CN101009320A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机发光显示装置，所述装置包括限定像素区和非像素区的第一基底。包括第一电极、有机薄膜层和第二电极的有机发光元件形成在像素区中。扫描驱动器形成在非像素区中。第二基底与第一基底的像素区和非像素区有间隔地密封。沿着第二基底的非像素区的边缘形成玻璃料，其中，将玻璃料形成为使得它可以与除形成在非像素区中的扫描驱动器的有源区之外的区域叠置。
Description
本申请要求于2006年1月27日在韩国知识产权局提交的第10-2006-0008766号韩国专利申请的权益，其公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
通常，有机发光显示装置由提供像素区和非像素区的基底以及为了包封该基底而面向该基底布置并利用密封剂(例如，环氧树脂)与该基底结合的容器或者基底组成。
连接在扫描线和数据线之间的多个发光元件以矩阵布置形成在基底的像素区中。发光元件由阳极、阴极以及形成在阳极和阴极之间的有机薄膜层组成。有机薄膜层通常包括空穴传输层、有机发射层和电子传输层。
由于如上所述构造的发光元件包含有机物质，所以易受氢或氧的影响而易碎。由于阴极由金属材料形成，所以发光元件也容易被空气中的水分氧化，因此它的电学特性和发光特性会劣化。因此，为了抑制这种劣化，应通过在以金属罐或杯的形式制造的容器以及基底(例如，玻璃、塑料等)中加入粉末形式的吸湿剂或者以膜的形式将吸湿剂粘附到容器上，来去除从外部渗透的水分。
然而，这种将粉末形式的吸湿剂加入容器的方法的缺点在于，这种方法的工艺复杂，材料和制造成本昂贵，所得显示装置厚且难以应用到顶发射显示器上。另外，这种将膜形式的吸湿剂粘附到容器的方法的缺点在于，由于耐久性和可靠性差，所以难以去除水分，且难于批量生产。以上讨论仅仅在于描述有机发光显示器的总体领域，而不是等同于现有技术。
为了解决这些问题，已经公开了通过采用玻璃料形成侧壁来包封发光元件的各种方法。
第PCT/KR2002/000994号国际专利申请(2002年5月24日)公开了一种具有由玻璃料形成的侧壁的包封容器及其制造方法。
第2001-0084380号韩国专利公开(2001年9月6日)公开了一种用激光包封玻璃料框架的方法。
第2002-0051153号韩国专利公开(2002年6月28日)公开了一种利用激光采用玻璃料来包封上基底和下基底的封装方法
发明内容
本发明的一方面提供了一种有机发光显示装置，该装置可包括：第一基底，限定像素区和非像素区；有机发光像素的阵列，形成在第一基底的像素区的上方；第二基底，放置在第一基底上方，所述阵列置于第一基底和第二基底之间；玻璃料密封件，包括置于第一基底和第二基底之间的多个延伸部分，结合的所述多个延伸部分环绕所述阵列，使得所述阵列被第一基底、第二基底和玻璃料密封件包封，所述多个延伸部分包括大体在第一方向上延伸的第一延伸部分；扫描驱动器，形成在非像素区的上方并包括半导体集成电路部分，其中，当在第二方向上从第一基底或第二基底观察时，半导体集成电路部分和第一延伸部分大体上彼此平行地延伸，在半导体集成电路部分和第一延伸部分之间没有设置所述多个延伸部分中的任一个，其中，第二方向限定第一基底和第二基底之间的最短的距离，其中，当在第二方向上从第一基底或第二基底观察时，第一延伸部分与半导体集成电路部分基本上不叠置。
在上述装置中，半导体集成电路部分可包括互连的半导体电路元件。半导体电路元件可包括薄膜晶体管。所述装置还可包括形成在第一基底和玻璃料之间的平坦化层，其中，扫描驱动器基本上掩埋在平坦化层中。扫描驱动器可包括在第二方向上从第一基底或第二基底观察时与第一延伸部分叠置的非半导体集成电路部分。半导体集成电路部分可具有在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上限定的宽度，其中，当在第二方向上从第一基底或第二基底观察时，在半导体集成电路部分和第一延伸部分之间在第三方向上可存在间隙，其中，所述间隙可小于大约所述宽度。所述宽度可为大约0.02mm至大约0.5mm。所述间隙可小于大约0.2mm。所述间隙可小于所述宽度的大约一半。
仍然在上述装置中，当在第二方向上从第一基底或第二基底观察时，半导体集成电路部分和第一延伸部分在第三方向上可基本上不具有间隙。所述装置还可包括信号线部分，其中，信号线部分可包括将扫描驱动器和所述阵列互连的多条导线，其中，当在第二方向上从第一基底或第二基底观察时，第一延伸部分可与所述信号线部分叠置。扫描驱动器可包括置于半导体集成电路部分和信号线部分之间的布线部分，其中，当在第二方向上从第一基底或第二基底观察时，第一延伸部分可与布线部分叠置。玻璃料密封件可包含从由MgO、CaO、BaO、Li2O、Na2O、K2O、B2O3、V2O5、ZnO、TeO2、Al2O3、SiO2、PbO、SnO、P2O5、Ru2O、Rb2O、Rh2O、Fe2O3、CuO、TiO2、WO3、Bi2O3、Sb2O3、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃和硼硅酸盐组成的组中选择的一种或多种材料。
