JP4728169B2 - フリット硬化装置 - Google Patents

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Description

本発明は、フリット硬化装置及びこれを用いた硬化方法に関し、特に、基板でフリット部分にのみ赤外線を照射できるようにしたフリット硬化装置及びこれを用いた硬化方法に関する。
一般に、有機電界発光表示装置は、画素領域と非画素領域とを提供する第1基板と、封止のため第1基板と対向するように配置され、エポキシのようなシーラントにより第1基板に接合される第2基板とで構成される。
第1基板の画素領域には、走査線及びデータ線の交差部にマトリックス状に多数の有機発光ダイオードが形成される。有機発光ダイオードは、アノード電極及びカソード電極と、アノード電極及びカソード電極の間に形成される正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含む有機薄膜層で構成される。
ここで、有機発光ダイオードは、有機物を含むため、酸素に弱く、カソード電極が金属材料で形成されるため、空気中の水分によって酸化され、電気的特性及び発光特性が劣化しやすい。これを防止するために、従来は金属材質のカンやカップの形で製作された容器や、ガラス、プラスチックなどの第2基板に吸湿剤をパウダー状に搭載させるかまたはフィルム状に接着して外部から浸透する水分が除去されるようにした。
しかし、吸湿剤をパウダー状に搭載させる方法では、工程が複雑になり、材料及び工程の単価が上昇し、表示装置の厚さが増加し、全面発光には適用しにくいという問題点がある。また、吸湿剤をフィルム状に接着する方法では、水分を除去するのに限界があり、耐久性と信頼性が低く、量産には適用しにくい。
そこで、このような問題点を解決するために、フリットで側壁を形成して有機発光表示装置を封止させる方法が提案されている。ここで、従来はフリットを硬化するために、チャンバ内に基板を挿入し、基板にレーザまたは赤外線などを照射してフリットを硬化した。しかし、基板がチャンバ内に挿入されると、基板の全領域に熱が伝達されるため、基板に形成された薄膜トランジスタ及び有機発光ダイオードが損なわれる恐れがある。
一方、前記従来のフリット硬化装置及びこれを用いた硬化方法に関する技術を記載した文献としては、下記特許文献1等がある。
米国特許出願公開第2004/0207314号明細書
したがって、本発明の目的は、基板でフリット部分にのみ赤外線を照射できるようにしたフリット硬化装置及びこれを用いた硬化方法を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明は、多数の画素領域及び非画素領域を備える第1マザー基板と、前記第1マザー基板と対向する第2マザー基板と、前記非画素領域に位置し、前記第1マザー基板及び第2マザー基板を接合するフリットを硬化するためのフリット硬化装置において、第1チャンバと、前記第1チャンバの内部に位置する第2チャンバと、前記第2チャンバの内部に位置するランプと、前記第1チャンバの上部に位置し、前記第1マザー基板及び第2マザー基板を吸い込み固定するステージと、前記第1チャンバ及び第2チャンバに形成され、前記ステージと対向するように位置する放出部と、前記第1マザー基板及び第2マザー基板の上に位置し、前記フリットと重畳される部分に位置する透過部及びそれ以外の領域に位置する遮断部を有するマスクとを備えることを特徴とするフリット硬化装置を提供する。
前記第1チャンバ及び第2チャンバの間には、前記第1チャンバ及び第2チャンバの温度上昇を防止するために冷却水が供給される。前記ランプは、赤外線を放出する。前記放出部は、前記赤外線と輻射熱とを前記マスクに供給する。前記透過部は、前記赤外線及び輻射熱を前記フリットに供給し、前記遮断部は、前記赤外線及び輻射熱が前記第1基板及び第2基板に供給されないように遮断する。
本発明は、多数の画素領域及び非画素領域を備える第1マザー基板と、前記第1マザー基板と対向する第2マザー基板と、前記非画素領域に位置し、前記第1マザー基板及び第2マザー基板を接合するフリットを硬化するためのフリット硬化方法において、ランプから赤外線を放出する第1段階と、前記ランプを取り囲むチャンバ部に形成された放出部を介して前記赤外線及び輻射熱が放出される第2段階と、前記放出部から供給される赤外線及び輻射熱のうち一部を遮断する第3段階と、前記第3段階で遮断されない赤外線及び輻射熱が前記第1マザー基板及び第2マザー基板の位置するステージに供給される段階とを含むことを特徴とするフリット硬化方法を提供する。
好ましくは、前記第3段階では、前記フリットに供給される前記赤外線及び輻射熱を通過させ、それ以外の領域に供給される前記赤外線及び輻射熱を遮断する。
