JP4689404B2 - 基板処理装置及びこれを用いた基板の処理方法、電子源基板の処理装置及びこれを用いた電子源基板の処理方法 - Google Patents
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Description
前記排気管が、その軸方向先端に開口する排気口を介して前記気密容器内に接続されており、前記ガス導入管が、その軸方向先端に開口する導入口を前記排気管の排気口へ向けて前記排気管内に設けられていることを特徴とする。
排気管とガス導入管とを備え前記基板表面を気密雰囲気下に配置しうる気密容器と、該排気管を介して前記気密容器内を排気する排気手段と、前記ガス導入管を介して前記気密容器内に還元性ガスを導入するガス導入手段とを有し、
前記排気管が、その軸方向先端に開口する排気口を介して前記気密容器内に接続されており、前記ガス導入管が、その軸方向先端に開口する導入口を前記排気管の排気口へ向けて前記排気管内に設けられていることを特徴とする。
排気管とガス導入管とを備え前記基板表面を気密雰囲気下に配置しうる気密容器と、該排気管を介して前記気密容器内を排気する排気手段と、前記ガス導入管を介して前記気密容器内に有機化合物ガスを導入するガス導入手段とを有し、
前記排気管が、その軸方向先端に開口する排気口を介して前記気密容器内に接続されており、前記ガス導入管が、その軸方向先端に開口する導入口を前記排気管の排気口へ向けて前記排気管内に設けられていることを特徴とする。
本発明の第四は、本発明の第一に係る基板処理装置を用いた基板の処理方法であって、
前記基板表面を気密雰囲気下に配置した前記気密容器内を前記排気手段の前記排気管を介して排気する工程と、
前記ガス導入手段の前記ガス導入管を介して前記気密容器内にガスを導入し、該ガスの存在下で前記基板表面に処理を施す工程と
を有することを特徴とする。
本発明の第五は、本発明の第二に係る電子源基板の処理装置を用いた電子源基板の処理方法であって、
前記基板表面を気密雰囲気下に配置した前記気密容器内を前記排気手段の前記排気管を介して排気する工程と、
前記ガス導入手段の前記ガス導入管を介して前記気密容器内に前記還元性ガスを導入し、該還元性ガスの存在下で前記電極対に電圧を印加して前記導電性膜に間隙を形成する工程と
を有することを特徴とする。
本発明の第六は、本発明の第三に係る電子源基板の処理装置を用いた電子源基板の処理方法であって、
前記基板表面を気密雰囲気下に配置した前記気密容器内を前記排気手段の前記排気管を介して排気する工程と、
前記ガス導入手段の前記ガス導入管を介して前記気密容器内に前記有機化合物ガスを導入し、該有機化合物ガスの存在下で前記電極対に電圧を印加して前記炭素或いは炭素化合物を前記間隙近傍の導電性膜上に堆積させる工程と
を有することを特徴とする。
本実施例は、図4に示される表面伝導型電子放出素子を複数備える図5に示される電子源基板を製造するものである。図4、図5において10は電子源基板、21は導電性膜、22はX方向配線、23はY方向配線、25は素子電極、26は炭素膜、27は炭素膜26の間隙、28は絶縁層である。尚、図5においては便宜上炭素膜26を省略している。
図3の処理装置を用いて、実施例1と同様に図5に示す電子源基板10を作製した。
本実施例では排気管16内に設置したガス導入管15の導入口が不図示の駆動機構により上下する構造となっている。活性化処理を行う時には、ガス導入配管15の導入口を駆動機構によってゲートバルブ4よりも基板10に近い排気管16内に降下させる。そして、図3に示すガス供給用のバルブ3c乃至3d及びバルブ3bを開け、有機化合物ガス11とキャリアガス1との混合気体を気密容器12内に導入した。有機化合物ガス11には、エチレン混合窒素ガスを用い、キャリアガス1には、窒素ガスを用いた。気密容器12の不図示の真空計の圧力を見ながら、バルブ3bの開閉度を調整し、気密容器12内の圧力が1.3×10-4Paとなるようにした。
本実施例は、本発明の基板処理装置をプラズマ処理装置に用いた実施例である。図6に本実施例の装置の構成を示す。図中、30は高周波発振器、31は基板、32は気密容器、33はプラズマ処理室、34は排気管、35はゲートバルブ、36は真空ポンプ、37はガス導入管、38は高周波導入窓、39は導波管である。
・高周波:マイクロ波、2.45GHz、投入パワー800W
・圧力:133Pa
・プロセスガス:SiF4/H2=200/800sccm
・成膜時間:1時間