本发明的另一方面提供了一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：提供限定像素区和非像素区的第一基底；在第一基底的像素区上方形成有机发光像素的阵列；在第一基底的非像素区上方形成扫描驱动器；在第一基底上方布置第二基底，使得所述阵列置于第一基底和第二基底之间；将包括多个延伸部分的玻璃料置于第一基底和第二基底之间，结合的所述多个延伸部分环绕所述阵列，所述多个延伸部分包括大体在第一方向上延伸的第一延伸部分；其中，扫描驱动器包括半导体集成电路部分，其中，当在第二方向上从第一基底或第二基底观察时，半导体集成电路部分和第一延伸部分大体上彼此平行地延伸，在半导体集成电路部分和第一延伸部分之间没有所述多个延伸部分中的任一个，其中，第二方向限定第一基底和第二基底之间的最短的距离，其中，当在第二方向上从第一基底或第二基底观察时，第一延伸部分与半导体集成电路部分基本上不叠置。
在上述方法中，半导体集成电路部分可包括互连的半导体电路元件。半导体电路元件可包括薄膜晶体管。当在第二方向上从第一基底或第二基底观察时，扫描驱动器可与所述第一延伸部分叠置。扫描驱动器的半导体集成电路部分可具有在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上限定的宽度，其中，在扫描驱动器的半导体集成电路部分和第一延伸部分之间在第三方向上可存在间隙，其中，所述间隙可小于大约扫描驱动器的所述宽度。
本发明的方面提供了一种有机发光显示装置，该装置包括：第一基底，被划分成像素区和非像素区，其中，由第一电极、有机薄膜层和第二电极组成的有机发光元件形成在像素区中，扫描驱动器形成在非像素区中；第二基底，与第一基底的像素区和非像素区隔开预定距离地密封；玻璃料，沿着第二基底的非像素区的边缘形成，其中，将玻璃料形成为使得它可以与除形成在非像素区中的扫描驱动器的有源区之外的区域叠置。
本发明的其它方面提供了一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括步骤：在被划分成像素区和非像素区的第一基底的像素区中形成由第一电极、有机薄膜层和第二电极组成的有机发光元件，在非像素区中形成扫描驱动器；在与第一基底隔开预定距离地密封的第二基底中，沿着与第一基底的非像素区的扫描驱动器对应的区域形成玻璃料；将第二基底布置在第一基底上，使得形成在第二基底中的玻璃料可以与除扫描驱动器的有源区之外的区域(第一基底的非像素区)叠置；通过向第二基底的后表面上的玻璃料照射激光束来将第一基底粘附到第二基底。
其它实施例包括一种有机发光显示装置，该装置包括：第一基底，限定像素区和非像素区，其中，包括第一电极、有机薄膜层和第二电极的有机发光元件形成在像素区中，扫描驱动器形成在非像素区中；第二基底，与第一基底的像素区和非像素区隔开地密封；玻璃料，沿着第二基底的非像素区的边缘形成，其中，将玻璃料形成为使得它可以与除形成在非像素区中的扫描驱动器的有源区之外的区域叠置。
其它实施例包括一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：在第一基底的像素区中设置包括第一电极、有机薄膜层和第二电极的有机发光元件；在第一基底的非像素区中设置扫描驱动器；在第二基底上沿着与第一基底的非像素区的扫描驱动器的对应的区域的边缘形成玻璃料；将第二基底布置在第一基底上，使得形成在第二基底上的玻璃料与除扫描驱动器的有源区之外的区域叠置；通过向第二基底的后表面上的玻璃料照射激光或红外辐射中的至少一个来将第一基底粘附到第二基底。
其它实施例包括一种制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：提供未完成的装置，所述未完成的装置包括第一基底、形成在第一基底上方的有机发光像素的阵列、形成在第一基底上方的电导线；在第一基底的非像素区中设置扫描驱动器；提供第二基底；将玻璃料置于第一基底和第二基底之间，使得所述阵列置于第一基底和第二基底之间，并使得玻璃料环绕所述阵列；将第二基底布置在第一基底上，使得玻璃料与除扫描驱动器的有源区之外的区域叠置；熔化并再固化至少部分玻璃料，从而通过玻璃料将未完成的装置与第二基底相互连接。
附图说明
从结合附图进行的对实施例的下面的描述中，本发明的这些和其它方面及优点将变得清楚且更容易理解，在附图中：
图1是示出根据现有技术的有机发光显示装置的平面图；
图2是从图1中的线I-I'截取的剖视图；
图3是示出根据本发明的有机发光显示装置的一个实施例的平面图；
图4是从图3中的线II-II'截取的剖视图；
图5是从图3中的线III-III’截取的剖视图；
图6是根据一个实施例的无源矩阵型有机发光显示装置的示意性分解图；
图7是根据一个实施例的有源矩阵型有机发光显示装置的示意性分解图；
图8是根据一个实施例的有机发光显示装置的示意性俯视平面图；
图9是沿着线9-9截取的图8中的有机发光显示装置的剖视图；