上述したように、本発明の実施例によるフリット硬化装置及びこれを用いた硬化方法によれば、フリットが形成された部分にのみ赤外線及び輻射熱が供給され、これにより、高熱により画素領域で不良が発生することを防止することができる。また、本発明においては、マザーガラス単位でフリットを硬化させるため、作業時間を短縮することができる。そして、本発明においては、マザー基板がチャンバの外部に位置するため、フリット硬化装置の大きさを減少させることができる。
以下、本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できる好ましい実施例を、添付された図1ないし図6cを参照して詳しく説明する。
図1は、本発明の実施例による有機電界発光表示装置を示す図である。
図1を参照すると、第1基板200は、画素領域210と、画素領域210を取り囲む非画素領域220とからなる。画素領域210には、走査線104b及びデータ線106cが形成され、走査線104b及びデータ線106cと接続されるように画素100が形成される。非画素領域220には、走査線104bと接続される走査駆動部410及びデータ線106cと接続されるデータ駆動部420が形成される。そして、非画素領域220には、画素100に電源を供給するための電源供給ライン(図示せず)及び外部駆動回路(図示せず)と接続されるパッド104c、106dが形成される。
画素100のそれぞれには、有機発光ダイオード(図示せず)と、有機発光ダイオードを駆動するための少なくとも一つの薄膜トランジスタとが含まれる。有機発光ダイオードは、アノード電極及びカソード電極と、アノード電極及びカソード電極の間に形成される正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を含む有機薄膜層で構成される。薄膜トランジスタは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含むように形成され、有機発光ダイオードに供給される電流量を制御する。実際、画素100は、走査線104bに走査信号が供給される時に選択され、データ線106cからデータ信号を供給され、供給されたデータ信号に対応して所定の輝度の光を生成する。
走査駆動部410は、第1パッド104cから供給される制御信号に対応して走査線104bに走査信号を順次供給する。すると、走査線104bと接続された画素100が順次選択される。
データ駆動部420は、第2パッド106dからデータ及び制御信号を供給される。データ及び制御信号を供給されたデータ駆動部420は、データ線106cにデータ信号を供給する。ここで、データ線106cに供給されたデータ信号は、走査信号によって選択された画素100に供給される。
パッド104c、106dは、外部の駆動回路と電気的に接続される。ここで、第1パッド104cは、走査駆動部410と接続され、走査駆動部410に制御信号を供給することにより走査駆動部410が駆動されるようにする。そして、第2パッド106dは、データ駆動部420と電気的に接続され、データ駆動部420に制御信号及びデータを供給することによりデータ駆動部420が駆動されるようにする。
図2a及び図2bは、第1基板と接合される第2基板を示す平面図及び断面図である。ここで、第2基板(封止基板)300は、第1基板200と接合されて内部に水分などが浸透することを防止する。
図2a及び図2bを参照すると、第2基板300には、第1基板200との接合のためにフリット320が備えられる。
フリット320の生成過程を簡略に説明すると、次のとおりである。一般的に、ガラス材料を高い温度に加熱し、温度を急激に下げると、ガラス粉末状のフリットが生成される。粉末状のフリットに酸化物粉末を含ませ、これに有機物を添加すると、ゲル状のペーストが生成される。このペーストを第2基板300の縁に塗布した後、所定の温度で焼成すると、有機物は空気中で消滅し、ゲル状のペーストは硬化され、固体状のフリット320として第2基板300に付着する。ここで、フリット320を焼成する温度は、略300℃ないし500℃の範囲とする。そして、フリット320は、第2基板300と第1基板200とが安定的に接合できるように14〜15μm程度の高さ及び0.6〜0.7mm程度の幅で形成される。
第1基板200及び第2基板300の接合時に、フリット320は、画素領域210を封止させて酸素及び水分などの浸透を防止する。このために、第2基板300と第1基板200との接合時に、フリット320は、非画素領域220に位置する。そして、フリット320は、外部から赤外線が照射される時に溶融し、第1基板200と第2基板300とを接合させる。
図3は、第1基板及び第2基板が接合された状態を概略的に示す図である。
図3を参照すると、フリット320は、非画素領域220に位置し、第1基板200及び第2基板300を接合する。実際、フリット320が非画素領域220に配置された後、赤外線を照射することによりフリット320が第1基板200に溶融接着され、これにより、第1基板200及び第2基板300が接合される。このように、フリット320により第1基板200及び第2基板300が接合されれば、酸素及び水分などが画素領域210に浸透することを防止することができる。
