TWI331398B - Method of making electronic device with frit seal and frit sealing apparatus - Google Patents

Description

九、發明說明： 申請案交艾糸_ 本申請案主張在2000年1月20曰向韓國智慧財產局 提申之韓國專利申請案第10-2006-0008457號的權利，本 文以引用的方式將其揭示内容完整併入。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機發光顯示裝置，更明確地說， 本發明係關於有機發光顯示裝置的封裝。 【先前技術】 龙—般來說，一有機發光顯示裝置係包括：一第一基板， 對L括-像素區與—非像素區；以及—第二基板，其係面 封〇第—基板且被設置在該第一基板上，並且係利用用於 的雄封膠（例如環氧樹脂）而被黏結至該第一基板。 體r 土极的像素區T，1將複數個有機發光二極 六4矩陣的形式形成在複數條掃描線與複數條資料線的相 每—個有機發光二極體均包括：i)-陽極電極、“) 電極、以及ni)一有機薄膜層。該有機薄膜層 電祠傳輸層、該陰極電極、一發光層、以及一電子傳 間。…亥有機薄膜層可形成在該陽極電極與該陰極電極之 其便ΓΓί有機發光二極體包含有機材料，當有氧存在時， 料所製成Γ到破壞。另外，因為該陰極電極係由金屬材 斤以’可能會被空氣中的0s 其電特徵與發光 ，、“虱軋化，因而破壞 特徵。為防止此情形’其係以粉末的形式 1331398 在一各器（舉例來說，苴可由合眉 u由金屬材枓製成的罐狀或杯狀的 > ^作而成）上或是在一第二有機基板、塑膠基板、…等 =上ti-吸濕材料’或是以膜狀的形式將—吸濕材料 著至此，從而移除會從週遭環境中滲入的濕氣。 ^然而，以粉末的形式來安置吸濕材料的方法卻可能合 ，成下面問題，例如：讓製程變得很複雜、增加材料與^ 私的成本、增大顯示裝置的厚度、以及難以套用至頂部發

光（正面發光）顯示配置中。同樣地，以膜狀的形式來黏著 吸=材料的方法則可能會造成下面問題：移除濕氣的能力 相當有限；以及’由於耐久性與可靠度很低的關係，使其 難以套用至大量生產中。 、 所以，為解決此等問題，已提出一種藉由溶接來形成 -側壁以封裝—有機發光顯示裝置的方法。—般來說，該 熔=形成製程包含將一基板置入一反應室之中，並且利用 一雷射光束或紅外線來照射該基板，從而將該、熔接塊黏結 至該基板。然而，當將該基板置入該反應室之中時，因為 熱會被傳輸至該基板的全部區域，所以，形成在該基板之 上的薄膜電晶體以及有機發光三極體便會有遭到破壞之 虞。 本段落的討論内容係提供有機發光顯示裝置的通用背 景資料，而並非承認採用先前技術。 【發明内容】 本發明的一項觀點係提供一種熔接密封設備。此設備 包含：一輻射源，其係被配置成用以從中照射出一射線； 1331398 一平台’其包括一接收表面，該接收表面係被配置成用以 接收一未完成的電子裝置’該未完成的電子裝置包括一第 一基板、一第二基板、一有機發光像素陣列、以及一熔接 塊’該陣列係被插置在該等第一基板與第二基板之間，該 ’溶接塊係被插置在該等第一基板與第二基板之間並且接觸 該等第一基板與第二基板，同時包圍該陣列。該裝置進一 步包含一遮罩，其係位於該輻射源與該平台之間。該遮罩 包括一或多個遮罩部份，該等部份實質上係被配置成用以 阻隔D玄射線，使其無法照射該平台；以及一或多個透射部 伤該等部份貫質上係被配置成用以讓該射線來照射該平 台，其中，該平台係被配置成用以相對於該輻射源來滑動。 於上面所述的設備中，該輻射源可發射一紅外線。該 X備可進步包含該未完成的電子裝置。該等透射部份實 質上y讓該射線來照射該未完成的電子裝置之熔接塊的至 ^ °卩伤，而該等遮罩部份實質上則可阻隔該射線，使其

無法照射該陣㈣至少一部份。該設備可進一步包含一馬 達，其係被配置成用以相對於該輻射源來滑動該平台❶該 "/、第二基板之間並且接觸該等第一基板與第二基 板，同時包圍該等一或多個額外的陣列。 土

光顯不器之電子裝置的方法。 反供一種製造一含有一有機發 。此方法包含：提供一未完成 1331398 的裝置，該未完成的裝置包括一第一基板、一第二基板、 一有機發光像料列、以及_溶接塊，該陣列係被插置在 該等第一基板與第二基板之間，該熔接塊係被插置在該等 第一基板與第二基板之間並且接觸該等

板，同時包圍該陣列；將一含有一透射窗的遮罩設= f完成的裝置的㈣-基板上方，俾使該透射窗位於該未 完成的裝置的該溶接塊上方。該方法進一步包含：提供一 輻射源，該輻射源係被配置成用以從中照射出一射線；藉 相對於該輻射源來移動該未完成的裝置以調整該未完成 的裝置與該輻射源的相對位置，俾使來自該輻射源的一射 線可被導向至該透射窗，並且經由該遮罩的該透射窗將來 自該輻射源的該射料向至㈣接塊，其中，被導向至該 炫接塊的射線係炫化該炫接塊的至少一部份，以便溶合咳 熔接塊與該等第一與第二基板。 於上面所述的方法中，該移動可包括垂直移動該未完 ^的裝置，其中’該輕射源與該未完成的裝置之間的距離 :改變。該移動可包括橫向移動該未完成的裝置，其中， 该輻射源與該未完成的裝置之間的距離實質上不會改變。 2該！對位置可包括設置該未完成的裝置，俾使該遮罩 的透射窗係被放置在号·輕灿 罝在該‘射源的正上方或正下方。該方法 可進一步包含提供一两 放 π動的千〇且將該未完成的裝置 ^ ¢- 6+ ·β -h 、 調正該相對位置可包括相對於 d Is射源來滑動該平台。 ¥向該射線可包括當該未完成的 裳置相對於該麵射源的位置係正確時便選擇性地照射來自 9 1331398 該輻射源的射線。該方法可進一步包含，當該射線被導向 至該透射®以外的料處時便阻隔該射線或是禁能照射該 射線’直到已μ正確地調整該未完成的裝置與該輻射源之 間的相對位置為丨卜。辞· ,土 -Τ· 4 1馬止該方法可進一步包含，於導向該射線 之後便相對於該輻射源來移動該未完成的裝置，俾使來自 該輕射源的射線能夠被導向至該透射窗的—非照射部份。 。亥方法可進一步包含，於導向該射線時，同時相對於該輻 射源來移動該未完成的裝置，俾使來自該輻射源的射線能 夠被持續地導向至該透射窗的一非照射部份。

