JP4767390B2 - Dram - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体集積回路装置に関し、例えばダイナミック型RAM(ランダム・アクセス・メモリ)のセンスアンプ部の素子レイアウト技術に利用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
256Mビットのような記憶容量を持つダイナミック型RAM(以下、単にDRAMという)の素子分離領域としてSGI(浅溝絶縁層)を用いるものがある。SGIでは、浅溝にシリコン酸化膜(SiO2)系CVD膜を形成して素子分離領域として用いる。このようなDRAMの例として、培風館発行「超LSIメモリ」伊藤著がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
図7には、本願発明に先立って検討された256MビットのDRAMに用いられているセンスアンプ部の活性領域およびゲート電極の配置が示されている。この配置では、n型チャネルトランジスタが形成される領域とp型チャネルトランジスタが形成される領域のいずれの場合も、活性領域の左右において素子分離領域および別の活性領域の配置が異なっている。つまり、n型チャネルトランジスタは、メモリセルとの間にはシェアードスイッチ用のトランジスタが配置され、他方にはパワースイッチ用のトランジスタが配置される。p型チャネルトランジスタは、上記n型チャネルトランジスタとの間に上記パワースイッチ用トランジスタが配置され、他方にはプリチャージ回路を構成するトランジスタが配置される。
【0004】
同図の素子レイアウトパターンでは活性化領域に斜線が付されており、構造断面ではそれと逆に素子分離領域(SGI)に斜線が付されている。ただし、斜線の方向は互いに逆向になっている。上記SGIからの圧縮応力は、素子分離幅やその配置によって異なってくるため、上記n型チャネルトランジスタが形成される領域とp型チャネルトランジスタが形成される領域に加わる圧縮応力は、活性領域の左右で異なってくる。通常シリコン結晶は圧縮応力によってその特性が変化し、しきい値電圧(以下、Vthという)への影響としてみてみると100Mpaの圧縮応力で10数mV程度Vthが低下する。
【0005】
したがって、上記活性領域の左右で圧縮応力に差が生じると、ペアトランジスタにVth差が生じてしまう。そのVth差が、そのままセンスアンプの感度を低下させる。例えば、キャパシタに蓄積された電荷が接合リーク電流によって減少して電荷量が図3の実線に示すような経時変化すると、ワード線を選択状態にした時に選ばれるビット線に現れる信号電圧は、図3の実線に示すような経時変化を示す。ここで、経過時間は、キャパシタに情報を書き込みワード線を非選択状態にした時から選択状態にした時までの時間である。すなわち、センスアンプの感度と信号電圧が一致する時間が情報保持時間に対応する。
【0006】
上記のようなVth差がそのままセンス感度となる場合、図3に示すように、情報保持時間が短くなってしまう。この結果、リフレツシュに必要なサイクルを半分にしなければならなくなり、リフレッシュ特性が劣化してしまう。以上のように、素子の微細化を進めるとSGI応力の影響を受けて、ペアトランジスタのVth差が大きくなって、ペアトランジスタにオフセットを生じしめてしまうことの結果、上記DRAMのセンスアンプにあってはリフレッシュ特性を急激に劣化させてしまうことが本願発明者等の研究によって明らかにされた。
【0007】
この発明の目的は、SGI応力の影響を軽減したペアトランジスタを持つ半導体集積回路装置を提供することにある。この発明の他の目的は、素子の微細化を図りつつ、動作マージンの改善を図ったペアトランジスタを持つ半導体集積回路装置を提供することにある。この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。CMOSラッチ回路を有するセンスアンプを備えたDRAMにおいて、第1方向に並んで設けられn型チャネルMOSFETからなる第1MOSFETおよび第2MOSFETの組が、上記第1方向に直交する第2方向に複数配置される第1素子形成領域と、上記第1素子形成領域に対し上記第1方向に隣接する第2素子形成領域との間に設けられる第1SGIと、上記第1素子形成領域と、上記第1素子形成領域に対し上記第2素子形成領域とは反対側に上記第1方向に隣接する第3素子形成領域との間に設けられる第2SGIと、上記第3素子形成領域に対し第3SGIを介して上記第1方向に隣接し、上記第1方向に並んで設けられp型チャネルMOSFETからなる第3MOSFETおよび第4MOSFETの組が、上記第2方向に複数配置される第4素子形成領域と、上記第4素子形成領域と、上記第4素子形成領域に対し上記第3素子形成領域とは反対側に上記第1方向に隣接する第5素子形成領域との間に設けられる第4SGIと、上記第1SGIに、上記第2方向に沿って設けられる第1ダミー素子形成領域と、上記第2SGIに、上記第2方向に沿って設けられる第2ダミー素子形成領域と、上記第3SGIに、上記第2方向に沿って設けられる第3ダミー素子形成領域と、上記第4SGIに、上記第2方向に沿って設けられる第4ダミー素子形成領域と、を備え、上記第1素子形成領域に設けられる上記第1MOSFETおよび上記第2MOSFETの組と、上記第4素子形成領域に設けられる上記第3MOSFETおよび上記第4MOSFETの組とは、CMOSラッチ回路を構成し、上記第1SGIから上記第1素子形成領域に向かう応力と、上記第2SGIから上記第1素子形成領域に向かう応力との差を軽減するとともに、上記第3SGIから上記第4素子形成領域に向かう応力と、上記第4SGIから上記第4素子形成領域に向かう応力との差を軽減するDRAMである。
