JP3667256B2

JP3667256B2 - 電子源の製造装置

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Publication number: JP3667256B2
Application number: JP2001188374A
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Inventors: 明弘木村; 一弘大木
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子源の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子放出素子としては、大別して熱電子放出素子（thermionic cathode）と冷陰極電子放出素子(cold cathode)を用いた２種類のものが知られている。冷陰極電子放出素子には、電界放出型(field emission type)、金属／絶縁層／金属型や表面伝導型（surface conduction type）などの電子放出素子がある。
【０００３】
表面伝導型電子放出素子は基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用するものである。このように新規な構成を有する表面伝導型電子放出素子とその応用に関しては、多数の提案がなされている。その基本的な構成あるいは製造方法などは、たとえば特開平７−２３５２５５号公報などに開示されている。
【０００４】
従来、このような電子源および該電子源を用いた画像形成装置の製造は以下のように行われていた。
すなわち第１の製造方法としては、まず基板上に、各々が導電性膜および該導電性膜に接続された一対の素子電極からなる複数のユニットと、該複数のユニットに接続した配線とを配置した電子源基板を作成する。つぎに、その作成した電子源基板全体を真空チャンバ内に設置する。つぎに、真空チャンバ内を排気した後、外部端子を通じて上記各ユニットに電圧を印加し、各ユニットを構成する導電性膜に間隙を形成する“フォーミング工程”を施す。さらに該真空チャンバ内に有機物質を含む気体を導入し、有機物質の存在する雰囲気下で前記各ユニットにふたたび外部端子を通じて電圧を印加し、前記間隙近傍に炭素あるいは炭素化化合物を堆積させる“活性化工程”を行ない、前記各ユニットを電子放出素子とせしめる。つぎに、その作成した電子源基板と蛍光体が配置された基板とを支持枠を挟んで接合して画像形成装置を作成する。
【０００５】
また、第２の製造方法としては、まず基板上に、各々が導電性膜および該導電性膜に接続された一対の素子電極からなる複数のユニットと、該複数のユニットを接続した配線とを配置した電子源基板を作成する。つぎに、その作成した電子源基板と蛍光体が配置された基板とを支持枠を挟んで接合して画像形成装置のパネルを作成する。その後、該パネル内をパネルの排気管を通じて排気し、パネルの外部端子を通じて上記各ユニットに電圧を印加し各ユニットを構成するの導電性膜に間隙を形成する“フォーミング工程”を行う。さらに、該パネル内に排気管を通じて有機物質を含む気体を導入し、有機物質の存在する雰囲気下で前記各ユニットにふたたび外部端子を通じて電圧を印加し、前記間隙近傍に炭素あるいは炭素化化合物を堆積させる“活性化工程”を行ない、前記各ユニットを電子放出素子とせしめる。その後、パネルに接続した排気管を封止して画像形成装置を作成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記第１の製造方法ではとりわけ、電子源基板が大きくなるに従い、より大型の真空チャンバおよび高真空対応の排気装置が必要となる。また、前記第２の製造方法では画像形成装置のパネル内の空間からの排気および該パネル内空間への有機物質を含む気体の導入に長時間を要する。
【０００７】
本発明は、小型化と操作性の簡易化が可能な電子源の製造装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、製造スピードが向上し量産性に適した電子源の製造装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、電子源放出特性の優れた電子源を製造し得る電子源の製造装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明による電子源の製造装置は、導電体が配置された基板を支持し、該基板の温度を調整する手段を有する支持体と、気体の導入口および気体の排気口を有し、前記基板上の導電体を覆う容器と、前記容器に対する気体の導入および排気を行う手段と、前記導電体に電子放出部を形成するために当該導電体に電圧を印加するための手段