JP4675871B2 - 表示装置とその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は表示装置とその製造方法に係り、より詳しくは、有機薄膜トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＯＴＦＴ）を含む表示装置とその製造方法に関する。
最近、表示装置の中で小型、軽量化の長所を有する平板表示装置（ｆｌａｔ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）が脚光を浴びている。このような平板表示装置には、液晶表示装置（ＬＣＤ）及び有機電界発光装置（ＯＬＥＤ）などがあり、画像を具現するために少なくとも一つの薄膜トランジスタを含む。薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）は、各ピクセルの動作を制御及び駆動するスイチング及び駆動素子であって、ゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に位置する半導体層とを含む。ここで、半導体層は非晶質シリコンやポリシリコンが用いられるが、最近、有機半導体の適用が進められている。
有機半導体（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：ＯＳＣ）は、常温、常圧で形成できるので、工程単価を低めることができ、熱に弱いプラスチック基板に適用することができる長所がある。そのために有機半導体が適用された薄膜トランジスタは、大面積であることや大量生産可能な次世代表示装置の駆動素子として評価を受けている。このような有機半導体は、コーティング、露光、及び現像などの複雑な工程を経ず、簡単なインクジェット方式によって形成されることができる。有機半導体をインクジェット方式によって形成するために、有機半導体が位置する領域（チャネル領域）を露出させる開口を有する隔壁を形成し、前記開口に有機半導体溶液をジェッティングした後に、溶剤除去過程を経て有機半導体層を形成する。
しかし、有機半導体層を含む薄膜トランジスタは非常に小さい素子であるため、有機半導体溶液が開口に正確にジェッティングされるように制御することは難しい。そのためにジェッティングされる有機半導体溶液が隔壁上に位置し、これによって有機半導体層の厚さが各画素ごとに変わって各有機薄膜トランジスタの特性が異なって現われる問題点がある。このような問題点を解決するために、隔壁上に位置する有機半導体溶液が前記開口に流入するように隔壁の表面を表面処理する。表面処理によって隔壁の表面は撥水性及び撥油性を有するようになり、隔壁上の有機半導体溶液は閉空間内部に流入するようになる。
しかし、このような表面処理によって、有機半導体層の下部に位置するゲート絶縁膜の特性が変化し得、これによって有機薄膜トランジスタの特性が低下するという問題点がある。
韓国公開特許２００５−０２３０１２号公報
そこで、本発明の目的は、薄膜トランジスタの特性を向上させることができる表示装置の製造方法を提供することにある。
また、薄膜トランジスタの特性が向上した表示装置を提供することにある。
前記目的は、本発明１によって、
絶縁基板上にゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と；
前記ゲート配線の形成後に、前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する段階と；
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極を中心に相互離隔してチャネル領域を定義するソース電極及びドレイン電極を含む電極層を形成する段階と；
前記電極層上に前記チャネル領域と、前記ソース電極の一部と、前記ドレイン電極の一部とを露出させる第１開口を有する第１隔壁を形成する段階と；
前記第１開口内部に前記チャネル領域を覆うように遮断膜を形成する段階と；
前記第１隔壁の表面を表面処理する段階と；
前記遮断膜を除去する段階と；
前記第１開口内部に有機半導体層を形成する段階とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法によって達成される。
ソース電極及びドレイン電極間に露出されたゲート絶縁膜１６０（チャネル領域Ｃ）が、遮断膜に覆われた状態で表面処理を行うため、チャネル領域Ｃでは表面処理が行われない。つまり、チャネル領域Ｃの表面は、撥水性及び撥油性を有するように表面処理されずに済む。一方、遮断膜に覆われなかった、ソース電極、ドレイン電極及び第１隔壁の表面等は、撥水性及び撥油性を有するように処理されるとともに、ＳＡＭ処理の際に自己組立単層膜の濃度を増加させる様な処理がなされる。よって、第１開口に導入された有機半導体溶液１８６を、チャネル領域Ｃ上に均一に広げることができる。また、チャネル領域Ｃ以外のところは、洗浄されて埃等が除去され、さらに撥水性及び撥油性がなされているため、有機半導体溶液を第１開口に自然に流入させることができる。以上より、有機半導体層とチャネル領域Ｃ上のゲート絶縁膜との間の界面特性が向上し、さらに有機半導体層を均一に形成することができる。さらに、ソース電極及びドレイン電極と有機半導体層との接触抵抗を減少させて電荷移動度を高めることができる。そのため、有機薄膜トランジスタの特性を向上することができる。
発明２は、発明１において、電極層は透明な導電性物質を含むことができる。
発明３は、発明１において、遮断膜の形成は、遮断物質層を形成する段階と、所定パターンの開口部を有するマスクを利用して露光する段階と、遮断物質層を現像する段階とを含むことができる。
発明４は、発明１において、遮断膜はインクジェット法によって形成されることができる。インクジェット方式は、フォトエッチング工程によるパターニング工程が無い。よって、フォトエッチング工程に用いられる化学物質から有機半導体層を保護することができ、有機薄膜トランジスタの特性が損傷することを減少させることができる。
発明５は、発明４において、有機半導体層上に保護膜を形成する段階をさらに含み、有機半導体層及び保護膜のうちの少なくとも一つはインクジェット法によって形成されることができる。インクジェット方式は、フォトエッチング工程によるパターニング工程が無い。よって、フォトエッチング工程に用いられる化学物質から有機半導体層を保護することができ、有機薄膜トランジスタの特性が損傷することを減少させることができる。
発明６は、発明１において、表面処理は、Ｏ２プラズマ処理と、ＣＦ４プラズマ処理と、自己組立単層膜（ｓｅｌｆ ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ；ＳＡＭ）処理のうちの少なくとも一つを含むことができる
発明７は、発明１において、電極層は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ
ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）のうちのいずれか一つを含んでなることができる。
ここで、ゲート絶縁膜は、データ配線とゲート配線とを相互絶縁させる役割を果たすことと同時に、耐火学性及び耐プラズマ性が脆弱な有機半導体層に不純物が流入することを防止する。
発明８は、発明７において、ゲート絶縁膜は、１．０乃至３．０の誘電率を有することができる。これにより、ソース及びドレイン電極１７１、１７３とゲート電極１４３との間の容量ＣｇｄまたはＣｇｓを減少させ、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）の特性を向上させることができる。