ここで、図3では、第2基板300が走査駆動部410と重畳されないものとして示された。しかし、製造の便宜性のために、第2基板300は、走査駆動部410と重畳されるように位置することもできる。
一方、本発明において、第1基板200及び第2基板300は、マザーガラス単位の状態で接合される。第1基板200及び第2基板300がマザーガラス単位の状態で接合されれば、工程時間が短縮できるという長所がある。
これを詳しく説明すると、図4のように、第1マザー基板500に多数の画素領域210及び非画素領域220を形成し、非画素領域220と重畳されるようにフリット320が形成された第2マザー基板502を配置する。その後、フリット320部分にのみ赤外線を照射することによりフリット320が溶融し、第1マザー基板500及び第2マザー基板502が接合される。そして、接合された第1マザー基板500及び第2マザー基板502を所定の大きさに切断することにより、有機発光表示装置が製造される。ここで、第2基板300は、再度切断過程を経て、図3のような大きさに製造される。
図5は、本発明の実施例によるフリット硬化装置を示す図である。
図5を参照すると、本発明の実施例によるフリット硬化装置は、チャンバ部600及びステージ610を備える。
チャンバ部600は、第1チャンバ601、第2チャンバ602、放出部604、ランプ605及び放熱シャッタ606を備える。
第1チャンバ601及び第2チャンバ602は、内部にランプ605が挿入されるように所定の大きさに形成される。ここで、第2チャンバ602は、第1チャンバ601の内側に形成される。そして、第1チャンバ601及び第2チャンバ602の間には冷却水603が供給される。前記冷却水603は、第1チャンバ601及び第2チャンバ602が高い温度に上昇することを防止する。
ランプ605は、第2チャンバ602の内部に位置する。前記ランプ605は、赤外線を放出する。すると、チャンバ部600の内部で輻射により高熱が発生する。一方、ランプ605は、第2チャンバ602の内部に固定されるように位置する。ここで、ランプ605を第2チャンバ602の内部に固定されるように位置させることは多様な方法が適用できるので、図5には示さないことにする。一例として、ランプ605は、第2チャンバ602の上側部から突出した、図示しない支持台によって固定されるように設置されることができる。
放出部604は、ステージ610と対向するように位置する。前記放出部604は、ランプ605から生成される赤外線及び輻射熱がステージ610に放出されるようにする。このために、放出部604は、透明物質、例えば、ガラスなどで形成されることができる。
放熱シャッタ606は、放出部604を開閉するのに使用される。例えば、放熱シャッタ606は、ステージ610上にマザー基板500、502が位置しない時に放出部604と重畳されるように位置し、放出部604から赤外線及び輻射熱が放出されることを防止する。また、放熱シャッタ606は、ステージ610上にマザー基板500、502が位置する時に放出部604と重畳されるように位置せず、赤外線及び輻射熱がステージ610に供給されるようにする。
ステージ610は、マザー基板500、502を吸い込みながら固定する。そして、ステージ610は、左右に移動しながら放出部604から放出された赤外線及び輻射熱がマザー基板500、502の全領域に均一に供給されるようにする。前記ステージ610は、図示しない支持台によって支持され、図示しないモーターなどによって左右に移動される。ここで、ステージ610が左右に移動されながら支持台によって支持される多様な方法が適用できるので、図5には示さないことにする。
一方、マザー基板500、502の上にはマスク612が位置する。このようなマスク612は、遮断部616及び透過部614を備える。遮断部616は、不透明物質で形成され、放出部604から供給される赤外線及び輻射熱がマザー基板500、502に供給されることを防止する。透過部614は、透明物質または透明窓(例えば、ホール状態)に形成され、放出部604から供給される赤外線及び輻射熱がマザー基板500、502側に供給されるようにする。ここで、透過部614は、フリット320と重畳されるように位置する。
動作過程を説明すると、まず、ステージ610上にマザー基板500、502が安着される。そして、マザー基板500、502の間に位置するフリット320と重畳される部分に透過部614が形成されたマスク612がマザー基板500、502の上に位置する。この場合、放熱シャッタ606は、図6aのように、放出部604と重畳されるように位置し、不必要な赤外線及び輻射熱がマザー基板500、502に供給されることを防止する。