【0009】
【発明の実施の形態】
図4には、この発明が適用されるダイナミック型RAMの一実施例の概略レイアウト図が示されている。同図の各回路ブロックは、公知の半導体集積回路の製造技術によって、単結晶シリコンのような1個の半導体基板上において形成される。同図の各回路は、上記半導体基板上での幾何学的な配置にほぼ合わせて描かれている。この実施例では、メモリアレイは、全体として4個に分けられて、メモリバンク(Bank)0〜3を構成するようにされる。
【0010】
上記メモリバンク0〜3は、半導体チップの長手方向に沿った上下に2個、左右に2個ずつに分割されたメモリアレイに対応される。上記チップの長手方向に沿った中央部分にアドレス入力回路、データ入出力回路及びボンディングパッド列からなる周辺回路PERIが設けられる。この周辺回路PERIは、特に制限されないが、ランダム・ロジック回路からなる各回路のレイアウトを合理的にするために、ランダム・ロジック回路とボンディングパッドが並んで配置される。
【0011】
上記図示しないが周辺回路PERIの例としては、昇圧電圧発生回路とその動作を制御する制御回路、外部電源電圧VDDQを1/2に分圧して、差動回路で構成された入力回路の参照電圧を形成する分圧回路、入出力回路とそのクロックコントロール回路、Yプリデコーダとリード/ライトバッファ、周辺回路の動作電圧を形成する降圧回路、VPP電圧が所望の電圧であるか否かを検出するVPPセンサ、上記降圧電圧VPERIを安定化する安定化容量、Xアドレスラッチ回路、Yクロック回路、モードデコーダ/クロックバッファとコマンド回路、Yカンウタとその制御回路、リフレッシュ制御回路、ボンディングオプション回路、電源投入検出回路等がある。
【0012】
上述のように半導体チップの長手方向に沿った上下に2個と、左右に2個ずつに分けられて合計4個からなる各メモリアレイにおいて、長手方向に対して左右方向の中間部にX系プリデコーダ回路ROWPDC及び救済回路ROWRED、Y系プリデコーダ回路COLPDC及び救済回路COLREDが纏めて配置される。つまり、上記4個のメモリアレイにそれぞれ対応して、上記X系プリデコーダ回路ROWPDC及び救済回路ROWRED、Y系プリデコーダ回路COLPDC及び救済回路COLREDが上記左右2個ずつ設けられたメモリアレイに対応して2組ずつ振り分けて設けられる。
【0013】
上記メモリアレイの上記中間部分に沿って前記同様にメインワードドライバ領域MWDが形成されて、それぞれのメモリアレイに対応して下、上方側に延長するように設けられたメインワード線をそれぞれが駆動するようにされる。この構成では、前記同様なザブアレイを用いた場合には、16個のサブアレイを貫通するようにメインワード線が延長される。特に制限されないが、上記メモリアレイにおいて、上記チップ中央部分とは反対側のチップ周辺側にYデコーダYDCが設けられる。
【0014】
上記中央側に配置されたメインアンプMAと周辺側に配置されたYデコーダYDCとにより上記4分割されてなる各メモリアレイがそれぞれ挟さまれるように配置されるものである。この場合には、チップ中央部には、縦方向と横方向に延長される配線チャンネルが交差する部分が発生し、特に制限されないが、そこに安定化容量Cが形成される。また、周辺回路等の隙間にも分散して小さな容量値の安定化容量が適宜に設けられる。
【0015】
この実施例においては、上記中央側に配置されたメインアンプMAと周辺側に配置されたYデコーダYDCとにより上記4分割されてなる各メモリアレイが挟さまれるように配置される。上記メモリアレイは、その1つが拡大して示されているように、複数のサブアレイ15に分割される。かかるサブアレイ15は、それを挟むように配置されたセンスアンプ領域16、サブワードドライバ領域17に囲まれて形成される。上記センスアンプアンプ領域16と、上記サブワードドライバ領域17の交差部は交差領域18とされる。上記センスアンプ領域16に設けられるセンスアンプは、シェアードセンス方式により構成され、メモリセルアレイの両端に配置されるセンスアンプを除いて、センスアンプを中心にして左右に相補ビット線が設けられ、左右いずれかのメモリセルアレイの相補ビット線に選択的に接続される。
【0016】
1つのサブアレイ15は、図示しないが例えば512本のサブワード線と、それと直交する512対からなる相補ビット線(又はデータ線)とにより構成される。なお、サブアレイには不良ワード線又は不良ビット線の救済のために予備のワード線及び予備の相補ビット線も設けられるものである。上記1つのメモリアレイにおいて、上記サブアレイがワード線の配列方向に16個設けられるから、全体としての上記サブワード線は約8K分設けられ、ビット線の配列方向に16個設けられるから、相補ビット線は全体として約8K分設けられる。このようなメモリアレイが全体で4個設けられるから、全体では4×8K×8K=256Mビットのような記憶容量を持つようにされる。
【0017】
上記1つのメモリアレイの分割されたサブアレイ15毎にサブワードドライバ(サブワード線駆動回路)17が設けられる。サブワードドライバ17は、上記のようにメインワード線に対して1/16の長さに分割され、それと平行に延長されるサブワード線の選択信号を形成する。この実施例では、メインワード線の数を減らすために、言い換えるならば、メインワード線の配線ピッチを緩やかにするために、特に制限されないが、1つのメインワード線に対して、相補ビット線方向に4本からなるサブワード線を配置させる。このようにメインワード線方向には8本に分割され、及び相補ビット線方向に対して4本ずつが割り当てられたサブワード線の中から1本のサブワード線を選択するために、メインワードドライバMWDには図示しないサブワード選択ドライバが配置される。このサブワード選択ドライバは、上記サブワードドライバの配列方向に延長される4本のサブワード選択線の中から1つを選択する選択信号を形成する。
