JP4754152B2 - ウェーハ処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の製造に用いられるウェーハ処理装置及び方法に係り、特に多層配線構造の金属配線の形成に利用可能なウェーハ処理装置及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の高密度化及び高集積化につれ、多層配線構造の金属配線を有する回路の構成が必須的に要求される。金属配線は、電気的な信号を伝送する役割をするので電気的な抵抗が低く、経済的でかつ信頼性が高くなければならない。このような条件を満たせる好適な金属配線物質として、Alが広く使われている。この場合、下層の素子と上層のAl配線との接続部であるコンタクトホール、または下層のAl配線と上層のAl配線との接続部であるビアホールの内部を金属物質で完全に埋込む技術が、これらの間の電気的接続を可能にするために、非常に重要な技術として強調されている。
【0003】
コンタクトホールまたはビアホールを埋込むために、経済的でかつ導電性に優れた材料であるAlを使用することが望ましい。コンタクトホールまたはビアホールをAlで埋込むに当たって、より優秀な電気的特性及びより完璧な充填特性を得るために、多様な工程技術が開発されており、これによりコンタクトホールまたはビアホールを埋込むための工程として、CVD(chemical vapor deposition)工程、PVD(physical vapor deposition)工程、熱処理工程、酸化工程、エッチング工程など多様な工程を経る必要がある。このように多様な工程よりなるコンタクトホールまたはビアホールの埋込み工程を行なうためにクラスターツール(cluster tool)タイプの多様なウェーハ処理装置が開発された。
【0004】
今まで開発された一体型クラスターツールタイプのウェーハ処理装置は、ウェーハ上のコンタクトホールまたはビアホールの埋込み工程を行なうための全工程に必要なあらゆる設備を備えていない。したがって、従来の技術に係るウェーハ処理装置を使用する場合には、前記コンタクトホールまたはビアホールを埋込むための全工程の実行において必然的にウェーハが大気に露出される段階が伴われる。コンタクトホールまたはビアホールの埋込み工程中にウェーハが大気に露出されれば、大気中の空気、水蒸気、パチクルなどと接触してウェーハ上の露出面は汚染の可能性が高まる。その結果、半導体素子の性能及び収率が不良となる。また、コンタクトホールまたはビアホールの形成工程中にウェーハがウェーハ処理装置に備えられていない工程設備または工程雰囲気に移動する段階が要求されることによってウェーハの移動距離が増加し、これにより煩わしい工程が伴ってスループット(throughput)が減少する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ウェーハ上に金属配線を形成するためにコンタクトホールまたはビアホールの埋込み工程を行なう時、ウェーハが大気中に露出されず、コンタクトホールまたはビアホールの充填のための全工程を完全にインサイチュ(in-situ)で行なえる一体型インサイチュクラスターツールタイプのウェーハ処理装置を提供することである。
【0006】
本発明の他の目的は、ウェーハ上に金属配線を形成するためにコンタクトホールまたはビアホールの埋込み工程を行なう時、ウェーハが大気中に露出されず、コンタクトホールまたはビアホールの充填のための全工程を完全にインサイチュで行なえるウェーハ処理方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の第1態様に係るウェーハ処理装置は、真空排気され、複数のゲート弁を有するトランスファチャンバと、前記複数のゲート弁のうち1つを通じて各々前記トランスファチャンバと連通可能な複数の真空処理チャンバと、真空排気が可能であり、内部に酸素含有ガスを供給するための第1ガス供給ラインが連結しているロードロックチャンバを含む。
【0008】
前記ロードロックチャンバには内部に不活性ガスを供給するための第2ガス供給ラインをさらに連結しうる。
前記複数の真空処理チャンバはCVDチャンバ、PVDチャンバ及び熱処理チャンバを含むことができる。