繼續參考上面所述的方法，該第—基板可以是一單層 基板。該第一基板可包括二或多層不同材料。該輻射源包 括一雷射或一紅外光燈泡。該未完成的裝置可包括複數個 額外的有機發光像素陣列以及複數個額外的熔接塊，它們 係被插置在該等第一基板與第二基板之間，該等額外熔接 塊中之一者係包圍該等額外陣列中之一者；且其中，該遮 罩包括複數個額外透射窗，該等額外透射窗中之一者係被 設置成用以朝該等額外熔接塊中之一者來傳送該射線。該 方法可進一步包含’於將該射線導向至該溶接塊之後便相 對於該輕射源來移動該未完成的裝置，俾使來自該輻射源 的射線能夠被導向至該等額外透射窗中之一者。該方法可 進一步包含，於移動該未完成的裝置之後，經由該等額外 透射窗中之一者來將該射線導向至該等額外炫接塊中之_ 者。該方法可進一步包含將最終的產品裁切成複數個器 件，以便提供一包括下面部份的電子裝置：一第一基板器 1331398 件；-第二基板器件；-有機發光像素陣列，其係被插置 在該等器件之間；以及一熔接塊，其係被黏結至該等器件 並且被插置在該等器件之間，同時包圍該一陣列。 【實施方式】 現在將參考附圖來說明本發明的實施例。本文中，當 其中一元件被描述成連接至另一元件時，該其中一元件可 不僅係被直接連接至該另一元件，其還可透過又一元件而 被間接連接至該另—元件。另外，為清楚起見，本文中會 省略不相干的元件。再者，於所有圖式中，相同的元件符 號係表示相同的元件。 一有機發光顯示器（OLED)係一包括一有機發光二極體 陣列的顯示裝置。有機發光二極體係固態裝置，它們包含 一有機材料並且會被調適成用以在被施加合宜的電位時來 產生與發射光。 OLED通承可依照用來提供激發電流的系統而被分類 ^ 成兩種基本類型。圖7A所示的便係一被動式矩陣型OLED 1000之簡化結構的概略分解圖。圖7B所示的則係一主動 式矩陣型OLED 1001之簡化結構的概略示意圖。於兩種配 置中，OLED 1〇〇〇、1〇〇1均包含被建構在一基板1〇〇2上 方的複數個OLED像素，而該等0LED像素則包含一陽極 1004、一陰極1006、以及一有機層1〇1〇。當將一合宜的 電流施加至陽極1〇〇4時，電流便會流經該等像素，並且 會從該有機層中發出可見光。 現在參考圖7A，被動式矩陣型OLED(PMOLED)設計 丄 複數條狭長的陽極條1 _，它們通常係被排列成垂直 除狹長的陰極條！_，而它們之間則插置著有機層。該等 ，極條觸與陽極條顧的交點係界定出複數㈣㈣ OLED傻音，每a ^ '、田。且地激發該等對應的陽極條1 004與陰極 條刚6 _，便會從該等〇LE〇像素處產生與發射光。 PMOLED具有非常容易製造的優點。

見在參考® 7B，主動式矩陣型OLED(AMOLED)包含 :數個局部驅動電路1〇12,它們係被配置在基板麗與 一 OLED像素陣列之間。am〇led的個別像素係被界定在 共用陰極 1 〇 〇 6 斑—Κθ Οτς Λ η ί\ Λ η s ^ 知極1004之間，該陽極係與其它陽極 5 母個驅動電路1012均會耦接該等OLED像素 二陽極1004，並且還會進一步箱接一資料、線1016與一 掃:線1 G 1 8 &各實施例中，該等掃描線1 G1 8係供應掃 號用以選擇驅動電路列；而該等資料線1 〇 16則係 供應資料信號’用以供特殊的驅動電路來使用。該等資料