と、を備える電子源の製造装置であって、前記支持体は、その上に配置される前記基板における前記導電体が配置された領域の周縁部に、その一方の端部が当該周縁部の内側に、且つその他方の端部が当該周縁部の外側に位置し得るような溝を有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明による電子源の製造方法は、基板上の複数の導電体に電子放出部を形成する電子源の製造方法において、前記電子放出部の形成は、上記電子源の製造装置を用いて行なわれることを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、電子源の製造装置の小型化が達成されるるとともに、電源との電気的接続などの操作性の簡易化が達成される。その上、容器の大きさや形状などの設計の自由度が増し、容器内への気体の導入、容器外への気体の排出を短時間で行うことが可能となる。そのため、製造時間を短縮することができる。また、製造された電子源の電子放出特性の再現性および均一性を向上することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき、本発明の好適な実施の形態を説明する。
図１および図２は本発明の実施形態の一例を示す模式図である。図１(a)〜図１（ｃ）は本発明の製造装置の動作の様子を示した模式図である。図２は本発明の製造装置の主要構成部材を主体に示した模式断面図である。図３は、後述する"フォーミング工程"を施す前の複数のユニット（電極１９および導電性膜１８）と、該ユニットに電圧を印加するために接続された配線２０，２１が配置された基板１を示す模式図である。図４は本発明の製造装置の真空排気ガス供給系および支持体駆動系の配管回路を主体として示した模式図である。図５は本発明の製造装置の温調系および給電系の制御回路を主体として示した図である。図６は本発明に係る製造装置を用いて製造される電子放出素子を複数備える電子源基板を示す模式図である。
【００１２】
本発明において、一対の電極と該電極間を接続する導電性膜とからなる部材を「導電体」あるいは「ユニット」と呼ぶ。この「ユニット」（「導電体」）に前述した“フォーミング工程”、あるいは“フォーミング工程”および“活性化工程”を施すことで、「ユニット」が電子放出素子となる。
【００１３】
図１および図２において、１は導電体（ユニット）を有する基板、２は基板１において導電体（ユニット）が形成された領域、４は容器、５はガス導入管、６は排気管、７はシール部材、８は静電チャック、９は支持体、１０は加熱手段、１１は冷却手段、１２はプローブ、１３はアライメント用カメラ、１４はアライメントユニット、１５は真空チャッキングのための真空吸引穴、１６はヘリウムガス供給管である。
通常、基板１上には、前記「ユニット」が複数個行列状に配置される。そのため「ユニット」が配置された領域２は実質的に四角形状になる。
【００１４】
ここで、本発明における支持体９（静電チャック８）には、図７および図８に示すように導電体（ユニット）が形成された領域２の周縁部分に隙間（溝）６１を設けた構造とした。溝６１は図７および図８に示すように、支持体９の基板１（基板１の前記ユニットが配置された面とは裏の面）との当接面に形成される。また、溝６１は、導電体（ユニット）が配置された領域の外周（周縁部）に沿って配置される。そのため溝６１は、実質的に四角形状に配置される。なお、四角形状に形成される溝６１の４つの角は、必ずしも直角である必要はなく、たとえば円弧状であってもよい。
【００１５】
なお、図７は図１（ｂ）における支持体９の外周部近傍の拡大図であり、図８は支持体９の斜視模式図である。
【００１６】
溝６１は図７に示すように、前記基板１と実質的に当接する２つの端部によって、その幅が規定される。前記基板１はその表面にうねりや反りを有するため、前記２つの端部は、必ずしも図７に示したように当接する訳ではない。
そして、溝６１の内側に位置する一方の端部は、ユニットが配置された領域の外周部よりも内側に位置する。上記内側に位置する端部は、ユニットが配置された領域の外周部よりも１ｍｍ以上内側に位置する。また、上記内側に位置する端部は、ユニットが配置された領域の外周部よりも２ｍｍ以内に位置することが好ましい。
【００１７】
また、溝６１の外側に位置する他方の端部は、ユニットが配置された領域の外周部よりも外側に位置する。上記外側に位置する端部は、ユニットが配置された領域の外周部よりも１０ｍｍ以上外側に位置する。また、上記外側に位置する端部は、基板１の外周部よりも内側に位置する。
【００１８】
支持体９は、電子源基板１を保持し、該基板１の温度を調整するものである。真空チャッキング機構や静電チャック８などの電子源基板１を固定するための固定手段と、加熱手段１０および／または冷却手段１１などの電子源基板１を所定温度に保持するための温度制御手段とを支持体９は有する。