【0018】
図4のようなレイアウトを採用した場合において、Yアドレスが入力されると、アドレスバッファを通して上記メモリアレイの中間部に設けられた救済回路、プリデコーダを介してチップの周辺側に配置されたYデコーダYDCに伝えられ、ここでY選択信号が形成される。上記Y選択信号より1つのサブアレイの相補ビット線が選択されて、それと反対側のチップ中央部側のメインアンプMAに伝えられ、増幅されて図示しない出力回路を通して出力される。
【0019】
この構成は、一見すると信号がチップを引き回されて読み出し信号が出力されるまでの時間が長くなるように判断される。しかし、救済回路には、アドレス信号をそのまま入力する必要があるので、救済回路をチップ中央のいずれかに配置すると、不良アドレスであるか否かの判定結果をまってプリデコーダの出力時間が決定される。つまり、プリデコーダと救済回路とが離れていると、そこでの信号遅延が実際のY選択動作を遅らせる原因となる。
【0020】
この実施例では、メモリアレイを挟んでメインアンプMAとYデコーダYDCが両側に配置されるため、サブアレイの相補ビット線を選択するための信号伝達経路と、選択された相補ビット線から入出力線を通ってメインアンプMAの入力に至る信号伝達経路との和は、いずれの相補ビット線を選択しようともメモリアレイを横断するだけの信号伝達経路となって上記のように1往復するものの半分に短縮できるものである。これにより、メモリアクセスの高速化が可能になるものである。
【0021】
図5には、この発明に係るダイナミック型RAMのセンスアンプ部を中心にして、アドレス入力からデータ出力までの簡略化された一実施例の回路図が示されている。同図においては、2つのサブアレイ15に上下から挟まれるようにされたセンスアンプ16と交差エリア18に設けられる回路が例示的に示され、他はブロック図として示されている。
【0022】
ダイナミック型メモリセルは、上記1つのサブアレイ15に設けられたサブワード線SWLと、相補ビット線BL,BLBのうちの一方のビット線BLとの間に設けられた1つが代表として例示的に示されている。ダイナミック型メモリセルは、アドレス選択MOSFETQmと記憶キャパシタCsから構成される。アドレス選択MOSFETQmのゲートは、サブワード線SWLに接続され、このMOSFETQmのドレインがビット線BLに接続され、ソースに記憶キャパシタCsが接続される。記憶キャパシタCsの他方の電極は共通化されてプレート電圧VPLTが与えられる。上記MOSFETQmの基板(チャネル)には負のバックバイアス電圧VBBが印加される。特に制限されないが、上記バックバイアス電圧VBBは、−1Vのような電圧に設定される。上記サブワード線SWLの選択レベルは、上記ビット線のハイレベルに対して上記アドレス選択MOSFETQmのしきい値電圧分だけ高くされた高電圧VPPとされる。
【0023】
センスアンプを内部降圧電圧VDLで動作させるようにした場合、センスアンプにより増幅されてビット線に与えられるハイレベルは、上記内部電圧VDLレベルにされる。したがって、上記ワード線の選択レベルに対応した高電圧VPPはVDL+Vth+αにされる。センスアンプの左側に設けられたサブアレイの一対の相補ビット線BLとBLBは、同図に示すように平行に配置される。かかる相補ビット線BLとBLBは、シェアードスイッチMOSFETQ1とQ2によりセンスアンプの単位回路の入出力ノードと接続される。
【0024】
センスアンプの単位回路は、ゲートとドレインとが交差接続されてラッチ形態にされたn型チャネルの増幅MOSFETQ5,Q6及びp型チャネルの増幅MOSFETMOSFETQ7,Q8からなるCMOSラッチ回路で構成される。n型チャネルMOSFETQ5とQ6のソースは、共通ソース線CSNに接続される。p型チャネルMOSFETQ7とQ8のソースは、共通ソース線CSPに接続される。上記共通ソース線CSNとCSPには、それぞれパワースイッチMOSFETが接続される。n型チャネルの増幅MOSFETQ5とQ6のソースが接続された共通ソース線CSNには、n型チャネルのパワースイッチMOSFETQ14により接地電位に対応した動作電圧が与えられる。
【0025】
特に制限されないが、上記p型チャネルの増幅MOSFETQ7とQ8のソースが接続された共通ソース線CSPには、内部電圧VDLを供給するn型チャネルのパワーMOSFETQ15が設けられる。上記n型チャネルのパワーMOSFETQ15のゲートに供給されるセンスアンプ活性化信号SAPのハイレベルは昇圧電圧VPPレベルの信号とされる。つまり、昇圧電圧VPPは、約3.6Vであるので、上記n型チャネルMOSFETQ15を十分にオン状態してソース側から内部電圧VDLに対応した電圧を出力させることができる。
【0026】
上記センスアンプの単位回路の入出力ノードには、相補ビット線を短絡させるイコライズMOSFETQ11と、相補ビット線にハーフプリチャージ電圧VBLRを供給するスイッチMOSFETQ9とQ10からなるプリチャージ(イコライズ)回路が設けられる。これらのMOSFETQ9〜Q11のゲートは、共通にプリチャージ信号PCBが供給される。このプリチャージ信号PCBを形成するドライバ回路は、図示しないが、上記クロスエリアにインバータ回路を設けて、その立ち上がりや立ち上がりを高速にする。つまり、メモリアクセスの開始時にワード線選択タイミングに先行して、各クロスエリアに分散して設けられたインバータ回路を通して上記プリチャージ回路を構成するMOSFETQ9〜Q11を高速に切り替えるようにするものである。
