JP4730093B2 - フォトレジスト組成物、及びこれを利用したパターンの形成方法、並びに薄膜トランジスタ表示板の製造方法 - Google Patents
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Description
液晶表示装置の中でも現在主に使用されているのは電界生成電極が二枚の表示板に各々備えられている構造である。この中でも、一つの表示板には複数の画素電極が行列形態で配列されており、他の表示板には一つの共通電極が表示板全面を覆っている構造が主流である。このような液晶表示装置における画像の表示は各画素電極に別途の電圧を印加することによって行われる。
フォトレジスト膜表面にクラックが発生する場合、下部層に必要でないエッチングが発生してパターンが不良になるという問題点がある。
本発明によるフォトレジスト組成物は、下記の化学式(1)で示されるノボラック樹脂、下記の化学式(2)で示されるメルカプト化合物、光感応剤及び溶剤を含む。
フェノールモノマーは、例えばフェノール(phenol)、o−クレゾール(o−cresol)、m−クレゾール(m−cresol)、p−クレゾール(p−cresol)、o−エチルフェノール(o−ethyl phenol)、m−エチルフェノール(m−ethyl phenol)、p−エチルフェノール(p−ethyl phenol)、o−ブチルフェノール(o−butyl phenol)、m−ブチルフェノール(m−butyl phenol)、p−ブチルフェノール(p−butyl phenol)、2,3−キシレン(2,3−xylene)、2,4−キシレン(2,4−xylene)、2,5−キシレン(2,5−xylene)、2,6−キシレン(2,6−xylene)、3,4−キシレン(3,4−xylene)、3,5−キシレン(3,5−xylene)、3,6−キシレン(3,6−xylene)、2,3,5−トリメチルフェノール(2,3,5−trimethyl phenol)、3,4,5−トリメチルフェノール(3,4,5−trimethyl phenol)、p−フェニルフェノール(p−phenyl phenol)、レゾルシノール(resorcinol)、ヒドロキノン(hydroquinone)、ヒドロキノンモノメチルエーテル(hydroquinone monomethyl ether)、ピロガロール(pyrogallole)、クロログルシノル(chloroglucinol)、ヒドロキシジフェニル(hydroxy diphenyl)、ビスフェノール−A(bisphenol−A)、没食子酸(galic acid)、α−ナフトール(α−naphthol)及びβ−ナフトール(β−naphthol)などより選択された1種または2種以上の化合物を混合して使用することができる。
ノボラック樹脂は、フォトレジスト組成物の全含量に対して、好ましくは5〜50重量%含まれる。
一般に、導電性または非導電性層をパターニングするために、現像後のフォトレジストパターンとフォトレジストパターンが形成されずに露出されている層上にエッチング液を浸漬または噴霧して供給する。この場合、露出されている層はエッチング液によってエッチングされ、フォトレジストパターンによって覆われている下部層はエッチング液によってエッチングされなければ良好なプロファイルを有するパターンを形成することができる。
したがって、良好なパターンを形成するためには、フォトレジストパターンの表面にクラックの発生を防止することが重要である。
メルカプト化合物はフォトレジスト組成物の全含量に対して、好ましくは0.5〜15重量%含まれている。メルカプト化合物が0.5重量%未満である場合、耐食刻性が発揮できない反面、15重量%を超える場合にはフォトレジストの感光速度を制御することが難しくて感光された部分と感光されていない部分の境界が不明確になって不良なパターンを形成することがある。
まず、m−クレゾールとp−クレゾールを重量比40:60として含むクレゾール混合物(Mw=8,000)とフォルムアルデヒド化合物を酸触媒としてシュウ酸の存在下で縮重合して上述の化学式(1)で示されるノボラック樹脂を得た。
その後、上記で得られたノボラック樹脂30重量%、上記化学式9及び10で示された光感応剤10重量%、及び各実施条件によって含量を0〜17重量%に変化させた1−ドデシルメルカプタン(1−dodecyl mercaptane)化合物(メルカプト化合物)をジメチルホルムアミド(DMF)に溶解させた。
上記で製造された組成物の組成比は下記表1の通りである。
上記で製造された各々のフォトレジスト組成物を利用して金属パターンを形成した。各々のフォトレジスト組成物に対して工程中の他の条件は全て同一に設定した。