图10是示出根据一个实施例的有机发光显示装置的批量生产的示意性透视图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述根据本发明的各种实施例。因此，在这里进行的描述仅仅是为了示出目的的示例，并不意在限制本发明的范围，因此应该理解，对本领域技术人员清楚的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对本发明作出其它等同变换和修改。
有机发光显示器(OLED)是包括有机发光二极管的阵列的显示装置。有机发光二极管是包含有机材料并适于当施加适当电势时产生并发射光的固态器件。
根据提供激励电流所采用的布置，通常可将OLED分组为两种基本类型。图6示意性地示出了简化结构的无源矩阵型OLED 1000的分解图。图7示意性地示出了简化结构的有源矩阵型OLED 1001。在两种构造中，OLED 1000、1001包括构建在基底1002上方的OLED像素，OLED像素包括阳极1004、阴极1006和有机层1010。当适当的电流被施加到阳极1004时，电流流过像素，从有机层发射可见光。
参照图6，无源矩阵OLED(PMOLED)设计包括大体垂直于阴极1006的延伸带而布置的阳极1004的延伸带，有机层置于阴极1006的延伸带和阳极1004的延伸带之间。阴极1006的延伸带和阳极1004的延伸带的交叉处限定单独的OLED像素，在所述单独的OLED像素处，当适当地激励阳极1004和阴极1006的对应带时，产生并发射光。PMOLED具有构造相对简单的优点。
参照图7，有源矩阵OLED(AMOLED)包括布置在基底1002和OLED像素的阵列之间的驱动电路1012。AMOLED的单独的像素限定在共阴极1006和与其它阳极电绝缘的阳极1004之间。各驱动电路1012与OLED像素的阳极1004结合，并还与数据线1016和扫描线1018结合。在实施例中，扫描线1018提供选择驱动电路的行的扫描信号，数据线1016提供用于特定驱动电路的数据信号。数据信号和扫描信号激励局部驱动电路1012，由此激励阳极1004，以由它们对应的像素发光。
在示出的AMOLED中，局部驱动电路1012、数据线1016和扫描线1018被掩埋在平坦化层1014中，平坦化层1014置于像素阵列和基底1002之间。平坦化层1014提供平坦的顶表面，有机发光像素阵列形成在所述平坦的顶表面上。可由有机或无机材料形成平坦化层1014，虽然平坦化层1014示出为单层，但是它可由两层或更多层形成。通常采用薄膜晶体管(TFT)来形成局部驱动电路1012，通常在OLED像素阵列的下面以栅格或阵列来布置局部驱动电路1012。局部驱动电路1012可至少部分地由有机材料制成，包括有机TFT。AMOLED具有响应时间快的优点，更加适用于显示数据信号。此外，AMOLED具有比无源矩阵OLED功耗小的优点。
参照PMOLED和AMOLED设计的共有特征，基底1002为OLED像素和电路提供结构支撑。在各种实施例中，基底1002可包括刚性的或柔性的材料以及不透明的或透明的材料，例如塑料、玻璃和/或箔。如上所述，各OLED像素或二极管形成有阳极1004、阴极1006和置于它们之间的有机层1010。当适当的电流被施加到阳极1004时，阴极1006注入电子，阳极1004注入空穴。在特定实施例中，阳极1004和阴极1006被颠倒，即，阴极形成在基底1002上，相对地布置阳极。
置于阴极1006和阳极1004之间的是一个或多个有机层。更具体地讲，至少一个发射层或发光层置于阴极1006和阳极1004之间。发光层可包含一种或多种发光有机化合物。通常，发光层被构造为以单色例如蓝色、绿色、红色或白色发射可见光。在示出的实施例中，一个有机层1010形成在阴极1006和阳极1004之间，作为发光层。另外的可形成在阳极1004和阴极1006之间的层可包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层。
空穴传输层和/或空穴注入层可置于发光层1010和阳极1004之间。电子传输层和/或电子注入层可置于阴极1006和发光层1010之间。电子注入层通过降低从阴极1006注入电子的逸出功来促进电子从阴极1006向发光层1010的注入。相似地，空穴注入层促进空穴从阳极1004向发光层1010注入。空穴传输层和电子传输层促进了从各自的电极向发光层注入的载流子的运动。
在一些实施例中，单一的层可提供电子注入和传输的功能或者空穴注入和传输的功能。在一些实施例中，缺少这些层中的一个或多个。在一些实施例中，一个或多个有机层掺杂有一种或多种有助于载流子的注入和/或传输的材料。在只有一个有机层形成在阴极和阳极之间的实施例中，有机层不仅可包含有机发光化合物，而且可包含有助于载流子在该层中注入和传输的特定功能性材料。
已经开发出了许多有机材料用于包括发光层的这些层中。此外，正在开发用于这些层中的许多其它有机材料。在一些实施例中，这些有机材料可以是包含低聚物和聚合物的大分子。在一些实施例中，用于这些层的有机材料可以是相对小的分子。在特定的设计中，本领域技术人员根据各个的层的期望功能和用于相邻层的材料将能够选择用于这些层中的每个的合适的材料。
