JP5425238B2 - 不均等入力電力分割を用いた増加されたバックオフ能力および電力付加効率を持つnウェイrf電力増幅器回路 - Google Patents
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Description
原出願2006年509882号の出願当初の特許請求の範囲には、以下の請求項が記載されていた。
〔請求項1〕
広い範囲の電力にわたってRF信号を増幅するRF電力増幅器回路であって、
a)電力の第1範囲にわたって前記RF信号を増幅する、前記広い範囲の電力の最大値より下の電力飽和レベルを持つキャリア増幅器、
b)前記キャリア増幅器に並列に接続された複数のピーク増幅器であって、前記ピーク増幅器のそれぞれは、前記キャリア増幅器が飽和に近づいた後、増幅された出力信号を順次供給するようバイアスされる、複数のピーク増幅器、
c)入力信号を分割し、前記分割された入力信号を前記キャリア増幅器および前記複数のピーク増幅器に与える信号分割器であって、前記キャリア増幅器への前記入力電力は、前記ピーク増幅器への前記入力電力とは異なる、信号分割器および
d)前記キャリア増幅器および前記複数のピーク増幅器からの増幅された出力信号群を受け取り結合する出力
を備えるRF電力増幅器回路。
〔請求項2〕
請求項1に記載のRF電力増幅器回路であって、前記キャリア増幅器への入力電力は、それぞれのピーク増幅器への前記入力電力よりも大きいRF電力増幅器回路。
〔請求項3〕
請求項1に記載のRF電力増幅器回路であって、前記キャリア増幅器への入力電力は、それぞれのピーク増幅器への前記入力電力よりも小さいRF電力増幅器回路。
〔請求項4〕
請求項1に記載のRF電力増幅器回路であって、それぞれのピーク増幅器は、効率的な電力増幅を6dB伸長するRF電力増幅器回路。
〔請求項5〕
請求項4に記載のRF電力増幅器回路であって、前記複数のピーク増幅器は、3つのピーク増幅器を備え、前記伸長された効率的電力増幅はほぼ18dBであるRF電力増幅器回路。
〔請求項6〕
請求項1に記載のRF電力増幅器回路であって、前記信号分割器は、前記キャリア増幅器の前記入力に接続された1/4波長トランスを含み、前記出力は、前記キャリア増幅器の前記出力に接続され、1/4波長トランスを通してそれぞれのピーク増幅器の前記出力に接続された抵抗負荷を含むRF電力増幅器回路。
〔請求項7〕
請求項1に記載のRF電力増幅器回路であって、前記信号分割器は、前記キャリア増幅器の前記出力に接続された1/4波長トランスを含み、前記出力は、前記1/4波長トランスを通して前記キャリア増幅器の前記出力に接続され、それぞれのピーク増幅器の前記出力に接続された抵抗負荷を含むRF電力増幅器回路。
〔請求項8〕
請求項7に記載のRF電力増幅器回路であって、前記抵抗負荷はR/2であり、それぞれの増幅器は、特性インピーダンスRの1/4波長伝送線路を通して前記負荷に接続されるRF電力増幅器回路。
〔請求項9〕
請求項8に記載のRF電力増幅器回路であって、飽和未満では前記キャリア増幅器は、見かけの負荷2Rに電流を供給することによって、電流が増幅器が飽和しているときの最大電力電流の半分であるようにするRF電力増幅器回路。
〔請求項10〕
請求項1に記載のRF電力増幅器回路であって、前記出力は、前記キャリア増幅器の前記出力に接続され、1/4波長トランスを通してそれぞれのピーク増幅器の前記出力に接続された抵抗負荷を含むRF電力増幅器回路。
〔請求項11〕
請求項1に記載のRF電力増幅器回路であって、前記出力は、1/4波長トランスを通して前記キャリア増幅器の前記出力に接続され、それぞれのピーク増幅器の前記出力に接続された抵抗負荷を含むRF電力増幅器回路。
〔請求項12〕
請求項11に記載のRF電力増幅器回路であって、前記抵抗負荷はR/2であり、それぞれの増幅器は、特性インピーダンスRの1/4波長伝送線路を通して前記負荷に接続されるRF電力増幅器回路。
〔請求項13〕
請求項12に記載のRF電力増幅器回路であって、飽和未満では前記キャリア増幅器は、見かけの負荷2Rに電流を供給することによって、電流が増幅器が飽和しているときの最大電力電流の半分であるようにするRF電力増幅器回路。
〔請求項14〕
広い範囲の電力にわたってRF信号を増幅するRF電力増幅器回路であって、
a)電力の第1範囲にわたって前記RF信号を増幅する、前記広い範囲の電力の最大値より下の電力飽和レベルを持つキャリア増幅器、
b)前記キャリア増幅器に並列に接続された少なくとも1つのピーク増幅器であって、前記少なくとも1つのピーク増幅器は、前記キャリア増幅器が飽和に近づいた後、増幅を始めるようバイアスされる、少なくとも1つのピーク増幅器、および
c)入力信号を不均等に分割し、前記分割された入力信号を前記キャリア増幅器および前記少なくとも1つのピーク増幅器に与える信号分割器
を備えるRF電力増幅器回路。
〔請求項15〕
請求項14に記載のRF電力増幅器回路であって、前記キャリア増幅器は、前記少なくとも1つのピーク増幅器が受け取るよりも小さい入力信号電力を受け取るRF電力増幅器回路。
〔請求項16〕
請求項14に記載のRF電力増幅器回路であって、前記キャリア増幅器は、前記少なくとも1つのピーク増幅器が受け取るよりも大きい入力信号電力を受け取るRF電力増幅器回路。
〔請求項17〕
広い範囲の電力にわたってRF信号を増幅するRF電力増幅器回路であって、
a)電力の第1範囲にわたって前記RF信号を増幅する第1トランジスタを備え、前記広い範囲の電力の最大値より下の電力飽和レベルを持つキャリア増幅器、
b)前記キャリア増幅器に並列に接続された第2トランジスタを備える少なくとも1つのピーク増幅器であって、前記第2トランジスタは、前記キャリア増幅器が飽和に近づいた後、増幅を始めるようバイアスされる、少なくとも1つのピーク増幅器、および
c)入力信号を不均等に分割し、前記分割された入力信号を前記キャリア増幅器および前記少なくとも1つのピーク増幅器に与える信号分割器
を備えるRF電力増幅器回路。
〔請求項18〕
請求項17に記載のRF電力増幅器回路であって、前記キャリア増幅器は、前記少なくとも1つのピーク増幅器が受け取るよりも小さい入力信号電力を受け取るRF電力増幅器回路。
〔請求項19〕
請求項17に記載のRF電力増幅器回路であって、前記第1トランジスタは、前記第2トランジスタとサイズが異なるRF電力増幅器回路。
〔請求項20〕
請求項19に記載のRF電力増幅器回路であって、前記第1トランジスタは、前記第2トランジスタよりサイズが小さいRF電力増幅器回路。
Claims (4)
- 広い範囲の電力にわたってRF信号を増幅するRF電力増幅器回路であって、
a)電力の第1範囲にわたって前記RF信号を増幅する、前記広い範囲の電力の最大値より下の電力飽和レベルを持つキャリア増幅器、
b)前記キャリア増幅器に並列に接続された複数のピーク増幅器であって、前記ピーク増幅器のそれぞれは、前記キャリア増幅器が飽和に近づいた後、増幅された出力信号を順次供給するようバイアスされる、前記複数のピーク増幅器、
c)入力電力を分割し、前記分割された入力電力を前記キャリア増幅器および前記複数のピーク増幅器に与える信号分割器であって、前記キャリア増幅器への入力電力は、前記ピーク増幅器の全てへの総入力電力とは異なり、前記キャリア増幅器への入力電力は、各ピーク増幅器への入力電力よりも小さく、前記ピーク増幅器のそれぞれに与えられる前記入力電力が等しい、前記信号分割器および
d)前記キャリア増幅器および前記複数のピーク増幅器からの増幅された出力信号群を受け取り結合する出力
を備え、
前記信号分割器は、前記キャリア増幅器の入力に接続された1/4波長トランスを含み、前記増幅された出力信号群を受け取り結合する出力は、前記キャリア増幅器の出力に接続され、且つ1/4波長トランスを通してそれぞれのピーク増幅器の出力に接続された抵抗負荷を含むRF電力増幅器回路。 - 請求項1に記載のRF電力増幅器回路であって、それぞれのピーク増幅器は、効率的な電力増幅を6dB伸長するRF電力増幅器回路。
- 請求項2に記載のRF電力増幅器回路であって、前記複数のピーク増幅器は、3つのピーク増幅器を備え、前記伸長された効率的電力増幅はほぼ18dBであるRF電力増幅器回路。
- 請求項1に記載のRF電力増幅器回路であって、前記信号分割器が、不均等分割を提供するように構成された第1の信号分割器と、前記第1の信号分割器の第1の出力を受けるように構成され且つ均等分割を提供する第2の信号分割器とを含み、前記ピーク増幅器が、第2の信号分割器の出力によって駆動され、且つ前記キャリア増幅器が、前記第1の分割器の第2の出力によって駆動されるRF電力増幅器回路。
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US7362170B2 (en) * | 2005-12-01 | 2008-04-22 | Andrew Corporation | High gain, high efficiency power amplifier |
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WO2009031097A1 (en) * | 2007-09-03 | 2009-03-12 | Nxp B.V. | Multi-way doherty amplifier |
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JP5243192B2 (ja) * | 2008-11-12 | 2013-07-24 | 株式会社日立国際電気 | 増幅器 |
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KR101145666B1 (ko) * | 2011-02-24 | 2012-05-25 | 포항공과대학교 산학협력단 | 고주파용 3-스테이지 질화 갈륨계 고전자 이동도 트랜지스터(GaN HEMT) 도허티 전력증폭기 |
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CN102158184A (zh) * | 2011-04-29 | 2011-08-17 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种功率放大管以及功率放大方法 |
JP5720545B2 (ja) * | 2011-11-24 | 2015-05-20 | 富士通株式会社 | 電力増幅器 |