【0009】
前記熱処理チャンバは、昇降可能であり、ウェーハを支持するための支持面を備えたペデスタルを含む。前記ペデスタルの上部にはカバーが設けられている。前記ペデスタル及びカバーは前記ペデスタルの昇降によって前記支持面を含む所定の空間を開閉可能に構成している。前記ペデスタル及びカバーには前記ウェーハを加熱させるための加熱装置が設けられている。
【0010】
前記複数の真空処理チャンバは、Ti膜、TiN膜またはこれらの複合膜を形成するためのTi/TiN膜専用のチャンバと、エッチングチャンバをさらに含むことができる。前記エッチングチャンバは、RF(radio frequency)パワーソースを用いるプラズマエッチングチャンバまたはECR(electron cyclotron resonance)エッチングチャンバで構成されうる。
【0011】
また、本発明の第1態様に係るウェーハ処理装置は、前記複数のゲート弁のうち1つを通じて前記トランスファチャンバと連通可能な酸素雰囲気チャンバをさらに含むことができる。前記酸素雰囲気チャンバには前記酸素雰囲気チャンバの内部に酸素含有ガスを供給するための第3ガス供給ラインと、前記酸素雰囲気チャンバの内部に不活性ガスを供給するための第4ガス供給ラインが連結されている。
【0012】
また、本発明の第1態様に係るウェーハ処理装置は、前記ロードロックチャンバから搬入されたウェーハの予熱及び脱ガスを行なうために前記ロードロックチャンバと前記トランスファチャンバとの間に設けられている脱ガスチャンバと、前記トランスファチャンバから搬入されたウェーハを冷却させるために前記ロードロックチャンバと前記トランスファチャンバとの間に設けられている冷却チャンバとをさらに含むことができる。
【0013】
また、前記目的を達成するために、本発明の第2態様に係るウェーハ処理装置は、真空排気され、複数のゲート弁を有するトランスファチャンバと、前記複数のゲート弁のうち何れか1つを通じて各々前記トランスファチャンバと連通可能な複数の真空処理チャンバと、前記複数のゲート弁のうち何れか1つを通じて前記トランスファチャンバと連通可能であり、内部に酸素含有ガスを供給するための第1ガス供給ラインが連結している酸素雰囲気チャンバと、真空排気が可能なロードロックチャンバとを含む。
【0014】
前記酸素雰囲気チャンバには、内部に不活性ガスを供給するための第2ガス供給ラインがさらに連結されうる。
【0015】
前記他の目的を達成するために、本発明の第1態様に係るウェーハ処理方法では、本発明によって提供されるウェーハ処理装置を用いてウェーハを処理する。このために、まず前記複数の真空処理チャンバのうち何れか1つの真空処理チャンバ内でウェーハ上に所定の膜を形成する。前記ロードロックチャンバ内で前記ウェーハ上の所定の膜を酸化させる。
【0016】
前記酸化段階はO2、O3またはN2Oよりなるガス雰囲気、または酸素含有ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で行なわれる。前記酸化段階は常温〜200℃以下の温度で行なわれる。
【0017】
また、本発明の一態様に係るウェーハの処理方法において、前記所定の膜を形成する段階の前に、前記ウェーハ上の任意の位置でコンタクトホール領域を限定するように第1膜を形成する段階をさらに含むことができる。この際、前記所定の膜は前記コンタクトホール領域を覆わないように前記第1膜上に形成される。
【0018】
また、前記他の目的を達成するために、本発明の第2態様に係るウェーハの処理方法では、前記複数の真空処理チャンバのうち何れか1つの真空処理チャンバ内でウェーハ上に所定の膜を形成する。前記酸素雰囲気チャンバ内で前記ウェーハ上の所定の膜を酸化させる。
【0019】
本発明によれば、金属配線形成工程中に酸化工程のために一体型インサイチュクラスターツールタイプのウェーハ処理装置内でウェーハを取り出して大気中に露出させたり、他の酸化装置に移動させるための段階を省けるために、ウェーハの汚染可能性を減らし、かつスループットを向上させうる。
【0020】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一実施形態に係る一体型インサイチュクラスターツールタイプのウェーハ処理装置の要部構成を概略的に示す図面である。
