JP2006019437A - 荷電粒子線露光方法、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
荷電粒子線露光方法、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【選択図】 図8
Description
本発明の主な目的は、所望の線幅のパターンをウエハ等の基板上に容易に形成することができる荷電粒子線描画方法を提供することである。
電粒子線を走査して基板上の複数のピクセルからなるパターンを露光する荷電粒子線露光方法において、前記パターンのエッジに位置するピクセルの露光時間が他のピクセルの露光時間よりも小さくなるように指令値を生成する生成ステップと、前記指令値を直前のピクセルの指令値に基づいて補正する補正ステップとを有することを特徴とする。前記補正ステップは、例えば補正後の前記指令値によって所望の線幅付与量が得られるように、実行されることを特徴とする。
また、本発明は、かかる特徴を有する荷電粒子線露光装置を用いて、基板を露光するステップと、露光された前記基板を現像するステップと、を備えるデバイス製造方法であってもよい。
図1は本発明の実施例1に係る電子線露光装置の要部概略図である。図1において、電子銃(図示せず)で発生した電子線はクロスオーバ像を形成する(以下、このクロスオーバ像を電子源1と記す)。この電子源1から放射される電子ビームは、ビーム整形光学系2を介して、電子源1の像3(SI)を形成する。像SIからの電子ビームは、コリメータレンズ4によって略平行の電子ビームとなる。略平行な電子ビームは複数の開口を有するアパチャ−アレイ5を照明する。
ブランキングアパーチャBAによって遮断されないため、ウエハ9に照射される。
本実施例のシステム構成図を図2に示す。ブランカーアレイ制御回路21は、ブランカーアレイ7を構成する複数のブランカーを個別に制御する回路である。偏向器制御回路22は、偏向器10を制御する回路であり、電子ビーム形状検出回路23は、半導体検出器14からの信号を処理する回路である。フォーカス制御回路24は、フォーカスコイル12の焦点距離を調整することにより縮小電子光学系8の焦点位置を制御する回路である。ステージ駆動制御回路25は、ステージ13の位置を検出する不図示のレーザ干渉計と共同してステージ13を駆動制御する制御回路である。主制御系26は、上記複数の制御回路を制御し、電子ビーム露光装置全体を管理する。
図4にドーズ変化に対する線幅付与量を求めるためのブランカー指令値を示す。Rタイプは、最後のピクセルのドーズを変化させるブランカー指令値列であり、Lタイプは、最初のピクセルのドーズを変化させるブランカー指令値列である。各指令値列で描画した結果の例を図5に示す。表記された線幅は設計上の線幅であり、実際の線幅は異なるので、描画された各孤立ラインを測定し、ドーズ変化に対する実際の線幅の関係を図6のように求める。横軸は、ドーズを変化させないピクセルのドーズの16分の1を単位としたドーズである。すなわち、設計上は16分の1単位のドーズの変化によって1nmずつ線幅が付与されてほしいのであるが、ドーズによる実際の線幅付与量は、図6の結果より求めた図7に示す値になる。図7に示すように、ドーズによる実際の線幅付与量は、RタイプとLタイプでは異なる。さらに、図7は、縦軸が設計上のドーズ指令値、横軸が設計上の線幅付与量を与えるドーズ指令値となり、ドーズ指令値の補正関係を示す。
Rタイプ D1=R(D0) ・・・(式1)
Lタイプ D1=L(D0) ・・・(式2)
D0:設計上のドーズ指令値
D1:補正されたドーズ指令値
ただし、ドーズ指令値は、ドーズを変化させないピクセルのドーズの16分の1を単位とする。
(ステップ23)では、式1を用いてドーズ指令値を補正する。(ステップ24)では、式2を用いてドーズ指令値を補正する。
次に、上記説明した実施例1に係る電子線露光装置を利用したデバイスの生産方法の例を実施例2として説明する。
Claims (5)
- 荷電粒子線を走査して基板上の複数のピクセルからなるパターンを露光する荷電粒子線露光方法において、
前記パターンのエッジに位置するピクセルの露光時間が他のピクセルの露光時間よりも小さくなるように指令値を生成する生成ステップと、
前記指令値を直前のピクセルの指令値に基づいて補正する補正ステップとを有することを特徴とする荷電粒子線露光方法。 - 前記補正ステップは、補正後の前記指令値によって所望の線幅付与量が得られるように、実行されることを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線露光方法。
- 請求項1または2に記載の荷電粒子線露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
- 基板上にパターンを露光する荷電粒子線露光装置において、
荷電粒子線を前記基板上に入射させる照射手段と、
前記荷電粒子線が前記基板上の複数のピクセルで入射するように、前記荷電粒子線を走査する走査手段と、
前記荷電粒子線の露光時間を制御する露光時間制御手段と、
前記パターンのエッジに位置するピクセルの露光時間が前記パターンのエッジに位置しないピクセルの露光時間よりも小さくなるように設定するとともに、設定された前記パターンのエッジに位置するピクセルの露光時間をその直前のピクセルの露光時間に基づいて補正する制御手段と、を備えることを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 請求項4に記載の荷電粒子線露光装置を用いて、基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、を備えるデバイス製造方法。
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