【0027】
上記クロスエリア18には、IOスイッチ回路IOSW(ローカルIOとメインIOを接続するスイッチMOSFETQ19,Q20)が置かれる。さらに、図3に示した回路以外にも、必要に応じて、センスアンプのコモンソース線CSPとCSNのハーフプリチャージ回路、ローカル入出力線LIOのハーフプリチャージ回路、メイン入出力線のVDLプリチャージ回路、シェアード選択信号線SHRとSHLの分散ドライバ回路等も設けられる。
【0028】
センスアンプの単位回路は、シェアードスイッチMOSFETQ3とQ4を介して図下側のサブアレイ15の同様な相補ビット線BL,BLBに接続される。例えば、上側のサブアレイのサブワード線SWLが選択されたときには、センスアンプの上側シェアードスイッチMOSFETQ1とQ2はオン状態に、下側シェアードスイッチMOSFETQ3とQ4とがオフ状態にされる。スイッチMOSFETQ12とQ13は、カラム(Y)スイッチ回路を構成するものであり、上記選択信号YSが選択レベル(ハイレベル)にされるとオン状態となり、上記センスアンプの単位回路の入出力ノードとローカル入出力線LIO1とLIO1B、LIO2,LIO2B等とを接続させる。
【0029】
これにより、センスアンプの入出力ノードは、上記上側の相補ビット線BL,BLBに接続されて、選択されたサブワード線SWLに接続されたメモリセルの微小信号を増幅し、上記カラムスイッチ回路(Q12とQ13)を通してローカル入出力線LIO1,LIO1Bに伝える。上記ローカル入出力線LIO1,LIO1Bは、上記センスアンプ列に沿って、つまり、同図では横方向に延長される。上記ローカル入出力線LIO1,LIO1Bは、クロスエリア18に設けられたn型チャネルMOSFETQ19とQ20からなるIOスイッチ回路を介してメインアンプ61の入力端子が接続されるメイン入出力線MIO,MIOBに接続される。
【0030】
上記IOスイッチ回路は、X系のアドレス信号を解読して形成された選択信号よりスイッチ制御されれる。なお、IOスイッチ回路は、上記n型チャネルMOSFETQ19とQ20のそれぞれにp型チャネルMOSFETを並列に接続したCMOSスイッチ構成としてもよい。シンクロナスDRAMのバーストモードでは、上記カラム選択信号YSがカウンタ動作により切り換えられ、上記ローカル入出力線LIO1,LIO1B及びLIO2,LIO2Bとサブアレイの二対ずつの相補ビット線BL,BLBとの接続が順次に切り換えられる。
【0031】
アドレス信号Aiは、アドレスバッファ51に供給される。このアドレスバッファは、時分割的に動作してXアドレス信号とYアドレス信号を取り込む。Xアドレス信号は、プリデコーダ52に供給され、メインローデコーダ11とメインワードドライバ12を介してメインワード線MWLの選択信号が形成される。上記アドレスバッファ51は、外部端子から供給されるアドレス信号Aiを受けるものであるので、外部端子から供給される電源電圧VDDQにより動作させられ、上記プリデコーダは、それを降圧した降圧電圧VPERI(VDD)により動作させられ、上記メインワードドライバ12は、昇圧電圧VPPにより動作させられる。このメインワードドライバ12として、上記プリデコード信号を受けるレベル変換機能付論理回路が用いられる。カラムデコーダ(ドライバ)53は、上記アドレスバフッァ51の時分割的な動作によって供給されるYアドレス信号を受けて、上記選択信号YSを形成する。
【0032】
上記メインアンプ61は、前記降圧電圧VPERI(VDD)により動作させられ、外部端子から供給される電源電圧VDDQで動作させられる出力バッファ62を通して外部端子Dout から出力される。外部端子Dinから入力される書き込み信号は、入力バッファ63を通して取り込まれ、同図においてメインアンプ61に含まれるライトアンプ(ライトドライバ)を通して上記メイン入出力線MIOとMIOBに書き込み信号を供給する。上記出力バッファ62の入力部には、レベル変換回路とその出力信号を上記クロック信号に対応したタイミング信号に同期させて出力させるための論理部が設けられる。
【0033】
特に制限されないが、上記外部端子から供給される電源電圧VDDQは、第1の形態では3.3Vにされ、内部回路に供給される降圧電圧VPERI(VDD)は2.5Vに設定され、上記センスアンプの動作電圧VDLは1.8Vとされる。そして、ワード線の選択信号(昇圧電圧)は、3.6Vにされる。ビット線のプリチャージ電圧VBLRは、VDL/2に対応した0.9Vにされ、プレート電圧VPLTも0.9Vにされる。そして、基板電圧VBBは−1.0Vにされる。上記外部端子から供給される電源電圧VDDQは、第2の形態として2.5Vのような低電圧にされてもよい。このように低い電源電圧VDDQのときには、降圧電圧VPERI(VDD)と、降圧電圧VDLを1.8V程度と同じくしてもよい。
【0034】
あるいは、外部端子から供給される電源電圧VDDQは3.3Vにされ、内部回路に供給される降圧電圧VPERI(VDD)とセンスアンプの動作電圧VDLとを同じく2.0V又は1.8Vのようにしてもよい。このように外部電源電圧VDDQに対して内部電圧は、種々の実施形態を採ることができる。
【0035】
図6には、この発明が適用されるダイナミック型RAMのセンスアンプ部の一実施例の回路図が示されている。この実施例のMOSFETに付された回路記号は、前記図5に示したものと対応している。センスアンプの単位回路を前記説明したようにn型チャネルMOSFETQ5とQ6及びp型チャネルMOSFETQ7とQ8から構成される。これらのラッチ形態のn型チャネルMOSFETQ5とQ6及びp型チャネルMOSFETQ7とQ8のソースは、前記同じサブアレイに対応して設けられる図示しない他の同様なセンスアンプを構成するn型チャネルMOSFET及びp型チャネルMOSFETのソースとをそれぞれ共通接続される共通ソース線CSNとCSPに接続される。