発明９は、発明１において、有機半導体層は、テトラセンまたはペンタセンの置換基を含む誘導体；チオフェン環の２、５位置を通じて４乃至８個が連結されたオリゴチオフェン；ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドまたはそのイミド誘導体；ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドまたはそのイミド誘導体；金属化フタロシアニンまたはそのハロゲン化誘導体、ペリレンまたはコロネンとその置換基を含む誘導体；チエニレン及びビニレンのコオリゴマーまたはコポリマー；チオフェン；ペリレンまたはコロネンとそれらの置換基を含む誘導体；または前記物質のアロマチックまたはヘテロアロマチック環に炭素数１乃至３０個のハイドロカーボンチェーンを１個以上含む誘導体のうちから選択されたいずれか一つを含んでなることができる。
発明１０は、発明１において、絶縁基板とゲート配線との間にゲート配線と絶縁交差して画素を定義するデータ配線と、データ配線上に層間絶縁膜を形成する段階とをさらに含むことができる。
データ配線を先に形成し、層間絶縁膜で覆うため、データ配線の形成過程で用いられる化学物質またはプラズマからゲート絶縁膜を保護し、有機半導体層の特性が劣化することを防止することができる。
発明１１は、発明１０において、層間絶縁膜は、下部の第１層間絶縁膜と上部の第２層間絶縁膜とを含み、第１層間絶縁膜は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）のうちのいずれか一つを含む無機膜で形成され、第２層間絶縁膜は有機物質を含む有機膜で形成されることができる。
発明１２は、発明１において、ゲート絶縁膜の形成は、ゲート電極を露出させる第２開口を有する第２隔壁を層間絶縁膜上に形成する段階と、インクジェット法によって前記第２開口の内部にゲート絶縁膜を形成する段階とを含むことができる。
発明１３は、発明５において、保護膜は、下部の第１保護膜と上部の第２保護膜とを含み、第１保護膜は、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙ Ｔｅｔｒａ ｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＦＥＰ（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ＰＦＡ（Ｐｏｌｙ Ｆｌｕｏｒｏ Ａｌｋｏｘｙ）、ＥＴＦＥ（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｔｒａ Ｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＶＤＦ（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、ペルフルオロ（アルケニルビニルエーテル（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏ（ａｌｋｅｎｙｌｖｉｎｙｌ ｅｔｈｅｒｓ））の共重合から得られた環状（ｃｙｃｌｉｚｅｄ）の透明高分子からなる群のうちのいずれか一つを含み、前記第２保護膜はＩＴＯ及びＩＺＯのうちのいずれか一つを含んでなることができる。
本発明１４の目的は、絶縁基板上にゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と；ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する段階と；ゲート絶縁膜上に電極物質層を形成する段階と；電極物質層上に前記電極物質層の少なくとも一部を露出させる第１開口を有する第１隔壁を形成する段階と；第１隔壁の表面を表面処理する段階と；電極物質層をパターニングして、ゲート電極を中心に相互離隔配置されているソース電極とドレイン電極を含む電極層を形成する段階と；第１開口の内部に有機半導体層を形成する段階とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法によって達成される。
ゲート絶縁膜が電極物質層によって覆われているので、表面処理の際に用いられるプラズマ及び化学物質などがゲート絶縁膜に流入できなくなる。従って、ゲート絶縁膜の性質が変化せず、有機半導体溶液はチャネル領域Ｃ上に均一に広がるようになって有機薄膜トランジスタの特性が向上する。
発明１５は、発明１４において、電極物質層は透明な導電性物質を含むことができる。
発明１６は、発明１５において、電極層の形成は、第１隔壁と前記電極物質層上に感光膜を形成する段階と、感光膜上に所定パターンの開口部を有するマスクを配置して露光する段階と、感光膜を現像して電極層として形成される領域に対応する感光膜だけを残す段階と、感光膜を利用して電極物質層をエッチングする段階と；感光膜を除去する段階とを含むことができる。
発明１７は、発明１５において、絶縁基板とゲート配線との間にゲート配線と絶縁交差して画素を定義するデータ配線を形成する段階と、データ配線を覆うように層間絶縁膜を形成する段階とをさらに含むことができる。
発明１８は、発明１７において、ゲート絶縁膜の形成は、ゲート電極を露出させる第２開口を有する第２隔壁を層間絶縁膜上に形成する段階と、インクジェット法によって第２開口の内部にゲート絶縁膜を形成する段階とを含むことができる。
発明１９は、発明１８において、データ配線はデータ線を含み、層間絶縁膜の少なくとも一部を露出させる隔壁接触口を第２開口と同時に第２隔壁に形成する段階と、データ線の一部を露出させて前記隔壁接触口に対応するように絶縁膜接触口を層間絶縁膜上に形成する段階とをさらに含むことができる。
発明２０は、発明１９において、層間絶縁膜の形成後に、層間絶縁膜にデータ線の一部を露出させる絶縁膜接触口を形成する段階と、第２開口の形成と同時に絶縁膜接触口に対応する隔壁接触口を第２隔壁に形成する段階とをさらに含むことができる。
発明２１は、本発明によって、絶縁基板上に形成されているゲート電極を含むゲート配線と；ゲート電極上に形成されているゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上にゲート電極を中心に相互離隔形成されてチャネル領域を定義するソース電極とドレイン電極を含む透明電極層と；チャネル領域に形成されている有機半導体層とを含み、ソース電極と前記ドレイン電極各々の表面は、ＳＡＭ（ｓｅｌｆ ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）処理に対する互いに異なる反応性を有することを特徴とする表示装置によって達成される。
発明２２は、発明２１において、ゲート絶縁膜上の互いに対向している前記ソース電極と前記ドレイン電極との端部は、端部以外の部分と比べてＳＡＭ処理に対する反応性が低いことがある。
本発明によれば、薄膜トランジスタの特性を向上させることができる表示装置の製造方法が提供される。
添付された図面を参照して、本発明についてさらに詳細に説明する。以下において、ある膜（層）が他の膜（層）の‘上に’形成されて（位置して）いるということは、二つの膜（層）が接している場合だけでなく、二つの膜（層）の間に他の膜（層）が存在する場合も含む。
図１は本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタ基板の配置図を概略的に示したものであり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