【0021】
図1を参照すれば、本発明に係るウェーハ処理装置は真空排気され、複数のゲート弁22、32、42、52、62を有するトランスファチャンバ10を備えている。前記トランスファチャンバ10内には、ウェーハを支持するためのブレード12を備えたウェーハハンドリングロボット14が設けられている。前記トランスファチャンバ10の周囲には、前記複数のゲート弁22、32、42、52、62のうち1つのゲート弁を通じて各々前記トランスファチャンバ10と連通可能な複数の真空処理チャンバ20、30、40が設けられている。図1には前記複数の真空処理チャンバとしてCVD工程を行なうためのCVDチャンバ20と、PVD工程を行なうためのPVDチャンバ30と、熱処理チャンバ40を備える例を示した。
【0022】
前記CVDチャンバ20は、Al膜またはAl合金膜を形成するのに利用されうる。例えば、前記CVDチャンバ20では、Al膜の形成のための選択的MOCVD(selective metal organic CVD)工程を行なえる。前記CVDチャンバ20内でAl膜の蒸着工程を行なうために、前記CVDチャンバ20内にAlを含有するAlソース及び他の必要な工程ガスを供給するための原料供給部(図示せず)を含んでいる。
【0023】
前記Alソースとして、例えばDMAH(dimethylaluminum hydride)、TMAA(trimethylamine alane)、DMEAA(dimethylethylamine alane)またはMPA(methylpyrrolidine alane)のような有機金属化合物よりなる前駆体が使われる。前記前駆体を前記CVDチャンバ20に供給するために、バブラータイプ、気相流量コントローラータイプ、または液状運送システムタイプのような原料伝達装置を使用しうる。希釈用ガスとして、Arのような不揮発性ガスを使用する。また、前記前駆体の分解を促進するためにH2ガスのような反応性ガスを添加しても良い。
【0024】
前記PVDチャンバ30は直流スパッタリング、直流マグネトロンスパッタリング、交流スパッタリングまたは交流マグネトロンスパッタリング工程を行なえるスパッタリングチャンバで構成されうる。スパッタリング工程を行なうための前記PVDチャンバ30には、必要に応じてコリメータを装着しても、あるいは装着しなくても良い。前記PVDチャンバ30は、配線用Al膜またはAl合金膜の形成のための専用チャンバとして使用されうる。
【0025】
通常、Al配線形成のためにAl膜またはAl合金膜の蒸着が完了した後、高温熱処理によりコンタクトホールを埋込み、配線を平坦化するためにAr雰囲気のような不活性雰囲気で、前記蒸着されたAl膜またはAl合金膜を350℃以上の温度で数分間熱処理してリフローさせる工程が用いられている。このようなリフロー工程を行なうために、前記熱処理チャンバ40を用いる。配線用Al膜またはAl合金膜のリフローのための熱処理工程は、前記Al膜またはAl合金膜の表面酸化を最大限抑制した状態で進めなければならない。したがって、前記熱処理チャンバ40の圧力が低いほど良い。望ましくは、前記熱処理チャンバ40は10-6Torr以下の高真空状態を保てるように構成される。
【0026】
図2A及び図2Bは、前記熱処理チャンバ40の構成をさらに詳細に説明するために、その内部構成を概略的に示す図面である。図2A及び図2Bを参照すれば、前記熱処理チャンバ40は、ウェーハWを支持するための支持面44aを備えたペデスタル44を備えている。前記ペデスタル44は、昇降機構140によって昇降可能である。図2Aは、前記ペデスタル44の下降位置を、図2Bは前記ペデスタル44の上昇位置を、各々示す。
【0027】
また、前記熱処理チャンバ40は、前記ペデスタル44の昇降によって前記支持面44aを含む所定の空間を開閉可能に前記ペデスタル44の上部に設けられたカバー46を含む。前記ペデスタル44及び前記カバー46の内部には各々第1加熱装置142及び第2加熱装置144が設けられている。前記第1加熱装置142及び第2加熱装置144は、例えば、抵抗コイルよりなりうる。前記熱処理チャンバ40は、排気ポンプ48を備える排気系49によって真空排気が可能である。
【0028】