・基板サイズ:300mm角
2 補助ポンプ
3a〜3f バルブ
4 ゲートバルブ
5 電源及び電流制御系からなる駆動ドライバ
6 支持体
7 熱伝導部材
8 接続配線
10 電子源基板
11 有機化合物ガス
12 気密容器
13 ガス流量制御装置
14 水分除去フィルタ
15 ガス導入管
16 排気管
17 メイン真空ポンプ
18 シール部材
21 導電性膜
22 X方向配線
23 Y方向配線
24 取り出し配線
25 素子電極
26 炭素膜
27 間隙
28 絶縁層
30 高周波発振器
31 基板
32 気密容器
33 プラズマ処理室
34 排気管
35 ゲートバルブ
36 真空ポンプ
37 ガス導入管
38 高周波導入窓
39 導波管
Claims (6)
- 排気管とガス導入管とを備え被処理基板表面を気密雰囲気下に配置しうる気密容器と、該排気管を介して前記気密容器内を排気する排気手段と、前記ガス導入管を介して前記気密容器内にガスを導入するガス導入手段とを有し、前記被処理基板表面に処理を施す基板処理装置であって、
前記排気管が、その軸方向先端に開口する排気口を介して前記気密容器内に接続されており、前記ガス導入管が、その軸方向先端に開口する導入口を前記排気管の排気口へ向けて前記排気管内に設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 表面上に、導電性膜と該導電性膜に電圧を印加するための電極対とを備えた素子を複数個備えた基板に対して、気密雰囲気下において還元性ガスを導入し、前記電極対に電圧を印加して前記導電性膜に間隙を形成する電子源基板の処理装置であって、
排気管とガス導入管とを備え前記基板表面を気密雰囲気下に配置しうる気密容器と、該排気管を介して前記気密容器内を排気する排気手段と、前記ガス導入管を介して前記気密容器内に還元性ガスを導入するガス導入手段とを有し、
前記排気管が、その軸方向先端に開口する排気口を介して前記気密容器内に接続されており、前記ガス導入管が、その軸方向先端に開口する導入口を前記排気管の排気口へ向けて前記排気管内に設けられていることを特徴とする電子源基板の処理装置。 - 表面上に、亀裂を有する導電性膜と該導電性膜に電圧を印加するための電極対とを備えた素子を複数個備えた基板に対して、気密雰囲気下において有機化合物ガスを導入し、前記電極対に電圧を印加して炭素或いは炭素化合物を前記間隙近傍の導電性膜上に堆積させる電子源基板の処理装置であって、
排気管とガス導入管とを備え前記基板表面を気密雰囲気下に配置しうる気密容器と、該排気管を介して前記気密容器内を排気する排気手段と、前記ガス導入管を介して前記気密容器内に有機化合物ガスを導入するガス導入手段とを有し、
前記排気管が、その軸方向先端に開口する排気口を介して前記気密容器内に接続されており、前記ガス導入管が、その軸方向先端に開口する導入口を前記排気管の排気口へ向けて前記排気管内に設けられていることを特徴とする電子源基板の処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置を用いた基板の処理方法であって、
前記基板表面を気密雰囲気下に配置した前記気密容器内を前記排気手段の前記排気管を介して排気する工程と、
前記ガス導入手段の前記ガス導入管を介して前記気密容器内にガスを導入し、該ガスの存在下で前記基板表面に処理を施す工程と
を有することを特徴とする基板の処理方法。 - 請求項2に記載の電子源基板の処理装置を用いた電子源基板の処理方法であって、
前記基板表面を気密雰囲気下に配置した前記気密容器内を前記排気手段の前記排気管を介して排気する工程と、
前記ガス導入手段の前記ガス導入管を介して前記気密容器内に前記還元性ガスを導入し、該還元性ガスの存在下で前記電極対に電圧を印加して前記導電性膜に間隙を形成する工程と
を有することを特徴とする電子源基板の処理方法。 - 請求項3に記載の電子源基板の処理装置を用いた電子源基板の処理方法であって、
前記基板表面を気密雰囲気下に配置した前記気密容器内を前記排気手段の前記排気管を介して排気する工程と、
前記ガス導入手段の前記ガス導入管を介して前記気密容器内に前記有機化合物ガスを導入し、該有機化合物ガスの存在下で前記電極対に電圧を印加して前記炭素或いは炭素化合物を前記間隙近傍の導電性膜上に堆積させる工程と
を有することを特徴とする電子源基板の処理方法。
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