在操作中，电路在阴极1006和阳极1004之间提供适当的电势。这导致从阳极1004通过置入的有机层向阴极1006流动的电流。在一个实施例中，阴极1006向邻近的有机层1010提供电子。阳极1004向有机层1010注入空穴。空穴和电子在有机层1010中复合，并产生称作“激子”的能量粒子。激子向有机层1010中的有机发光材料传递它们的能量，所述能量用于从有机发光材料发射可见光。由OLED 1000、1001产生和发射的光的光谱特性取决于有机层中的有机分子的特性和组成。本领域普通技术人员可选择一个或多个有机层的组成，以符合特定应用的需要。
还可基于光发射的方向来对OLED装置进行分类。在一种称作“顶发射”型的类型中，OLED装置通过阴极或顶电极1006发光并显示图像。在这些实施例中，阴极1006由相对于可见光透明的或者至少部分透明的材料制成。在特定实施例中，为了避免损失可穿过阳极或底电极1004的任何光，阳极可由基本上反射可见光的材料制成。第二种类型的OLED装置通过阳极或底电极1004发光，称作“底发射”型。在底发射型OLED装置中，阳极1004由相对于可见光至少部分透明的材料制成。通常，在底发射型OLED装置中，阴极1006由基本上反射可见光的材料制成。第三种类型的OLED装置在两个方向上发光，例如，通过阳极1004和阴极1006发光。取决于光发射的方向，基底可由透明的、不透明的或者反射可见光的材料制成。
在许多实施例中，如图8所示，包括多个有机发光像素的OLED像素阵列1021布置在基底1002上方。在实施例中，通过驱动电路(未示出)来控制阵列1021中的像素导通和截止，在阵列1021上多个像素作为整体显示信息或图像。在特定实施例中，相对于其它组件例如驱动和控制电子器件来布置OLED像素阵列1021，以限定显示区和非显示区。在这些实施例中，显示区指基底1002的形成有OLED像素阵列1021的区域。非显示区指基底1002的其余区域。在实施例中，非显示区可包含逻辑和/或电源电路。应该理解，至少有部分控制/驱动电路元件将布置在显示区内。例如，在PMOLED中，导电组件将延伸到显示区中，以向阳极和阴极提供适当的电势。在AMOLED中，与驱动电路结合的数据线/扫描线和局部驱动电路将延伸到显示区中，以驱动和控制AMOLED的单独的像素。
OLED装置中的一个设计和制造考虑为，OLED装置的特定有机材料层由于暴露于水、氧或其它有害气体而会损坏，或者会加速劣化。因此，通常认为，密封或包封OLED装置，以阻止暴露于在制造或操作环境中存在的水分和氧或者其它有害气体。图9示意性地示出了沿着图8的线9-9截取的且具有图8的布局的包封的OLED装置1011的剖视图。在这个实施例中，大体平坦的顶板或基底1061与密封件1071接合，密封件1071还与底板或基底1002接合，以包围或包封OLED像素阵列1021。在其它实施例中，一个或多个层形成在顶板1061或底板1002上，密封件1071通过这样的层与底基底1002或顶基底1061接合。在示出的实施例中，密封件1071沿着底板1002或顶板1061或者OLED像素阵列1021的外围延伸。
在实施例中，由以下将被进一步讨论的玻璃料材料来制造密封件1071。在各种实施例中，顶板1061和底板1002包含可阻断氧和/或水通过的材料，例如塑料、玻璃和/或金属箔，从而保护OLED像素阵列1021不暴露于这些物质。在实施例中，由基本上透明的材料来形成顶板1061和底板1002中的至少一个。
为了延长OLED装置1011的寿命，通常期望密封件1071和顶板1061、底板1002设置氧和水汽基本上不可渗透的密封件，并设置基本上密封的封闭空间1081。在特定应用中表明，与顶板1061、底板1002结合的玻璃料材料的密封件1071的透氧量小于大约10-3cc/m2-day，透水量小于10-6g/m2-day。假设一些氧和水分可渗入封闭空间1081，在一些实施例中，可吸收氧和/或水分的材料形成在封闭空间1081内。
如图9所示，密封件1071的宽度为W，即它在平行于顶基底1061或底基底1002的表面的方向上厚度。所述宽度根据实施例而不同，范围为大约300μm至大约3000μm，可选地为大约500μm至大约1500μm。此外，所述宽度在密封件1071的不同位置可不同。在一些实施例中，在密封件1071接触底基底1002、顶基底1061或形成在底基底1002、顶基底1061上的层中的一个的地方，密封件1071的宽度可以最大。在密封件1071接触其它组件的地方，所述宽度可最小。密封件1071在单个截面中的宽度变化与密封件1071的截面形状和其它设计参数有关。
如图9所示，密封件1071的高度为H，即它在垂直于顶基底1061或底基底1002的表面的方向上的厚度。所述高度根据实施例而不同，范围为大约2μm至大约30μm，可选地为10μm至大约15μm。通常，所述高度在密封件1071的不同位置没有显著变化。然而，在特定实施例中，密封件1071的高度在其不同位置可不同。