【００１９】
また、上記温度制御手段は“フォーミング工程”と"活性化工程"時において電子源基板１の表面温度を所定の温度に保つことができる。そして基板１表面からの水分の除去や、電気的処理工程（“フォーミング工程”や“活性化工程”）における熱の変動を抑制する機能を有する。
【００２０】
本発明においては“活性化工程”および／または“フォーミング工程”において、導電体（ユニット）が形成された基板１の温度制御を行う。この温度制御は、支持体９の温度制御によって行なう。
基板１の温度制御を行わないと、「ユニット」の数や基板１の材質、あるいは基板１の厚みにもよるが、“フォーミング工程”および“活性化工程”に伴い発生するジュール熱により基板１が破壊される場合がある。また、適切な温度に制御しないと各ユニットに形成される間隙の形状にバラツキが生じ、結果、均一性の低い電子源となってしまう。
【００２１】
さらには、本発明においては、「ユニット」が配置された領域の外周部における温度分布を抑制するために、図７および図８に示すように「ユニット」が配置された領域の周縁部分に対応する支持体９に隙間(溝)６１を設けてある。この構造により、ユニットが配置された領域の周縁部分における熱の逃げを抑制することができる。その結果、ユニットが配置された領域の周縁部分の温度低下を抑制することができ、ユニットが配置された領域の温度分布をいっそう均一化させることができる。
【００２２】
容器４はステンレスやチタン、ガラスなどからなり、特に容器からの放出ガスの少ない材料からなるものが望ましい。容器４は、基板１上のユニットが形成された領域２を覆い、かつ少なくとも内部が１×１０^-4Ｐａから大気圧までの圧力に耐える構造となっている。これにより容器４とユニットが形成された基板１とで囲まれた空間を減圧状態に維持することができる。
【００２３】
容器４と基板１との接合部に配されるシール部材７は、基板１と容器４との気密性を保持するためのものであり、Ｏリングやゴム性シートなどが用いられる。シール部材７はまた、基板１の複数のユニットが配置された領域２の外側で基板１と接触する。なお、基板１上のシール部材７が当接する場所（図３における符号３参照）は、配線２０，２１の上などにおいても行われる。
【００２４】
ここで、本発明における「取出し配線」とは図３に示すように、ユニット（一対の電極１９と導電性膜１８とで構成される）と外部の電源とを接続するための配線２０，２１の一部（端部）であり、容器４と基板１とで囲まれる空間外の領域（大気に曝される領域）に位置する配線である。
【００２５】
排気管６は図４に示される配管を通じて真空ポンプ３３に接続され、容器４と基板１とで囲まれた空間内を排気する。ガス導入管５は、容器４と基板１とで囲まれた空間内に所定のガスを導入するためのものである。この導入されるガスは、“活性化工程”に用いられる有機物質や“フォーミング工程”に用いられる水素ガスなどである。
【００２６】
プローブ１２は容器４の外側にあり、大気中に露出した配線（取出し配線）と接続する。取出し配線は、図３における配線２０，２１の一部であり、特に容器４で基板１を覆った際に大気中に露出される位置（領域３の外側）にある配線２０，２１を指す。また、プローブ１２はプローブユニット１４に固定され、プローブユニット１４には、アライメントのためのカメラ１３を有する。カメラ１３で基板１上のアライメントマークの位置を読み取り、プローブユニット１４の位置を基板１の位置と合わせ、プローブ１２が大気中に露出した取出し配線に確実に接触するように位置決めされる。
【００２７】
また、図４において、３１は管、３２はバルブ、３３は真空ポンプ、３４は活性化ガス供給配管、３５は活性化ガスバルブ、３６は活性化ガスボンベ、３７はフォーミングガス供給管、３８はフォーミングガス供給バルブ、３９はフォーミングガスボンベ、４３はチャックヘの排気のためおよびガス導入のための配管、４４はバルブ、４５は真空ポンプ、４６は切替えバルブ、４７はバルブ、４８はヘリウムガスなどのガス供給源、４９は支持体昇降駆動モータ、５０は支持体昇降動力伝達軸、５１は支持体昇降駆動モータ４９への電気配線、５２は支持体昇降駆動モータ制御器である。
【００２８】
図５において、７１は支持体９の温度を測定するためのセンサ、７２は温度信号配線、７３はヒータ制御装置、７４はヒータとヒータ制御装置７３とを接続する配線、７５は冷却水供給制御装置、７６は冷却水配管、７７はバルブ、７８は静電チャックへの電圧供給源、９１はプローブアライメントユニットの昇降アクチェータ、９２はプローブアライメントアクチェータ、９５はアクチェータ駆動制御装置、９３，９４はアクチェータ９１、９２とアクチュエータ駆動制御装置とを接続する配線、９６はアライメントマークの読取りカメラ１３からの信号配線、９８は駆動ドライバ、９７は駆動ドライバ９８とプローブ１２とを接続する配線である。