本発明による薄膜トランジスタ基板１００は、絶縁基板１１０と、絶縁基板１１０上に形成されているデータ配線１２１、１２３と、データ配線１２１、１２３上に形成されている層間絶縁膜１３０と、層間絶縁膜１３０上に形成されているゲート配線１４１、１４３、１４５と、ゲート配線１４１、１４３、１４５の少なくとも一部を露出させる第２開口１５１と、隔壁接触口１５３を有する第２隔壁１５０と、第２開口１５１の内部に形成されているゲート絶縁膜１６０と、ゲート電極１４３を中心に相互離隔してチャネル領域Ｃを定義するソース電極１７１及びドレイン電極１７３を含む電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９と、電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９上のチャネル領域Ｃと、ソース電極１７１の一部及びドレイン電極１７３の一部を露出させる第１開口１８１を有する第１隔壁１８０と、第１開口１８１の内部に形成されている有機半導体層１８５をと含む。
絶縁基板１１０は、ガラスまたはプラスチックで作られることができる。絶縁基板１１０がプラスチックで作られる場合、薄膜トランジスタ基板１００に柔軟性を付与することができる長所があるが、絶縁基板１１０が熱に弱い短所がある。本発明のように有機半導体層１６０を使用すれば、半導体層の形成を常温、常圧で行うことができるため、プラスチック素材の絶縁基板１１０の使用に適しているという長所がある。ここで、プラスチックの種類としては、ポリカーボン（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などが挙げられる。
データ配線１２１、１２３は前記絶縁基板１１０上に形成されている。データ配線１２１、１２３は、絶縁基板１１０上に一方向に延長されているデータ線１２１と、前記データ線１２１の端部に備えられ外部から駆動または制御信号の伝達を受けるデータパッド１２３とを含む。データパッド１２３は外部から駆動及び制御信号の伝達を受けてデータ線１２１に駆動及び制御信号を印加する。データ配線１２０の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｌＮｄのうちの少なくともいずれか一つを含むことができる。そして、データ配線１２１、１２３は前記材料のうちの少なくともいずれか一つを含む単一層または複数層で備えられることができる。
本発明においては、データ配線１２１、１２３の形成過程で用いられる化学物質またはプラズマからゲート絶縁膜１６０を保護して有機半導体層１８５の特性が劣化することを防止するために、データ配線１２１、 １２３を先に形成し、データ配線１２１、１２３上に層間絶縁膜１３０を形成する構造を採用している。
絶縁基板１１０上には層間絶縁膜１３０がデータ配線１２１、１２３を覆っている。層間絶縁膜１３０は、データ配線１２１、１２３とゲート配線１４１、１４３、１４５との間の電気的絶縁のための層であって、耐久性が優れた有機物質を含む有機膜または下部膜との接触性に優れる無機膜であり得る。他の実施形態として、層間絶縁膜１３０は複数層で構成されることができ、下部には下部膜との接触性に優れる窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などのような無機物質からなる無機膜が位置し、上部には有機膜が位置することができる。つまり、有機膜が下部膜との接触性に優れる場合は、無機膜は省略可能である。層間絶縁膜１３０には、データ線１２１の一部を露出させる絶縁膜接触口１３１と、データパッド１２３を露出させる接触口（図示せず）が形成されている。このような層間絶縁膜１３０は、データ配線１２１、１２３の形成の際に用いられる化学物質またはプラズマが残存して、絶縁膜接触口１３１、隔壁接触口１５３、及び第２開口１５１の隙間または界面の間に流入して、耐火学性及び耐プラズマ性に脆弱な後述する有機半導体層１８５の特性が損傷することを減少させるために備えられる。つまり、データ配線１２１、１２３を化学物質またはプラズマを用いて形成した後、層間絶縁膜１３０によりデータ配線１２１、１２３を覆うとともに残存する化学物質やプラズマ等も覆う。よって、層間絶縁膜１３０より上部の層が残存する化学物質やプラズマ等の影響を受けない。
前記層間絶縁膜１３０上にはゲート配線１４１、１４３、１４５が形成されている。ゲート配線１４１、１４３、１４５は、上述したデータ配線１２１と絶縁交差して画素領域を定義するゲート線１４１と、前記ゲート線１４１の端部に備えられて外部から駆動または制御信号の印加を受けるゲートパッド１４５と、ゲート線１４１の分岐であって後述する有機半導体層１７０と対応する所に形成されているゲート電極１４３とを含む。ゲートパッド１４５は、外部から薄膜トランジスタをオン／オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）させるための駆動及び制御信号の印加を受け、ゲート線１４１を通じてゲート電極１４３に伝達する。ゲート配線１４１、１４３、１４５もデータ配線１２１、１２３のようにＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄのうちの少なくともいずれか一つを含むことができ、単一層または複数層で備えられることができる。
層間絶縁膜１３０上には、ゲート配線１４１、 １４３、 １４５の少なくとも一部を露出させる第２開口１５１と隔壁接触口１５３とを有する第２隔壁１５０が備えられている。さらに詳しくは、第２隔壁１５０は、ゲート電極１４３を露出させる第２開口１５１と、上述した絶縁膜接触口１３１に対応してデータ線１２１の一部を露出させる隔壁接触口１５３と、データパッド１２３とゲートパッド１４５を各々露出させる接触口１５６、１５７とを含む。第２隔壁１５０はインクジェット法によってゲート絶縁膜１６０を形成するために備えられたものであって、有機物質を含む感光性有機膜であり得る。そして、第２開口１５１は大きく形成されることが好ましく、これはゲート電極１４３上のゲート絶縁膜１６０の表面が平坦に維持されるようにするためである。第２開口１５１にジェッティングされるゲート絶縁膜物質は溶剤除去過程を経てゲート絶縁膜１６０として形成されるが、溶剤が除去される過程でゲート絶縁膜１６０は皿状のように周縁領域の厚さが大きく、逆に中間領域の厚さが小さく平坦な状態で乾燥される。これをコーヒーステイン（ｃｏｆｆｅｅ ｓｔａｉｎ）現象と言い、コーヒーステイン現象によってゲート電極１４３上でゲート絶縁膜１６０の厚さが互いに異なる状態で乾燥されれば、薄膜トランジスタの特性が低下し得る。そのために第２開口１５１を大きく形成することで厚さの大きい周縁領域がゲート電極１４３と重なる領域を最小化することにより、薄膜トランジスタの特性が低下することを最小化する。
第２開口１５１にはゲート絶縁膜１６０が形成されている。ゲート絶縁膜１６０は、データ配線１２１、１２３とゲート配線１４１、１４３、１４５とを相互絶縁させる役割を果たすことと同時に、耐火学性及び耐プラズマ性が脆弱な有機半導体層１８５に不純物が流入することを防止する。ゲート絶縁膜１６０は、低誘電率のアクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂及びベンゾシクロブテンのうちの少なくともいずれか一つを含んでなる厚い膜であり得る。本発明によるゲート絶縁膜１６０は、耐久性に優れ、誘電率が低い物質を使用することが望ましい。これは、後述するソース及びドレイン電極１７１、１７３とゲート電極１４３との間の容量ＣｇｄまたはＣｇｓを減少させ、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）の特性を向上させるためであって、１．０乃至３．０の誘電率を有することが好ましい。
