JP4664861B2 - 発光素子パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

発光素子パッケージ及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4664861B2
JP4664861B2 JP2006137259A JP2006137259A JP4664861B2 JP 4664861 B2 JP4664861 B2 JP 4664861B2 JP 2006137259 A JP2006137259 A JP 2006137259A JP 2006137259 A JP2006137259 A JP 2006137259A JP 4664861 B2 JP4664861 B2 JP 4664861B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
conductive
light
pair
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006137259A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006324667A (ja
Inventor
根浩 金
承▲ヨップ▼ 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Electronics Inc
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc, LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Electronics Inc
Publication of JP2006324667A publication Critical patent/JP2006324667A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4664861B2 publication Critical patent/JP4664861B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05155—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05639—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2405—Shape
    • H01L2224/24051—Conformal with the semiconductor or solid-state device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2499—Auxiliary members for HDI interconnects, e.g. spacers, alignment aids
    • H01L2224/24996—Auxiliary members for HDI interconnects, e.g. spacers, alignment aids being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/24998—Reinforcing structures, e.g. ramp-like support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48639—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48644—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48647—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/76—Apparatus for connecting with build-up interconnects
    • H01L2224/7615—Means for depositing
    • H01L2224/76151—Means for direct writing
    • H01L2224/76155—Jetting means, e.g. ink jet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/821—Forming a build-up interconnect