L號一掃描號係激發該等局部驅動電路1 〇 12，其係激發 該等陽極1_，以便從它們對應的像素處發射光。 ;圖中所示的AMOLED中’該等局部驅動電路1〇12、 該等貧料線1G16與掃摇線1G18均會被埋置在—平坦化層 1014之中，„亥平坦化層係被插置在該像素陣列與基板1〇〇2 之間：平坦化| 1014係提供一平坦的頂表面於該頂表 面上係形成該有機發光像素陣列。平坦化層ι〇ι4可由有 機材料或無機材料所構成；而且雖然圖中僅顯示為單層， 不匕八亦可由—或多層所構成。該等局部驅動電路1012 12 1331398 並且係被排列在 通常係由複數個薄膜電晶體（TFT)所構成 該OLED |素陣列下方的一格拇或_^ 動電路1012可至少部份係由有機材料所製成，其包含有 機TFT在内。 AMOLED的優點係具有快速的響應時間&而會改善 讓它們用於顯示資料信號的有利條件。另外，AMO·的 優點還有其所消耗的電力低於被動式矩陣型〇led。 參考PMOLED以及AMOLED設計的共同特點基板 1002係對該等OLED像素與電路提供結構性支撐。於各項 實施例中，基板1002可包括剛性或撓性材料以及不透明 或透明材料，例如塑膠、玻璃、及/或金屬箔。如上所述， 每一個OLED像素或二極體均係由陽極1〇〇4、陰極1〇〇6、 以及插置在兩者之間的有機層1〇1〇所構成。當將一合宜 的電流施加至陽極1〇〇4時，陰極1〇〇6便會射出電子，而 陽極1004則會射出電洞。於特定的實施例中，陽極1〇〇4 與陰極1006係被倒置；也就是，該陰極係形成於基板1〇〇2 之上，而έ亥陽極則係配置在對面處。 被插置在陰極1〇〇6與陽極1〇〇4之間的係一或多層有 機層。更明確地說，在陰極1〇〇6與陽極1〇〇4之間係插置 至少一發射或發光層^該發光層可包括一或多種發光有機 化合物。一般來說，該發光層係被配置成用以發射單色（例 如藍色、綠色、紅色、或是白色）的可見光。於圖中所示的 實施例中，一有機層1〇1〇係形成於陰極1〇〇6與陽極1〇〇4 之間並且充當一發光層。可形成於陽極1〇〇4與陰極ι〇〇6 13 1331398 之間的額外層則可包含一電洞傳輸層、一電洞射出層'一 電子傳輸層、以及一電子射出層。 電洞傳輸層及/或射出層可被插置在發光層1010與陽 極1004之間。電子傳輸及/或射出層可被插置在陰極1006 二發光層1G1G之間。該電子射出層係藉由降低功函數以 從陰極1GG6射出電子而促使電子從陰極i嶋朝該發光層 射出同樣地’該電洞射出層則會促使電洞從陽極1 〇〇4 朝Μ光層1010射出。該等電洞傳輸層與電子傳輸層則 會促使該等個別電極所射出的載子朝該發光層移動。 於特定實施例中，單一層便可充當電子射出與傳輸兩 項功能、，或是充當電洞射出與傳輸兩項功能。於特定實施 ^中並不會有該些層中的_或多者。於特定實施例中， ^:一或多種材料來推雜—或多層有機層，用以幫助該 寻戟子的射出及/或傳輪。於你 於僅在該陰極與陽極之間形成一 機^實施例中，該有機層可不僅包含—有機發光化合 載子/包含特定的功能性材料以幫助於該層内射出或傳輸 已經有數種有機材料被研發出來可用在包含該發光層 ^内的前述各層之中。另外，還有數種可用在前述各層之 中:其它有機材料正在進行研發中。於特定實施例中，該 於姑—— 八包含春聚體以及聚合物。 子特=例中’前述各層的有機材料可以是非常小的分 ^ ^ , Λ At b夠針對特殊設計中該等個別層 所希功此以及相鄰層的材料來選擇合宜的材料以供用於 14 前述各層中的每一層。 於運作中，一電路係在陰極1〇〇6與陽極ι〇〇4之間提 供合宜的電位。此係導致一電流透過該（等）插置的有機層 從陽極ΠΗΜ流到陰極祕。於一實施例中，陰極麵係 提供電子給相鄰的有機層101()。陽極1G()4則會將電洞射 至有機層UUO。該等電洞與電子係在有機層ι〇ι〇之令進 行再結合並且產生稱為「激發子（excit〇n)」的能量粒子。 鲁該等激發子係將它們的能量傳輸至該有機層1010之中的 2機發光材料’而且該能量係制來從該有機發光材料發 可見光。OLED 1()〇〇、⑽！所產生與發出的光的頻譜特 :係相依於該(等)有機層中之有機分子的性質與組成。該 =一或多層有機層的組成可由熟習本技術的人士來作選 擇，用以符合一特殊應用的需求。 ◦LED裝㈣可㈣該發光时向 二制為「頂部發光」型的類型中，OLED裝置係經由 二陰=頂部電極1006來發出光並且顯示影像。於該些 W，陰極刪係由—種對可見光係透明或至少部 製成。於特定實施例中，為避免損耗能夠 質==部電…的任何光，該陽極可由-種實 射該可見光的材料所製成。第二種類型的_ ΐ 極或底部電極_來發出光並且被稱 ^底4發光」型。於該等底部發光型0LED裝置令，該 %極1004係由—種對該 料所製成。通常，…少部份透明的材 所襄成^，於底部發光型〇咖裝置中，陰極議 15 !331398 係由一種實質上會反射該可見光的材料所製成。第三種類 型的OLED裝置則會在兩個方向上發光，舉例來說，經由 陽極1004與陰極1〇06兩者來發光。根據該（等）發光方向， 該基板可由一種對可見光為透明、對可見光為不透明、或 疋會反射可見光的材料所構成。 於眾^貫施例中，其係在一基板1 002上方配置一含有 複數個有機發光像素的〇LED像素陣列1〇21，如圖7c中 所不》於各實施例中，陣列1〇21中的該等像素係受到一 驅動電路（圖令未顯示）的控制而被導通或關閉，而該等複 數個像素則會一起在陣列1〇21之上來顯示資訊或影像。 於特定實施例令，其係依照其它組件（例如驅動與控制電子 π件）來配置該OLED像素陣列1〇21，以便界定一顯示區 與一非顯示區。於該些實施例中，該顯示區所指的係基板 10〇2中會形成OLED像素陣列1〇21的區域。該非顯示區 所指的則係基板1〇02中的其餘區域。於各實施例中，該 非顯示區可含有邏輯電路系統及/或電源供應電路系統。應 該瞭解的係，控制/驅動電路元件中會有至少一部份被配置 在該顯示區内。舉例來說，於PM〇LED之中，導電組件將 會延伸至該顯示區之中，用以提供合宜的電位給該等陽極 與陰極。於AMOLED之中，局部驅動電路以及與該等驅 動電路相耦接的資料線/掃描線將會延伸至該顯示區之中， 用以驅動與控制該等AMOLED中的個別像素。 OLED裝置中的一項設計與製作考量係，〇Led裝置 的特定有機材料層可能會因曝露在水、氧氣、或是其^有 丄扣1398 告軋體中而遭受破壞或加速惡化。據此，通常應該瞭解的 糸，OLED裝置必須被密封或封裝，以防止曝露在於製造 $運作環境令所碰到的濕氣以及氧氣或是其它有害氣體之 圖D所示的係一具有冑7C之佈局的封裝後的 ^置1011且沿著圖7C的直線d_d所獲得的剖面圖。於此 貫施例中，一大體平坦的頂板或基板1061係接合一密封 體1〇71，該密封體則會進一步接合一底板或基板1〇〇2, _ 以便封住或封裝該OLED像素陣列1〇21。於其它實施例中， 其係在頂板1〇61或底板1002之上形成一或多層而密封 體i(m則會透過此等層中之—者來輕接底部基板麗或 頂部基板1〇61。於圖中所示的實施例中，密封體ι〇7ΐ係 沿著OLED像素陣列1021的周圍或是底板1〇〇2或頂板ι〇6ΐ 來延伸。 於各實施例中，冑封體1 〇71係由一熔接材料所製成， 下文將會作進一步討論》於各實施例中，頂板丨〇61與底 φ 板1002包括能夠提供屏障以阻止氧氣及/或水通過的材料 (例如塑膠、玻璃、及/或金屬羯），從而保護該〇led像素 陣列1021，使其不會曝露在該些物質之中。於各實施例中， 頂板1061與底板1002中之至少一者係由一實質透明的材 料所構成。 為延長OLED裝置1011的壽命，通常會希望密封體 1071以及頂板1〇61與底板1〇〇2提供—實質非滲透的密封 體’讓氧氣與水瘵氣無法滲入，並且提供一實質封閉的密 閉空間108 1。於特定應用中指出，由熔接材料所製成的密 17 1331398 封體urn結合該等頂板1061與底板觀係提供一屏障， 讓低於約1〇.3cc/m2-天的氧氣無法滲入；並且讓低於約10-gm天的水無法滲入。在特定的氧氣與濕氣可能會滲入 :密閉…081的條件下，於特定實施例中，其係在該 密閉空間1G81内形成-消耗氧氣及/或濕氣的材料。