【0036】
上記共通ソース線CSNには、タイミング信号SANを受けるn型チャネルMOSFETQ14を介して動作電圧VSSAが供給され、上記共通ソース線CSPには、タイミング信号SAPを受けるn型チャネルMOSFETQ15を介して動作電圧VDLが供給される。この実施例では、上記センスアンプの一方の動作電圧とされる接地電位VSSAは、前記周辺回路等からのノイズの影響を受けないようにするために、その接地電位VSSとは分離された接地線により外部端子から供給される接地電位が与えられる。つまり、センスアンプに与えられる接地電位VSSAは、上記周辺回路や入出力回路とは別に設けられた配線により外部端子から直接的に回路の接地電位が与えられる。
【0037】
上記ラッチ回路の一対の入出力ノード(センスノード)SATとSABには、それらを短絡するイコライズMOSFETQ11と、ハーフプリチャージ電圧VBLRを上記センスノードSATとSABに伝えるプリチャージMOSFETQ9とQ10とからなるプリチャージ回路が設けられる。また、上記センスノードSATとSABは、ゲートにカラム選択信号YSが供給されるカラムスイッチMOSFETQ12とQ13を介してローカル入出力線LIOTとLIOBに接続される。上記カラム選択信号YSは、特に制限されないが、4対のLIOに対応した上記選択スイッチMOSFETに共通に供給される。そして、上記センスアンプ部を挟んで左側に設けられる相補ビット線BLLT,BLLBとの間には、シェアードスイッチMOSFETQ1とQ2が設けられ、右側に設けられる相補ビット線BLRTとBLRBとの間には、シェアードスイッチMOSFETQ3とQ4が設けられる。
【0038】
上記シェアードスイッチMOSFETQ1とQ2のゲートには、制御信号SHLが供給され、上記シェアードスイッチMOSFETQ3とQ4のゲートには、制御信号SHRが供給される。上記センスアンプ部の左側の相補ビット線BLLTとBLLBとそれと直交するように配置されたサブワード線SWL1,SWL2等とのそれぞれの交点に前記のようなアドレス選択MOSFETQmと記憶キャパシタCsからなるダイナミック型メモリセルが設けられる。同様に、上記センスアンプ部の右側の相補ビット線BLRTとBLRBとそれと直交するように配置されたサブワード線SWL3,SWL4等とのそれぞれの交点に前記のようなアドレス選択MOSFETQmと記憶キャパシタCsからなるダイナミック型メモリセルが設けられる。
【0039】
図1には、この発明に係るダイナミック型RAMに用いられるセンスアンプ部の一実施例の構成図が示されている。前記7と同様に同図の素子レイアウトパターンでは活性化領域に斜線が付されており、構造断面ではそれと逆に素子分離領域(SGI)に斜線が付されている。ただし、斜線の方向は互いに逆向になっている。この実施例では、図7と同様に同図の上側から順にシェアードスイッチMOSFETQ1−2、プリチャージ回路を構成するMOSFETQ9−11、カラム選択回路を構成するスイッチMOSFETQ12−13、CMOSラッチ回路を構成するp型チャネル増幅MOSFETQ7−8、上記パワースイッチMOSFETQ14とQ15の形成領域を挟んでCMOSラッチ回路を構成するn型チャネル増幅MOSFETQ5−6、及びシェアードスイッチMOSFETQ3−4のように配置される。
【0040】
上記カラムスイッチMOSFETQ12−13とp型チャネルMOSFETQ7−8の間に設けられる活性化領域は、p型チャネルMOSFETが形成される図示しないn型ウェル領域、及びn型チャネルMOSFETが形成される図示しないp型ウェル領域にVDL又はVSSのようなバイアス電圧を与えるコンタクト領域CONTとして用いられる。
【0041】
上記パワースイッチMOSFETQ14とQ15(同図ではそのうちの1つが示されている)は、センスアンプ列に沿ってゲートが延長されるよう、例えば上記シェアードスイッチMOSFETQ1−2等に比べてチャンネル幅が十分に大きく、言い換えるならば、素子サイズが大きく形成されて大きな電流を流すことができるようにされる。このようにセンスアンプを駆動するパワースイッチMOSFETをセンスアンプ列に分散配置した場合には、センスノードとパワースイッチMOSFETとの間の距離が短くでき、サブアレイに設けられる複数のセンスアンプの動作タイミングを相互に均一にすることができるとともに、クロスエリアを他の回路(例えばメイン入出力線のサブ増幅回路)等を設けるために有効利用することができる。
【0042】
図1に示すように、センスアンプを構成するn型チャネルトランジスタ及びp型チャネルトランジスタの活性領域の近傍に別の活性領域が設けられる。つまり、上記各トランジスタQ5−6とQ7−8が隣接する素子分離領域SGIにいわばダミーの活性化領域が応力干渉防止パターンとして設けられる。断面構造において、上記ダミーの活性化領域によってSGIが分断されていることが判る。
【0043】
この実施例のように、センスアンプを構成するトランジスタの活性領域の近傍に別の活性領域(応力干渉防止パターン)を設けると、その周辺からの受ける応力は別に設けた活性領域に影響するものとなる。つまり、センスアンプを構成するトランジスタの活性領域への応力は、別に設けた活性領域との間のSGI応力で殆ど決まることになる。すなわち、この実施例において別に設けた活性領域である応力干渉防止用パターンは、その周辺からの応力差を吸収するような役割を果たすものとなる。
【0044】