在示出的实施例中，密封件1071具有大体上的矩形截面。然而，在其它实施例中，密封件1071可具有其它各种截面形状，例如大体上的正方形截面、大体上的梯形截面、具有一个或多个圆边的截面或者如给定应用的需要所示的其它构造。为了改进密封性，通常期望增大密封件1071与底基底1002或顶基底1061或者形成在底基底1002或顶基底1061上的层直接接触的界面区域。在一些实施例中，可设计密封件的形状，使得可增大界面区域。
密封件1071可布置成紧邻OLED阵列1021，在其它实施例中，密封件1071与OLED阵列1021隔开一定的距离。在特定实施例中，密封件1071包括连接在一起以环绕OLED阵列1021的大体上的线性部分。在特定实施例中，密封件1071的这样的线性部分可大体上平行于OLED阵列1021的各边缘来延伸。在其它实施例中，以与OLED阵列1021的各边缘不平行的关系来布置密封件1071的线性部分中的一个或多个。在其它实施例中，至少部分密封件1071以曲线的方式在顶板1061和底板1002之间延伸。
如上所述，在特定实施例中，采用包含精细的玻璃颗粒的玻璃料材料或者简称为“玻璃料”或“玻璃玻璃料”来形成密封件1071。所述玻璃料颗粒包括氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、氧化硼(B2O3)、氧化钒(V2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化碲(TeO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、氧化铅(PbO)、氧化锡(SnO)、氧化磷(P2O5)、氧化钌(Ru2O)、氧化铷(Rb2O)、氧化铑(Rh2O)、氧化铁(Fe2O3)、氧化铜(CuO)、氧化钛(TiO2)、氧化钨(WO3)、氧化铋(Bi2O3)、氧化锑(Sb2O3)、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃和硼硅酸盐等中的一种或多种。在实施例中，这些颗粒的尺寸范围为大约2μm至大约30μm，可选地为大约5μm至大约10μm，虽然并不仅局限于此。所述颗粒可以与玻璃料密封件1071接触的顶基底1061和底基底1002或者形成在这些基底上的任何层之间的距离大致一样大。
用于形成密封件1071的玻璃料材料还可包括一种或多种填料或者添加剂材料。可提供所述填料或者添加剂材料，以调节密封件1071的整体热膨胀特性，和/或调节密封件1071对选定频率的入射辐射能的吸收特性。所述填料或添加剂材料还可包括转化(inversion)和/或添加剂填料，以调节玻璃料的热膨胀系数。例如，所述填料或添加剂材料可包括过渡金属，例如铬(Cr)、铁(Fe)、锰(Mn)、钴(Co)、铜(Cu)和/或钒。另外的用于填料或添加剂的材料包括ZnSiO4、PbTiO3、ZrO2、锂霞石。
在实施例中，作为干组分的玻璃料材料包含重量百分比为大约20％至大约90％的玻璃颗粒，其余包括填料和/或添加剂。在一些实施例中，玻璃料糊包含重量百分比为大约10-30％的有机材料和重量百分比为大约70-90％的无机材料。在一些实施例中，玻璃料糊包含重量百分比为大约20％的有机材料和重量百分比为大约80％的无机材料。在一些实施例中，有机材料可包含重量百分比为大约0-30％的粘合剂和重量百分比为大约70-100％的溶剂。在一些实施例中，在有机材料中，粘合剂的重量百分比为大约10％，溶剂的重量百分比为大约90％。在一些实施例中，无机材料可包含重量百分比为大约0-10％的添加剂、重量百分比为大约20-40％的填料和重量百分比为大约50-80％的玻璃粉。在一些实施例中，在无机材料中，添加剂的重量百分比为大约0-5％，填料的重量百分比为大约25-30％，玻璃粉的重量百分比为大约65-75％。
在形成玻璃料密封件中，将液体材料添加到干燥的玻璃料材料中，以形成玻璃料糊。具有或者不具有添加剂的有机或无机溶剂可用作液体材料。在实施例中，溶剂包括一种或多种有机化合物。例如，可应用的有机化合物是乙基纤维素、硝化纤维素、羟丙基纤维素、二甘醇一丁醚乙酸酯、萜品醇、丁基溶纤剂、丙烯酸酯化合物。随后，可涂覆这样形成的玻璃料糊，以在顶板1061和/或底板1002上形成密封件1071的形状。
在一个示例性实施例中，最初由玻璃料糊来形成密封件1071的形状，并将密封件1071置于顶板1061和底板1002之间。在特定实施例中，密封件1071可以预先固化或预先烧结到顶板1061和底板1002中的一个。接下来用置于顶板1061和底板1002之间的密封件1071来组装顶板1061和底板1002，选择性地加热密封件1071的部分，使得形成密封件1071的玻璃料材料至少部分熔化。随后使密封件1071再固化，以在顶板1061和底板1002之间形成可靠的结合，从而防止封闭的OLED像素阵列1021暴露于氧或水。
在实施例中，通过照射光例如通过激光器或定向红外灯来对玻璃料密封件进行选择性地加热。如前所述，形成密封件1071的玻璃料材料可与一种或多种添加剂或填料(例如为改进对照射光的吸收而选择的种类)结合，以促进玻璃料材料的加热和熔化，从而形成密封件1071。