CN103199798B (zh) * | 2013-03-20 | 2015-12-02 | 华为技术有限公司 | 一种多赫蒂功率放大电路及功率放大器 |
US9407214B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-08-02 | Cree, Inc. | MMIC power amplifier |
EP2869463B1 (en) * | 2013-10-31 | 2016-01-06 | Samba Holdco Netherlands B.V. | Doherty amplifier structure |
US9912298B2 (en) | 2014-05-13 | 2018-03-06 | Skyworks Solutions, Inc. | Systems and methods related to linear load modulated power amplifiers |
US9800207B2 (en) | 2014-08-13 | 2017-10-24 | Skyworks Solutions, Inc. | Doherty power amplifier combiner with tunable impedance termination circuit |
US9712119B2 (en) * | 2014-10-25 | 2017-07-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Doherty power amplifier with tunable input network |
US9806681B2 (en) * | 2015-02-15 | 2017-10-31 | Skyworks Solutions, Inc. | Doherty power amplifier having AM-AM compensation |
EP3476041B1 (en) * | 2016-06-28 | 2024-06-12 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (PUBL) | Linear doherty power amplifier |
US10432147B2 (en) | 2017-03-01 | 2019-10-01 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Inverted three-stage Doherty amplifier |
US10418947B2 (en) * | 2017-03-01 | 2019-09-17 | Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. | Doherty amplifier |
JP2019092009A (ja) | 2017-11-13 | 2019-06-13 | 住友電気工業株式会社 | 半導体増幅素子及び半導体増幅装置 |
US10389311B1 (en) * | 2018-01-31 | 2019-08-20 | Qorvo Us, Inc. | Load modulation amplifier |
US10594276B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-03-17 | Nxp Usa, Inc. | Multi-path amplifier circuit or system and methods of implementation thereof |
CN112655154B (zh) * | 2018-08-30 | 2022-08-26 | 华为技术加拿大有限公司 | 利用信号分解进行线性信号处理的方法和系统 |
US12009788B2 (en) * | 2019-03-28 | 2024-06-11 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | In-transistor load modulation |
CN116472677A (zh) * | 2020-11-25 | 2023-07-21 | 株式会社村田制作所 | 功率放大电路、高频电路以及通信装置 |
CN113395045A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-14 | 锐石创芯(深圳)科技有限公司 | 多尔蒂功率放大器、系统及控制方法 |
US20230128387A1 (en) * | 2021-10-27 | 2023-04-27 | Renesas Electronics America Inc. | Three-way combined rf power amplifier architecture |
EP4297274A1 (en) | 2022-06-24 | 2023-12-27 | Wolfspeed, Inc. | Flip chip doherty amplifier devices |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3579136A (en) * | 1965-12-13 | 1971-05-18 | George A Machamer | Multi-stage power amplifier in which each stage conducts for only a predetermined portion of the input |
