JP2007200856A - 有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】画素領域と非画素領域で分けられて、前記画素領域には第1電極、有機薄膜層及び第2電極でなる有機電界発光素子が形成されて、前記非画素領域にはスキャンドライバが形成された第1基板と、前記第1基板の画素領域及び非画素領域と所定間隔が離隔されて封着される第2基板と、前記第2基板の非画素領域の周辺部に沿って形成されたフリットを含み、前記フリットは、前記非画素領域に形成されたスキャンドライバの活性領域を除いた部分まで重畳されるように形成される。
【選択図】図3
Description
図1及び図2に示されたように、従来の有機電界発光表示装置は、蒸着基板10と、封止基板20、フリット30で構成される。
101 バッファー層
102 半導体層
103 ゲート絶縁膜
104a ゲート電極
104b 走査ライン
104c、104d パッド
105 層間絶縁膜
106a、ソース電極
106b ドレイン電極
106c データライン
107 平坦化層
108 アノード電極
109 画素定義膜
110 有機薄膜層
111 カソード電極
200 基板
210 画素領域
220 非画素領域
300 封止基板
320 フリット
410 走査駆動部
420 データ駆動部
Claims (13)
- 画素領域と非画素領域で分けられて、前記画素領域には第1電極、有機薄膜層及び第2電極でなる有機電界発光素子が形成されて、前記非画素領域にはスキャンドライバが形成された第1基板と、
前記第1基板の画素領域及び非画素領域と所定間隔が離隔されて封着される第2基板と、
前記第2基板の非画素領域の周辺部に沿って形成されたフリットを含み、
前記フリットは、
前記非画素領域に形成されたスキャンドライバの活性領域を除いた部分まで重畳されるように形成されることを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記非画素領域で前記スキャンドライバは、活性領域、スキャンドライバ配線領域及び信号配線を含んで0.7mmの幅を持つことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記スキャンドライバの活性領域は、0.15mm、スキャンドライバ配線領域は0.25mm及び信号配線は0.3mmの幅をそれぞれ持つことを特徴とする請求項2に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記フリットは0.7mmの幅で形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記フリットの幅は、
前記スキャンドライバ配線領域の0.25mm及び信号配線の0.3mmの幅と重畳されるように形成することを特徴とする請求項4に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記フリットは、
前記レーザビームによって溶融されて前記第1基板に接着されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。 - 画素領域と非画素領域で分けられた第1基板の前記画素領域に第1電極、有機薄膜層及び第2電極でなる有機電界発光素子を形成し、非画素領域にスキャンドライバを形成する段階と、
前記第1基板と所定間隔が離隔されて封着される第2基板で前記第1基板の非画素領域のスキャンドライバと対応される位置の周辺部に沿ってフリットを形成する段階と、
前記第2基板に形成されたフリットが前記第1基板の非画素領域であるスキャンドライバの活性領域を除いた部分まで重畳されるように前記第2基板を前記第1基板上部に配置する段階と、
前記第2基板の背面で前記フリットにレーザビームを照射して前記第1基板と前記第2基板を接着させる段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記フリットは、
0.7mmの幅で形成されることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記非画素領域で前記スキャンドライバは、
活性領域、スキャンドライバ配線領域及び信号配線を含んで0.7mmの幅を持つように形成されることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記スキャンドライバの活性領域は、
0.15mm、スキャンドライバ配線領域は0.25mm及び信号配線は0.3mmの幅をそれぞれ持つように形成されることを特徴とする請求項9に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記フリットの幅は、
前記スキャンドライバ配線領域の0.25mm及び信号配線の0.3mmの幅と重畳されるように形成することを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記フリットは、
レーザビームの代わりに赤外線で硬化させることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第1基板の非画素領域にはデータドライブがさらに形成されることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013045629A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2020030355A (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 大日本印刷株式会社 | 調光装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100671643B1 (ko) | 2006-01-27 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
US7652305B2 (en) * | 2007-02-23 | 2010-01-26 | Corning Incorporated | Methods and apparatus to improve frit-sealed glass package |
US7815480B2 (en) * | 2007-11-30 | 2010-10-19 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for packaging electronic components |
KR101113370B1 (ko) * | 2009-11-11 | 2012-02-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터 및 이를 구비한 유기전계 발광 표시장치 |
KR101734911B1 (ko) | 2010-08-10 | 2017-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR20140061095A (ko) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR20150043136A (ko) | 2013-10-14 | 2015-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102518746B1 (ko) * | 2016-06-01 | 2023-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP2018124465A (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器、および実装構造体 |
KR102476539B1 (ko) * | 2017-12-12 | 2022-12-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마이크로 디스플레이 장치 및 디스플레이 집적회로 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1074583A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの 製造方法 |
JP2004151716A (ja) * | 1997-10-13 | 2004-05-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
WO2004095597A2 (en) * | 2003-04-16 | 2004-11-04 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1234567A (en) * | 1915-09-14 | 1917-07-24 | Edward J Quigley | Soft collar. |
US4238704A (en) | 1979-02-12 | 1980-12-09 | Corning Glass Works | Sealed beam lamp of borosilicate glass with a sealing glass of zinc silicoborate and a mill addition of cordierite |
GB9217336D0 (en) | 1992-08-14 | 1992-09-30 | Philips Electronics Uk Ltd | Active matrix display devices and methods for driving such |
JP3814810B2 (ja) | 1996-04-05 | 2006-08-30 | 日本電気硝子株式会社 | ビスマス系ガラス組成物 |
JPH11194367A (ja) | 1997-10-13 | 1999-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
US6731260B2 (en) | 1997-10-13 | 2004-05-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Display device |