ステージ610上にマザー基板500、502及びマスク612が安着された後、図5に示されるように、放熱シャッタ606が開放され、放出部604とマザー基板500、502とが対向する。その後、図6b及び図6cのように、ステージ610が左右に移動する。すると、放出部604から放出された輻射熱及び赤外線がマスク612に供給される。この場合、輻射熱及び赤外線は、マスク612の透過部614を経由してマザー基板500、502の間に位置するフリット320に供給される。すると、フリット320が溶融し、マザー基板500、502が接合される。
上述した本発明においては、マザー基板500、502がチャンバ部600の外部に位置する。したがって、チャンバ部600の高熱がマザー基板500、502に供給されず、マザー基板500、502に熱が供給されて発生するという問題点を防止することができる(例えば、画素100の不良)。また、マザー基板500、502がチャンバの外部に形成されるため、チャンバ部600の大きさを小くすることができ、これにより、フリット硬化装置の大きさを減少させることができる。さらに、本発明においては、マスク612を用いて、フリット320にのみ赤外線及び輻射熱を伝達するため、高熱により画素領域210で不良が発生することを防止することができる。
前記発明の詳細な説明と図面は、本発明の例示的なものであって、これは単に、本発明を説明するための目的で使用されたものであり、意味の限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使用されたものではない。したがって、以上説明した内容により、当業者なら誰でも本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることを理解するであろう。したがって、本発明の技術的保護範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定められなければならない。
本発明の実施例による有機電界発光表示装置の第1基板を示す図である。 第1基板と対向するように接合される第2基板を示す図である。 第1基板と対向するように接合される第2基板を示す図である 第1基板及び第2基板の接合された状態を概略的に示す図である。 マザーガラス単位の第1マザー基板及び第2マザー基板を示す図である。 本発明の実施例によるフリット硬化装置を示す図である。 図5に示されたフリット硬化装置の動作過程を示す図である。 図5に示されたフリット硬化装置の動作過程を示す図である。 図5に示されたフリット硬化装置の動作過程を示す図である。
符号の説明
100 画素
104b 走査線
104c 第1パッド
106c データ線
106d 第2パッド
200 第1基板
210 画素領域
220 非画素領域
300 第2基板
320 フリット
410 走査駆動部
420 データ駆動部
500 第1マザー基板
502 第2マザー基板
600 チャンバ部
601 第1チャンバ
602 第2チャンバ
603 冷却水
604 放出部
605 ランプ
606 放熱シャッタ
610 ステージ
612 マスク
614 透過部
616 遮断部

Claims (4)

  1. 多数の画素領域及び非画素領域を備える第1マザー基板と、前記第1マザー基板と対向する第2マザー基板とを接合し、前記非画素領域に位置するフリットを硬化するためのフリット硬化装置において、
    第1チャンバと、
    前記第1チャンバの内部に位置する第2チャンバと、
    前記第2チャンバの内部に位置して赤外線を放出するランプと、
    前記1チャンバの上部に位置し、前記第1マザー基板及び第2マザー基板を吸い込み固定するステージと、
    前記第1チャンバ及び第2チャンバに形成され、前記ステージと対向するように位置して前記ランプから出力された赤外線を部分的に放出する出力窓となる放出部と、
    前記第1マザー基板及び第2マザー基板の上に位置し、前記フリットと重畳される部分に位置する透過部及びそれ以外の領域に位置する遮断部を有するマスクとを備え、
    前記放出部は、前記ランプからの赤外線と輻射熱とを前記マスクに供給し、
    前記チャンバ部の下部に位置し、前記マザー基板が前記ステージに位置する時に前記放出部を開放し、それ以外の場合に前記放出部と重畳されるように位置する放熱シャッタを備え、
    前記放熱シャッタは、前記ステージ上の前記第1及び第2マザー基板を移動させながら、必要なときに前記放出部を開放することを特徴とするフリット硬化装置。
  2. 前記第1チャンバ及び第2チャンバの間には、前記第1チャンバ及び第2チャンバの温度上昇を防止するために冷却水が供給されることを特徴とする請求項1に記載のフリット硬化装置。
  3. 前記放出部は、透明物質で形成されることを特徴とする請求項1に記載のフリット硬化装置。
  4. 前記透過部は、前記赤外線及び輻射熱を前記フリットに供給し、前記遮断部は、前記赤外線及び輻射熱が前記第1基板及び第2基板に供給されないように遮断することを特徴とする請求項3に記載のフリット硬化装置。
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