US5025225A (en) * | 1989-12-15 | 1991-06-18 | Raytheon Company | Amplifier having substantially constant D.C. to r.f. conversion efficiency |
US5420541A (en) * | 1993-06-04 | 1995-05-30 | Raytheon Company | Microwave doherty amplifier |
FI109736B (fi) * | 1993-11-01 | 2002-09-30 | Nokia Corp | Vastaanottimen taajuusalueen ja kaistanleveyden vaihto peilitaajuutta vaimentavan sekoittimen avulla |
US5739723A (en) * | 1995-12-04 | 1998-04-14 | Motorola, Inc. | Linear power amplifier using active bias for high efficiency and method thereof |
US5757229A (en) * | 1996-06-28 | 1998-05-26 | Motorola, Inc. | Bias circuit for a power amplifier |
US5786727A (en) * | 1996-10-15 | 1998-07-28 | Motorola, Inc. | Multi-stage high efficiency linear power amplifier and method therefor |
US6097252A (en) * | 1997-06-02 | 2000-08-01 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for high efficiency power amplification |
US5966059A (en) * | 1997-09-02 | 1999-10-12 | Motorola, Inc. | Phase shifting power coupler with three signals of equal amplitude |
US6262629B1 (en) * | 1999-07-06 | 2001-07-17 | Motorola, Inc. | High efficiency power amplifier having reduced output matching networks for use in portable devices |
US6374092B1 (en) | 1999-12-04 | 2002-04-16 | Motorola, Inc. | Efficient multimode power amplifier |
SE520760C2 (sv) * | 2000-06-06 | 2003-08-19 | Ericsson Telefon Ab L M | Doherty-förstärkare av flerstegstyp |
US6396341B1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-05-28 | Ericsson Inc. | Class E Doherty amplifier topology for high efficiency signal transmitters |
US6445247B1 (en) * | 2001-06-01 | 2002-09-03 | Qualcomm Incorporated | Self-controlled high efficiency power amplifier |
US6448616B1 (en) * | 2001-08-14 | 2002-09-10 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Adaptive biasing of RF power transistors |
CA2414965A1 (en) * | 2002-12-23 | 2004-06-23 | Alan Bayko | Amplifier |
JP2004221646A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-08-05 | Nec Corp | ドハ−ティ増幅器 |
WO2004088837A2 (en) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Andrew Corporation | Doherty amplifier with output hybrid coupler |
-
2003
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