在一些实施例中，批量生产OLED装置1011。在图10示出的实施例中，多个单独的OLED阵列1021形成在公共的底基底1101上。在示出的实施例中，各OLED阵列1021被成形的玻璃料环绕，从而形成密封件1071。在实施例中，公共的顶基底(未示出)放置在公共的底基底1101和形成在底基底1101上的结构的上方，使得OLED阵列1021和成形的玻璃料糊置于公共的底基底1101和公共的顶基底之间。包封并密封OLED阵列1021，例如通过用于单个的OLED显示装置的前述的封装工艺来包封并密封OLED阵列1021。所得产品包括通过公共的底基底和公共的顶基底维持在一起的多个OLED装置。随后，将所得产品切成多块，每块构成图9中的OLED装置1011。在特定的实施例中，随后还对单独的OLED装置1011进行另外的封装操作，以进一步改进由玻璃料密封件1071和顶基底1061、底基底1002形成的密封。
图1是示出有机发光显示装置的一个实施例的平面图，图2是从图1中的线I-I'截取的剖视图。如图1和图2所示，有机发光显示装置包括沉积基底10、包封基底20和玻璃料30。沉积基底10是包括像素区11的基底，像素区11包括至少一个有机发光元件。非像素区15形成在像素区11的周围。包封基底20与沉积基底10的形成有机发光元件16的表面相对地粘附。驱动器例如扫描驱动器12和数据驱动器13分别形成在沉积基底10的非像素区15中。
为了将沉积基底10粘附到包封基底20，沿着沉积基底10和包封基底20的边缘涂覆玻璃料30。还利用例如激光束或紫外线照射等方法固化玻璃料30。因为涂覆了玻璃料30，所以由于另外地形成包封材料，阻隔了在细小间隙之间渗透氢、氧、水分等。
在一个实施例中，有机发光显示装置具有在非像素区15中形成的扫描驱动器(宽度为大约0.4mm)和信号线部分(宽度为大约0.3mm)。玻璃料30(宽度为大约0.7mm)形成在像素区11和非像素区15之间的密封体14(宽度为大约1.5mm)的区域中。扫描驱动器的有源区具有大约0.15mm的宽度，扫描驱动器的布线区具有大约0.25mm的宽度。扫描驱动器的有源区指产生扫描信号的半导体集成电路部分。信号线指从扫描驱动器向像素延伸的多条导线。扫描驱动器的布线区指扫描驱动器位于半导体集成电路部分和信号线之间的部分。在非像素区中，在如上所述的宽范围中会形成盲区(dead spaceregion)，因而期望有机发光显示装置会具有更小的尺寸。
因此，特定实施例提供了一种有机发光显示装置及其制造方法，通过形成玻璃料使得玻璃料可与扫描驱动器的一个区域叠置，该有机发光显示装置能够减小盲区。
图3是示出有机发光显示装置的一个实施例的平面图。如图3所示，有机发光显示装置被划分成像素区210和非像素区220。包括第一电极、有机薄膜层和第二电极的有机发光元件形成在像素区210中。非像素区220包括第一基底200中形成有扫描驱动器410的区域。密封第二基底300，并将第二基底300与第一基底200的像素区210和非像素区220隔开。玻璃料320形成在第一基底200的非像素区和第二基底300的非像素区隔开的间隙中，将玻璃料320形成为使它可以与第一基底200的除扫描驱动器410的有源区之外的区域叠置。
有机发光显示装置的第一基底200限定像素区210和环绕像素区210的非像素区220。连接在扫描线104b和数据线106c之间的多个有机发光元件100以矩阵形布置形成在第一基底200的像素区210中。从像素区210中的扫描线104b和数据线106c延伸的扫描线104b和数据线106c形成在第一基底200的非像素区220中。设置用于操作有机发光元件100的电源线(未示出)，用于处理从外部通过焊盘104c和106d提供的信号的扫描驱动单元410和数据驱动单元420向扫描线104b和数据线106c提供所述信号。
图4是从线II-II’截取的剖视图。如图4所示，形成在像素区中的有机发光元件100包括阳极108、阴极111以及形成在阳极108和阴极111之间的有机薄膜层110。有机薄膜层110具有空穴传输层、有机发射层和电子传输层层叠的结构，还可以包括空穴注入层和电子注入层。有机薄膜层110还可以包括用于控制有机发光二极管100的操作的开关晶体管和用于维持信号的电容器。
以下，将详细描述制造有机发光元件100的工艺。在限定像素区210和非像素区220的基底200上形成缓冲层101。缓冲层101抑制由于热而造成基底200损坏，并阻隔离子从基底200扩散。缓冲层101包括绝缘膜，例如氧化硅膜(SiO2)和/或氮化硅膜(SiNX)。限定有源层的半导体层102形成在像素区210的缓冲层101上的区域中。栅极绝缘膜103形成在包括半导体层102的像素区210的上表面中。
栅电极104a形成在半导体层102的上部中的栅极绝缘膜103上。在像素区210中形成与栅电极104a连接的扫描线104b。在非像素区220中，形成从像素区210的扫描线104b延伸的扫描线104b和用于从外部接收信号的焊盘104c。栅电极104a、扫描线104b和焊盘104c包括金属，例如钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)等和它们的合金，和/或以堆叠的结构来形成。