DE60044482D1 (de) | 1999-03-05 | 2010-07-15 | Canon Kk | Bilderzeugungsvorrichtung |
US6555025B1 (en) | 2000-01-31 | 2003-04-29 | Candescent Technologies Corporation | Tuned sealing material for sealing of a flat panel display |
KR100316781B1 (ko) | 2000-02-25 | 2001-12-20 | 김순택 | 레이저를 이용한 유리평판표시패널의 프릿 프레임 밀봉 방법 |
TWI238375B (en) * | 2000-05-31 | 2005-08-21 | Toshiba Corp | Pumping circuit and flat panel display device |
US6646284B2 (en) | 2000-12-12 | 2003-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR100370406B1 (ko) | 2000-12-22 | 2003-02-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저를 이용한 평판표시장치의 진공 패키징 방법 |
US6614057B2 (en) * | 2001-02-07 | 2003-09-02 | Universal Display Corporation | Sealed organic optoelectronic structures |
JP2005510831A (ja) * | 2001-05-24 | 2005-04-21 | オリオン エレクトリック カンパニー,リミテッド | 有機発光ダイオードのエンカプセレーションのための容器及びその製造方法 |
JP2002372928A (ja) | 2001-06-13 | 2002-12-26 | Sony Corp | タイリング型表示装置及びその製造方法 |
JP2003228302A (ja) | 2002-02-04 | 2003-08-15 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP2003255845A (ja) | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elディスプレイパネル |
JP2003332045A (ja) | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
KR20040010026A (ko) * | 2002-07-25 | 2004-01-31 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 전계방출형 화상표시장치 |
JP4050972B2 (ja) | 2002-10-16 | 2008-02-20 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
JP4299021B2 (ja) | 2003-02-19 | 2009-07-22 | ヤマト電子株式会社 | 封着加工材及び封着加工用ペースト |
US20040206953A1 (en) | 2003-04-16 | 2004-10-21 | Robert Morena | Hermetically sealed glass package and method of fabrication |
KR100544123B1 (ko) | 2003-07-29 | 2006-01-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
US7291967B2 (en) | 2003-08-29 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof |
KR20050073855A (ko) | 2004-01-12 | 2005-07-18 | 삼성전자주식회사 | 플렉셔블 디스플레이 및 그 제조 방법 |
JP4936643B2 (ja) | 2004-03-02 | 2012-05-23 | 株式会社リコー | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100590252B1 (ko) | 2004-03-17 | 2006-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
US20050248270A1 (en) | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Eastman Kodak Company | Encapsulating OLED devices |
US7173377B2 (en) * | 2004-05-24 | 2007-02-06 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light emission device and power supply therefor |
KR100681022B1 (ko) | 2004-06-16 | 2007-02-09 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
US7791270B2 (en) * | 2004-09-17 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Light-emitting device with reduced deterioration of periphery |
US20060087230A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Eastman Kodak Company | Desiccant film in top-emitting OLED |
US8034466B2 (en) * | 2004-12-06 | 2011-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device using the same |
KR100671643B1 (ko) | 2006-01-27 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
-
2006
- 2006-01-27 KR KR1020060008766A patent/KR100688789B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-05 JP JP2006240516A patent/JP2007200856A/ja active Pending
- 2006-09-29 US US11/540,366 patent/US7994534B2/en active Active
- 2006-12-12 TW TW095146415A patent/TWI364109B/zh active
-
2007
- 2007-01-25 EP EP07101149.8A patent/EP1814175B1/en active Active
- 2007-01-26 CN CNB2007100082514A patent/CN100524807C/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1074583A (ja) * | 1996-08-30 | 1998-03-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの 製造方法 |
JP2004151716A (ja) * | 1997-10-13 | 2004-05-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
WO2004095597A2 (en) * | 2003-04-16 | 2004-11-04 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
JP2006524419A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-10-26 | コーニング インコーポレイテッド | フリットにより密封されたガラスパッケージおよびその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013045629A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
KR20130023099A (ko) * | 2011-08-24 | 2013-03-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
US9633871B2 (en) | 2011-08-24 | 2017-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
KR101928718B1 (ko) * | 2011-08-24 | 2018-12-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
JP2020030355A (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 大日本印刷株式会社 | 調光装置およびその製造方法 |
JP7286928B2 (ja) | 2018-08-23 | 2023-06-06 | 大日本印刷株式会社 | 調光装置およびその製造方法 |
Also Published As
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