第２隔壁１５０とゲート絶縁膜１６０上には電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９が形成されている。電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９は絶縁膜接触口１３１と隔壁接触口１５３とを通じてデータ配線１２１と接続されており、有機半導体層１８５と少なくとも一部が接するソース電極１７１と、ゲート電極１４３を間に置いてソース電極１７１と分離されているドレイン電極１７３と、ドレイン電極１７３と接続されて画素に形成されている画素電極１７５とを含む。そして、データパッド１２３と接続されているデータパッド接触部材１７７と、ゲートパッド１４５と接続されているゲートパッド接触部材１７９とをさらに含む。電極層はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなる。ソース電極１７１は接触口１３１、１５３を通じてデータ配線１２１と物理的・電気的に接続されて画像信号の伝達を受ける。そして、ゲート電極１４３を間に置いてソース電極１７１と離隔してチャネル領域Ｃを定義するドレイン電極１７３は、ソース電極１７１と共に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を形成し、各画素電極１７５の動作を制御及び駆動するスイッチング及び駆動素子として作動する。
ここで、ソース電極１７１とドレイン電極１７３の各々の表面はＳＡＭ（ｓｅｌｆ ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）処理に対する互いに異なる反応性を有する。つまり、後述する遮断膜１８３（図３ｈ参照）によって覆われたソース電極１７１とドレイン電極１７３との端部は、他の領域のソース電極１７１とドレイン電極１７３と比べてＳＡＭ処理に対する反応性が低い。これは、Ｏ２プラズマ処理の際に遮断膜１８３によって覆われたソース電極１７１とドレイン電極１７３との端部は、Ｏ２プラズマ処理が行われないためである。 一般的にＯ２プラズマ処理は、洗浄效果とＳＡＭ処理の際に形成される自己組立単層膜の濃度を増加させるためのものである。これによって、有機半導体層１８５と、ソース電極１７１、ドレイン電極１７３及びゲート絶縁膜１６０との間の界面特性が向上して有機薄膜トランジスタの特性が改善する。具体的に説明すると、ソース電極１７１及びドレイン電極１７３間に露出されたゲート絶縁膜１６０（チャネル領域Ｃ）と、ソース電極１７１及びドレイン電極１７３の端部と、が遮断膜１８３に覆われた状態でＯ２プラズマ処理を行うため、チャネル領域Ｃと、ソース電極１７１及びドレイン電極１７３の端部とは表面処理が行われない。つまり、少なくともチャネル領域Ｃのゲート絶縁膜１６０の表面は、撥水性及び撥油性を有するように表面処理されずに済む。一方、遮断膜１８３に覆われなかった、ソース電極１７１、ドレイン電極１７３及び第１隔壁の表面は、撥水性及び撥油性を有するように処理されるとともに、ＳＡＭ処理の際に自己組立単層膜の濃度を増加させる様な処理がなされる。よって、第１開口１８１にジェッティングされた有機半導体溶液１８６を、チャネル領域Ｃ上に均一に広げることができる。また、チャネル領域Ｃ及びソース電極１７１及びドレイン電極１７３の端部を除いたところは、洗浄されて埃等が除去され、撥水性及び撥油性がなされているため、有機半導体溶液１８６を第１開口１８１に自然に流入させることができる。以上より、有機半導体層１８５とゲート絶縁膜１６０との間の界面特性が向上し、さらに有機半導体層１８５を均一に形成することができる。さらに、ソース電極１７１及びドレイン電極１７３と有機半導体層１８５との接触抵抗を減少させて電荷移動度を高めることができる。そのため、有機薄膜トランジスタの特性を向上することができる。
ソース電極１７１とドレイン電極１７３上には第１隔壁１８０が形成されている。第１隔壁１８０には、チャネル領域Ｃを取り囲みながらソース電極１７１及びドレイン電極１７３各々の一部分を露出させている第１開口１８１が形成されている。第１隔壁１８０は有機半導体層１８５を形成するためのフレームの役割を果たす。
第１開口１８１には有機半導体層１８５が形成されている。有機半導体層１８５はチャネル領域Ｃを覆っていて、ソース電極１７１及びドレイン電極１７３と少なくとも一部が接している。このような有機半導体層１８５としては、テトラセンまたはペンタセンの置換基を含む誘導体；チオフェン環の２、５位置を通じて４乃至８個が連結されたオリゴチオフェン；ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドまたはそのイミド誘導体；ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドまたはそのイミド誘導体；金属化フタロシアニンまたはそのハロゲン化誘導体、ペリレンまたはコロネンとその置換基を含む誘導体；チエニレン及びビニレンのコオリゴマーまたはコポリマー；チオフェン；ペリレンまたはコロネンとそれらの置換基を含む誘導体；または前記物質のアロマチックまたはヘテロアロマチック環に炭素数１乃至３０個のハイドロカーボンチェーンを１個以上含む誘導体のうちから選択されたいずれか一つであることができる。その他にも、一般的に用いられる公知の有機半導体物質が用いられても良い。
有機半導体層１８５上には第１保護層１９１が形成されている。第１保護層１９１は有機半導体層１８５を覆っていて、フッ素系高分子を含んでなることができる。フッ素系高分子としては、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙ Ｔｅｔｒａ ｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＦＥＰ（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ＰＦＡ（Ｐｏｌｙ Ｆｌｕｏｒｏ Ａｌｋｏｘｙ）、ＥＴＦＥ（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｔｒａ Ｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＶＤＦ（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、ペルフルオロ（アルケニルビニルエーテル（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏ（ａｌｋｅｎｙｌｖｉｎｙｌ ｅｔｈｅｒｓ））の共重合から得られた環状（ｃｙｃｌｉｚｅｄ）の透明高分子からなる群のうちのいずれか一つからなることができる。これとは異なって、第１保護層１９１は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、アクリル系樹脂、シリコン高分子（Ｓｉ ｐｏｌｙｍｅｒ）などの物質のうちの少なくともいずれか一つからなる有機膜であり得る。第１保護層１９１は有機半導体層１８５の特性が劣化することを防止するための層である。