密封體1071的寬度為w，此為其在與頂部基板ι〇6ι 或底部基板1〇〇2的表面平行的方向上的厚度，如圖71)中 所示。該寬度於各實施例中均不相同’且其範圍介於約3〇〇 至約300〇Am之間，視情況則會介於約5〇〇"m至約 15 00 // m之間。另外，該寬度在密封體1〇71的不同位置處 亦可不相同。於某些實施例中，密封體1〇71在該密封體ΜΗ 接觸到該等底部基板1002與頂部基板1061的其中一者或 疋接觸到形成於其上之一層的位置處可具有最大的寬度。 在該密封體1 07 1接觸到其它部份的位置處則可具有最小 寬度。在密封體1071之單一剖面中的寬度變化係與該密 封體1071的剖面形狀以及其它設計參數有關。 社、封體1071的高度為Η，此為其在與頂部基板1〇61 或底部基板1〇〇2的表面垂直的方向上的厚度，如圖7D中 所示。該高度於各實施例中均不相同，且其範圍介於約2 β m至約30 β m之間’視情況則係介於約〗〇 一 m至約1 5 /zm之間。一般來說，該高度在密封體ι〇7ι的不同位置處 並不會顯著地改變。不過，於特定實施例中，密封體1〇71 的高度在其不同位置處則可能會不相同。 於圖中所示的實施例申，密封體1〇71具有一大體為矩 18 1331398 形的剖面。；认廿 不過於其匕實施例中，密封驴】 有其它各種剖面^ 4封體1071亦可具 U面形狀，例如，一大體 大體為梯形的剖面、一a的剖面、一 依照'給定應用之-求"… 邊的剖面、或是 性，通常舍:而 s不的其它配置。為改善封閉 或頂密㈣則直接制底部基板讀 土板1061或是直接接觸形成於其上之—層的介接 面積。於特定實施例中， ，士 ^ 该密封體的形狀可經過設計，俾 使能夠增加該介接面積。 密封體1071可被配置成與OLED陣列102】緊密相鄰； 而於其它實施例中，密封體1071則可與OLED陣列则 心特定距離°於特定實施例中’密封體1〇71包括複數 個大體為直線形的區段’該等區段係被連接在一起用以包 圍該OLED陣列1021。於特定實施例中密封體則的 此等直線形區段能夠以大體平行於該OLED陣列1021之 個別邊界的方式來延伸。於其它實施例中，密封體· 的該等直線形區段中的一或多者係被配置成與冑〇led陣 列1021之個別邊界具有非平行的關係。於另外的實施例 中，密封體1071的至少一部份係以曲線的方式延伸在頂 板1061與底板1〇02之間。 如上所述，於特定實施例中’其係利用一熔接材料或 簡稱「熔接塊」或是「玻璃熔接塊」（其包含精細的玻璃粒 子）來形成密封體1071。該等熔接粒子包含下面一或多者： 氧化鎮（MgO)、氧化鈣（Ca〇)、氧化鋇（Ba〇)、氧化鐘（Li2〇)、 氧化納（Na20)、氧化鉀（κ2〇)、氧化硼（B2〇3)、氧化釩（V2〇5)、 1331398 氧化辞（ZnO)、氧化蹄（Te02)、氧化鋁（Al2〇3)、二氧化石夕 (Si02)、氧化鉛（PbO)、氧化錫（SnO)、氧化磷（P2〇5)、氧化 釕（Ru20)、氧化铷（Rb20)、氧化铑（Rh20)、氧化鐵（Fe2〇3)、 氧化銅（CuO)、氧化鈦（Ti02)、氧化鎢（W03)、氧化鉍（Bi2〇3)、 氧化錄（Sb2〇3)、棚酸船玻璃、填酸錫玻璃 '叙酸鹽玻璃、 以及硼矽酸鹽、…等。於各實施例中，該些粒子的尺寸範 圍介於約2/z m至約3〇e m之間，視情況則介於約m 至約1 0 # m之間’不過，本發明並不僅限於此。該些粒子 ® 可約和該等頂部基板1061與底部基板1 〇〇2之間的距離或 者形成於該些基板上與熔接密封體1071接觸的任何層之 間的距離一樣大。 用於形成該密封體1071的熔接材料還可包含一或多種 填充或添加材料。該等填充或添加材料可針對入射輻射能 量的選定頻率來調整該密封體1071的整體熱膨脹特徵及/ 或調整該密封體1〇71的吸收特徵。該（等）填充或添加材料 • 還可包含逆向性及/或相加性填充劑，用以調整該熔接塊的 熱膨脹係數。舉例來說，該等填充或添加材料可包含過渡 金屬，例如鉻（C〇、鐵（Fe)、錳（Mn)、鈷（c〇)、銅（Cu)、^ /或釩。供作該等填充劑或添加劑的額外材料還包含 ZnSi〇4、PbTi〇3、Zr02、鋰霞石。 於各實施例中，一作為乾式組成物的熔接材料所含的 玻璃粒子的重量百分比從約㈣至約娜，而其餘部份則 包含填充劑及/或添加劑。於特定實施例中，該熔接膏含有 重量百分比肖10%至約30%的有機材料以及重量百分:約 20 丄 yi398 7〇%至約90%的無機材料。於特定實施例中，該熔接膏含 畺百刀比約20%的有機材料以及重量百分比約的 無機材料。於特定實施例中，該等有機材料可包含重量百 分比約0%至約3〇%的黏結劑以及重量百分比約7〇%至約 1〇〇%日的溶劑。於特定實施例中，該等有機材料中的黏結劑 的重量百分比約1〇%，而溶劑的重量百分比約9〇〇/^於特 疋貫施例中，該等無機材料可包含重量百分比約〇%至約 φ 1〇%的添加劑、重量百分比約20°/◦至約40°/。的填充劑、以 及重量百分比約50%至約8〇%的玻璃粉末。於特定實施例 中β玄等無機材料中的添加劑的重量百分比約〇〇/〇至5〇/〇， 填充劑的重量百分比約25%至約3〇%，而玻璃粉末的重量 百分比約65%至約75〇/〇。 於形成一熔接密封體中，其係在該乾式熔接材料中添 加一液態材料，用以形成一熔接膏。具有或不具有添加劑 的任何有機或無機溶劑均可作為該液態材料。於各實施例 • 中，該溶劑包含一或多種有機化合物。舉例來說，適用的 有機化合物為：乙基纖維素、硝基纖維素、羥丙基纖維素、 一甘醇丁醚醋酸酯、松油醇、乙二醇單丁醚（溶劑）、丙烯 酸化合物。接著，便可塗敷所形成的熔接膏，用以在頂板 1 〇61及/或底板1002之上形成該密封體1〇71的形狀。 於一示範實施例中，該密封體1071的形狀剛開始係由 該炼接膏所形成並且被插置在頂板1061與底板1〇〇2之 間。於特定實施例中，該密封體1〇71可被預先固化或預 先燒結至該頂板1061與底板10〇2中之一者。在對該頂板 21 1331398 1〇61與底板1002以及被插置在兩者之間的密封體ι〇7ι進 打後續組裝之後，便會對該密封體1〇71的一部份進行選 擇性加熱，俾使用於形成該密封體1〇71的熔接材料中之 至少一部份熔化。接著’便可讓該密封體1071重新凝固， 以便於頂板1061與底板1〇〇2之間形成一牢固的接合，從 而防止該密閉的OLED像素陣列丨02丨曝露於氧氣或水之 中。