前記熱処理チャンバ40内へのウェーハWの搬入/搬出時、前記ペデスタル44はその下降位置にあり、前記ウェーハWを熱処理する間には前記ペデスタル44はその上昇位置にある。したがって、前記ウェーハWの熱処理中には前記ウェーハWを支持する支持面44aを含む所定の空間が前記ペデスタル44と前記カバー46によって閉鎖されて前記ウェーハWの周囲の温度を均一に保てる。
【0029】
また、本発明に係るウェーハ処理装置は、ロードロックチャンバ50を含んでいる。本発明の一実施形態において、前記ロードロックチャンバ50はウェーハ処理装置の内部及び外部の間でウェーハを移動させるための空間として使われるだけでなく、ウェーハを酸化処理する用途にも使われる。
【0030】
図3は、前記ロードロックチャンバ50の構成をさらに具体的に説明するために示す図面である。図3に示されたように、前記ロードロックチャンバ50は、排気ポンプ53を備える排気系54によって真空排気が可能である。また、前記ロードロックチャンバ50には、その内部に酸素含有ガス156を供給するための第1ガス供給ライン56と、不活性ガス158を供給するための第2ガス供給ライン58とが連結されている。
【0031】
前記第1ガス供給ライン56を通じて供給される酸素含有ガス156として、例えばO2、O3またはN2Oを使用しうる。前記第1ガス供給ライン56及び第2ガス供給ライン58を通じて供給されるガス流量は、各々流量調節器151、153及び開閉弁152、154によって調節しうる。前記ロードロックチャンバ50ではウェーハがウェーハキャリア150に収容された状態に搬入/搬出されうる。
【0032】
また、前記ロードロックチャンバ50を用いてウェーハの酸化処理を行なう時には、前記排気系54によって真空状態に保たれる前記ロードロックチャンバ50内で前記第1ガス供給ライン56から供給される酸素含有ガスを使用して酸化処理を行なう。この際、酸化処理されるウェーハが前記ウェーハキャリア150に収容された状態でバッチ式で行なえる。前記ウェーハの酸化程度は前記第1ガス供給ライン56から供給される酸素含有ガスの供給量、すなわち酸素の分圧と、供給時間とで調節されうる。
【0033】
前記トランスファチャンバ10と前記ロードロックチャンバ50との間には、前記ロードロックチャンバ50から搬入されるウェーハを前記トランスファチャンバ10に移動させる前に前記ウェーハの予熱及び脱ガスを行なうための脱ガスチャンバ70が設けられている。また、例えば、前記熱処理チャンバ40で熱処理工程を経たウェーハが前記トランスファチャンバ10から前記ロードロックチャンバ50に移動する前に高温状態の前記ウェーハを冷却させるために、前記トランスファチャンバ10と前記ロードロックチャンバ50との間には冷却チャンバ80が設けられている。
【0034】
前記脱ガスチャンバ70及び冷却チャンバ80と前記ロードロックチャンバ50との間には、これら間でバッファチャンバの役割をするローダーチャンバ90が設けられている。前記のような構成を有するウェーハ処理装置の全ての制御は制御部92によって行われる。
【0035】
図1のように、前記CVDチャンバ20、PVDチャンバ30及び熱処理チャンバ40で構成される3つの真空処理チャンバを含むウェーハ処理装置は、コンタクトホールまたはビアホールの埋込み工程を含む多様な配線形成工程において有用に使用されうる。また、CVD方法を用いてウェーハ上にAl膜を全面的に形成するブランケットAl蒸着工程にも有用に使用されうることはもちろんである。
【0036】
図4は、本発明の他の実施形態に係る一体型クラスターツールタイプのウェーハ処理装置の要部構成を概略的に示す図面である。図4において、図1の構成要素と同一な構成を有する部分は、図1での構成要素と同じ部材符号を付し、その詳細な説明は略す。
【0037】
図4のウェーハ処理装置は、真空処理チャンバとして、図1を参照して説明したようなCVDチャンバ20、PVDチャンバ30及び熱処理チャンバ40の他に、Ti膜、TiN膜またはこれらの複合膜を形成するためのTi/TiN膜専用チャンバ250と、エッチングチャンバ260をさらに含む。前記Ti/TiN膜専用チャンバ250及びエッチングチャンバ260は各々ゲート弁252、262を通じてトランスファチャンバ10と連通可能である。
【0038】