【００２９】
つぎに、上記構成の製造装置を用いた電子源の製造方法の一例を、図１〜図５を用いて説明する。
まず、表面に複数の導電体（導電性膜１８と一対の電極１９とから構成されるユニット）と、該導電体に接続するＸ方向配線２０およびＹ方向配線２１とが形成されたガラス基板１（図３）を、支持体９の上に載置する。
導電性膜はたとえば、Ｎｉ，Ａｕ，ＰｄＯ，Ｐｄ，Ｐｔ等の導電性材料からなる薄膜である。なお、図３において、３は容器４と基板１との間に配置されるシール部材７が、基板１に当接する領域である。
【００３０】
つぎに、温度センサ７１によって支持体９の表面近傍の温度を測定し、所望の温度（第１の温度））になるように、ヒータ制御装置７３と加熱手段１０によって支持体９の温度を制御する。
【００３１】
また、このときバルブ４４および４６を開くとともにバルブ４７を閉じて、配管４３を通して真空吸引穴１５から基板１を真空吸着することにより、基板１を支持体９表面に密着させる。また、静電チャック８には電圧供給源７８で電圧が印加され、基板１は静電チャック表面に静電吸着される（図１（ａ））。
【００３２】
つぎに、支持体昇降駆動モータ制御器５２から支持体昇降駆動モータ４９に信号を送り、支持体昇降動力伝達軸５０によって支持体９を上昇させる。支持体９が上昇することで、基板１の上面と容器４のシール部材７とを接触させる（図１（ｂ））。
【００３３】
プローブ１２と配線２０，２１との接続は、以下のように行なわれる。
アライメントカメラ１３で基板１表面のアライメントマークを読み、基板１上の取出し配線の位置をアクチェータ駆動制御装置９５で算出する。ついで、その算出値に対してアクチェータ駆動制御装置９５よりアクチェータ配線９４を通しプローブアライメントアクチェータ９２を動かす。そして、プローブ１２の先端が取出し配線上に位置決めされるようにアライメントユニットの位置をＸＹ方向において調整する。プローブアライメントユニットの昇降アクチェータ９１に信号を送り、プローブユニットをＺ方向に下降させ、取出し配線とプローブ１２の先端を接触させる。
【００３４】
つぎに、真空排気バルブ３２を開き、排気管６に接続された管３１を通し、真空ポンプ３３により容器４と基板１とで囲まれた空間内を所望の真空度（たとえば１×１０^-4Ｐａ以上）になるまで排気する。
つぎに、導電性膜に酸化物を用いた場合には、フォーミングガス供給バルブ３８を開き、ガス導入管５に接続された管３７を通し、フォーミングガスボンベ３９から容器４と基板１とで囲まれた空間内に水素を導入する。導電性膜に酸化物を用いない場合には、このフォーミングガス（水素）の導入は行わない。
【００３５】
そして、駆動ドライバ９８からプローブ１２に電流を供給し、Ｘ方向配線２０およびＹ方向配線２１を通じて、各ユニットに電圧（好ましくはパルス電圧）を印加する「フォーミング工程」を行う。この「フォーミング工程」により、各ユニットを構成する導電性膜１８に間隙を形成する。「フォーミング工程」は、導電性膜１８に流れる電流を測定し、十分に高抵抗（たとえば１ＭΩ以上）になったところで終了する。
【００３６】
つぎに、バルブ３８を閉じ、真空バルブ３２を開き、容器４と基板１とで囲まれた空間内を排気する。そして、活性化ガスバルブ３５を開き、ガス導入管５に接続された管３４を通して活性化ガスボンベ３６から有機物質などの炭素化合物ガスを容器４と基板１とで囲まれた空間内に導入する。このときガス圧調整器で供給するガス圧を調整しながら、容器４と基板１とで囲まれた空間内のガス圧が所望の圧力（たとえば１×１０^-4Ｐａ）になるように保つ。またこの時、支持体９の温度は、前記フォーミング工程で設定した温度に維持した。
【００３７】
つぎに、駆動ドライバ９８を用いてプローブ１２を介して、Ｘ方向配線２０およびＹ方向配線２１を通じて各ユニットに電圧印加を開始し、「活性化工程」を行う。この「活性化工程」により、前記“フォーミング工程”により形成した間隙内および間隙近傍の導電性膜上に炭素膜が配置される。なお、“活性化工程”はユニットを構成する一対の電極間を流れる電流が所望の値に達した時点で終了する。
以上の工程により各ユニットが電子放出素子となり、その結果、電子源基板（図６）が形成される。
【００３８】
上記“活性化工程”を行っている最中は、支持体９の表面温度を温度センサ７１で測定しながら、所望の温度（第２の温度））になるようにヒータ制御装置７３と加熱手段１０または冷却手段１１によって支持体９の温度を制御する。
上記“活性化工程”終了後、プローブ１２を取出し配線から離脱させる。そして活性化ガスバルブ３５を閉じ、容器内の活性化ガスを排気する。
【００３９】