於各實施例中，該熔接密封體的選擇性加熱係藉由光 照射來施行，例如利用一雷射或導向性紅外光燈泡。如先 月’J所述，用於形成該密封體1〇71的熔接材料可與一或多 種添加劑或填充劑結合，例如和被選來用於改良該照射光 之吸收性的物種進行結合，用以促成加熱與熔化該熔接材 料’以便形成該密封體1071。 於特定實施例中，〇LED裝置1〇11係被大量生產、 圖了E中所示的—實施例中，在—共用的底部基板ιι〇ι之 上係形成複數個分離的0LED陣列1〇21。於圖中所示的實 加例中’每一冑〇LED陣列i 〇2 i均被一成形的炼接塊包 圍’用以形成該密封體1G7卜於各實施财，共用的頂部 基板(圖中未顯示)係被放置在該共用的底部基板·以及 其上所形成的結構的上方，俾使該等〇LED陣列ι〇2ι與 该成形的轉膏係被插置在該共用的底部基板_盘該 共用的頂部基板之間。該等〇LED陣列1〇21係被封裝盘 =’例如透過先前所述用於單_ QLED顯示裝置的密閉 程來進仃。所生成的產品係包含被該等共用底部基板與 22 1331398 頂部基板保持在一起的複數個〇LED裝置。接著，便可將 所生成的產品裁切成複數個器件，每一個器件均係構成圖 7D的OLED裂置1 〇! j。於特定實施例中，該等個別的 OLED裝置l〇u便會接著進行額外的封裝作業以便進一 步改良由該熔接密封體則以及該等頂部基板ι〇6ι與底 部基板1002所形成的密封效果。 圖1所不的係根據本發明之一實施例的有機發光顯示 裝置的示意圖。現在參考圖i，一第一基板2〇〇係由一像 素區210與一包圍著該像素區21〇的非像素區22〇所組成。 «亥像素區21G包括已形成的複數條掃描線1()朴與複數條 貝料線1 06c ’而複數個像素j〇〇則被電連接至該等掃描線 l〇4b與s等資料線1G6e。非像素區22q係形成有一與該等 掃描線104b相連接的掃描驅動器41〇以及一與該等資料 線l〇6c相連接的資料驅動器42〇。該非像素區22〇係形成 一電源供應線（圖巾未_)1以供應電力給該等像素 100 ’並且還會形成墊104c與106d以便與一外部驅動電路 (圖中未顯示）相連接。 每-個像素100均包括一有機發光二極體（圖中未顯示） 乂及用於驅動該有機發光二極體的至少一薄膜電晶體。該 有機發光二極體係由一陽極電極、一陰極電極、以及一有 機薄膜層所組成。該有機薄膜層包括一電洞傳輸層、一發 光層H電子傳輸層’它們均係、形成在該陽極電極盘 該陰極電極之間。該薄膜電晶體包括一問極電極、一源極 電極以及&極電極’並且控制被供應至該有機發光二 23 1331398 =的電流買。當與該等像素1〇”之一者相連的掃描線 被供應複數個掃描信號並且從該等資料線中接 收到複數個資料信號時，該像素⑽便會被驅動，因此便 會…對應於該等所收到之資料信號的預設光亮度。 掃也驅動器4 1 〇係以供應自第一塾1 _的控制信號為 基礎來依序供應該等掃描信號給該等掃描線i 。結果， 與該等掃減1G4b相連的像素1GG便會被依序選出。