前記Ti/TiN膜専用チャンバ250はCVDチャンバまたはPVDチャンバよりなりうる。また、前記エッチングチャンバ260は、RFパワーソースを用いるプラズマエッチングチャンバ、またはECRエッチングチャンバで構成されうる。前記エッチングチャンバ260は、例えばコンタクトホールまたはビアホール内に形成された表面酸化膜を除去するのに用いられる。
【0039】
図5は、本発明のさらに他の実施形態に係る一体型クラスターツールタイプのウェーハ処理装置の要部構成を概略的に示す図面である。図5において、図1及び図4での構成要素と同一な部分には、同一な部材符号を付し、その詳細な説明は略す。
【0040】
図5のウェーハ処理装置は、CVDチャンバ20、PVDチャンバ30、熱処理チャンバ40、Ti/TiN膜専用チャンバ250及びエッチングチャンバ260で構成される真空処理チャンバの他に、酸素雰囲気チャンバ370をさらに含む。前記酸素雰囲気チャンバ370はゲート弁372を通じてトランスファチャンバ10と連通できる。
【0041】
図6は、前記酸素雰囲気チャンバ370の構成をさらに具体的に説明するために示した図面である。図6に示されたように、前記酸素雰囲気チャンバ370は、排気ポンプ353を備える排気系354によって真空排気が可能である。また、前記酸素雰囲気チャンバ370には、その内部に酸素含有ガス456を供給するための第3ガス供給ライン356と、不活性ガス458を供給するための第4ガス供給ライン358が連結されている。
【0042】
前記第3ガス供給ライン356を通じて供給される酸素含有ガス456として、例えばO2、O3またはN2Oを使用しうる。前記第3ガス供給ライン356及び第4ガス供給ライン358を通じて供給されるガス流量は各々流量調節器451、453及び開閉弁452、454によって調節されうる。前記排気系354により真空状態が保たれる状態で、前記酸素雰囲気チャンバ370内で前記第3ガス供給ライン356から供給される酸素含有ガスを使用してウェーハの酸化工程を行なえる。ウェーハの酸化程度は前記第3ガス供給ライン356から供給される酸素含有ガスの供給量、すなわち酸素の分圧と、供給時間とで調節されうる。
【0043】
図7は、本発明の一実施形態に係るウェーハ処理方法を説明するためのフローチャートである。
【0044】
図7を参照すれば、まずウェーハ上の任意の位置でコンタクトホール領域またはビアホール領域(以下、単に“コンタクトホール領域”と略称する)を限定するように第1膜を形成する(段階510)。前記第1膜は層間絶縁膜よりなる。または、前記第1膜はTiN膜よりなる単一層、またはTiN膜を含む複合層よりなる。前記第1膜をTiN膜よりなる単一層、またはTiN膜を含む複合層よりなる場合には、図4を参照して説明したようなウェーハ処理装置を使用して前記Ti/TiN膜専用チャンバ250内で前記第1膜を形成しうる。
【0045】
その後、図1を参照して説明したようなウェーハ処理装置に含まれた真空処理チャンバのうち前記CVDチャンバ20またはPVDチャンバ30を使用し、前記第1膜上に所定の膜、例えばAl膜またはTi膜を形成する(段階520)。次いで、図1及び図3を参照して説明したような前記ロードロックチャンバ50内で前記所定の膜を酸化させる(段階530)。
【0046】
前記所定の膜を酸化させるために、前記ロードロックチャンバ50内にO2、O3またはN2Oよりなる酸素含有ガス、または酸素含有ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給し、前記ロードロックチャンバ50の内部を酸素含有雰囲気に保つ。前記酸化段階は常温〜200℃以下の温度で行なわれる。その後、必要に応じて前記CVDチャンバ20またはPVDチャンバ30を用いたAl膜の形成段階と、前記熱処理チャンバ40を用いたリフロー段階を経て金属配線を形成しうる。
【0047】
図8は本発明の他の実施形態に係るウェーハ処理方法を説明するためのフローチャートである。
【0048】
図8を参照すれば、まずウェーハ上の任意の位置でコンタクトホール領域を限定するように第1膜を形成する(段階610)。図7の説明と同様に、前記第1膜は層間絶縁膜、TiN膜よりなる単一層、またはTiN膜を含む複合層よりなりうる。
【0049】