    • H01L2224/82101—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing
    • H01L2224/82102—Forming a build-up interconnect by additive methods, e.g. direct writing using jetting, e.g. ink jet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92244—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01007—Nitrogen [N]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01031—Gallium [Ga]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01044—Ruthenium [Ru]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01076—Osmium [Os]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

本発明は発光素子パッケージ及びその製造方法に関する。
一般に、発光素子は基本的にｐ型とｎ型半導体の接合よりなっており、電圧を印加すれば電子と正孔の結合により半導体のバンドギャップに該当するエネルギーを光の形態に放出する一種の光電子素子(Optoelectronic device)である。
前記発光素子から出力される光の量は素子に流れる電流に比例して増加する。
このような発光素子は電力消費が少なく、公害物質を使用せず、色再現性に優れ寿命が数万時間以上に延び、安全性に優れた長所から研究が盛んである。
直接遷移型化合物半導体の３〜５族化合物または２〜６族化合物半導体物質を用いた発光ダイオードやレーザダイオードのような発光素子は薄膜成長技術及び素子材料の開発により赤色、緑色、青色及び紫外線など多様な色を具現することができる。
そして、発光素子は蛍光物質を用いたり光を組み合わせて高効率の白色光源の具現が可能である。
このような技術の発達に背負って発光素子はディスプレイ用素子だけではなく、光通信手段の送信モジュール、ＬＣＤ(Liquid Crystal Display)のバックライト、蛍光灯や白熱電球に置き換えられる照明装置、電光板、交通信号灯、自動車計器盤など多くの分野で使用されている。
一方、発光素子のうち赤色または赤外線発光素子は使用する基板がｎ型である場合、基板上部面にｎ型層、活性層、ｐ型層が順次に積層され、基板の下部面にｎ型電極層が形成され、前記ｐ型層の上面にはｐ型電極層が形成される。
前記赤色発光素子はｎ型電極層とｐ型電極層との間に順方向電圧が印加されればｎ型層を通じて電子が活性層に注入され、ｐ型層を通じて正孔が活性層に注入される。
この際、前記活性層に注入された電子と正孔は互いに再結合しつつ活性層のバンドギャップまたはエネルギーレベル差に該当する光を発光するようになる。
前述したように赤色または赤外線発光素子はｐ型電極層とｎ型電極層が基板に対向している構造である。
これによりサブマウント(Submount)やＰＣＢ(Printed Circuit Board)に接触して他の素子と電気的に連結されるためには、従来は少なくとも一つの電極はワイヤボンディングすべきであった。
従って、サブマウントやＰＣＢ基板にワイヤボンディングのための一定空間を設けるべきなのでパッケージサイズが増加し、ワイヤのショート(Short)や断線によってパッケージの信頼性が低下した。
このような従来の技術を図１を参照して説明する。
図１は従来のワイヤボンディングを用いた発光素子パッケージの断面図であって、基板１００の上面に第１導電性パッド１１０及び第２導電性パッド１１１が相互離隔され形成されている。
そして、前記第１導電性パッド１１０の上面に発光素子１２０の下面に形成された第２電極層１２３がボンディングされており、前記発光素子１２０の上面に形成された第１電極層１２２と第２導電性パッド１１１がワイヤボンディングされ電気的に連結されている。
前記基板１００はシリコン(Si)やセラミックで製作したサブマウントを使用したり、ＰＣＢを使用する。