在包括栅电极104a的像素区210和非像素区220的顶表面中分别形成中间层绝缘膜105。将中间层绝缘膜105和栅极绝缘膜103图案化，以形成接触孔，从而暴露半导体层102的区域。形成源电极106a和漏电极106b，使得它们可通过接触孔连接到半导体层102。在像素区210中形成与源电极106a和漏电极106b连接的数据线106c。在非像素区220中，形成从像素区210的数据线106c延伸的数据线106c和用于从外部接收信号的焊盘106d。源电极106a、漏电极106b、数据线106c和焊盘106d包括金属，例如钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)等和它们的合金，和/或以堆叠的结构来形成。
在非像素区220和像素区210的上表面中形成覆盖层107，以使所述表面平坦化。将像素区210的覆盖层107图案化，以形成通孔，从而暴露源电极106a或漏电极106b的区域。阳极108通过通孔与源电极106a或漏电极106b连接。在覆盖层107上形成有机薄膜层110，从而覆盖阳极108的区域。在暴露的阳极108上形成有机薄膜层110。在包括有机薄膜层110的像素限定膜109上形成阴极111。形成具有合适尺寸的密封基底，使得第二基底300与像素区210和非像素区220的一些区域叠置。由透明材料例如玻璃构成的基底可用作第二基底300。在一个实施例中，基底包含氧化硅(SiO2)。
图5是从线III-III’截取的剖视图。如图5所示，沿着第二基底300的对应于非像素区220的边缘形成用于包封的玻璃料320。这里，玻璃料具有大约0.7mm的宽度，并将玻璃料形成为使其可以与除扫描驱动器410的有源区之外的区域叠置。
在一个实施例中，非像素区220中的扫描驱动器410包括扫描驱动器有源区、扫描驱动器布线区和信号线。扫描驱动器的有源区的宽度范围为大约0.02mm至大约0.5mm。可选地，扫描驱动器410具有大约0.7mm的宽度，其中，扫描驱动器的有源区具有大约0.15mm的宽度，扫描驱动器布线区具有大约0.25mm的宽度，信号线部分具有大约0.3mm的宽度。将玻璃料320形成为使得它可以以大约0.25mm和大约0.3mm的宽度分别与扫描驱动器布线区和信号线部分叠置。
玻璃料320不形成在像素区430(1.5mm)中，而形成到除扫描驱动器的有源区之外的范围。当从第一基底或第二基底观察时，在扫描驱动器的有源区和玻璃料之间可存在间隙。但是，所述间隙小于扫描驱动器的有源区的宽度。优选地，所述间隙小于大约0.2mm，所述间隙小于扫描驱动器的有源区的宽度的一半。
结果，可将盲区减小大约0.55mm，也减小了形成有另一个扫描驱动器的另一侧的盲区。因此，在两侧可将盲区减少总共大约1.1mm的宽度。在与像素区210一起延伸并顺序地形成在非像素区220的范围内的缓冲层101、栅极绝缘膜103、中间层绝缘膜105和覆盖层107上形成玻璃料320。
玻璃料320通过包封像素区210来抑制氢、氧和水分渗透，将玻璃料320形成为环绕围绕像素区210的非像素区220的区域。还可以将增强的吸收剂形成在形成有玻璃料320的边缘区域中。在一个实施例中，玻璃料320包含粉状玻璃材料。
利用丝网印刷法或分散法以大约14mm至15mm的高度和大约0.6mm至0.7mm的宽度来涂覆掺杂有至少一种过渡金属的玻璃料糊320。去除水分和/或有机粘合剂，将玻璃料糊320塑化，从而固化玻璃料。
第二基底300布置在形成有有机发光元件100的第一基底200上，使得第二基底300可以与像素区210和非像素区220的至少特定区域叠置。通过在第二基底300的后表面沿着玻璃料320照射激光，玻璃料320熔化并粘附到第一基底200。在一个实施例中，以大约36W至38W的功率照射激光束。以基本上恒定的速度，例如以10至30mm/sec的速度，优选地以大约20mm/sec的速度沿着玻璃料320扫描激光束，以维持更加均匀的熔化温度和粘合力。激光束优选地不照射到图案，例如不照射到对应于玻璃料320的第一基底200的非像素区220上的金属线。
在一个实施例中，玻璃料320形成为仅包封像素区210。在另一实施例中，玻璃料320形成为包封扫描驱动单元410，其中，相应地改变密封基底300的尺寸。玻璃料320可形成在密封基底300上，还可形成在基底200上。可利用激光来熔化玻璃料320并随后将它粘附到基底200，但是也可采用其它功率源，例如红外线。
如上所述，参照附图详细描述了本发明的实施例。应该理解，用在说明书和权利要求中的术语不应被解释为局限于通常的和词典中的意思，而应基于允许发明人为了最佳解释而适当地限定术语的原理，根据与本发明的技术方面对应的含义和理念来解释这些术语。因此，在这里的描述是仅仅为了示出目的的简单示例，并不意在限制本发明的范围。还应理解，在不脱离本发明精神和范围的情况下，可对本发明作出其它等同变化和修改。
Claims (18)
1、一种有机发光显示装置，包括：
第一基底，限定像素区和非像素区；
有机发光像素的阵列，形成在所述第一基底的所述像素区的上方；
第二基底，放置在所述第一基底上方，所述阵列置于所述第一基底和所述第二基底之间；