つぎに、支持体昇降駆動モータ制御器５２から支持体昇降駆動モータ４９に信号を送り、支持体昇降動力伝達軸５０で支持体９を下降させ、基板１と容器４のシール部材７とを分離する。最後に支持体９の表面から電子放出素子が多数配列された電子源基板１を取り出す。
【００４０】
図７に示すような上述の装置を用いて製造された電子源基板１と、蛍光体とアノード電極が設けられたフェースプレートとを枠部材およびスペーサを介してフリットガラスなどの接合部材を用いて封着し、画像形成装置を作成する。
【００４１】
本発明において、プローブ１７と、基板１の取出し配線とをコンタクトさせて上記“フォーミング工程”あるいは“活性化工程”を行うと、各ユニット（導電体）が発熱する。上記“フォーミング工程”あるいは“活性化工程”中における各ユニットで発生するジュール熱にバラツキがあると、形成される電子放出素子毎の電子放出特性にバラツキを生じたり、悪影響を及ぼす。そのため基板１表面の温度をできるだけ一定に保持する必要がある。そこで、本発明においては上記“フォーミング工程”時および“活性化工程”時には、支持体９の温度制御を行うことで基板１の温度制御を行う。
【００４２】
また、本発明ではプローブ１７を取出し配線に接触させる前に、基板１および支持体９の温度を、上記“フォーミング工程”時および“活性化工程”時の設定温度（前記第１あるいは第２の温度）よりも低い温度とする。そして、その状態でプローブ１７を取出し配線にコンタクトさせ、上記“フォーミング工程”あるいは“活性化工程”を開始すると共に基板１の温度が前記第１あるいは第２の温度になるように、支持体９の温度制御を行う。
【００４３】
この様な本発明の製造プロセスを採用することで、“フォーミング工程”時および“活性化工程”時に、基板１の取出し配線とプローブ１７の先端との相対位置がずれることを抑制することができる。
もし、上記のような手法による基板１の温調をせずに、室温の状態で取出し配線とプローブ１７とをコンタクトさせ、その後、温度制御を行いながら“フォーミング工程”あるいは“活性化工程”を行った場合には、基板１の熱膨張あるいは収縮により基板１の取り出し配線とプローブ１７の先端との相対位置がずれてしまう場合がある。また、そのずれ量が大きいと、取出し配線からプローブ１７が離れてしまい、“フォーミング工程”あるいは“活性化工程”を行うことができない場合がある。
【００４４】
しかしながら、上記したような本発明の製造プロセスを採用することにより、基板１の熱膨張あるいは熱収縮に伴う形状変化によるプローブと取出し配線の相対位置の変動を抑制することができる。その結果、安定して均一性の高い電子放出素子および電子源を作成することができる。
【００４５】
そしてまた、本発明の製造装置を用いた製造方法では、“フォーミング工程”および“活性化工程”に要する時間を大幅に短縮することができると同時に、均一性に優れた電子源ならびに画像形成装置を簡易に形成することができる。
【００４６】
【実施例】
（実施例１）
この実施例では前述した支持体９（静電チャック８の側面）に設けた隙間６１の寸法を、図９に示すように複数のユニットが形成された領域２の周縁部分から内側１ｍｍ、外側１５ｍｍとした。
このような電子源の製造装置を用いると、“活性化工程”中において、複数のユニットが形成された領域の温度分布は、９．５℃となり、均一性の高い電子放出素子を形成することができた。
【００４７】
（実施例２）
この実施例では装置の概略構成および各部品は実施例１と同様であり、静電チャック８に設けた隙間６１の寸法を、図１０に示すように複数のユニットが形成された領域２の周縁部分から内側２ｍｍ、外側１５ｍｍとした。
このような電子源の製造装置を用いると、“活性化工程”中において、複数のユニットが形成された領域の温度分布は、図１０に示すように６．２℃になった。本実施例で作成した電子源基板の電子放出特性の均一性が実施例１と同等以上であった。
【００４８】
（実施例３）
この実施例では装置の概略構成および各部品は実施例１と同様であり、静電チャック８に設けた隙間６１の寸法を、図１１に示すように複数のユニットが形成された領域２の周縁部分から内側１ｍｍ、外側２５ｍｍとした。
このような電子源の製造装置を用いると、“活性化工程”中において、複数のユニットが形成された領域の温度分布は、図１１に示すように９．１℃になった。本実施例で作成した電子源基板の電子放出特性の均一性が実施例１と同等以上であった。
【００４９】
（実施例４）
この実施例では装置の概略構成および各部品は実施例１と同様であり、静電チャック８に設けた隙間６１の寸法を、図１２に示すように複数のユニットが形成された領域２の周縁部分から内側２ｍｍ、外側２５ｍｍとした。
このような電子源の製造装置を用いると、“活性化工程”中において、複数のユニットが形成された領域の温度分布は、図１２に示すように５．７℃になった。本実施例で作成した電子源基板の電子放出特性の均一性が実施例１と同等以上であった。