前記第１導電性パッド１１０は前記基板１００の上面に形成される。
そして、 前記第１導電性パッド１１０は前記発光素子１２０の下面に形成される第２電極層１２３と同じ極性を有する。
例えば、前記発光素子１２０の下面に形成される第２電極層１２３がｎ型なら第１導電性パッド１１０はｎ型であり、発光素子１２０の下面に形成される第２電極層１２３がｐ型であれば第１導電性パッド１１０はｐ型になる。
前記第２導電性パッド１１１は前記第１導電性パッド１１０と離隔されるよう前記基板１００の上面に形成される。
前記発光素子１２０は前記第１導電性パッド１１０の上面にボンディングされる。
図２は従来の技術により発光素子をアレイしてパッケージングした状態の断面図であって、発光素子パッケージの基板１００の上部に複数個の導電性パッド１１２a、１１２b、１１２ｃ、１１２ｄ、１１２ｅ、１１２ｆが形成されている。
そして、赤色発光素子１３０の下部電極１３１は導電性パッド１１２aの上部に導電性接着剤１３５でボンディングされており、前記赤色発光素子１３０の上部電極１３２は他の導電性パッド１１２ｂとワイヤボンディングされている。
また、緑色発光素子１４０は前記基板１００に接着剤１４５で接合されており、前記緑色発光素子１４０の上部の二つの電極１４１、１４２は二つの導電性パッド１１２ｃ、１１２ｄにワイヤボンディングされている。
さらに、青色発光素子１５０も前記基板１００に接着剤１５５で接合されており、前記青色発光素子１５０の上部の二つの電極１５１、１５２は二つの導電性パッド１１２ｅ、１１２ｆにワイヤボンディングされている。
このような発光素子パッケージは赤色、緑色と青色発光素子を基板に実装して、白色光を放出するパッケージを具現するが、ワイヤボンディングを多数回行なうようになる。
前述したように従来の技術の発光素子パッケージは発光素子をワイヤボンディングするための空間がさらに必要とするようになってパッケージサイズが大きくなる短所があった。
また、ボンディングされたワイヤが短絡される場合や断線する場合があるため、素子間の連結において信頼性が低下する。
また、ワイヤボンディングを施す場合は大量生産に不向きである。
一方、白色発光ダイオードを製造する方法は２種類に大別される。第１に、単一チップ形態の方法であって青色ＬＥＤチップまたはＵＶ ＬＥＤチップ上に蛍光物質を結合して白色を得る方法であり、第２に、マルチチップ形態であって２ないし３のＬＥＤチップを互いに組み合わせて白色を得る方法である。この際、単一チップ形態を用いる場合、製作された発光ダイオード上に蛍光体を塗布することが必須に求められる。
図３ａ及び図３ｂは従来の技術による発光素子パッケージに蛍光体が塗布された状態を概略的に示した断面図であって、ｐ型層１５７と活性層１５６とｎ型層１５５とこの順次に積層された発光ダイオードがｐ-オーミック接触金属層１６２を介しサブマウント１６０に接合されており、前記ｎ型層１５５の上部にはｎ-オーミック接触金属層１６３が形成されている。
ここで、前記ｎ-オーミック接触金属層１６３には発光ダイオードに電流を提供するためのワイヤ１５９がボンディングされている。
この際、図３ａ及び図３ｂのように、蛍光体は発光ダイオードとワイヤ１５９の一部を包みながら塗布される。
一般に、蛍光体薄膜を形成するためには塗布する素子の上部に凹凸部分のないのが望ましいが、前述した従来の技術の図３ａ及び図３ｂのような発光素子パッケージは発光ダイオードの上部にワイヤがボンディングされていて、ワイヤに損傷を与えず蛍光体を塗布するのが容易でない。
また、ワイヤボンディングするためにはボンディングパッドのパターン面積を考慮して素子を製作するが、このようなボンディングパッドとワイヤで構成されるワイヤボンディング部を発光ダイオードの上部に配置されれば、垂直発光面積を遮るようになる短所がある。
すなわち、ワイヤボンディングのためには約０．１×０．１ｍｍ２の面積が求められるが、０．３×０．３ｍｍ２チップでは発光面積の１/９との面積を遮るようになる。
さらに、高出力発光ダイオードに行くほどチップ全面積を大きく製作する傾向であり、必要に応じては電気的抵抗を減らすためにオーミック金属パッドの数を増加させることもできる。
勿論、高出力発光ダイオードは高い電流で駆動されるため熱蓄積を防ぐためには直列抵抗が小さくなるべきであり、またオーミック接触金属の厚さを厚くすることによって電圧降下を防止して発光効率を向上させることができる。
しかし、金属を厚く蒸着するのに限界があるのみならず、オーミック接触金属内における電圧降下による発光ダイオードの性能低下を防止するためには発光ダイオードの上部に配置されるワイヤボンディングパッド面積が増加するので、結局発光ダイオードの垂直発光面積を減少させるようになる問題点が発生する。