当然、センスアンプを構成するトランジスタの活性領域と別に設けた活性領域との間のSGI応力は、活性領域を別に設けない場合より大きくなる。しかしながら、センスアンプを構成するトランジスタの活性領域と別に設けた活性領域との間隔を同じにすれば、センスアンプを構成するトランジスタの活性領域左右で同等の応力(応力中)となって、ペアMOSFETQ5とQ6及びQ7とQ8のVth差を小さくすることができる。この結果、センスアンプのオフセットが低減でき、その分感度が高くなって図3の特性図のように20mV程度までの信号をセンスすることができ、情報保持時間を前記図7のレイアウトの場合に比べて約2倍も長くすることができる。
【0045】
基板表面が(100)面方位から数°オフアングルを持った基板を用いた場合には、図2に示すように、SGI側壁の傾きが上記トランジスタの活性領域の両端で異なるものとなる。この場合には、側壁傾きが大きい方のSGI幅を大きくし、側壁傾きが小さい方のSGI幅を相対的に小さくする。具体的には、上記のようにダミーの活性化領域(応力干渉防止パターン)を設ける位置を調整して、上記トランジスタの活性化領域に対する傾きが大のときには上記SGI幅を大きくし、傾きが小の側ではSGI幅を小さく設定する。
【0046】
この理由は、上記SGIはその密度が粗であるために上記大きな応力を発生させる傾き大のSGIは、その幅を大きくしてSGI自体で発生する応力を小さくする。つまり、SGI自体が応力を吸収してしまうので、その幅を大きくすることで予め発生する応力を小さくしてトランジスタの活性化領域に与える応力を弱めるものである。これに対して、傾き小のSGIでは、SGI幅を相対的に小さくして傾き小に見合った大き目の応力を発生させて、上記活性化領域に与える応力のバランスを採るものである。
【0047】
上記のようにセンスアンプを構成するトランジスタの活性領域の近傍に、その周辺からの応力干渉を少なくするために別の活性領域(応力干渉防止パターン又はダミー活性化領域)を設けことにより、活性領域左右での応力起因のVth差を小さくできる。その分センスアンプの感度を高めることができるので、図3に示したように極端な情報保持時間の短縮を防止できる。その結果、リフレッシュ特性劣化を防止することができる。本願発明者による回路シュミレーションにおいては、図7のようなセンスアンプのレイアウトでは約50mV程度あったペアトランジスタのVth差を20mV程度以内にすることができ、情報保持時間を従来の150msから300msに約2倍に長くすることができた。
【0048】
上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りである。
(1) 差動形態で動作する第1と第2MOSFETとを第1方向に並んで配置し、かかる第1と第2MOSFETからなる組の複数個を上記第1方向と直交する第2方向に配置し、上記第1MOSFETと隣接する第1素子形成領域との間に設けられる第1SGIと、上記第2MOSFETと隣接する2素子形成領域との間に設けられる第2SGIのそれぞれにおいて、上記第1SGIから上記第1MOSFETの素子形成領域に向かう応力と、上記第2SGIから上記第2MOSFETの素子形成領域に向かう応力との差を軽減するように上記第2方向に延長してダミーの素子形成領域を設けて応力干渉防止パターンとしての役割を持たせることにより、上記第1と第2MOSFETからなるペア素子のしきい値電圧差を小さくすることができるという効果が得られる。
【0049】
(2) 上記に加えて、上記第1SGIの上記第1MOSFETの素子形成領域に対する第1側壁の傾きが、上記第2SGIの上記第2MOSFETの素子形成領域に対する第2側壁の傾きより大きいとき、上記第1SGIにおける応力干渉防止用パターンと上記第1側壁との間の幅を、上記第2SGIにおける応力干渉防止用パターンと上記第2側壁との間の幅に比べて大きくすることにより、基板表面が(100)面方位から数°オフアングルを持った基板を用いた場合にも上記第1と第2MOSFETからなるペア素子のしきい値電圧差を小さくすることができるという効果が得られる。
【0050】
(3) 上記に加えて、複数のワード線と複数の相補ビット線対と及びこれらのワード線と相補ビット線対に対応して設けられた複数のダイナミック型メモリセルからなるメモリセルアレイを持つダイナミック型RAMにおいて、上記第1MOSFETと第2MOSFETを、n型チャネルMOSFETにより構成される一対と、p型チャネルMOSFETにより構成される一対とによってCMOSラッチ回路を構成するものとし、上記複数の相補ビット線対の信号を増幅するセンスアンプとすることにより、動作マージンの改善を図ることができるという効果が得られる。
【0051】
(4) 上記に加えて、上記CMOSラッチ回路は上記メモリセルアレイの2つの間に配置し、上記2つのメモリセルアレイの間には、上記CMOSラッチ回路の他に、上記ビット線をプリチャージするプリチャージ回路、上記2つのメモリセルアレイのビット線と上記CMOSラッチ回路の入出力ノードとの間に設けられる選択スイッチ回路、及び上記CMOSラッチ回路の入出力ノードと入出力線との間に設けられるカラムスイッチ回路を設けことにより、高密度の回路レイアウトを実現しつつ、動作マージンの改善、ひいてはメモリセルの情報保持時間を長くすることができるという効果が得られる。
【0052】
以上本発明者よりなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、センスアンプは、前記のようなシェアードセンスアンプ方式のものの他、ビット線とセンスアンプとが一対一に対応して設けちらるもの、あるいは1交点方式のものにも同様に適用することができる。この発明に係るペアMOSFET(トランジスタ)は、前記のようなセンスアンプを構成するものの他、多数のペア素子が並んで配置される各種MOSFET回路に広く利用することができる。
