある。 図において、（１）はＦＥＴ、（ｌａ）は前記ＦＥＴの
ゲート端子、 （ｌｂ）は前記ＦＥＴのドレイン端子。 （ｌｃ）はＦＥＴのソース端子、（２）は信号入力端子
（３）は第１のコンデンサ、〔４）は第１のマイクロス
トリップ線路、（５）は第２のマイクロストリップ線路
、（６）は第２のコンデンサ、（７）は信号出力端子、
（８）はゲート側バイアス端子、（９）はドレイン側バ
イアス端子、 （１０）は第１のグランド端子、 （ｌ
ｌａ）はブランチライン型ハイブリッド線路、 （ｌｌ
ｂ）はインタディジタル型ハイブリット線路、 （１２
）は第１のバラクタダイオード、 （１３） ｔよ第２
のバラクタダイオード、 （１４）は第３のマイクロス
トリップ線路、 （１５）は第４のマイクロストリップ
線路、 （１６）は正特性サーミスタ、 （１７）は第
１の抵抗、 （１８）は第２の抵抗、 （１９）は第３
の抵抗、 （２０）は第４の抵抗、 （２１）は正電圧
電源（２２）は第３のキャパシタ、 （２３）は第２の
グランド端子、 （２４）は第３のグランド端子、 （
２５）は第４のグランド端子である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
幅器の一実施例を示す構成図、第１図（ｂ）はこの発明
による位相温度補償型高周波増幅器の他の実施例を示す
構成図、第２図は従来の高周波増幅器を示す構成図、第
３図は高周波増幅器の位相の温度依存性を示す特性図、
第４図はパラクタダイオードとブランチライン型／）イ
ブリット線路により構成した移相回路における印加電圧
と移相量の変化を示す特性図、第５図は高周波増幅器を
用いたマルチビームアンテナ装置の一実施例を示す図で
ある。 図において、（１）はＦＥＴ、（ｌａ）は前記ＦＥＴの
ゲート端子、 （ｌｂ）は前記ＦＥＴのドレイン端子。 （ｌｃ）はＦＥＴのソース端子、（２）は信号入力端子
（３）は第１のコンデンサ、〔４）は第１のマイクロス
トリップ線路、（５）は第２のマイクロストリップ線路
、（６）は第２のコンデンサ、（７）は信号出力端子、
（８）はゲート側バイアス端子、（９）はドレイン側バ
イアス端子、 （１０）は第１のグランド端子、 （ｌ
ｌａ）はブランチライン型ハイブリッド線路、 （ｌｌ
ｂ）はインタディジタル型ハイブリット線路、 （１２
）は第１のバラクタダイオード、 （１３） ｔよ第２
のバラクタダイオード、 （１４）は第３のマイクロス
トリップ線路、 （１５）は第４のマイクロストリップ
線路、 （１６）は正特性サーミスタ、 （１７）は第
１の抵抗、 （１８）は第２の抵抗、 （１９）は第３
の抵抗、 （２０）は第４の抵抗、 （２１）は正電圧
電源（２２）は第３のキャパシタ、 （２３）は第２の
グランド端子、 （２４）は第３のグランド端子、 （
２５）は第４のグランド端子である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）電界効果トランジスタと，一端が前記電界効果ト
ランジスタのゲート端子に接続され，他端が信号入力端
子を構成する第１のマイクロストリップ線路と，一端が
前記電界効果トランジスタのドレイン端子に接続される
第２のマイクロストリップ線路と，出力信号端子とで構
成される高周波増幅器において，一端が前記第２のマイ
クロストリップ線路に接続し，他端が前記出力信号端子
に接続するブランチライン型ハイブリッド線路と，一端
が前記ブランチライン型ハイブリッド線路に接続し，他
端がグランドに接続する２個のバラクタダイオードと，
一端が前記２個のバラクタダイオードに接続し，他端が
電源に接続するバイアス回路と，一端が前記バイアス回
路に接続し，他端がグランドに接続する正特性サーミス
タとを備えたことを特徴とする位相温度補償型高周波増
幅器。 - （２）電界効果トランジスタと，一端が前記電界効果ト
ランジスタのゲート端子に接続され，他端が信号入力端
子を構成する第１のマイクロストリップ線路と，一端が
前記電界効果トランジスタのドレイン端子に接続される
第２のマイクロストリップ線路と，出力信号端子とで構
成される高周波増幅器において，一端が前記第２のマイ
クロストリップ線路に接続し，他端が前記出力信号端子
に接続するインタディジタル型ハイブリッド線路と，一
端が前記インタディジタル型ハイブリッド線路に接続し
，他端がグランドに接続する２個のバラクタダイオード
と，一端が前記２個のバラクタダイオードに接続し，他
端が電源に接続するバイアス回路と，一端が前記バイア
ス回路に接続し，他端がグランドに接続する正特性サー
ミスタとを備えたことを特徴とする位相温度補償型高周
波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2055590A JPH03258008A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 位相温度補償型高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2055590A JPH03258008A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 位相温度補償型高周波増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03258008A true JPH03258008A (ja) | 1991-11-18 |
Family
ID=13002967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2055590A Pending JPH03258008A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 位相温度補償型高周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03258008A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603343B2 (en) | 2001-12-18 | 2003-08-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase correction circuit for transistor using high-frequency signal |
| WO2018071634A1 (en) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Phase shifters for gallium nitride amplifiers and related methods |
| US10637460B2 (en) | 2016-06-14 | 2020-04-28 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Circuits and operating methods thereof for monitoring and protecting a device |
| US10790787B2 (en) | 2017-07-24 | 2020-09-29 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | FET operational temperature determination by gate structure resistance thermometry |
| US10855230B2 (en) | 2017-07-24 | 2020-12-01 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | FET operational temperature determination by field plate resistance thermometry |
-
1990
- 1990-03-07 JP JP2055590A patent/JPH03258008A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6603343B2 (en) | 2001-12-18 | 2003-08-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase correction circuit for transistor using high-frequency signal |
| US10637460B2 (en) | 2016-06-14 | 2020-04-28 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Circuits and operating methods thereof for monitoring and protecting a device |
| US11728805B2 (en) | 2016-06-14 | 2023-08-15 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Circuits and operating methods thereof for monitoring and protecting a device |
| WO2018071634A1 (en) * | 2016-10-14 | 2018-04-19 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Phase shifters for gallium nitride amplifiers and related methods |
| US11038473B2 (en) | 2016-10-14 | 2021-06-15 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Phase shifters for gallium nitride amplifiers and related methods |
| US10790787B2 (en) | 2017-07-24 | 2020-09-29 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | FET operational temperature determination by gate structure resistance thermometry |
| US10855230B2 (en) | 2017-07-24 | 2020-12-01 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | FET operational temperature determination by field plate resistance thermometry |
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