本発明は前述した問題点を解決するための案出されたもので、その目的は、ワイヤボンディングを使用せず発光素子を他の素子と電気的に連結することにより、ワイヤボンディングのための空間を縮められてパッケージのサイズを縮めることができ、ワイヤボンディングにより招かれる断線や短絡を防止してパッケージの信頼性を向上させられる発光素子パッケージ及びその製造方法を提供するところにある。
本発明の他の目的は、発光素子が実装された基板に光透過用物質膜がコーティングされ、発光素子を保護できる追加のパッシベーション(Passivation)膜を必要とせず、ワイヤボンディングを必要としなくて製造コストを節減することができ、大量生産の可能な発光素子パッケージ及びその製造方法を提供するところにある。
本発明のさらに他の目的は、導電性インターコネクション部を用いて、発光素子にワイヤが存在しなくて、蛍光体の均一な塗布が容易であり、垂直発光光を吸収する面積を縮めて素子の光抽出を向上させられる発光素子パッケージ及びその製造方法を提供するところにある。
前述した本発明の目的を達成するための望ましい第１様態は、一対の導電性パッドが上部に形成された基板と、前記基板に実装され、上部及び下部それぞれに電極パッドが形成されていて、下部に形成された電極パッドが前記一対の導電性パッドの一方にボンディングされている発光素子と、前記電極パッドとボンディングされていない他方の導電性パッドの一部を露出させる第１垂直貫通ホールが形成されており、前記発光素子の上部に形成された電極パッドの一部を露出させる第２垂直貫通ホールが形成されており、前記導電性パッド及び発光素子の形態に沿って形成された光透過用物質膜と、前記第１垂直貫通ホールにより露出された前記導電性パッドの一部から前記第２垂直貫通ホールにより露出された前記発光素子の電極パッドの一部まで前記光透過用物質膜の表面に沿って形成された導電性ラインとを含んで構成された発光素子パッケージが提供される。
一対の導電性パッドが上部に形成された基板と、前記基板の上部に実装され、上部に一対の電極パッドが形成されている発光素子と、前記一対の導電性パッドそれぞれの一部を露出させる一対の第１垂直貫通ホールが形成されており、該一対の電極パッドそれぞれの一部を露出させる一対の第２垂直貫通ホールが形成されており、前記導電性パッド及び発光素子の形態に沿って形成された光透過用物質膜と、前記一対の第１垂直貫通ホールにより露出された前記一対の導電性パッドそれぞれの露出された一部から前記一対の第２垂直貫通ホールにより露出された前記一対の電極パッドそれぞれの露出された一部まで前記光透過用物質膜の表面に沿って形成された一対の導電性ラインとを含んで構成された発光素子パッケージが提供される。
前述した本発明の目的を達成するための望ましい第３様態は、一対の導電性パッドが上部に形成された基板の前記一対の導電性パッドの一方に、上部及び下部のそれぞれに電極パッドが形成されている発光素子の下部に形成された電極パッドをボンディングする段階と、前記電極パッドとボンディングされていない他方の導電性パッドの一部を露出させる第１垂直貫通ホール及び前記発光素子の上部に形成された電極パッドの一部を露出させる第２垂直貫通ホールを形成し、前記導電性パッド及び発光素子の形態に沿って光透過用物質膜を形成する段階と、前記第１垂直貫通ホールにより露出された前記導電性パッドの一部から前記第２垂直貫通ホールにより露出された前記発光素子の電極パッドの一部まで前記光透過用物質膜の表面に沿って導電性ラインを形成する段階とを含んで構成される発光素子パッケージの製造方法が提供される。
前述した本発明の目的を達成するための望ましい第４様態は、一対の導電性パッドが上部に形成された基板上部に一対の電極パッドが形成されている発光素子を接合する段階と、前記一対の導電性パッドそれぞれの一部を露出させる一対の第１垂直貫通ホール及び前記一対の電極パッドそれぞれの一部を露出させる一対の第２垂直露出ホールを形成し、前記導電性パッド及び発光素子の形態に沿って光透過用物質膜を形成する段階と、前記一対の第１垂直貫通ホールにより露出された前記一対の導電性パッドそれぞれの露出された一部から一対の第２垂直貫通ホールにより露出された前記一対の電極パッドそれぞれの露出された一部まで前記光透過用物質膜の表面に沿って形成された一対の導電性ラインを形成する段階とを含んで構成される発光素子パッケージの製造方法が提供される。