まず、ガラスなどからなる基板上にモリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)及びモリブデン(Mo)を順次に積層した。その後、上記金属層上に上記にて製造されたフォトレジスト組成物をスピンコーティング法で塗布した。次に、フォトレジスト膜を約100〜110℃の温度で90秒間プレベークした。
次に、リン酸、硝酸及び酢酸などが所定比率で含まれている統合エッチング液を準備し、エッチング液を各々のエッチングチャンバーに充填した。その後、エッチング液に現像工程が完了された各々の基板を浸漬して金属層をエッチングした。
各基板に対してクラック発生の有無及びクラックが発生する時間を測定した。
その後、クラックが発生しなかった基板に対して金属層のエッチングが完了すれば、フォトレジストパターンを除去した後、金属層パターンを観察した。
より具体的に説明すれば、同一含量のノボラック樹脂及び光感応剤を使用した組成物にメルカプト化合物を0〜0.4重量%添加する場合(比較例5〜9)、エッチング液浸漬後、60秒内にフォトレジスト膜表面にクラックが多量発生したことが分かる。しかし、メルカプト化合物が0.5重量%以上含まれている場合、耐食刻性が次第に向上して60秒、120秒または180秒以上のエッチング液浸漬でもクラックが発生しなかったことが分かった。
したがって、フォトレジスト膜表面にクラックを発生せず、本来フォトレジストの特性を維持するためにメルカプト化合物はフォトレジスト組成物の全含量に対して約0.5〜15重量%含まれるのが好ましい。
本実施例は図面を参照して説明するが、図面で多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。これに反し、ある部分が他の部分の“直上”にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
図1及び図2に示すように、絶縁基板110上にゲート信号を伝達する複数のゲート線121が形成されている。ゲート線121は横方向に伸びており、各ゲート線121の一部は複数のゲート電極124を構成し、ゲート線121の他の一部は下方向に突出して複数の拡張部127を構成する。また、外部回路と連結するためのゲート線の端部129が備えられている。
第1金属層124p、127p、129pと第2金属層124q、127q、129qの側面は各々傾いており、その傾斜角は基板110の表面に対して約30〜80度をなす。
ゲート線121上には窒化シリコンなどからなるゲート絶縁膜140が形成されている。
半導体層151の上部にはシリサイドまたはn型不純物が高濃度でドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなる線状抵抗性接触層161及び複数の島型抵抗性接触層163、165が形成されている。島型抵抗性接触層163、165は対をなして半導体層151の突出部154上に位置している。半導体層151と抵抗性接触層163、165の側面はやはり傾いており、傾斜角は基板110に対して30〜80゜である。
データ線171は縦方向に伸びてゲート線121と交差してデータ電圧を伝達する。各データ線171からドレイン電極175に向かって伸びた複数の分枝がソース電極173を構成する。一対のソース電極173とドレイン電極175は互いに分離されていて、ゲート電極124に対して互いに反対側に位置している。
このように比抵抗の低いアルミニウムまたはアルミニウム合金層をモリブデン層の間に介在する構造を有することによって、低い比抵抗の特性をそのまま維持しながら、中間に介されたアルミニウム層が下部の半導体層及び上部の画素電極と直接接触しないことによって接触不良による薄膜トランジスタの特性低下を防止することができる利点がある。
データ線171、ドレイン電極175及びストレージキャパシタ用導電体177もゲート線121と同様にその側面が基板110に対して約30〜80゜の角度で各々傾いている。
保護膜180上にはITOまたはIZOからなる複数の画素電極190及び複数の接触補助部材81、82が形成されている。
画素電極190は接触孔185、187を通じてドレイン電極175及びストレージキャパシタ用導電体177と各々物理的・電気的に連結されてドレイン電極175からデータ電圧の印加を受けて、ストレージキャパシタ用導電体177にデータ電圧を伝達する。
接触補助部材81、82は接触孔181、182を通じてデータ線の端部179と各々連結される。接触補助部材81、82はゲート線の端部129及びデータ線171の端部179と駆動集積回路のような外部装置との接着性を補完して、これらを保護する。