【0053】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。差動形態で動作する第1と第2MOSFETとを第1方向に並んで配置し、かかる第1と第2MOSFETからなる組の複数個を上記第1方向と直交する第2方向に配置し、上記第1MOSFETと隣接する第1素子形成領域との間に設けられる第1SGIと、上記第2MOSFETと隣接する2素子形成領域との間に設けられる第2SGIのそれぞれにおいて、上記第1SGIから上記第1MOSFETの素子形成領域に向かう応力と、上記第2SGIから上記第2MOSFETの素子形成領域に向かう応力との差を軽減するように上記第2方向に延長してダミーの素子形成領域を設けて応力干渉防止パターンとしての役割を持たせることにより、上記第1と第2MOSFETからなるペア素子のしきい値電圧差を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係るダイナミック型RAMに用いられるセンスアンプ部の一実施例を示す構成図である。
【図2】この発明の他の一実施例を示す概略形成領域断面図である。
【図3】この発明を説明するためのメモリセルの情報記憶特性図である。
【図4】この発明が適用されるダイナミック型RAMの一実施例を示す概略レイアウト図である。
【図5】この発明に係るダイナミック型RAMのセンスアンプ部を中心にし一実施例の回路図である。
【図6】この発明が適用されるダイナミック型RAMのセンスアンプ部の一実施例を示す回路図である。
【図7】本願発明に先立って検討された256MビットのDRAMに用いられているセンスアンプ部の構成図である。
【符号の説明】
Q1〜Q20…MOSFET、XDC…Xデコーダ、YDC…Yデコーダ、MA…メインアンプ、MWD…メインワードドライバ、PERI…周辺回路、ROWPDC…X系プリデコーダ回路、ROWRED…X系救済回路、COLPDC…Y系プリデコーダ回路、COLRED…Y系救済回路、
15…サブアレイ、16…センスアンプ領域、17…サブワードドライバ領域、18…交差アリア、51…アドレスバッファ、52…プリデコーダ、11…メインローデコーダ、12…メインワードドライバ、53…カラムデコーダ、61…メインアンプ、62…入力バッファ、63…出力バッファ。
Claims (3)
- CMOSラッチ回路を有するセンスアンプを備えたDRAMにおいて、
第1方向に並んで設けられn型チャネルMOSFETからなる第1MOSFETおよび第2MOSFETの組が、上記第1方向に直交する第2方向に複数配置される第1素子形成領域と、
上記第1素子形成領域に対し上記第1方向に隣接する第2素子形成領域との間に設けられる第1SGIと、
上記第1素子形成領域と、上記第1素子形成領域に対し上記第2素子形成領域とは反対側に上記第1方向に隣接する第3素子形成領域との間に設けられる第2SGIと、
上記第3素子形成領域に対し第3SGIを介して上記第1方向に隣接し、上記第1方向に並んで設けられp型チャネルMOSFETからなる第3MOSFETおよび第4MOSFETの組が、上記第2方向に複数配置される第4素子形成領域と、
上記第4素子形成領域と、上記第4素子形成領域に対し上記第3素子形成領域とは反対側に上記第1方向に隣接する第5素子形成領域との間に設けられる第4SGIと、
上記第1SGIに、上記第2方向に沿って設けられる第1ダミー素子形成領域と、
上記第2SGIに、上記第2方向に沿って設けられる第2ダミー素子形成領域と、
上記第3SGIに、上記第2方向に沿って設けられる第3ダミー素子形成領域と、
上記第4SGIに、上記第2方向に沿って設けられる第4ダミー素子形成領域と、
を備え、
上記第1素子形成領域に設けられる上記第1MOSFETおよび上記第2MOSFETの組と、上記第4素子形成領域に設けられる上記第3MOSFETおよび上記第4MOSFETの組とは、CMOSラッチ回路を構成し、
上記第1SGIから上記第1素子形成領域に向かう応力と、上記第2SGIから上記第1素子形成領域に向かう応力との差を軽減するとともに、上記第3SGIから上記第4素子形成領域に向かう応力と、上記第4SGIから上記第4素子形成領域に向かう応力との差を軽減する、ことを特徴とするDRAM。 - 請求項1において、
上記第1ダミー素子形成領域および上記第2ダミー素子形成領域と、上記第1素子形成領域との各々の間隔が等しくなるように配置されると共に、
上記第3ダミー素子形成領域および上記第4ダミー素子形成領域と、上記第4素子形成領域との各々の間隔が等しくなるように配置されることを特徴とするDRAM。 - 請求項1において、
上記第2素子形成領域にはシェアードスイッチMOSFETが、上記第3素子形成領域にはパワースイッチMOSFETが、上記第5素子形成領域にはコンタクト用活性化領域が、各々配置されることを特徴とするDRAM。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000147157A JP4767390B2 (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | Dram |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000147157A JP4767390B2 (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | Dram |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001332706A JP2001332706A (ja) | 2001-11-30 |
