JP4761508B2 - 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4761508B2
JP4761508B2 JP2005075830A JP2005075830A JP4761508B2 JP 4761508 B2 JP4761508 B2 JP 4761508B2 JP 2005075830 A JP2005075830 A JP 2005075830A JP 2005075830 A JP2005075830 A JP 2005075830A JP 4761508 B2 JP4761508 B2 JP 4761508B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
charged particle
sample
exposure apparatus
particle beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005075830A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2006261342A5 (enExample
JP2006261342A (ja
Inventor
恭宏 染田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2005075830A priority Critical patent/JP4761508B2/ja
Publication of JP2006261342A publication Critical patent/JP2006261342A/ja
Publication of JP2006261342A5 publication Critical patent/JP2006261342A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4761508B2 publication Critical patent/JP4761508B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electron Beam Exposure (AREA)
JP2005075830A 2005-03-16 2005-03-16 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP4761508B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005075830A JP4761508B2 (ja) 2005-03-16 2005-03-16 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005075830A JP4761508B2 (ja) 2005-03-16 2005-03-16 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006261342A JP2006261342A (ja) 2006-09-28
JP2006261342A5 JP2006261342A5 (enExample) 2008-04-24
JP4761508B2 true JP4761508B2 (ja) 2011-08-31

Family

ID=37100253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005075830A Expired - Fee Related JP4761508B2 (ja) 2005-03-16 2005-03-16 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4761508B2 (enExample)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5283410B2 (ja) * 2008-03-26 2013-09-04 富士フイルム株式会社 電子ビーム描画方法、微細パターン描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法
JP5859778B2 (ja) 2011-09-01 2016-02-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP5826566B2 (ja) 2011-09-01 2015-12-02 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
TWI477925B (zh) * 2011-10-04 2015-03-21 Nuflare Technology Inc Multi - beam charged particle beam mapping device and multi - beam charged particle beam rendering method
JP5977941B2 (ja) 2011-12-19 2016-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP5970213B2 (ja) * 2012-03-19 2016-08-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP5977550B2 (ja) 2012-03-22 2016-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP5956797B2 (ja) * 2012-03-22 2016-07-27 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6014342B2 (ja) 2012-03-22 2016-10-25 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6147528B2 (ja) 2012-06-01 2017-06-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6013089B2 (ja) 2012-08-30 2016-10-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP6215586B2 (ja) 2012-11-02 2017-10-18 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6080540B2 (ja) 2012-12-26 2017-02-15 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置
JP6057700B2 (ja) * 2012-12-26 2017-01-11 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6061741B2 (ja) 2013-03-13 2017-01-18 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビームの電流調整方法
TWI533096B (zh) 2013-05-24 2016-05-11 Nuflare Technology Inc Multi - charged particle beam mapping device and multi - charged particle beam rendering method
JP6190254B2 (ja) 2013-12-04 2017-08-30 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6262024B2 (ja) 2014-03-04 2018-01-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2015201576A (ja) 2014-04-09 2015-11-12 株式会社ニューフレアテクノロジー ショットデータ生成方法およびマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US9390891B2 (en) 2014-08-15 2016-07-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus for charged particle lithography system
JP2016122676A (ja) 2014-12-24 2016-07-07 株式会社アドバンテスト 露光装置および露光方法
JP2017143187A (ja) * 2016-02-10 2017-08-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 成形アパーチャアレイの評価方法
JP6804389B2 (ja) * 2017-05-30 2020-12-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置および描画方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3419913B2 (ja) * 1994-11-14 2003-06-23 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及び装置
JP3236162B2 (ja) * 1994-03-18 2001-12-10 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置
JP2005032888A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置及び荷電粒子線露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006261342A (ja) 2006-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4761508B2 (ja) 荷電粒子露光装置およびデバイス製造方法
US6835937B1 (en) Correcting method for correcting exposure data used for a charged particle beam exposure system
JP5116996B2 (ja) 荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP3787417B2 (ja) 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
US11037759B2 (en) Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method
JP2005056923A (ja) マルチ荷電粒子線露光装置および方法ならびに該装置または方法を用いたデバイス製造方法
JP4612838B2 (ja) 荷電粒子線露光装置およびその露光方法
US7005659B2 (en) Charged particle beam exposure apparatus, charged particle beam exposure method, and device manufacturing method using the same apparatus
US8692218B2 (en) Charged particle beam exposure apparatus
US7049610B2 (en) Charged particle beam exposure method, charged particle beam exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4458372B2 (ja) マルチビーム荷電粒子線装置及びマルチビーム荷電粒子線の制御方法およびデバイス製造方法
JP4468752B2 (ja) 荷電粒子線露光方法、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法
JP3080006B2 (ja) 電子ビーム露光補正方法
CN109923479B (zh) 使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片
JP4804136B2 (ja) 荷電粒子線装置及びデバイス製造方法
US6337164B1 (en) Charged-particle-beam microlithography methods exhibiting improved pattern-feature accuracy, and device manufacturing methods comprising same
JP4356064B2 (ja) 荷電粒子線露光装置および該装置を用いたデバイス製造方法
JP4494734B2 (ja) 荷電粒子線描画方法、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法
JP3976835B2 (ja) 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
JP2001244165A (ja) 近接効果補正方法、レチクル及びデバイス製造方法
JP4504060B2 (ja) 荷電粒子線露光装置
JP4804592B2 (ja) 荷電粒子線装置及びデバイス製造方法
JP2002015975A (ja) 近接効果補正方法、近接効果補正装置及びデバイス製造方法
JP2006019437A (ja) 荷電粒子線露光方法、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法
JPH10308340A (ja) 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080307

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080307

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080307

A072 Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072

Effective date: 20080625

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20090406

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100201

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20100630

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110104

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110111

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110311

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110531

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110606

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees