JP4738541B2 - 回路基板の製造方法 - Google Patents
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Description
2 チップ取り出し電極(内部端子電極)
3 パッシベーション膜
4,6 バリア金属配線
4a,6a バリア金属材料
5,7 銅配線
8 保護絶縁膜
8a 保護絶縁膜の端部
9 半田ボール
9a 半田ボールの底面
10 シリコンウエハ
21 配線層(第1の配線層)
22 配線層(第2の配線層)
21a 第1の端部
21b 第2の端部
21c 再配線部
21e,22e エッジ部
21s,22s 側面
21u,22u 上面
22a 縁部
30 柱状の塊
31 基板
32,32a,32b スピーシーズ
32c スピーシーズの核
32d 島状の塊
100,200 メタルマスク
101,201 開口部
Claims (15)
- 内部端子電極を有する基板に、前記内部端子電極と外部とを電気的に接続する外部端子電極を形成する回路基板の製造方法であって、
前記内部端子電極を含む前記基板の表面の一部が露出するような開口部を有する、陰極側に接続される金属性のメタルマスクを前記基板に被せるマスク工程と、
前記基板に所定の電位を与え、前記所定の電位と異なる電位にイオン化された被着金属に、0.01eVから250eVの被着エネルギを与えることによって、前記基板の表面の一部及び前記メタルマスク上に、イオンプレーティング法により正の電荷を有するイオンの粒子から金属性の導体を形成する成膜工程と、
前記メタルマスクを剥離することによって、前記基板の表面の一部に形成された前記内部端子電極と電気的に接続する金属性の導体からなる配線層を残存させるリフトオフ工程と、
前記配線層に電気的に接続された前記外部端子電極を形成する電極形成工程と、
を備えることを特徴とする回路基板の製造方法。 - 前記イオン化された被着金属に、5〜100eVの被着エネルギを与えることを特徴とする請求項1に記載の回路基板の製造方法。
- 前記基板は、フォトリソグラフィー法により形成され前記内部端子電極に電気的に接続された内部配線を有することを特徴とする請求項1に記載の回路基板の製造方法。
- 前記基板は、同一の回路が繰り返し形成された集合基板であり、
少なくとも前記リフトオフ工程を行った後、前記集合基板を切断することによって個々の単位基板を取り出す切断工程をさらに備えることを特徴とする請求項3に記載の回路基板の製造方法。 - 前記切断工程を前記電極形成工程の後に行うことを特徴とする請求項4に記載の回路基板の製造方法。
- 前記集合基板は半導体ウエハであり、前記単位基板は半導体チップであることを特徴とする請求項4又は5に記載の回路基板の製造方法。
- 前記リフトオフ工程を行った後、前記電極形成工程および前記切断工程を行う前に、前記外部端子電極を形成すべき部分を除く前記基板の表面に流動性を有する絶縁材料を選択的に供給する絶縁膜形成工程をさらに備えることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
- 前記絶縁膜形成工程においては、前記配線層の上面の周縁部を前記絶縁材料で覆うことを特徴とする請求項7に記載の回路基板の製造方法。
- 一回の前記マスク工程、連続する複数回の前記成膜工程、及び前記一回のマスク工程に対応する一回の前記リフトオフ工程からなる一連の工程群によって、複数の前記配線層を形成することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
- 前記連続する複数回の成膜工程は、第1の金属性の導体を形成する第1の前記成膜工程と、第2の金属性の導体を形成する第2の前記成膜工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の回路基板の製造方法。
- 第1の前記メタルマスクを使用した前記マスク工程、少なくとも一回の前記成膜工程、及び前記マスク工程に対応する前記リフトオフ工程からなる第1の工程群と、
更に、前記外部端子電極を形成すべき第1の領域が露出するような開口部を有する金属性の第2のメタルマスクを前記基板に被せる第2のマスク工程、
前記第1の領域及び前記第2のメタルマスク上に、イオンプレーティング法により金属性の導体を形成する少なくとも一回の第2の成膜工程、及び
前記第2のメタルマスクを剥離することによって、前記第1の領域に形成された金属性の導体からなる第2の配線層を残存させる第2のリフトオフ工程からなる第2の工程群を備え、
前記第1と第2の工程群により、複数の配線層を形成する、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。 - 前記複数の配線層は、
前記内部端子電極を覆う第1の端部と、前記外部端子電極を形成すべき領域である第2の端部と、前記基板の表面に沿って延在し前記第1の端部と前記第2の端部とを接続する再配線部とを有する第1の配線層と、
前記第1の配線層の前記第2の端部を覆い、前記第1の配線層と接する第2の配線層と、を含み、
前記電極形成工程においては、前記第2の配線層と接するように前記外部端子電極を形成することを特徴とする請求項9乃至11のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。 - 前記配線層の形成に関連して、レジストの塗布、露光、現像、及び前記レジストの剥離の各工程を含まない、ことを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
- 前記基板は、半導体基板である、ことを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
- 前記被着エネルギは、主要部分を25±10eVとする、ことを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
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