まず、図3に示すように、絶縁基板110上にアルミニウムを含む第1金属層120p及びモリブデンを含む第2金属層120qを順次に積層する。
本実施例では共同スパッタリングのターゲットとしてアルミニウムにネオジムが2at%程度添加されたアルミニウム合金(Al−Nd)とモリブデン(Mo)を使用する。
共同スパッタリングは次のような方法で実施する。
まず、初期にモリブデンターゲットにはパワーを印加せず、アルミニウム合金ターゲットにのみパワーを印加して基板上にアルミニウム合金からなる第1金属層120pを形成する。この場合、約2,500Å程度の厚さを有するのが好ましい。その後、アルミニウム合金ターゲットに印加されるパワーをオフした後、モリブデンターゲットにパワーを印加して第2金属層120qを形成する。
下記の化学式(2)で示されるメルカプト化合物、
光感応剤、及び溶剤を含むフォトレジスト組成物をスピンコーティング法で塗布する。
次に、図6に示すようにフォトレジストパターン42が残っている部分を除いた領域の第1金属層120p及び第2金属層120qをエッチング液を利用して一度にエッチングする。この時、エッチング液としてはリン酸、硝酸、酢酸及び脱塩水を適正比率で含むエッチング液が適している。
その後、フォトレジスト剥離剤を利用してフォトレジストパターン42を除去することによって、図7に示すようにゲート電極124、拡張部127及びゲート線の端部129を含むゲート線121が形成される。
そして、ゲート絶縁膜140上に真性非晶質シリコン層、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層の三層膜を連続して積層し、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層と真性非晶質シリコン層をフォトエッチングして複数の突出部154と複数の不純物半導体パターン164を各々含む線状真性半導体層151及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層161を形成する。
下記の化学式(2)で示されるメルカプト化合物、
光感応剤、及び溶剤を含むフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜44を形成する。
次いで、図13に示すようにフォトレジストパターン46が残っている部分を除いた領域の金属層170をエッチングする。この時、エッチング液はリン酸、硝酸、酢酸、及び脱塩水を適正比率で含有したエッチング液が適している。
次に、フォトレジスト剥離剤を利用してフォトレジストパターン46を除去することによって、図14に示すようにソース電極173、ドレイン電極175、ストレージキャパシタ用導電体177、及びデータ線の端部179を形成する。
その後、保護膜180上に感光膜をコーティングした後、光マスクを通じて感光膜に光を照射した後、現像して複数の接触孔181、185、187、182を形成する。この時、保護膜180が感光性を有する有機膜である場合には写真工程(塗布、感光、現像)のみで接触孔を形成することもできる。ゲート絶縁膜140と保護膜180に対して実質的に同一なエッチング比を有するエッチング条件で実施するのが好ましい。
また、本実施例ではゲート線及びデータ線の形成時にのみ本実施例によるフォトレジスト組成物を適用した例を示したが、本発明によるフォトレジスト組成物はゲート線及びデータ線に限定されて使用されるわけではなく、全ての導電性または非導電性層をパターン化する場合に同一に適用することができることは当然である。
また、ゲート線121及びデータ線171を二重層で形成した場合に対してのみ示したが、単一層または三重層以上の多重層である場合もまた同一に適用することができ、本実施例ではゲート線121及びデータ線171でモリブデンとアルミニウムからなる金属層のみを適用したが、これに限定されず、全ての導電体に対して同一に適用することができる。
これについて以下、図面を参照して詳細に説明する。
図17及び図18に示すように、本発明の第3の実施例による薄膜トランジスタ表示板の層状構造は図1及び図2に示した液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の層状構造とほとんど同一である。つまり、基板110上にアルミニウムを含む第1金属層121p、124p及びモリブデンからなる第2金属層121q、124qを含む複数のゲート線121及びゲート電極124が形成されており、その上にゲート絶縁膜140、複数の突出部154を含む複数の線状半導体層151、複数の突出部163を各々含む複数の線状抵抗性接触層161、及び複数の島型抵抗性接触層165が順次に形成される。抵抗性接触層161、165及びゲート絶縁膜140上にはアルミニウムを含む第1金属層171q、175q及び第1金属層171q、175qの下部及び上部に形成されたモリブデン(Mo)を含む第2金属層171p、175p及び第3金属層171r、175rからなる複数のデータ線171及びドレイン電極175が形成されていて、その上に保護膜180が形成されている。保護膜180及び/またはゲート絶縁膜140には複数の接触孔185、182が形成されており、保護膜180上には複数の画素電極190と複数の接触補助部材82が形成されている。