JP4767390B2 true JP4767390B2 (ja) | 2011-09-07 |
Family
ID=18653372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000147157A Expired - Fee Related JP4767390B2 (ja) | 2000-05-19 | 2000-05-19 | Dram |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4767390B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4068340B2 (ja) * | 2001-12-17 | 2008-03-26 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP4504633B2 (ja) | 2003-05-29 | 2010-07-14 | パナソニック株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP2005286341A (ja) | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 低ノイズ及び高性能のlsi素子、レイアウト及びその製造方法 |
JP4528561B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2010-08-18 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4833544B2 (ja) | 2004-12-17 | 2011-12-07 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
US8350330B2 (en) | 2008-05-08 | 2013-01-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dummy pattern design for reducing device performance drift |
US7958465B2 (en) | 2008-05-08 | 2011-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dummy pattern design for reducing device performance drift |
JP5676075B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2015-02-25 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置 |
JP5147654B2 (ja) | 2008-11-18 | 2013-02-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
US9646958B2 (en) * | 2010-03-17 | 2017-05-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuits including dummy structures and methods of forming the same |
JP6373441B2 (ja) * | 2017-04-11 | 2018-08-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体メモリ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW299458B (ja) * | 1994-11-10 | 1997-03-01 | Intel Corp | |
JP3604482B2 (ja) * | 1995-12-25 | 2004-12-22 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JPH10173035A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその設計方法 |
JPH1116999A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにその設計方法 |
JPH11307741A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-05 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
-
2000
- 2000-05-19 JP JP2000147157A patent/JP4767390B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001332706A (ja) | 2001-11-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060706 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091007 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110615 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |