JP4738178B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1の実施形態による半導体装置の製造工程を、図1A〜1Fを参照しながら説明する。
[第2の実施形態]
図8A〜8Dは本発明の第2の実施形態による多層配線構造の形成工程を示す。
導電体と、
前記導電体を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜を貫通し、前記導電体に電気的に接続するコンタクトプラグとよりなるコンタクト構造を含む半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁膜中に、前記絶縁膜を貫通して、底部において前記導電体を露出するように、コンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールの底部および側壁面に、窒化タングステンよりなるバリアメタル膜を、前記コンタクトホールの底部および側壁面に整合した形状で形成する工程と、
前記コンタクトホールを、前記バリアメタル膜を介して充填するように、タングステン層を形成する工程と、
前記絶縁膜上のタングステン膜を、前記絶縁膜の表面が露出するまで研磨・除去し、前記コンタクトホール中に前記タングステン層により、タングステンプラグを形成する工程と、を含み、
さらに、前記バリアメタル膜の形成に先立って、前記導電体の表面を清浄化する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記導電体は、NiSi,CoSi2,TaSi2,TiSi2およびPtSiのいずれかよりなる高融点金属シリサイドよりなることを特徴とする付記1記載の半導体装置の製造方法。
前記バリアメタル膜は、前記コンタクトホールの底部および側壁面に接する第1の側から前記タングステンプラグと接する第2の側に向かって、窒素濃度が連続的に減少するように形成されることを特徴とする付記1または2記載の半導体装置の製造方法。
前記第2の側において、前記バリアメタル膜は、前記タングステンプラグに連続的に移行することを特徴とする付記3記載の半導体装置の製造方法。
前記バリアメタル膜を形成する工程は、窒素源となるプロセスガスの流量を、成膜開始時に第1の流量に設定し、次いで前記プロセスガスの流量を徐々に減少させ、前記バリアメタル膜の成膜終了時には、前記第1の流量よりも小なる第2の流量に設定るうことを特徴とする付記3または4記載の半導体装置の製造方法。
前記バリアメタル膜を形成する工程は、WF6ガスと、NH3ガスと、Arガスと、SiH4ガスまたはB2H6ガスをプロセスガスとして使い、実行されることを特徴とする付記1〜5のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
前記タングステン層を形成する工程は、WF6ガスと、Arガスと、SiH4ガスまたはB2H6ガスをプロセスガスとして使い、実行されることを特徴とする付記1〜7のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
前記清浄化工程は、希ガスと水素ガスよりなる雰囲気中におけるスパッタエッチングにより実行されることを特徴とする付記1〜7のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
前記清浄化工程は、希ガス雰囲気中におけるスパッタにより実行されることを特徴とする付記1〜7のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
前記清浄化工程は、NF3あるいは水素プラズマ中におけるエッチングにより実行されることを特徴とする付記1〜7のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体装置は拡散領域およびゲート電極を備えたロジック半導体装置であり、前記拡散領域およびゲート電極は、いずれも高融点シリサイド膜により覆われており、前記コンタクト構造は、前記拡散領域およびゲート電極に、前記高融点シリサイド膜を前記導電体として形成されることを特徴とする付記1〜10のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体装置は、第1の配線層と、前記第1の配線層上に層間絶縁膜を介して形成された第2の配線層を含む多層配線構造を備えており、前記コンタクト構造は、前記多層配線構造中に、前記第1の配線層を前記導電体として、前記コンタクトプラグが前記第1の配線層と前記第2の配線層を接続するように形成されることを特徴とする付記1〜10のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
導電体と、
前記導電体を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜を貫通し、前記導電体を露出するコンタクトホールと、
前記コンタクトホールを充填し、前記コンタクトホールの底部において前記導電体に電気的に接続するコンタクトプラグと、よりなるコンタクト構造を含む半導体装置であって、
前記導電体はシリサイド膜よりなり、
前記コンタクトプラグは、前記コンタクトホールの側壁面および底面に沿って延在する窒化タングステンバリアメタル膜と、前記窒化タングステンバリアメタル膜上に前記コンタクトホールを充填するように形成されたタングステンプラグとよりなり、
前記窒化タングステンバリアメタル膜は、前記コンタクトホールの側壁面から離間するにつれて窒素濃度を減少させる濃度勾配を有し、
前記窒化タングステンバリアメタル膜は、前記導電体と、前記導電体表面に形成された深さが5〜8nmの凹部において、直接かつ密接にコンタクトしていることを特徴とする半導体装置。
前記半導体装置は、60nm以下のゲート長を有することを特徴とする付記13記載の半導体装置。
前記半導体装置は、深さが100nm以下の接合を形成する拡散領域を有し、前記導電体は、前記拡散領域表面に形成されたシリサイド膜であることを特徴とする請求項13または14記載の半導体装置。
11A 素子領域
11I 素子分離領域
11a〜11d 拡散領域
12 ゲート絶縁膜
13 ゲート電極
14A,14B ゲート側壁絶縁膜
15S,15D,15G シリサイド膜
16 SiN応力膜
17 絶縁膜
17S,17D,17G コンタクトホール
18,18S,18D,18G,73 バリアメタル膜
19,74 タングステン膜
19S,19D,19G タングステンプラグ
50,60 プラズマ処理装置
51 処理容器
51A プロセス空間
51B 排気口
52 基板保持台
53 シャワーヘッド
54,55 高周波源
L1〜L7 ガスライン
71,75 配線パターン
72 層間絶縁膜
72A ビアホール
Claims (9)
- 導電体と、
前記導電体を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜を貫通し、前記導電体に電気的に接続するコンタクトプラグとよりなるコンタクト構造を含む半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁膜中に、前記絶縁膜を貫通して、底部において前記導電体を露出するように、コンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールの底部および側壁面に、窒化タングステンよりなるバリアメタル膜を、前記コンタクトホールの底部および側壁面に整合した形状で形成する工程と、
前記コンタクトホールを、前記バリアメタル膜を介して充填するように、タングステン層を形成する工程と、
前記絶縁膜上のタングステン膜を、前記絶縁膜の表面が露出するまで研磨・除去し、前記コンタクトホール中に前記タングステン層により、タングステンプラグを形成する工程と、を含み、
さらに、前記バリアメタル膜の形成に先立って、前記導電体の表面を清浄化する工程を含み、
前記バリアメタル膜は、前記コンタクトホールの底部および側壁面に接する第1の側から前記タングステンプラグと接する第2の側に向かって、窒素濃度が連続的に減少するように形成され、
前記第2の側において、前記バリアメタル膜は、前記タングステンプラグに連続的に移行することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記導電体は、NiSi,CoSi2,TaSi2,TiSi2およびPtSiのいずれかよりなる高融点金属シリサイドよりなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記清浄化工程は、希ガスと水素ガスよりなる雰囲気中におけるスパッタエッチングにより実行されることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記清浄化工程は、希ガス雰囲気中におけるスパッタにより実行されることを特徴とする請求項1〜3のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記清浄化工程は、NF3あるいは水素プラズマ中におけるエッチングにより実行されることを特徴とする請求項1〜4のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置は拡散領域およびゲート電極を備えたロジック半導体装置であり、前記拡散領域およびゲート電極は、いずれも高融点シリサイド膜により覆われており、前記コンタクト構造は、前記拡散領域およびゲート電極に、前記高融点シリサイド膜を前記導電体として形成されることを特徴とする請求項1〜5のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置は、第1の配線層と、前記第1の配線層上に層間絶縁膜を介して形成された第2の配線層を含む多層配線構造を備えており、前記コンタクト構造は、前記多層配線構造中に、前記第1の配線層を前記導電体として、前記コンタクトプラグが前記第1の配線層と前記第2の配線層を接続するように形成されることを特徴とする請求項1〜5のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バリアメタル膜の形成工程および前記タングステン膜の形成工程において、前記バリアメタル膜の形成工程においては、W原料ガス、還元ガスおよびN原料ガスを供給し、前記バリアメタル膜の堆積に伴って、前記N原料ガスの供給量を低減させ、前記N原料ガスの供給量をゼロとした後に前記W原料ガスおよび前記還元ガスにより前記タングステン膜を形成することを特徴とする請求項1〜7のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記W原料ガスはWF 6 ガスであり、前記還元ガスが水素ガスであり、前記N原料ガスがNH 3 ガスであることを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。
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