その後、図5と同一なウェーハ処理装置に含まれた真空処理チャンバのうち前記CVDチャンバ20またはPVDチャンバ30を使用し、前記第1膜上に所定の膜、例えばAl膜またはTi膜を形成する(段階620)。次いで、図5及び図6の説明のような酸素雰囲気チャンバ370内で前記所定の膜を酸化させる(段階630)。
【0050】
前記所定の膜を酸化させるために、前記酸素雰囲気チャンバ370内に酸素含有ガス、または酸素含有ガスと不活性ガスとの混合ガスを供給し、前記酸素雰囲気チャンバ370の内部を酸素含有雰囲気に保つ。前記酸化段階は、常温〜200℃以下の温度で行なわれる。その後、必要に応じて前記CVDチャンバ20またはPVDチャンバ30を用いたAl膜の形成段階と、前記熱処理チャンバ40を用いたリフロー段階を経て金属配線を形成する。
【0051】
前述したように、金属配線の形成工程中に必要な酸化工程をロードロックチャンバまたは酸素雰囲気チャンバを用いて行なえば、金属配線の形成工程中に酸化工程のために一体型クラスターツールタイプのウェーハ処理装置内でウェーハを取り出して大気中に露出させたり、他の酸化装置に移動させるための段階を省けるので、ウェーハの汚染を抑制し、かつスループットを向上させうる。
【0052】
【発明の効果】
本発明では、半導体素子製造のための金属配線の形成に必要な全工程を一体型インサイチュクラスターツールタイプのウェーハ処理装置内で行なえる。特に、本発明に係るウェーハ処理装置は、酸化工程を行なえるように酸素含有雰囲気に保つロードロックチャンバまたは酸素雰囲気チャンバを具備している。
【0053】
したがって、金属配線の形成工程途中に酸化工程のために一体型インサイチュクラスターツールタイプのウェーハ処理装置内でウェーハを取り出して大気中に露出させたり、他の酸化装置に移動させるための段階を省略できるので、ウェーハの汚染を抑制し、かつスループットを向上させうる。
【0054】
以上、本発明を望ましい実施形態を挙げて詳細に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されず、本発明の技術的思想の範囲内で当業者によって多様な変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態に係る一体型クラスターツールタイプのウェーハ処理装置の要部構成を概略的に示す図面である。
【図2A】 本発明の一実施形態に係るウェーハ処理装置に含まれた熱処理チャンバの構成を示す図面である。
【図2B】 本発明の一実施形態に係るウェーハ処理装置に含まれた熱処理チャンバの構成を示す図面である。
【図3】 本発明の一実施形態に係るウェーハ処理装置に含まれたロードロックチャンバの構成を示す図面である。
【図4】 本発明の他の実施形態に係る一体型クラスターツールタイプのウェーハ処理装置の要部構成を概略的に示す図面である。
【図5】 本発明のさらに他の実施形態に係る一体型クラスターツールタイプのウェーハ処理装置の要部構成を概略的に示す図面である。
【図6】 本発明のさらに他の実施形態に係るウェーハ処理装置に含まれた酸素雰囲気チャンバの構成をより具体的に説明するための図面である。
【図7】 本発明の一実施形態に係るウェーハ処理方法を説明するためのフローチャートである。
【図8】 本発明の他の実施形態に係るウェーハ処理方法を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
22、32、42、52、62 ゲート弁
10 トランスファチャンバ
12 ブレード
14 ウェーハハンドリングロボット
20、30、40 真空処理チャンバ
20 CVDチャンバ
30 PVDチャンバ
40 熱処理チャンバ
50 ロードロックチャンバ
Claims (13)
- 真空排気可能であり、複数のゲート弁を有するトランスファチャンバと、
前記複数のゲート弁のうちの1つを通じて各々前記トランスファチャンバと連通可能な複数の真空処理チャンバと、
真空排気可能であり、前記トランスファチャンバからウェーハの搬入及び搬送が容易になるように前記トランスファチャンバに連通可能なロードロックチャンバと、
前記ロードロックチャンバの内部に、ウェーハ上の所定の膜を酸化させるための酸素含有ガスを供給するために前記ロードロックチャンバに連通可能な第1ガス供給ラインを含み、
前記複数の真空処理チャンバは、Al膜またはAl合金膜形成のためのチャンバと、リフロー用の熱処理チャンバを含み、
前記熱処理チャンバは、昇降可能であり、ウェーハを支持するための支持面を備えたペデスタルと、前記ペデスタルの昇降によって前記支持面を含む所定の空間を開閉可能に前記ペデスタルの上部に設けられたカバーと、前記ウェーハを加熱させるための加熱装置とを含み、
前記加熱装置は、前記ペデスタルに連結している第1加熱装置と、前記カバーに連結している第2加熱装置とを含むことを特徴とするウェーハ処理装置。 - 前記ロードロックチャンバの内部に不活性ガスを供給するために前記ロードロックチャンバに連結可能な第2ガス供給ラインを含むことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ処理装置。
- 前記ロードロックチャンバ内に供給される酸素含有ガスは、O2、O3及びN2Oのうちから選択される少なくとも何れか1つであることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ処理装置。
- 前記Al膜またはAl合金膜形成のためのチャンバはCVDチャンバであることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ処理装置。
- 前記Al膜またはAl合金膜形成のためのチャンバはPVDチャンバであることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ処理装置。
- 前記加熱装置は抵抗コイルよりなることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ処理装置。
- 前記複数の真空処理チャンバはTi膜、TiN膜またはこれらの複合膜を形成するためのTi/TiN膜専用チャンバを含むことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ処理装置。
- 前記Ti/TiN膜専用チャンバはCVDチャンバよりなることを特徴とする請求項7に記載のウェーハ処理装置。
- 前記Ti/TiN膜専用チャンバはPVDチャンバよりなることを特徴とする請求項7に記載のウェーハ処理装置。
- 前記複数のゲート弁のうち何れか1つを通じて前記トランスファチャンバと連通可能な酸素雰囲気チャンバをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ処理装置。
- 前記酸素雰囲気チャンバには、前記酸素雰囲気チャンバの内部に酸素含有ガスを供給するための第3ガス供給ラインと、前記酸素雰囲気チャンバの内部に不活性ガスを供給するための第4ガス供給ラインが連結していることを特徴とする請求項10に記載のウェーハ処理装置。
- 真空排気され、複数のゲート弁を有するトランスファチャンバと、
前記複数のゲート弁のうち何れか1つを通じて各々前記トランスファチャンバと連通可能な複数の真空処理チャンバと、
前記複数のゲート弁のうち何れか1つを通じて前記トランスファチャンバと連通可能な、ウェーハ上の所定の膜を酸化させるための酸素雰囲気チャンバと、
前記酸素雰囲気チャンバの内部に酸素含有ガスを供給するために前記酸素雰囲気チャンバに連通可能な第1ガス供給ラインと、
真空排気が可能であり、前記トランスファチャンバからウェーハの搬入及び搬送が容易になるように前記トランスファチャンバに連通可能なロードロックチャンバとを含み、
前記複数の真空処理チャンバは、Al膜またはAl合金膜形成のためのチャンバと、リフロー用の熱処理チャンバを含み、
前記熱処理チャンバは、昇降可能であり、ウェーハを支持するための支持面を備えたペデスタルと、前記ペデスタルの昇降によって前記支持面を含む所定空間を開閉可能に前記ペデスタルの上部に設けられたカバーと、前記ウェーハを加熱させるための加熱装置を含み、
前記加熱装置は、前記ペデスタルに連結されている第1加熱装置と、前記カバーに連結されている第2加熱装置とを含むことを特徴とするウェーハ処理装置。 - 前記加熱装置は抵抗コイルよりなることを特徴とする請求項12に記載のウェーハ処理装置。
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