^貧料驅動器420係從第二墊l〇6d接收資料信號與控制 信號。用於接收該等資料信號與控制信號的資料驅動器42〇 係將該等資料信號供應給該等資料線1〇6(^此處被供應 給該等資料線1〇6c的資料信號係被供應至被該等掃描信號 選出的像素100。 墊104c與106d係與該外部驅動電路電連接。此處， 該等第一墊1 〇4c係與該掃描驅動器4丨〇相連，用以供應該 控制L號給該掃描驅動器410 ’從而驅動該掃描驅動器 41〇。而’該等第二墊l〇6d則會與該資料驅動器420電連 接’用以供應該控制信號給該資料驅動器420，從而驅動 該資料驅動器420 » 圖2a與2b所示的係一第二基板的平面圖與剖面圖， 該第二基板係被黏結至一第一基板。此處，該第二基板（舉 例來說’一密封基板300)係被黏結至該第一基板200(圖1 中所示），以便防止濕氣滲入像素區2 10的特定的内部組件 之中。 現在參考圖2a與2b，第二基板3 00具備一熔接塊32〇， 24 1331398 以便黏結至該第一基板200。下文將會簡單說明用於生產 該熔接塊3 20的一種製程。一般來說，藉由在高溫處加熱 玻璃材料的過程中快速地降溫便可生產該具有玻璃粉末形 式的熔接塊。當以粉末形式於該熔接塊之中併入氧化物粉 末並且接著於其中加入有機物質之後，便會產出一膠狀的 膏狀物。該膏狀物係被塗敷至該第二基板300的邊緣並且 接著被加熱至一預設溫度處，俾使該有機物質燃燒並且消 散於空氣中，而該膠狀的膏狀物則會被固化並且在一固態 熔接塊320中被附著至第二基板300。此處，熔接塊320 的燃燒溫度從約300°C至約500°C。於其令一項觀點申， 熔接塊320於形成之後的高度（從垂直於圖2b中所示之基 板300處所測得者）從約14；tzm至約15#m，而寬度（從平 行於圖2b中所示之基板300處所測得者）則從約〇.6mm至 約0.7mm，以便能夠牢牢地黏結第二基板3〇〇與第一基板 200 〇 於形成該固態熔接塊320之後，第一基板200與第二 基板3 00便會被黏結在一起。當黏結該第一基板2〇〇與該 第二基板300時，該像素區21〇便會被封裝以防止氧氣與 濕氣滲入其中。為達此目的，當黏結該第二基板3〇〇與該 第一基板200時，較佳的係將該熔接塊32〇設置於該非像 素區220之中。接著，便利用來自一外部光源的紅外光射 線來照射該熔接塊320，直到其被熔化以黏結該第一基板 200與該第二基板300為止。 圖3所示的係被黏結至該第二基板3〇〇的第一基板2〇〇 25 1331398 的概略示意圖。該熔接塊320係被設置於該非像素區220 之中’以便黏結該第一基板200與該第二基板300。於特 定實施例中’該熔接塊320係被設置於該非像素區220之 中’接著’便會被紅外光射線照射，以便讓該熔接塊320 溶化且黏結至該第一基板2〇〇，從而黏結該第一基板2〇〇 與該第二基板3 00。於該熔接塊320熔化之後，該第一基 板2〇〇與該第二基板300便會藉由該熔接塊320而被黏結， 從而防止氧氣與濕氣等滲入該像素區21〇之中。 ® 雖然圖3中顯示出該熔接塊320係被設置在該掃描驅 動器410内部，不過’本發明並不僅限於此。舉例來說， 亦可將該熔接塊320設置於該掃描驅動器410的外面，以 便包圍及/或重疊該掃描驅動器41〇。 於本發明的特定實施例中，該第一基板200包括多個 顯不震置’而該第二基板300則會被黏結至該第一基板2〇〇 而成為單—單元。於該第一基板200與該第二基板300被 黏結成單一單元的情況中’該製程的優點便係能夠縮短製 程時間。 現在將更詳細地說明該些實施例。參考圖4，一第一 母基板500具有複數個像素區210以及非像素區220。一 第一母基板502則具有複數個熔接塊320，其係被配置成 用以於該第—母基板500與該第二母基板502接觸時來包 圍该等非像素區22〇。於接觸該等基板之後，較佳的係， 僅有該溶接部32〇係被紅外光射線照射，以便熔化該熔接 塊從而讓該第一母基板500與該第二母基板502黏結在 26 1331398 一起。於特定實施例中，該等經黏結的第一母基板500與 第二母基板502係被裁切成預設尺寸，以便分離形成於該 第一母基板500之上且被封裝於該第一母基板5 00、該第 二母基板502、以及該熔接塊320之間的該等個別有機發 光顯示裝置。於將該個別顯示器裁切成預設尺寸之後，便 可再次裁切它們，以便可將它們縮小至和圖3中所示雷同 的尺寸。 圖5所示的係根據本發明之一實施例的一溶接密封設 _ 備的示意圖。該熔接密封設備係包括一反應室600以及一 工作級6 1 〇。該工作級6 1 0可包括一靜止表面，例如一地 板’或疋一移動表面’例如一工作台或是一平台。 於圖5中所示的實施例中，反應室600係包括一第一 反應室60卜一第二反應室6〇2、一發射部6〇4、一燈泡605、 以及一熱輻射擋板606。此種雙反應室的實施例係可供選 擇的’而且亦可使用單一反應室6〇1，其包括該燈泡605、 φ 該發射部604、以及該熱輻射擋板6〇6。 該第一反應室601與該第二反應室602被形成為具有 預設的尺寸’以便讓燈泡605可被插置入於其内部。此處， 该第二反應室6〇2係形成於該第一反應室6〇1的内部。於 此實施例中，其係於該第一反應室όοι與該第二反應室602 之間供應一冷卻液體（舉例來說，水）603。該冷卻液體係防 止忒第一反應室601與該第二反應室6〇2的溫度上升至超 過可接受的位準之上。熟習本技術的人士將會瞭解可作為 冷卻液體603的液體。 … 27 ^331398 燈泡605係被設置在第二反應室6〇2内部。該燈泡6〇5 係發出紅外光射線。因此，由於該等紅外光射線所導致的 輻射的關係，便會於該反應室部600的内部產生高熱。同 時，該燈泡605係被固定設置在第二反應室6〇2内部。因 為可套用各種方法來設置該燈泡605使其固定在該第二反 應室602内部，所以，圖5中並未顯示出該些方法。舉例 來5兒，可藉由一從該第二反應室602之上側處突出的支撐 g 桿（圖中未顯示）來固定安裝該燈泡605。 發射部604係被配置且被設置成用以將燈泡6〇5所產 生的紅外光射線選擇性地導向至工作級61〇之上。該發射 部604係將燈泡605所產生的紅外光射線與輻射熱發射至 工作級610。為達此目的，該發射部604可由透明物質所 製成，舉例來說，玻璃、…等。該發射部604可具有下面 形式：一或多條狹缝、一或多個孔隙、或是一或多個光學 導引裝置（舉例來說’一或多個透鏡及/或面鏡、·等）。發 • 射部604係被配置成用以導向及/或聚焦該等紅外光射線， 以便將它們聚集成下文所討論之足以熔化該熔接塊的能量 位準。 熱輻射檔板606係用來致能及禁能發射部604 ^舉例 來說，該熱輻射擋板606係被疊置且設置在發射部6〇4的 前面’以便防止該等紅外光射線與該輻射熱從該發射部6〇4 處被發射至該工作級之上。當該等母基板500與502並未 被設置在該工作級610之上時’或者當該等基板5 〇〇與5〇2 處於正在被設置在該工作級610之上的過程中時，便可能 28 I331398 會希望將該擋板606設置在該疊置位置處。另外，當該等 母基板500與502被設置在該工作級61〇之上時，該熱輻 射擋板606便不會與該發射部6〇4重疊，因而會致能該發 射部604，用以將該等紅外光射線與該輻射熱供應給該工 作級。 工作級610係被配置成用以接收該等母基板5〇〇與 5〇2,並且係牢牢地固定它們。於特定實施例中工作級61〇 鲁係相對於反應室部6〇〇來進行平移（舉例來說，如圖6a至 6c中所示以及下文的討論，該工作級係從左邊移至右邊以 及從右邊移至左邊），以便將從該發射部6〇4處發出的該等 紅外光射線與輻射熱均勻地供應至該等母基板500與502 的整個面積之上。工作級610可由一支撐桿（圖中未顯示） 來支撐並且由一馬達（圖中未顯示）來平移。此處，因為可 套用各種方法在平移該工作級時利用該支撐桿來支撐該工 作級，所以，圖5中並未顯示出該些方法。 • 在該等母基板500與502被固定至工作級61〇之後， 便會將一遮罩612設置在該等母基板5〇〇與5〇2的上方。 遮罩612包括一或多個遮斷或遮罩部份616以及一或多個 傳送部份614。該等遮斷部份61 6可由一不透明物質所製 成’以便防止由該發射部604所供應的該等紅外光射線與 輕射熱被供應至該等母基板500與5 02的複數個部份（舉例 來說’該等像素區210)。該等傳送部份614可由透明物質 或是透明窗（舉例來說’ 一開孔狀態）所製成，用以將來自 該發射部604的該等紅外光射線與輻射熱供應至該等母基 29 1331398 板500與502的複數個部份。於圖5中所示的實施例中， 該等傳送部份係被設置在該熔接塊320的上方。 現在要說明的係一項運作過程，首先，於工作級61〇 之上係牢牢地固定該等母基板5〇〇與5 02。接著，便會將 遮罩612設置在該等母基板5〇〇與5 02的上方，其中，該 遮罩在與熔接塊32〇重疊的複數個位置處係形成該等傳送 部份614，該熔接塊320則係被設置在該等母基板5〇〇與 502之間。當該等母基板5〇〇與5〇2正在被固定於該工作 級610之上時’熱輻射擋板6〇6便會覆蓋該發射部6〇4， 如圖6中所示，用以防止該等紅外光射線與輻射熱被供應 至該等母基板500與502。 於將該等母基板5 00與5 02以及遮罩612牢牢地固定 該工作級610之上以後，如圖5中所示，該熱輻射擋板6〇6 便會張開，以便由該發射部6〇4將該等紅外光射線與輻射 熱導向至該等母基板5〇〇與5〇2之上。於該熱輻射擋板6〇6 張開之後，工作級61〇便會從左邊移至右邊然後再返回， 如圖6a與6c的順序中所示者。因此，由該發射部6〇4所 射出的忒輻射熱以及該等紅外光射線便會被供應至該遮罩 612。於此情況中，該輻射熱以及該等紅外光射線便會透 過遮罩612的該等傳送部份614而被供應至設置在該等母 基板500肖502之間的熔接塊32〇。因此，該熔接塊便會 被熔化，用以黏結該等母基板500與5〇2。 應該注意的係’在圖5與6中所示的範例中工作級 61 0係相對於反應室部6〇〇來移動。但這並非係必要的情 30 1331398 亦可相對於該等基板 於特定實施例中，反應室部600 方式’尤其是當工作級610包括一 板）時。 不可移動的平台（例如地