玻璃料密封件，包括置于所述第一基底和所述第二基底之间的多个延伸部分，结合的所述多个延伸部分环绕所述阵列，使得所述阵列被所述第一基底、所述第二基底和所述玻璃料密封件包封，所述多个延伸部分包括大体在第一方向上延伸的第一延伸部分；
扫描驱动器，形成在所述非像素区的上方并包括半导体集成电路部分，其中，当在第二方向上从所述第一基底或所述第二基底观察时，所述半导体集成电路部分和所述第一延伸部分大体上彼此平行地延伸，在所述半导体集成电路部分和所述第一延伸部分之间没有设置所述多个延伸部分中的任一个，其中，所述第二方向限定所述第一基底和所述第二基底之间的最短的距离，其中，当在所述第二方向上从所述第一基底或所述第二基底观察时，所述第一延伸部分与所述半导体集成电路部分基本上不叠置。
2、如权利要求1所述的装置，其中，所述半导体集成电路部分包括互连的半导体电路元件。
3、如权利要求2所述的装置，其中，所述半导体电路元件包括薄膜晶体管。
4、如权利要求1所述的装置，还包括形成在所述第一基底和所述玻璃料之间的平坦化层，其中，所述扫描驱动器基本上掩埋在所述平坦化层中。
5、如权利要求1所述的装置，其中，所述扫描驱动器包括在所述第二方向上从所述第一基底或所述第二基底观察时与所述第一延伸部分叠置的非半导体集成电路部分。
6、如权利要求1所述的装置，其中，所述半导体集成电路部分具有在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上限定的宽度，其中，当在所述第二方向上从所述第一基底或所述第二基底观察时，在所述半导体集成电路部分和所述第一延伸部分之间在所述第三方向上存在间隙，其中，所述间隙小于大约所述宽度。
7、如权利要求6所述的装置，其中，所述宽度为大约0.02mm至大约0.5mm。
8、如权利要求6所述的装置，其中，所述间隙小于大约0.2mm。
9、如权利要求6所述的装置，其中，所述间隙小于所述宽度的大约一半。
10、如权利要求1所述的装置，其中，当在所述第二方向上从所述第一基底或所述第二基底观察时，所述半导体集成电路部分和所述第一延伸部分在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上基本上不具有间隙。
11、如权利要求1所述的装置，还包括信号线部分，其中，所述信号线部分包括将所述扫描驱动器和所述阵列互连的多条导线，其中，当在所述第二方向上从所述第一基底或所述第二基底观察时，所述第一延伸部分与所述信号线部分叠置。
12、如权利要求11所述的装置，其中，所述扫描驱动器包括置于所述半导体集成电路部分和所述信号线部分之间的布线部分，其中，当在所述第二方向上从所述第一基底或所述第二基底观察时，所述第一延伸部分与所述布线部分叠置。
13、如权利要求1所述的装置，其中，所述玻璃料密封件包含从由MgO、CaO、BaO、Li2O、Na2O、K2O、B2O3、V2O5、ZnO、TeO2、Al2O3、SiO2、PbO、SnO、P2O5、Ru2O、Rb2O、Rh2O、Fe2O3、CuO、TiO2、WO3、Bi2O3、Sb2O3、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃和硼硅酸盐组成的组中选择的一种或多种材料。
14、一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
提供限定像素区和非像素区的第一基底；
在所述第一基底的像素区上方形成有机发光像素的阵列；
在所述第一基底的非像素区上方形成扫描驱动器；
在所述第一基底上方布置第二基底，使得所述阵列置于所述第一基底和所述第二基底之间；
将包括多个延伸部分的玻璃料置于所述第一基底和所述第二基底之间，结合的所述多个延伸部分环绕所述阵列，所述多个延伸部分包括大体在第一方向上延伸的第一延伸部分；
其中，所述扫描驱动器包括半导体集成电路部分，其中，当在第二方向上从所述第一基底或所述第二基底观察时，所述半导体集成电路部分和所述第一延伸部分大体上彼此平行地延伸，在所述半导体集成电路部分和所述第一延伸部分之间没有设置所述多个延伸部分中的任一个，其中，所述第二方向限定所述第一基底和所述第二基底之间的最短的距离，其中，当在所述第二方向上从所述第一基底或所述第二基底观察时，所述第一延伸部分与所述半导体集成电路部分基本上不叠置。
15、如权利要求14所述的方法，其中，所述半导体集成电路部分包括互连的半导体电路元件。
16、如权利要求15所述的方法，其中，所述半导体电路元件包括薄膜晶体管。
17、如权利要求14所述的方法，其中，当在所述第二方向上从所述第一基底或所述第二基底观察时，所述扫描驱动器与所述第一延伸部分叠置。
18、如权利要求14所述的方法，其中，所述扫描驱动器的所述半导体集成电路部分具有在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上限定的宽度，其中，在所述扫描驱动器的所述半导体集成电路部分和所述第一延伸部分之间在所述第三方向上存在间隙，其中，所述间隙小于大约所述扫描驱动器的所述宽度。
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