JP4698133B2 - 有機半導体パターンの形成方法 - Google Patents
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Description
請求項7に記載の発明は、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の有機半導体パターンの形成方法において、前記第二の液体が水であることを特徴とする。
したがって、第一の液体における溶媒の種類に拘わらず、安全かつ安価で扱い易いインクを提供することができる。
請求項7に記載の発明によれば、第一の液体における溶媒の種類に拘わらず、安全かつ安価で扱い易いインクを提供することができる。
有機半導体材料としてのポリ(3−ヘキシルチオフェン)をクロロホルムに溶解することで第一の液体2を作製した。すなわち、実施例1では、クロロホルムが第一の液体における溶媒となる。この第一の液体2を、第二の液体3としての水に混合した後、高速攪拌して分散させることで有機半導体形成用インク1を作製した。なお、実施例1では、第二の液体3としての水に、ノニオン界面活性剤が添加されている。
有機半導体材料としてのポリ(3−ヘキシルチオフェン)をクロロホルムに溶解しただけのインクを作製した。
図6は、実施例2の有機トランジスタアレイを示す説明図である。図6(a)に示すように、絶縁性基板20の上に、通常のフォトリソグラフィ工程によって、ゲート電極21、ゲート絶縁膜22、ソース電極23およびドレイン電極24を順次形成することで、有機トランジスタアレイの基板25を形成した。
比較例2として、上述の比較例1の有機半導体形成用インク1を用い、実施例2と同様にして基板25上に有機半導体層12を形成して有機トランジスタアレイ27を製作した。
実施例2と同様にしてトランジスタアレイ基板25を製作した(図6(a)参照)。
実施例2と同様の版に有機半導体を含有する有機半導体形成用インク1を付着させ、そのパターンを転写体であるスチレン・ブタジエン共重合体ゴムに転写し、その後、実施例2と同様のトランジスタアレイ基板25に転写した。
図7は、実施例5の有機トランジスタアレイを示す説明図である。絶縁性基板20の上に通常のフォトリソグラフィ工程によってゲート電極21、ゲート絶縁膜22、ソース電極23およびドレイン電極24をこの順番で順次形成した。次に基板25表面にメタルマスクをのせて、フッ素系コーティング剤オプツールDSX(製品名、ダイキン工業製)を蒸着することで、図7(a)に示すようなパターンの撥液性材料層28を形成した。
<比較例3>
比較のために、インクとして、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)をクロロホルムに溶解したものを用いたところ、撥液性材料層にも多少のインクが付着し、場所によっては隣どうしのトランジスタの半導体層が電気的に接続されている部分があった。このような部分では、隣のトランジスタからのリーク電流による相互干渉が大きかった。
図8は、実施例6の画像表示装置を示す縦断面図である。図8に示すように、表示装置としての画像表示装置30は、ポリカーボネート基板31と、このポリカーボネート基板31上に形成されたマイクロカプセル層32とを備えている。ポリカーボネート基板31は、ITOからなる透明電極33が形成されている。マイクロカプセル層32は、酸化チタン粒子34とオイルブルーで着色したアイソパー35とを内包するマイクロカプセル36をPVA水溶液に混合した溶液を、ポリカーボネート基板31に塗布することによって形成されている。画像表示装置30は、このマイクロカプセル層32が設けられたポリカーボネート基板31と、実施例3のトランジスタアレイ基板25とを接着することにより構成されている。
3 第二の液体
1 有機半導体形成用インク
4 基板
12 有機半導体材料層
13 電子素子
14 表示装置
15 電子素子アレイ
30 表示装置
Claims (10)
- インクを所定のパターンに応じて噴射することにより基板の表面に有機半導体層を形成する工程を有し、
前記インクは、溶媒中に有機半導体材料が溶解している第一の液体が第二の液体中に分散されており、
前記第二の液体の室温における蒸気圧は、前記第一の液体の室温における蒸気圧よりも小さく、
前記第二の液体の表面張力は、前記第一の液体の表面張力よりも大きいことを特徴とする有機半導体パターンの形成方法。 - 所定のパターンに応じた細孔が設けられている印刷版を通してインクを付与することにより基板の表面に有機半導体材料層を形成する工程を有し、
前記インクは、溶媒中に有機半導体材料が溶解している第一の液体が第二の液体中に分散されており、
前記第二の液体の室温における蒸気圧は、前記第一の液体の室温における蒸気圧よりも小さく、
前記第二の液体の表面張力は、前記第一の液体の表面張力よりも大きいことを特徴とする有機半導体パターンの形成方法。 - 所定のパターンが形成されている印刷版を介してインクを転写することにより基板の表面に有機半導体層を形成する工程を有し、
前記インクは、溶媒中に有機半導体材料が溶解している第一の液体が第二の液体中に分散されており、
前記第二の液体の室温における蒸気圧は、前記第一の液体の室温における蒸気圧よりも小さく、
前記第二の液体の表面張力は、前記第一の液体の表面張力よりも大きいことを特徴とする有機半導体パターンの形成方法。 - 印刷版の表面にインクを付与することにより所定のパターンを形成する工程と、
前記印刷版の表面を基板の表面に接触させることにより前記印刷版の表面に付与されたインクを前記基板の表面に転写する工程を有し、
前記インクは、溶媒中に有機半導体材料が溶解している第一の液体が第二の液体中に分散されており、
前記第二の液体の室温における蒸気圧は、前記第一の液体の室温における蒸気圧よりも小さく、
前記第二の液体の表面張力は、前記第一の液体の表面張力よりも大きいことを特徴とする有機半導体パターンの形成方法。 - 前記印刷版は、液体又は固体に接触した状態で加熱されることにより後退接触角が低下し、気体に接触した状態で加熱されることにより後退接触角が上昇する性質を有する材料を含む層が表面に形成されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の有機半導体パターンの形成方法。
- 基板の表面に撥液性材料を付与することにより所定の撥液性パターンを形成する工程と、
前記撥液性パターンが形成された基板の表面にインクを付与することにより前記撥液性パターンが形成されていない領域に有機半導体層を形成する工程を有し、
前記インクは、溶媒中に有機半導体材料が溶解している第一の液体が第二の液体中に分散されており、
前記第二の液体の室温における蒸気圧は、前記第一の液体の室温における蒸気圧よりも小さく、
前記第二の液体の表面張力は、前記第一の液体の表面張力よりも大きいことを特徴とする有機半導体パターンの形成方法。 - 前記第二の液体が水であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の有機半導体パターンの形成方法。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機半導体パターンの形成方法を用いて、有機半導体パターンを形成する工程を有することを特徴とする電子素子の製造方法。
- 電子素子がアレイ状に配列されている電子素子アレイを製造する方法であって、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機半導体パターンの形成方法を用いて、有機半導体パターンを形成する工程を有することを特徴とする電子素子アレイの製造方法。 - 電子素子がアレイ状に配列されている電子素子アレイを有する表示装置を製造する方法であって、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機半導体パターンの形成方法を用いて、有機半導体パターンを形成する工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
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