以上述べたように、本発明はワイヤボンディングを使用せず発光素子を他の素子と電気的に連結することによって、ワイヤボンディングのための空間を縮めてパッケージのサイズを縮小することができる。
また、本発明はワイヤボンディングにより招かれる断線や短絡を防止してパッケージの信頼性を向上させられる。
さらに、発光素子が実装された基板に光透過用物質膜がコーティングされ、発光素子を保護することができる追加のパッシベーション膜を必要とせず、ワイヤボンディングを不要として製造コストを節減することができ、大量生産が可能な効果を奏でる。
以下、添付した図面に基づき本発明の望ましい実施例を詳述する。
図４は本発明の第１実施例による発光素子パッケージの概略的な断面図であって、発光素子パッケージは導電性パッド２１０が上部に形成された基板２００と、該基板２００に実装され、上部及び下部それぞれに電極パッド３０１、３０２が形成されている発光素子３００と、前記導電性パッド２１０の一部及び前記発光素子３００の上部に形成された電極パッド３０１の一部を露出させ、前記導電性パッド２１０及び発光素子３００を包んでいる光透過用物質膜４００と、前記導電性パッド２１０の露出された一部から前記発光素子３００の電極パッド３０１の露出された一部まで前記光透過用物質膜４００の表面に沿って形成された導電性ライン５００とを含んで構成される。
ここで、前記光透過用物質膜４００は光が透過できる感光物質よりなることが望ましい。
この感光物質は赤色または赤外線を吸収せず、ほとんど全ての光を透過する感光物質が望ましく、この感光物質は耐熱性及び耐化学性に優れたＳＵ-８ポリマーを使用するのが望ましい。
そして、前記光透過用物質膜４００の内部には前記発光素子３００から放出される光を波長転換させる蛍光体を分散させることもできる。
この場合、前記発光素子から放出される光と蛍光体で波長転換された光を混色させ白色光源を具現できるようになる。
また、前記上部及び下部それぞれに電極パッド３０１、３０２が形成されている発光素子３００は赤色または赤外線発光素子が望ましい。
一方、前記発光素子３００は前記基板２００に接着剤３１０で実装されており、その接着剤は導電性ペーストまたはソルダ金属が望ましい。
そして、前記基板２００はシリコン(Si)物質のような半導体よりなる半導体基板、非導電性基板と金属のような導電性物質よりなる導電性基板を使う。
また、発光素子３００は第１極性を有する半導体層、活性層と第１極性と逆極性を有する半導体層を含んで構成された発光ダイオードが望ましい。
また、前記光透過用物質膜４００は前記導電性パッド２１０の一部及び前記発光素子３００の上部に形成された電極パッド３０１の一部を露出させ、図４に示したように、前記導電性パッド２１０及び発光素子３００を完全に包む構造で形成でき、または前記導電性パッド２１０から電極パッド３０１まで最短距離に位置する領域にだけ形成されうる。
両者はそれぞれ長所を有するので自由自在に設計が可能である。
さらに、前記光透過用物質膜４００は前記発光素子３００の一部領域にだけ形成され、前記光透過用物質膜４００及び発光素子３００を包む蛍光体膜がさらに具備されることも望ましい。
図５は本発明の第１実施例により非導電性基板が適用された発光素子パッケージの断面図であって、図４の構造において基板を図５のような非導電性基板２０１で構成すれば、発光素子パッケージは前記発光素子３００の電極パッド３０１と導電性ライン５００で連結されている導電性パッド２１０から離隔された非導電性基板２０１の上部領域に他の導電性パッド２１１が形成されており、この他の導電性パッド２１１に前記発光素子３００の下部に形成された電極パッド３０２が導電性接着剤３１１で接着されている構造になる。
図６は本発明の第１実施例により導電性基板が適用された発光素子パッケージの断面図であって、図４の構造において基板を導電性基板２０２で構成すれば、発光素子パッケージは発光素子３００の電極パッド３０１と導電性ライン５００で連結された導電性パッド２１０と導電性基板２０２との間に絶縁膜２５０が介されており、前記発光素子３００の下部に形成された電極パッド３０２が導電性接着剤３１１で導電性基板２０２に接着されている構造になる。
図７ａないし図７ｃは本発明の第１実施例により発光素子パッケージの製造工程を説明するための断面図であって、まず導電性パッド２１０が上部に形成された基板２００に、上部及び下部それぞれに電極パッド３０１、３０２が形成されている発光素子３００を実装する(図７ａ)。