そして、第１保護層１９１上に第２保護層１９３をさらに形成することもできる。前記第２保護層１９３は選択的なものであり、第１保護層１９１を覆いながら第１保護層１９３のように有機半導体層１８５の特性が劣化することを防止するための層であって、ＩＴＯ及びＩＺＯのうちのいずれか一つからなることができ、１保護層１９１と同一の物質または他の公知の物質からなることもできる。
以下、図３ａ乃至図３ｋを参照して、本発明の第１実施形態による平板表示装置の製造方法について説明する。
まず、図３ａに示したように、ガラス、石英、セラミックスまたはプラスチックなどの絶縁性材質を含んで作られた絶縁基板１１０を備える。可撓性（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）表示装置の製作にはプラスチック基板を使用することが好ましい。次いで、絶縁基板１１０上にデータ配線物質をスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などの方法によって蒸着した後、フォトエッチング（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程を通じてデータ配線１２１とデータパッド（図示せず）とを形成する。
そして、図３ｂに示したように、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などのような無機物質からなる層間絶縁物質を絶縁基板１１０とデータ配線１２０上に加えて層間絶縁膜１３０を形成する。層間絶縁物質が無機物質である場合には、化学気相蒸着法などによって形成することができる。他の実施形態として、層間絶縁膜１３０は有機膜であり得、この場合にはスピンコーティング法またはスクリーンプリンティング法などによって層間絶縁物質を絶縁基板１１０上に形成することができる。層間絶縁膜１３０としては有機膜と無機膜が全て適用でき、感光性有機膜などを遮断壁として利用してエッチング工程によってデータ配線１２１の一部を露出させる絶縁膜接触口１３１を形成する。
次に、図３ｃに示したように、層間絶縁膜１３０上にＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｌＮｄのうちの少なくともいずれか一つを含むゲート配線物質をスパッタリングなどの方法によって蒸着した後、フォトエッチング工程によってゲート配線（図示せず）、ゲート電極１４３、及びゲートパッド（図示せず）を形成する。
次に、図３ｄに示したように、ゲート電極１４３を露出させる第２開口１５１と、データ線１２１の一部を露出させて絶縁膜接触口１３１に対応する隔壁接触口１５３とを有するように第２隔壁１５０を形成する。第２隔壁１５０は感光性有機膜であり得、第２隔壁１５０の形成方法は次の通りである。まず、層間絶縁膜１３０上にスピンコーティング法またはスクリーンプリンティング法などによって所定の厚さを有するように有機膜を形成する。そして、所定パターンの開口部を有するマスクを前記有機膜上に整列配置した後に、前記有機膜を露光する。最後に、有機膜を現像して第２開口１５１と隔壁接触口１５３とを形成することにより、図３ｄに示した第２隔壁１５０が製造される。
次に、図３ｅに示したように、第２開口１５１に低誘電率のアクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂及びベンゾシクロブテンのうちの少なくともいずれか一つを含んでなるゲート絶縁物質１６５を、ノズル２００を利用してジェッティングする。ここで、１．０乃至３．０の誘電率を有するゲート絶縁物質１６５を用いることが好ましい。これは、ソース及びドレイン電極１７１、１７３（図３ｆ参照）とゲート電極１４３との間の容量ＣｇｄまたはＣｇｓを減少させ、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）の特性を向上させるためである。第２開口１５１にジェッティングされたゲート絶縁物質１６５は溶剤除去過程を経て、図３ｆに示したように、ゲート絶縁膜１６０として形成される。ここで、コーヒーステイン現象による薄膜トランジスタの特性が低下することを最小化するために、第２開口１５１は大きく形成することが好ましい。
一方、図示していないが、第２隔壁１５０の表面にジェッティングされるゲート絶縁物質１６５が第２開口１５１の内部に自然に流入するようにするために、ゲート絶縁物質１６５のジェッティング前に第２隔壁１５０の表面を表面処理する段階をさらに含むことができる。表面処理はＯ２プラズマ処理及びＣＦ４プラズマ処理のうちの少なくともいずれか一つを含み、表面処理によって第２隔壁１５０の表面は撥水性及び撥油性を有するようになる。次に、図３ｆに示したように、ＩＴＯまたはＩＺＯのような透明な導電性金属酸化物（透明導電物質）を第２隔壁１５０とゲート絶縁膜１６０上にスパッタリングによって形成した後、フォトエッチング工程またはエッチング工程を利用して電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９を形成する。電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９は隔壁接触口１５３と絶縁膜接触口１３１とを通じてデータ線１２１と接続され、有機半導体層１８５と少なくとも一部が接するソース電極１７１と、有機半導体層１８５を間に置いてソース電極１７１と分離されてチャネル領域Ｃを定義するドレイン電極１７３と、ドレイン電極１７３と接続されて画素領域を満たしている画素電極１７５とを含む。そして、データパッド１２３と接続されているデータパッド接触部材１７７と、ゲートパッド１４５と接続されているゲートパッド接触部材１７９とをさらに含む。
次いで、図３ｇに示したように、チャネル領域Ｃを取り囲みながらソース電極１７１及びドレイン電極１７３の各々の一部分を露出させている第１開口１８１を有するように第１隔壁１８０を形成する。第１隔壁１８０は有機半導体層１８５を形成するためのフレームの役割を果たす。第１隔壁１８０は感光性有機膜であり得、第１隔壁１８０の形成方法は次の通りである。まず、ソース電極１７１とドレイン電極１７３、及び画素電極１７５の一部上にスピンコーティング法またはスクリーンプリンティング法などによって所定の厚さを有する有機膜を形成する。そして、所定パターンの開口部を有するマスクを前記有機膜上に整列配置した後に、前記有機膜を露光する。最後に、有機膜を現像して第１開口１８１を形成することにより、図３ｇに示したような第１隔壁１８０を製造する。
次に、第１隔壁１８０の表面にジェッティングされる有機半導体溶液１８６、（図３ｋ参照）が第１開口１８１の内部に自然に流入するようにするために、第１隔壁１８０の表面を表面処理する。しかし、このような表面処理は、チャネル領域Ｃがオープンされている状態で行われるため、表面処理に用いられるプラズマによりゲート絶縁膜１６０の性質が変化して、有機薄膜トランジスタの特性を低下し得る恐れがある。さらに詳しくは、表面処理によってゲート絶縁膜１６０の表面も有機半導体溶液１８６（図３ｋ参照）に対して撥水性と撥油性を有するようになって、ジェッティングされる有機半導体溶液１８６（図３ｋ参照）がチャネル領域Ｃ上に均一に広がることができず、ソース電極１７１とドレイン電極１７３の周りで凝集する現象が発生する。これによって、ゲート絶縁膜１６０と有機半導体層１８５（図２参照）との間の界面特性が悪くなり、有機半導体層１８５（図２参照）の厚さを均一に形成できず、有機薄膜トランジスタの特性が低下する問題点がある。