そして、半導体層151は薄膜トランジスタが位置する突出部154を除けばデータ線171、ドレイン電極175、及びその下部の抵抗性接触層163、165と実質的に同一な平面形態を有している。具体的には、線状半導体層151はデータ線171及びドレイン電極175とその下部の抵抗性接触層163、165の下に存在する部分の他にもソース電極173とドレイン電極175との間に覆われずに露出された部分を有している。
まず、図19に示すように透明ガラスなどで作られた基板110上にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第1金属層120pとモリブデンまたはモリブデン合金からなる第2金属層120qをスパッタリング法で各々形成する。
下記の化学式(2)で示されるメルカプト化合物、
光感応剤、及び溶剤を含むフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜60をスピンコーティング方法で形成する。
次いで、図22に示すようにフォトレジストパターン62が残っている部分を除いた領域の第1金属層120p及び第2金属層120qをエッチング液を利用して一度にエッチングする。この時、エッチング液としてはリン酸、硝酸、酢酸及び脱塩水を適正割合で含むエッチング液が適している。
その後、フォトレジスト剥離剤を利用してフォトレジストパターン62を除去することによって、図23に示すようにゲート電極124を含むゲート線121及びゲート線121と電気的に分離された複数の維持電極線131を形成する。
次に、ゲート絶縁膜140上に不純物がドーピングされなかった非晶質シリコン、不純物がドーピングされた非晶質シリコン(n+ a−Si)を蒸着して真性非晶質シリコン層150、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層160を順次に積層する。真性非晶質シリコン層150は水素化非晶質シリコンなどで形成し、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層160はリンなどのn型不純物が高濃度でドーピングされた非晶質シリコンまたはシリサイドで形成する。
また、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層160上にスパッタリングなどの方法でモリブデンを含む第1金属層170p、アルミニウムを含む第2金属層170q及びモリブデンを含む第3金属層170rを順次に積層する。
下記の化学式(2)で示されるメルカプト化合物、
光感応剤、及び溶剤を含むフォトレジスト組成物を塗布してフォトレジスト膜を形成する。
説明の便宜上、配線が形成される部分の金属層170、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層160、不純物がドーピングされなかった非晶質シリコン層150の部分を配線部分「A」とし、チャンネルが形成される部分に位置した不純物ドーピングされた非晶質シリコン層160、不純物がドーピングされなかった非晶質シリコン層150の部分をチャンネル部分「B」として、チャンネル及び配線部分を除いた領域に位置する不純物がドーピングされた非晶質シリコン層160、不純物がドーピングされなかった非晶質シリコン層150部分を他の部分「C」とする。
この時、チャンネル部分「B」に位置した真性非晶質シリコン層154の上部が一部除去されて厚さが薄くなることがあり、配線部分「A」のフォトレジストパターン64もこの時ある程度エッチングできる。
チャンネル部分「B」のフォトレジスト除去は他の部分「C」の不純物がドーピングされた非晶質シリコン層161及び真性非晶質シリコン層151の除去と同時に行ったり或いは別途に行う。チャンネル領域「B」に残っているフォトレジストパターン66の残留物はアッシングで除去し、この段階で半導体層151、154が完成する。
その後、チャンネル部分「B」に位置した金属層174及び不純物がドーピングされた非晶質シリコン層164をエッチングして除去する。また、残っている配線部分「A」のフォトレジストパターン64も除去する。したがって、金属層174各々がソース電極173を含む一つのデータ線171と複数のドレイン電極175に分離されながら完成され、不純物がドーピングされた非晶質シリコン層164も線状抵抗性接触層161と島型抵抗性接触層165に分けて完成する。