その後、前記導電性パッド２１０の一部及び前記発光素子３００の上部に形成された電極パッド３０１の一部を露出させ、前記導電性パッド２１０及び発光素子３００を包む光透過用物質膜４００を形成する(図７ｂ)。
後述したように、前記光透過用物質膜４００は光透過用物質を前記導電性パッド２１０及び発光素子３００にコーティングして膜(Film)を形成し、前記導電性パッド２１０の一部及び前記発光素子３００の上部に形成された電極パッド３０１の一部が露出されるように、前記膜を選択的に除去する工程を行なって形成する。
引き続き、前記導電性パッド２１０の露出された一部から前記発光素子３００の電極パッド３０１の露出された一部まで前記光透過用物質膜４００の表面に沿って導電性ライン５００を形成する(図７ｃ)。
ここで、前記導電性パッド２１０の露出された一部及び前記発光素子３００の上部に形成された電極パッド３０１の露出された一部を導電性物質を用いて連結すれば、導電性ライン５００が形成される。
前記導電性ライン５００は均一な厚さを有し連結されてこそ内部抵抗などの面で誤差を減少させることができる。
従って、リフトオフ(Lift-off)方式やハードマスク(Hard mask)方式を使用して導電性パッド２１０と発光素子３００の電極パッド３０１を導電性物質に連結する。
前記リフトオフ方式は光透過用物質膜４００が感光物質の場合、導電性物質を光透過用物質膜４００に蒸着した後、適宜な液体溶媒を使って光透過用物質膜を選択的に食刻させると、光透過用物質膜が食刻された導電性物質がリフトオフされ除去される。
従って、前記リフトオフ方式によって、導電性パッド２１０と発光素子３００の電極パッド３０１は導電性物質で連結される。
また、前記ハードマスク方式は導電性パッド２１０と発光素子３００の電極パッド３０１を導電性物質で連結できるように一定した型を形成した後、前記形成された型に導電性物質を噴射する。
前記噴射によって、導電性パッド２１０と発光素子３００の電極パッド３０１は導電性物質に連結される。
図８ａ及び図８ｂは本発明により光透過用物質膜を形成するための一例の工程断面図であって、前述した図７ｂのような光透過用物質膜４００を形成するためには、まず前記導電性パッド２１０及び発光素子３００を包み基板２００の上部に光透過用物質をコーティングする。
前記光透過用物質がコーティングされた膜をコーティング膜４１０と定義する。
そして、光透過用物質をコーティングする時、図８ａに示したようなスプレイコーティング法を使う。
前記スプレイコーティング法は基板の段差が高い場合に均一にコーティングできる方法である。
すなわち、基板２００に発光素子３００がボンディングされれば、発光素子３００がボンディングされた部分は発光素子３００がボンディングされない部分に比べて高さの差が著しく高い。
従って、基板２００の前面に光透過用物質を均一にコーティングすることは相当に困難であるが、スプレイコーティング法は段差の差が著しい構造に光透過用物質を均一な厚さでコーティングできて内部抵抗などの面で誤差を減少させることができる。
その後、前記導電性パッド２１０の一部及び前記発光素子３００の上部に形成された電極パッド３０１の一部を露出されるように、前記コーティング膜４１０をパターニングする(図８ｂ)。
従って、図８ａ及び図８ｂの工程において、図７ｂのような光透過用物質膜４００が形成される。
一方、前記パターニングは写真食刻工程を用いることが望ましい。
この際、前記光透過用物質膜４００が感光物質なら、写真食刻工程をさらに容易に行なえる。
例えば、感光物質の上面にマスク(Mask)を形成して光を投射させた後、感光物質の特性により光が投射された部分または光が投射されない部分をアセトンなどの物質を用いると容易に除去できるようになる。
すなわち、食刻により、前記導電性パッド２１０の一部及び前記発光素子３００の上部に形成された電極パッド３０１の一部を露出される。
図９ａ及び図９ｂは本発明により光透過用物質膜を形成するための他の例の工程断面図であって、前述された図８ａのように導電性パッド及び発光素子の形状に沿って光透過用物質膜を形成することができるが、他の方法として、導電性パッド２１０及び発光素子３００を包み、上部が平坦化された平坦膜を形成すれば導電性ラインを形成し易い。
すなわち、この方法はまず図７ａの工程後、導電性パッド２１０及び発光素子３００を包み、上部が平坦化された光透過用物質膜４００を形成する(図９ａ)。
その後、前記光透過用物質膜４００の上部から導電性パッド２１０及び発光素子３００の電極パッド３０１までの光透過用物質膜４００がそれぞれ除去され形成された一対のトレンチ４０１、４０２を形成した後、前記一対のトレンチ４０１、４０２に導電性物質５１１、５１２を充填し、充填された導電性物質５１１、５１２を連結する導電層５１３を形成する工程を行なう(図９ｂ)。
