JP2005064122A - 有機半導体形成用インク、有機半導体パターン形成方法、電子素子および電子素子アレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 有機半導体材料とこの有機半導体材料を溶解する溶媒とを含む第一の液体2と、第一の液体2が分散されてこの第一の液体2を溶解しない第二の液体3と、を具備する有機半導体形成用インク1とすることで、有機半導体形成用インク1全体としての物性を、第二の液体3の物性によって調整することができるので、第二の液体3の物性を調整することで、基板に対する付着性、成膜後の表面性、安定性、および、取り扱い性を向上させることができる。
【選択図】 図1
Description
有機半導体材料としてポリ3ヘキシルチオフェンを用い、このポリ3ヘキシルチオフェンをクロロホルムに溶解することで第一の液体2を作製した。すなわち、実施例1では、クロロホルムが第一の液体における溶媒となる。この第一の液体2を、第二の液体3としての水に混合した後、高速攪拌して分散させることで有機半導体形成用インク1を作製した。なお、実施例1では、第二の液体3としての水に、ノニオン界面活性剤が添加されている。
有機半導体材料としてポリ3ヘキシルチオフェンを用い、このポリ3ヘキシルチオフェンをクロロホルムに溶解しただけのインクを作製した。
図6は、実施例2の有機トランジスタアレイを示す説明図である。図6(a)に示すように、絶縁性基板20の上に、通常のフォトリソグラフィ工程によって、ゲート電極21、ゲート絶縁膜22、ソース電極23およびドレイン電極24を順次形成することで、有機トランジスタアレイの基板25を形成した。
比較例2として、上述の比較例1の有機半導体形成用インク1を用い、実施例2と同様にして基板25上に有機半導体層12を形成して有機トランジスタアレイ27を製作した。
実施例2と同様にしてトランジスタアレイ基板25を製作した(図6(a)参照)。
実施例2と同様の版に有機半導体を含有する有機半導体形成用インク1を付着させ、そのパターンを転写体であるスチレン・ブタジエン共重合体ゴムに転写し、その後、実施例2と同様のトランジスタアレイ基板25に転写した。
図7は、実施例5の有機トランジスタアレイを示す説明図である。絶縁性基板20の上に通常のフォトリソグラフィ工程によってゲート電極21、ゲート絶縁膜22、ソース電極23およびドレイン電極24をこの順番で順次形成した。次に基板25表面にメタルマスクをのせて、フッ素系コーティング剤オプツールDSX(製品名、ダイキン工業製)を蒸着することで、図7(a)に示すようなパターンの撥液性材料層28を形成した。
<比較例3>
比較のために、インクとしてポリ3ヘキシルチオフェンをクロロホルムに溶解したものを用いたところ、撥液性材料層にも多少のインクが付着し、場所によっては隣どうしのトランジスタの半導体層が電気的に接続されている部分があった。このような部分では、隣のトランジスタからのリーク電流による相互干渉が大きかった。
図8は、実施例6の画像表示装置を示す縦断面図である。図8に示すように、表示装置としての画像表示装置30は、ポリカーボネート基板31と、このポリカーボネート基板31上に形成されたマイクロカプセル層32とを備えている。ポリカーボネート基板31は、ITOからなる透明電極33が形成されている。マイクロカプセル層32は、酸化チタン粒子34とオイルブルーで着色したアイソパー35とを内包するマイクロカプセル36をPVA水溶液に混合した溶液を、ポリカーボネート基板31に塗布することによって形成されている。画像表示装置30は、このマイクロカプセル層32が設けられたポリカーボネート基板31と、実施例3のトランジスタアレイ基板25とを接着することにより構成されている。
3 第二の液体
1 有機半導体形成用インク
4 基板
12 有機半導体材料層
13 電子素子
14 表示装置
15 電子素子アレイ
30 表示装置
Claims (14)
- 有機半導体材料とこの有機半導体材料を溶解する溶媒とを含む第一の液体と、
前記第一の液体が分散されてこの第一の液体を溶解しない第二の液体と、
を具備する有機半導体形成用インク。 - 前記第二の液体は、室温での蒸気圧が前記第一の液体の室温での蒸気圧よりも低い請求項1記載の有機半導体形成用インク。
- 前記第二の液体は、前記第一の液体の表面張力よりも高い表面張力を有する請求項1記載の有機半導体形成用インク。
- 前記第二の液体は、水であることを特徴とする請求項1記載の有機半導体形成用インク。
- 請求項1、2、3または4記載のインクを用いて基板の表面に所定パターンの有機半導体材料層を形成する工程を具備する有機半導体パターン形成方法。
- 請求項1、2、3または4記載のインクを所定のパターンに応じて噴射することにより基板の表面に有機半導体層を形成する工程を具備する有機半導体パターン形成方法。
- 所定のパターンに応じた細孔が設けられた印刷版を通して請求項1、2、3または4記載のインクを付与することにより基板の表面に有機半導体材料層を形成する工程を具備する有機半導体パターン形成方法。
- 所定のパターンが形成された印刷版を介して請求項1、2、3または4記載のインクを転写することにより基板の表面に有機半導体層を形成する工程を具備する有機半導体パターン形成方法。
- 印刷版の表面に請求項1、2、3または4記載のインクを所定パターンで設ける工程と、
前記印刷版の表面を基板に接触させることで前記転写部材表面のインクを前記基板に転写する工程と、
を具備する有機半導体パターン形成方法。 - 前記印刷版は、液体または固体に接触した状態で加熱されることにより後退接触角が低下し、気体に接触したで加熱されることにより後退接触角が上昇する性質を有する材料を含む層を表面に有する請求項8または9記載の有機半導体パターン形成方法。
- 基板表面に撥液性材料による撥液性パターンを形成する工程と、
請求項1、2、3または4記載のインクを前記撥液性パターンが形成された基板表面へ付与することで撥液性材料のない部分に有機半導体層を形成する工程と、
を具備する有機半導体パターン形成方法。 - 基板と、
請求項1、2、3または4記載のインクを用いて前記基板の表面に所定パターンで形成された有機半導体材料層と、
を具備する電子素子。 - 請求項12記載の電子素子がアレイ状に配列された電子素子アレイ。
- 請求項13記載の電子素子アレイを具備する表示装置。
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