一連のエッチング段階を経た後、フォトレジストパターン64、66上にフォトレジスト剥離剤を適用してフォトレジストパターン64、66を除去することによって、図28に示すように複数のソース電極173を各々含む複数のデータ線171、複数のドレイン電極175及びデータ線の端部179を形成し、複数の突出部163を各々含む複数の線状抵抗性接触層161及び複数の島型抵抗性接触層165、及び複数の突出部154を含む複数の線状半導体層151を形成する。
その後、保護膜180をフォトエッチング工程で複数の接触孔185、182を形成する。この時、感光性を有する有機膜である場合には写真工程(塗布、感光、現像)のみで接触孔を形成することができる。
また、本実施例ではゲート線及びデータ線に対してのみ本実施例によるフォトレジスト組成物を利用してエッチングしたが、これに限定されず、導電性または非導電性層のパターン形成時に全て適用することができるのは当然である。
また、ゲート線121及びデータ線171を二重層で形成した場合についてのみ示したが、単一層または多重層である場合もまた同一に適用することができ、本実施例ではゲート線121及びデータ線171としてモリブデンとアルミニウムからなる金属層を適用したが、配線として適用できる全ての導電体に対して同一に適用することができる。
42、46、62、64、66 フォトレジストパターン
50、51、52 マスク
110 絶縁基板
120 金属層
121 ゲート線
124 ゲート電極
131 維持電極線
140 ゲート絶縁膜
150 真性非晶質シリコン層
160 不純物がドーピングされた非晶質シリコン層
171 データ線
173 ソース電極
175 ドレイン電極
177 ストレージキャパシタ用導電体
180 保護膜
181、182、185、187 接触孔
190 画素電極
81、82 接触補助部材
Claims (14)
- 下記の化学式(1)で示されるノボラック樹脂と、
下記の化学式(2)で示されるメルカプト(mercapto) 化合物と、
光感応剤と、
溶剤とを有することを特徴とするフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジスト組成物は、5〜50重量%のノボラック樹脂、0.5〜15重量%のメルカプト化合物、3〜20重量%の光感応剤、及び残量の溶剤とを有することを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記メルカプト化合物は、2−メルカプトトルエン(2−mercapto toluene)、3−メルカプトトルエン(3−mercapto toluene)、4−メルカプトトルエン(4−mercapto toluene)、2−メルカプト−パラ−キシレン(2−mercapto−para−xylene)、4−メルカプト−メタ−キシレン(4−mercapto−meta−xylene)、及び1−ドデシルメルカプタン(1−dodecyl mercaptane)からなる群より選択された少なくとも1種を有することを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フォトレジスト組成物は、エポキシ基及びアミン基のうちの少なくとも一つの作用基を含むシリコン系化合物をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記シリコン系化合物は、(3−グリシドオキシプロピル)トリメトキシシラン((3−glycide oxypropyl)trimethoxy silane)、(3−グリシドオキシプロピル)トリエトキシシラン((3−glycide oxypropyl)triethoxy silane)、(3−グリシドオキシプロピル)メチルジメトキシシラン((3−glycide oxypropyl)methyl dimethoxy silane)、(3−グリシドオキシプロピル)メチルジエトキシシラン((3−glycide oxypropyl)methyl diethoxy silane)、(3−グリシドオキシプロピル)ジメチルメトキシシラン((3−glycide oxypropyl)dimethyl methoxy silane)、(3−グリシドオキシプロピル)ジメチルエトキシシラン((3−glycide oxypropyl)dimethyl ethoxy silane)、3,4−エポキシブチルトリメトキシシラン(3,4−epoxy butyl trimethoxy