【００５０】
（実施例５）
実施例１〜４で作成した各々の電子源基板と、蛍光体および電子源から放出された電子を加速するためのアノード（メタルバック）が形成された透明な基板とを対向させ、内部を１０^-8Ｔｏｒｒ程度の真空度に維持したディスプレイを作成した。本実施例で作成した４種類のディスプレイ（画像形成装置）は、各々の表示画像は均一性が高く、安定な画像を長時間維持することができた。
【００５１】
（比較例）
この例では装置の概略構成および各部品は実施例１と同様であるが、図１３に示すように、支持体９（静電チャック８の側方）に隙間を設けない構造とした。このような電子源の製造装置を用いると、“活性化工程”中において、複数のユニットが形成された領域の温度分布は、図１３に示すように１９．１℃になり、実施例１で形成した電子源基板に比較し、その均一性が低かった。また、本比較例の装置を用いて製造した電子源においては、“活性化工程”中において、基板の変形により、プローブ１２と取り出し配線との電気的コンタクトが失われる場合があった。
【００５２】
ここで、図１４は各実施例および比較例をまとめたものである。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、小型化と操作性の簡易化が可能な電子源の製造装置を提供することができる。また、製造スピードが向上し、量産性に適した電子源の製造方法を提供することができる。さらに本発明によれば、電子放出特性に優れた電子源を製造し得る電子源の製造装置および製造方法を提供することができる。そして本発明によれば、画像品位の優れた画像形成装置を提供することができる等の利点を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態における動作を順に示す図である。
【図２】本発明の実施形態における装置の断面図である。
【図３】本発明の実施形態における電子放出部形成前の電子源基板を示す図である。
【図４】本発明の実施形態における配管および回路図である。
【図５】本発明の実施形態における制御回路図である。
【図６】本発明の実施形態における素子を複数備える電子源基板を示す図である。
【図７】本発明の実施形態における装置の部分断面図である。
【図８】本発明の実施形態における支持体の斜視図である。
【図９】本発明の実施形態における第１の実施例を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態における第２の実施例を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態における第３の実施例を示す図である。
【図１２】本発明の実施形態における第４の実施例を示す図である。
【図１３】本発明に対する比較例を示す図である。
【図１４】本発明の各実施例および比較例を併記した図である。
【符号の説明】
１基板
２電子放出素子が形成された領域
４容器
５ガス導入管
６排気管
７シール部材
８静電チャック
９支持体
１０加熱手段
１１冷却手段
１２プローブ

Claims

導電体が配置された基板を支持し、該基板の温度を調整する手段を有する支持体と、気体の導入口および気体の排気口を有し、前記基板上の導電体を覆う容器と、前記容器に対する気体の導入および排気を行う手段と、前記導電体に電子放出部を形成するために当該導電体に電圧を印加するための手段と、を備える電子源の製造装置であって、
前記支持体は、その上に配置される前記基板における前記導電体が配置された領域の周縁部に、その一方の端部が当該周縁部の内側に、且つその他方の端部が当該周縁部の外側に位置し得るような溝を有することを特徴とする電子源の製造装置。
前記導電体は、一対の電極と該電極間に配置された導電性膜とを有し、前記支持体上に複数配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電子源の製造装置。
前記溝が、前記導電体が配置された領域の周縁部に沿って実質的に四角形状に設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の電子源の製造装置。
前記溝は、その一方の端部が、前記周縁部よりも１ｍｍ以上内側に位置し得るような溝であることを特徴とする請求項３に記載の電子源の製造装置。
前記溝は、その他方の端部が、前記周縁部よりも１０ｍｍ以上外側に位置し得るような溝であることを特徴とする請求項３または４に記載の電子源の製造装置。
基板上の複数の導電体に電子放出部を形成する電子源の製造方法において、
前記電子放出部の形成は、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子源の製造装置を用いて行なわれることを特徴とする電子源の製造方法。