そのために本発明においては、表面処理の際に用いられるプラズマ及び化学物質がゲート絶縁膜１６０に流入することを遮断するために、図３ｈに示したように、チャネル領域Ｃを覆うように遮断膜１８３を形成する。遮断膜１８３の形成方法は、上述した第１及び第２隔壁１５０、１８０の形成方法と同様である。つまり、第１開口１８１の内部と第１隔壁１８０などに感光性有機物質を含む遮断物質を加えて遮断物質層を形成する。そして、前記遮断物質層上に所定パターンの開口部を有するマスクを利用して露光し、前記遮断物質層を現像してチャネル領域Ｃのみを覆っている遮断膜１８３を形成する。他の実施形態として、インクジェット法によってチャネル領域Ｃに遮断物質をジェッティングした後、溶剤除去過程を経て遮断膜１８３を形成することもできる。
次いで、図３ｉに示したように、第１隔壁１８０の表面が撥水性及び撥油性を有するように表面処理する。表面処理はＯ２プラズマ処理と、ＣＦ４プラズマ処理と、自己組立単層膜処理のうちの少なくとも一つを含む。ここで、Ｏ２プラズマ処理とＣＦ４プラズマ処理とは、第１隔壁１８０の表面が撥水性及び撥油性を有するようにするための表面処理であるに反し、自己組立単層膜処理は、チャネル領域Ｃにジェッティングされる有機半導体層１８５（図２参照）とソース電極１７１及びドレイン電極１７３との間の接触抵抗を減少させ、電荷移動をさらに容易にすることにより、有機薄膜トランジスタの特性を向上させるためのものである。また、Ｏ２プラズマ処理により、ソース電極１７１とドレイン電極１７３各々の表面はＳＡＭ処理に対する互いに異なる反応性を有するようになる。つまり、遮断膜１８３によって覆われたソース電極１７１とドレイン電極１７３との端部は、他の領域のソース電極１７１とドレイン電極１７３と比べてＳＡＭ処理に対する反応性が低くなる。これは、Ｏ２プラズマ処理の際にソース電極１７１とドレイン電極１７３との端部が遮断膜１８３によって覆われているため、Ｏ２プラズマ処理が行われないためである。一般的に、Ｏ２プラズマ処理は洗浄效果とＳＡＭ処理の際に形成される自己組立単層膜の濃度を増加させるためのものである。これによって、有機半導体層１８５とソース電極１７１、ドレイン電極１７３及びゲート絶縁膜１６０の間の界面特性が向上して有機薄膜トランジスタの特性を改善する。
次に、図３ｊに示したように、遮断膜１８３を除去する。
その後、図３ｈに示したように、チャネル領域Ｃにノズル２００を通じて有機半導体溶液１８６をジェッティングする。有機半導体溶液は溶剤によって水性または油性であり得、有機半導体物質は溶剤除去過程を経て有機半導体層１８５、（図２参照）が形成される。インクジェット方式は、従来のフォトエッチング工程によるパターニング工程なしに有機半導体物質のパターン形成が可能であるので、フォトエッチング工程に用いられる化学物質から有機半導体層１８５（図、２参照）を保護することができ、有機薄膜トランジスタの特性が損傷することを減少させることができる。
特に、遮断膜１８３を備えることにより、表面処理の際に用いられるプラズマ及び化学物質がゲート絶縁膜１６０に流入できなくなる。これによってゲート絶縁膜１６０の性質が変化せず、有機半導体溶液１８６（図３ｋ参照）はチャネル領域Ｃ上に均一に広がるようになって有機薄膜トランジスタの特性が向上する。
そして、図示していないが、有機半導体層１８５の形成方法と同様に、第１保護層溶液を完成された有機半導体層１８５上にジェッティングして、第１保護層１９１を形成する。保護層溶液も溶剤によって水性または油性であり得、保護層溶液は溶剤除去過程を経て第１保護層１８０として形成され、第１保護層１８０の表面は平坦である。第１保護層溶液はフッ素系高分子を含み、フッ素系高分子としては、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙ Ｔｅｔｒａ ｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＦＥＰ（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ＰＦＡ（Ｐｏｌｙ Ｆｌｕｏｒｏ Ａｌｋｏｘｙ）、ＥＴＦＥ（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｔｒａ Ｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＶＤＦ（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、ペルフルオロ（アルケニルビニルエーテル（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏ（ａｌｋｅｎｙｌｖｉｎｙｌ ｅｔｈｅｒｓ））の共重合から得られた環状（ｃｙｃｌｉｚｅｄ）の透明高分子からなる群のうちのいずれか一つで作られることができる。これとは異なって、第１保護層１９１は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、アクリル系樹脂、シリコン高分子（Ｓｉ ｐｏｌｙｍｅｒ）などの物質のうちの少なくともいずれか一つを含むことができる。次いで、第１保護層１９１上にスパッタリング法によってＩＴＯ及びＩＺＯのうちの少なくともいずれか一つを含む第２保護層１９３を形成する。ここで、第２保護層１９３はフォトエッチング工程によって同時にパターニングされることができる。
以下、図４ａ乃至図４ｋを参照して、本発明の第２実施形態による平板表示装置の製造方法について説明する。第２実施形態においては、第１実施形態と区別される特徴的な部分だけを抜粹して説明し、説明が省略された部分は第１実施形態または公知の技術による。そして、説明の便宜のために、同一の構成要素に対し同一の参照番号を付けて説明する。
まず、図４ａに示したように、絶縁基板１１０上にデータ線１２１を含むデータ配線と、データ配線を覆うように層間絶縁膜１３０とを形成する。ここで層間絶縁膜１３０は、第１実施形態とが異なって、データ線１２１の一部を露出させる絶縁膜接触口が備えられていない。そして、層間絶縁膜１３０上にゲート電極１４３を含むゲート配線を形成する。
次いで、図４ｂに示したように、ゲート電極１４３を露出させる第２開口１５１と後述するソース電極１７１（図４ｇ参照）とデータ配線１２１を接続させるための隔壁接触口１５３を有するように第２隔壁１５０を形成する。
次に、図４ｃに示したように、エッチング工程によってデータ配線１２１の一部を露出させ、隔壁接触口１５３に対応する絶縁膜接触口１３１を形成する。第１実施形態においては層間絶縁膜１３０を形成した直後に絶縁膜接触口１３１を形成したが、第２実施形態においては第２隔壁１５０を形成した後に絶縁膜接触口１３１を形成する。
次に、図４ｄに示したように、ノズル２００を利用して第２開口１５１にゲート絶縁物質１６５をジェッティングし、図４ｅに示したようにゲート絶縁膜１６０を形成する。
次いで、図４ｅに示したように、ゲート絶縁膜１６０と第２隔壁１５０上に電極物質を加えて電極物質層１７０を形成する。電極物質層１７０はオープンされた領域がなく、隔壁接触口１５３と絶縁膜接触口１３１を通じてデータ配線１２１と接続されている。
次に、図４ｆに示したように、ゲート電極１４３に対応する領域の電極物質層１７０を露出させる第１開口１８１を有するように第１隔壁１８０を形成する。そして、第１隔壁１８０の表面を表面処理する。第２実施形態によれば、ゲート絶縁膜１６０が電極物質層１７０によって覆われているので、表面処理の際に用いられるプラズマ及び化学物質などがゲート絶縁膜１６０に流入できなくなる。従って、ゲート絶縁膜１６０の性質が変化せず、有機半導体溶液はチャネル領域Ｃ上に均一に広がるようになって有機薄膜トランジスタの特性が向上する。