500與502來移動。此種反應室部移動方式可能係較佳的 由該工+ 供。 應該注意的係，圖5與6中所示之範例係描繪從右邊 至左邊的一維運動，其中，從右邊至左邊的方向並不重要， 因為其亦能夠移入與移出該頁面。倘若該發射部6〇4能夠 將該等紅外光射線與輻射熱聚焦在該等母基板500與502 的寬度（其中，此情況中的寬度係進入圖5與6中所示的頁 ’那麼此一維的相對運動類型便可足夠。於其 它實施例中，舉例來說，當該發射部在一個維度中將該等 紅外光射線聚焦在該等基板中小於整個寬度的其中一部份 之上的話’那麼便可於兩個維度中來提供該相對運動以 便供應熱能給所有傳送部份614以及下方的熔接塊32〇。 於本發明中，該等母基板500與5〇2係被設置在該反 應室部600的外面。據此，因為來自該反應室部6〇〇的高 熱並不被供應至該等母基板5〇〇與5〇2中受到該遮罩612 之該等遮斷部份616阻隔的部份處，因此便可避免發生因 為供應高熱至該等母基板5〇〇與5 02的所有面積處而導致 的破壞問題（舉例來說’像素丨〇〇的破壞）。另外，因為該 等母基板500與5〇2係形成在該反應室部600的外面，所 以’該反應室部600的尺寸便可非常小，因而可據以縮小 31 1331398 該熔接密封設備的尺寸。進一步言之，因為本發明係利用 遮罩612將該等紅外光射線與輻射熱僅傳輸至該等溶接塊 320 ’所以便可避免發生因為高熱而在像素區210中所造 成的破壞。 熟習本技術的人士便可決定出用於界定上述炫接密封 設備之各項部件以及製程的設計變數，而不必中止實驗。 該等設計變數包含紅外光燈泡605的功率、發射部604的 t集或聚焦特徵、發射部604以及遮罩612以及該等基板 500與502之間的距離、該等基板5〇〇與502相對於該反 應室部600的移動速度、以及該熱能被供應至該等基板的 時間長度、…等。該些設計變數可經過工程設計以便供應 足夠的熱能給該熔接塊32〇，用以熔化它，同時讓該等基 板5 00與502之熱敏感部份（舉例來說，含有有機發光像素 的該等像素區）的溫度保持在可能會造成破壞的溫度以 下。 如上所述，因為該熔接密封設備以及使用該設備的方 法僅會將該等紅外光射線與輻射熱供應至含有要被黏結之 部份基板的熔接塊處，所以便可避免發生因為高熱而在該 (等）像素區中所造成的破壞H因為該㈣塊係在一 3有多個封裝裝置的單-單元中被固π，所以，便可縮短 作時間。而且’因為該等母基板係被設置在該熱反應室 的外面，所以便可縮減該熔接密封設備的尺寸。 1雖二本文已鉍顯示與說明本發明的部份實施例，不過， 熟習本技術的人士便會明白，1 ^ _ I β白可對該些實施例進行變更， 32 1331398 不會脫離本發明的原理與精神。本發明的範疇會定義在 申請專利範圍以及它們的等效範圍之中。 【圖式簡單說明】 從别面較佳貫施例的說明中，配合附圖，便可清楚且 很容易明白本發明的前述及/或其它觀點與優點，其中： *圖1所示的係根據一實施例的有機發光顯示裝置的一 第一基板的示意圖。 圖2a與2b所示的係一第二基板的示意圖，該第二基 板係面對該第一基板且被黏結至該第一基板。 圖3所示的係一實施例的概略示意圖，其中，該第一 基板係被黏結至該第二基板。 圖4所示的係一實施例的概略示意圖，其中，在被黏 結至一第二母基板的一第一母基板之上具有多個顯示裝 置。 圖5所示的係根據一實施例的一熔接密封設備的示意 圖。 圖6a至6c所示的係運用圖5中所示之熔接密封設備 的一製程的示意圖。 圖7A所示的係根據一實施例的一被動式矩陣型有機 發光顯示裝置的概略分解圖。 圖7B所示的係根據一實施例的一主動式矩陣型有機 發光顯示裝置的概略分解圖。 圖7C所示的係根據一實施例的一有機發光顯示器的 概略俯視平面圖。 33 1331398 圖7D所示的係沿著直線d-d所獲得之圖7C的有機發 光顯示器的剖面圖。 圖7E所示的係根據一實施例用於大量生產有機發光 裝置的概略立體圖。 【主要元件符號說明】

100 像素 104b 掃描線 104c 墊 106c 資料線 106d 墊 200 基板 210 像素區 220 非像素區 300 基板 320 熔接塊 410 掃描驅動器 420 資料驅動器 500 母基板 502 母基板 600 反應室 601 第一反應室 602 第二反應室 603 冷卻液體 604 發射部 34 1331398 605 燈泡 606 熱輻射擋板 610 工作級 612 遮罩 614 傳送部份 616 遮斷部份 1000 被動式矩陣型有機發光顯示器 1001 主動式矩陣型有機發光顯示器

1002 基板 1004 陽極 1006 陰極 1010 有機層 1011 有機發光顯示裝置 1012 驅動電路 1014 平坦化層 1016 資料線

1018 掃描線 1021 有機發光顯示器像素陣列 1061 基板 1071 密封體 1081 密閉空間 1101 基板 35

Claims (1)

1. 十、申請專利範面： J*種用以製造—含有一有機發光顯示器之電子 的方法，該方法係包括： 電子裝置 提供一未完成的裝置，其係包括一第一基板、一第二 ^有機發光像素陣列、以及—炫接塊，該㈣ 插置在該等第一基板鱼糸破 在該 /、第一基板之間，該熔接塊係被插置 土板與第二基板之間並且接觸該等第一基板與 罘一基板，同時包圍該陣列； ' 第一：一含有一透射窗的遮罩設置在該未完成的裝置的該 炼接方’俾使該透射窗係位於該未完成的裝置的該 提供ϋ射源，其係被配置成用以從中照射出一射線. 藉由相對於該輻射源來移動該未完成的裝置以調整該 兀成的裝置與該輕射源的相對位置’俾使來自該輕射源 的一射線可被導向至該透射窗；以及 經由該遮罩的該透射窗將來自該輕射源的該射線導向 至該溶接塊，其中，被導向至該熔接塊的射線係炫化該熔 接塊的至少-部份’以便炫合㈣接塊與該等第—與第二 基板。 … 一 2·如申請專利範圍帛1項之方法’其中，移動係包括 垂直移動該未完成的裝置’其中’該轄射源與該未完成的 裝置之間的距離會改變。 3.如申請專利_ 1項之方法，其中，移動係包括 橫向移動該未完成的裝置，其中’該輕射源與該未完成的 36 1331398 裝置之間的距離實質上不會改變。 4. 如申請專利範圍第丨項 唄之方法，其中，調整該相對 位置係包括設置該未完成的 疋珉的裝置，俾使該遮罩的該透射窗 係被設置在該輻射源的正上方咬正下方 5. 如申請專利範圍第1項 項之方法’其中，該方法進一 步包括提供一可滑動的平台# 口並且將該未完成的裝置放置在 該平台之上，其中，調整兮知 該相對位置可包括相對於該輻射 源來滑動該平台。 6. 如申請專利範圍第1項 項之方法，其中，導向該射線 係包括备该未完成的裝置相斜於兮 1相對於該輻射源的位置係正確 便選擇性地照射來自該輻射源的射線。 7. 如申請專利範圍第丨 乃/¾’其進一步包括，者 該射線被導向至該透射窗以外 田 ® M外的遮罩處時便阻隔該射線或 是禁能照射該射線，直到已较 一、 判已紐正確地調整該未完成的裝置 與s亥輕射源之間的相對位置為止。 8·如申請專利範圍第1項之方法，其進-步包括，於 導向該射線之後便相對於該輻射源來移動該未完成的裝 置，俾使來自該輻射源的射蟪 扪射線此夠被導向至該透射窗的— 非照射部份。 9.如申請專利範圍第1項之方法，其進-步包括，於 導向=射線時’同時相對於該輕射源來移動該未完成的裝 置 來自該轄射源的射線能夠被持續地導向至該透射 窗的一非照射部份。 通射 1〇·如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第-基板 37 1J31398 係—單層基板。 其中，該第一基板 11. 如申請專利範圍第1項之方法 係包括二或多層不同材料。 其中，該輻射源係 12. 如申請專利範圍第1項之方法 包括一雷射或一紅外光燈泡。 其中，該未完成的 13. 如申請專利範圍第1項之方 =係包括複數個額外的有機發光像素㈣以及複數個額

   的炼接塊，它們係被插置在料第—基板與第二基板之 B ，該等額外熔接塊中之一者係包圍該等額外陣列中之一 2其中’該遮罩係包括複數個額外透射窗，該等額外 透射窗中之一者係被設置成用以朝該等額外熔接塊中之一 者來傳送該射線。 14. 如申請專利範圍第13項之方法，其進一步包括， 於將，射線導向至該熔接塊之後便相對於該㈣源來移動 忒未元成的裝置，俾使來自該輻射源的射線能夠被導向至 該等額外透射窗中之一者。 15. 如申請專利範圍第14項之方法，其進一步包括， 於移動該未完成的裝置之後，經由該等額外透射窗中之一 者來將該射線導向至該等額外熔接塊中之一者。 16. 如申請專利範圍第Η項之方法，其進一步包括， 將所產生的產品裁切成複數個器件，以便提供一包括下面 部份的電子裝置：一第一基板器件；一第二基板器件；一 有機發光像素陣列，其係被插置在該等器件之間；以及一 熔接塊，其係被黏結至該等器件並且被插置在該等器件之 38 1331398 間，同時包圍該一陣列。 1 7.如申請專利範圍第1項之方法，其中，該熔接塊係 包括選自由下面組成之群組中的一或多種材料：氧化鎂 (MgO)、氧化鈣（CaO)、氧化鋇（BaO)、氧化鋰（Li2〇)、氧化 鈉（Na20)、氧化鉀（κ20)、氧化硼（B2〇3)、氧化釩（v2〇5)、 氧化鋅（ZnO)、氧化碲（Te02)、氧化鋁（A1203)、二氧化矽 (Si02)、氧化錯（pb〇)、氧化錫（SnO)、氧化破（p2〇5)、氧化 釕（Ru20)、氧化如（Rb20)、氧化铑（Rh2〇)、氧化鐵（Fe203)、 氧化銅（CuO)、氧化鈦（Ti〇2)、氧化鎢（w〇3)、氧化鉍（Bi2〇3)、 氧化銻（Sb2〇3)、硼酸鉛玻璃、鱗酸錫玻璃、鈒酸鹽玻璃、 以及硼矽酸鹽。 18·—種熔接密封設備，其係包括： 一平台’其包括一接收表面，該接收表面係被配置成 用以接收一未完成的電子裝置； 一輕射源’其係被配置且被排列成用以朝該平台照射 出一射線；以及 一遮罩，其係位於該輻射源與該平台之間，該遮罩包 括或多個遮罩部份，該等遮罩部份係被配置成用以實質 士阻隔該射線，使其無法到達該平台，該遮罩進一步包括 或多個透射部份，該等透射部份係被配置成實質上用以 讓該射線到達該平台； 其中，該平台與該輻射源係被配置成用以相對於彼此 19 ·如申請專利範圍第 18項之設備，其中，該輻射源 39 1331398 係包括—紅外光發射裝置。 20_如申請專利範圍第is項之設備’其中，該輻射源 係包括： 一反應室，其包括一用以封閉一反應室的護壁； 一燈泡，其係被設置在該反應室之中；以及 一狹縫，其係形成於該反應室之中，該狹縫係被配置 成用以從位於該反應室外面的燈泡處發出輻射並且將其導 向至該平台。

   21.如申請專利範圍第2〇項之設備，其中，該輻射源 進一步包括一冷卻劑，其係接觸該反應室的該護壁。 22.如申請專利範圍第18項之設備，其進一步包括該 未完成的電子裝置’該未完成的電子裝置包括一第一基 板、一第二基板、一有機發光像素陣列、以及一熔接塊， 該陣列係被插置在該等第—基板與第二基板之間，該溶接 塊係被插置在該等第—基板與第二基板之間並且接觸該等 第基板與第二基板’同時包圍該陣列。 23.如申請專利範圍帛22項之設備，其中 伤貫質上係將該射線照射至_ # + & μ $ 、 熔拯i…… 射至該未-成的電子裝置中之該 熔接塊的至少一部份；而該等 線，使其不會照射該陣列的至少一部份實質上係阻隔該射 24.如申請專利範圍第 種機構，其係被配置成用 台0 18 項之設備， 以相對於該輻射 其進一步包括一 源來滑動該平 其中’該未完成 25.如申請專利範圍第22項之設備 40 1331398 的電子裝置進一步包括一或多個額外的有機發光像素陣 列，它們係被插置在該等第一基板與第二基板之間；以及 一或多個額外的熔接塊，它們係被插置在該等第一基板與 第二基板之間並且接觸該等第__基板與第：基板中 該等-或多個額外溶接塊中之一者係包圍該等一或 外陣列中之一者。 十一、圖式： 如次頁。

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