silane)、3,4−エポキシブチルトリエトキシシラン(3,4−epoxy butyl triethoxy silane)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(2−(3,4−epoxy cyclohexyl)ethyl trimethoxy silane)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン(2−(3,4−epoxy cyclohexyl)ethyl triethoxy silane)及びアミノプロピルトリメトキシシラン(aminopropyl trimethoxy silane)からなる群より選択された少なくとも1種を有することを特徴とする請求項4に記載のフォトレジスト組成物。
- 基板上に導電性または非導電性層を形成する段階と、
前記基板上に形成された導電性または非導電性層の層上に下記の化学式(1)で示されるノボラック樹脂と、下記の化学式(2)で示されるメルカプト化合物と、光感応剤と、残量の溶剤とを有するフォトレジスト組成物を形成する段階と、
前記フォトレジスト組成物を露光及び現像してフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを利用して前記基板上に形成された導電性または非導電性層をエッチングする段階とを有することを特徴とするパターンの形成方法。
- 前記フォトレジスト組成物は、5〜50重量%のノボラック樹脂、0.5〜15重量%のメルカプト化合物、3〜20重量%の光感応剤、及び残量の溶剤とを有することを特徴とする請求項6に記載のパターンの形成方法。
- 前記導電性または非導電性層をエッチングする段階は、フォトレジストパターンが形成されている領域を除いた部分をエッチングすることを特徴とする請求項6に記載のパターンの形成方法。
- 基板上にゲート電極を含むゲート線を形成する段階と、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階と、
前記半導体層上にソース電極を含むデータ線、及び前記ソース電極と所定間隔で対向するドレイン電極を形成する段階と、
前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階とを有し、
前記各段階のうちの少なくとも一つの段階はフォトリソグラフィ段階を含み、
前記フォトリソグラフィ段階は、導電性または非導電性層を形成する段階と、形成された導電性または非導電性層の層上に下記の化学式(1)で示されるノボラック樹脂と、下記の化学式(2)で示されるメルカプト化合物と、光感応剤と、溶剤とを有するフォトレジスト組成物を塗布する段階と、前記フォトレジスト組成物を露光及び現像してフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを利用して前記形成された導電性または非導電性層をエッチングする段階とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記フォトレジスト組成物は、5〜50重量%のノボラック樹脂、0.5〜15重量%のメルカプト化合物、3〜20重量%の光感応剤、及び残量の溶剤とを有することを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記半導体層を形成する段階と前記データ線及びドレイン電極を形成する段階とは同一のフォトレジスト膜を利用してフォトリソグラフィすることを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記半導体層を形成する段階と前記データ線及びドレイン電極を形成する段階とは第1部分と該第1部分より厚さの厚い第2部分とを有するフォトレジストパターンを利用してフォトリソグラフィすることを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記第1部分は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置するように形成し、前記第2部分は、前記データ線上部に位置するように形成することを特徴とする請求項12に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記形成された導電性または非導電性層をエッチングする段階は、フォトレジストパターンが形成されている領域を除いた部分をエッチングすることを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
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