次に、図４ｇに示したように、電極物質層１７０をパターニングして、ソース電極１７１と、ドレイン電極１７３と、画素電極１７５と、データパッド接触部材（図示せず）と、ゲートパッド接触部材（図示せず）とを形成する。電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９の形成は、第１隔壁１８０と前記電極物質層１７０上に感光膜を形成する段階と、感光膜上に所定パターンの開口部を有するマスクを配置して露光する段階と、感光膜を現像して電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９として形成される領域に対応する感光膜だけを残す段階と、感光膜を利用して電極物質層１７０をエッチングする段階と；残存する感光膜を除去する段階とを含む。
そして、図示していないが、第１実施形態と同様に、有機半導体層と第１及び第２保護膜とを形成することによって、電気的特性が向上した有機薄膜トランジスタが備えられた表示装置が製造される。
たとえ本発明のいくつかの実施形態が図示されて説明されたが、本発明が属する技術分野の通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から逸脱せずに本実施形態を変形できることが分かる。本発明の範囲は添付された請求項とその均等物によって決められなければならない。
本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタ基板の配置図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（１）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（２）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（３）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（４）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（５）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（６）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（７）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（８）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（９）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（１０）である。 本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（１１）である。 本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（１）である。 本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（２）である。 本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（３）である。 本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（４）である。 本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（５）である。 本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（６）である。 本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（７）である。
符号の説明
１００ 薄膜トランジスタ基板
１１０ 絶縁基板
１２１、１２３ データ配線
１３０ 層間絶縁膜
１４１、１４３、１４５ ゲート配線
１５０、１８０ 第１、２隔壁
１８１、１５１ 第１、２開口
１５３ 隔壁接触口
１６０ ゲート絶縁膜
１７１ ソース電極
１７３ ドレイン電極
１７１、１７３、１７５、１７７、１７９ 電極層
１８５ 有機半導体層
Ｃ チャネル領域

Claims (22)

  1. 絶縁基板上にゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と；
    前記ゲート配線の形成後に、前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する段階と；
    前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極を中心に相互離隔してチャネル領域を定義するソース電極及びドレイン電極を含む電極層を形成する段階と；
    前記電極層上に前記チャネル領域と、前記ソース電極の一部と、前記ドレイン電極の一部とを露出させる第１開口を有する第１隔壁を形成する段階と；
    前記第１開口内部に前記チャネル領域を覆うように遮断膜を形成する段階と；
    前記第１隔壁の表面を表面処理する段階と；
    前記遮断膜を除去する段階と；
    前記第１開口内部に有機半導体層を形成する段階とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
  2. 前記電極層は透明な導電性物質を含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  3. 前記遮断膜の形成は、遮断物質層を形成する段階と、所定パターンの開口部を有するマスクを利用して露光する段階と、前記遮断物質層を現像する段階とを含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  4. 前記遮断膜はインクジェット法によって形成されることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  5. 前記有機半導体層上に保護膜を形成する段階をさらに含み、
    前記有機半導体層及び前記保護膜のうちの少なくとも一つはインクジェット法によって形成されることを特徴とする、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
  6. 前記表面処理は、Ｏ２プラズマ処理と、ＣＦ４プラズマ処理と、自己組立単層膜（ｓｅｌｆ ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ；ＳＡＭ）処理のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  7. 前記電極層は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）のうちのいずれか一つからなることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  8. 前記ゲート絶縁膜は１．０乃至３．０の誘電率を有することを特徴とする、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
  9. 前記有機半導体層は、テトラセンまたはペンタセンの置換基を含む誘導体；チオフェン環の２、５位置を通じて４乃至８個が連結されたオリゴチオフェン；ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドまたはそのイミド誘導体；ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドまたはそのイミド誘導体；金属化フタロシアニンまたはそのハロゲン化誘導体、ペリレンまたはコロネンとその置換基を含む誘導体；チエニレン及びビニレンのコオリゴマーまたはコポリマー；チオフェン；ペリレンまたはコロネンとそれらの置換基を含む誘導体；または前記物質のアロマチックまたはヘテロアロマチック環に炭素数１乃至３０個のハイドロカーボンチェーンを１個以上含む誘導体のうちから選択されたいずれか一つを含んでなることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  10. 前記絶縁基板と前記ゲート配線との間に前記ゲート配線と絶縁交差して画素を定義するデータ配線と、前記データ配線上に層間絶縁膜とを形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  11. 前記層間絶縁膜は、下部の第１層間絶縁膜と上部の第２層間絶縁膜とを含み、
    前記第１層間絶縁膜は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）及び窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）のうちのいずれか一つを含む無機膜で形成され、前記第２層間絶縁膜は有機物質を含む有機膜で形成されることを特徴とする、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
  12. 前記ゲート絶縁膜の形成は、前記ゲート電極を露出させる第２開口を有する第２隔壁を前記層間絶縁膜上に形成する段階と、インクジェット法によって前記第２開口の内部にゲート絶縁膜を形成する段階とを含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  13. 前記保護膜は、下部の第１保護膜と上部の第２保護膜とを含み、
    前記第１保護膜は、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙ Ｔｅｔｒａ ｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＦＥＰ（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ＰＦＡ（Ｐｏｌｙ Ｆｌｕｏｒｏ Ａｌｋｏｘｙ）、ＥＴＦＥ（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｔｒａ Ｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＶＤＦ（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、ペルフルオロ（アルケニルビニルエーテル（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏ（ａｌｋｅｎｙｌｖｉｎｙｌ ｅｔｈｅｒｓ））の共重合から得られた環状（ｃｙｃｌｉｚｅｄ）の透明高分子からなる群のうちのいずれか一つを含み、前記第２保護膜はＩＴＯ及びＩＺＯのうちのいずれか一つを含んでなることを特徴とする、請求項５に記載の表示装置の製造方法。
  14. 絶縁基板上にゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と；
    前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する段階と；
    前記ゲート絶縁膜上に電極物質層を形成する段階と；
    前記電極物質層上に前記電極物質層の少なくとも一部を露出させる第１開口を有する第１隔壁を形成する段階と；
    前記第１隔壁の表面を表面処理する段階と；
    前記電極物質層をパターニングして、前記ゲート電極を中心に相互離隔配置されているソース電極とドレイン電極を含む電極層を形成する段階と；
    前記第１開口内部に有機半導体層を形成する段階とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
  15. 前記電極物質層は透明な導電性物質を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
  16. 前記電極層の形成は、前記第１隔壁と前記電極物質層上に感光膜を形成する段階と、前記感光膜上に所定パターンの開口部を有するマスクを配置して露光する段階と、前記感光膜を現像して前記電極層として形成される領域に対応する感光膜だけを残す段階と、前記感光膜を利用して前記電極物質層をエッチングする段階と；前記感光膜を除去する段階とを含むことを特徴とする、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
  17. 前記絶縁基板と前記ゲート配線との間に前記ゲート配線と絶縁交差して画素を定義するデータ配線を形成する段階と、前記データ配線を覆うように層間絶縁膜を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
  18. 前記ゲート絶縁膜の形成は、前記ゲート電極を露出させる第２開口を有する第２隔壁を前記層間絶縁膜上に形成する段階と、インクジェット法によって前記第２開口の内部にゲート絶縁膜を形成する段階とを含むことを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
  19. 前記データ配線はデータ線を含み、
    前記層間絶縁膜の少なくとも一部を露出させる隔壁接触口を前記第２開口と同時に前記第２隔壁に形成する段階と、前記データ線の一部を露出させ、前記隔壁接触口に対応するように絶縁膜接触口を前記層間絶縁膜上に形成する段階とをさらに含むことを特徴とする、請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
  20. 前記層間絶縁膜の形成後に、前記層間絶縁膜に前記データ線の一部を露出させる絶縁膜接触口を形成する段階と、前記第２開口の形成と同時に前記絶縁膜接触口に対応する隔壁接触口を前記第２隔壁に形成する段階とをさらに含むことを特徴とする、請求項１９に記載の表示装置の製造方法。
  21. 絶縁基板上に形成されているゲート電極を含むゲート配線と；
    前記ゲート電極上に形成されているゲート絶縁膜と；
    前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を中心に相互離隔形成されてチャネル領域を定義するソース電極とドレイン電極を含む透明電極層と；
    前記チャネル領域に形成されている有機半導体層とを含み、
    前記ソース電極と前記ドレイン電極各々の表面は、ＳＡＭ（ｓｅｌｆ ａｓｓｅｍｂｌｅｄ ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）処理に対する互いに異なる反応性を有することを特徴とする表示装置。
  22. 前記ゲート絶縁膜上の互いに対向している前記ソース電極と前記ドレイン電極との端部は、前記端部以外の部分と比べてＳＡＭ処理に対する反応性が低いことを特徴とする、請求項２１に記載の表示装置。
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