従って、前記導電性ラインは、光透過用物質膜４００の上部から導電性パッド２１０及び発光素子３００の電極パッド３０１までの光透過用物質膜４００がそれぞれ除去され形成された一対のトレンチ(Trench)４０１、４０２に充填された導電性物質５１１、５１２と、前記一対のトレンチ４０１、４０２に充填された導電性物質５１１、５１２を連結するように前記光透過用物質膜４００の上部に形成された導電層５１３で構成される。
図１０は本発明の第２実施例による発光素子パッケージの概略的な断面図であって、第２実施例における発光素子パッケージは一対の導電性パッド２１０が上部に形成された基板２００と、前記基板２００の上部に実装され、上部に一対の電極パッド３５１、３５２が形成されている発光素子３５０と、前記一対の導電性パッド２１０、２１１それぞれの一部及び前記一対の電極パッド３５１、３５２それぞれの一部を露出させ、前記導電性パッド２１０、２１１及び発光素子３００を包んでいる光透過用物質膜４００と、前記一対の導電性パッド２１０、２１１それぞれの露出された一部から前記一対の電極パッド３５１、３５２それぞれの露出された一部まで前記光透過用物質膜４００の表面に沿って形成された一対の導電性ライン５００を含んで構成される。
ここで、前記基板２００が導電性基板なら、前記導電性パッド２１０、２１１と基板２００との間には絶縁膜が介される。
そして、前記発光素子は緑色または青色発光素子であることが望ましい。
図１１ａないし図１１ｃは本発明の第２実施例により発光素子パッケージの製造工程を説明するための断面図であって、図１１aに示したように、一対の導電性パッド２１０が上部に形成された基板２００の上部に一対の電極パッド３５１、３５２が形成されている発光素子３５０を接合する。
その後、前記一対の導電性パッド２１０、２１１それぞれの一部及び前記一対の電極パッド３５１、３５２それぞれの一部を露出させ、前記導電性パッド２１０、２１１及び発光素子３００を包んでいる光透過用物質膜４００を形成する(図１１ｂ)。
最後に、前記一対の導電性パッド２１０、２１１それぞれの露出された一部から前記一対の電極パッド３５１、３５２それぞれの露出された一部まで前記光透過用物質膜４００の表面に沿って形成された一対の導電性ライン５００を形成する(図１１ｃ) 図１２は本発明により発光素子をアレイしてパッケージングした状態の断面図であって、上部及び下部それぞれに電極パッド３０１、３０２が形成されている複数個の発光素子３００ａ、３００ｂが基板２００の上部に存する複数個の導電性パッド２１３ｂ、２１３ｃに対応して接合されている。
この際、一つの導電性パッド２１３ａでは発光素子３００が接合されておらず、導電性パッド２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃの一部と発光素子３００それぞれの上部に存する電極パッド３０１、３０５の一部を露出させる光透過用物質膜４００が導電性パッド２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃと発光素子３００を包んでいる。
そして、発光素子３００が接合されていない導電性パッド２１３ａで隣り合う発光素子３００ａの電極パッド３０１を連結する導電性ライン５２１が前記光透過用物質膜４００の表面に沿って形成されており、前記発光素子３００ａが接合された電極パッド２１３ｂで他の発光素子３００ｂの電極パッド３０５を連結する導電性ライン５２２が前記光透過用物質膜４００の表面に沿って形成されている。
従って、二つの発光素子がワイヤボンディング方式を使用せず、直列に連結されているパッケージを具現することができる。
図１３は本発明により発光素子をアレイして白色光源を具現したパッケージの断面図であって、基板２００の上部に、上部及び下部それぞれに電極パッド３０１、３０２が形成されている一つの発光素子３００を第１実施例のようにパッケージングする。
そして、上部に一対の電極パッド３５１、３５２が形成されている二つの発光素子３５０を第２実施例のようにパッケージングする。
前記上部及び下部それぞれに電極パッド３０１、３０２が形成されている発光素子３００は赤色発光素子であり、上部に一対の電極パッド３５１、３５２が形成されている発光素子３５０は緑色と青色発光素子である。
したがって、基板上部に赤色、緑色と青色発光素子を実装し、これら発光素子をワイヤボンディングせず電気的に連結させ白色光を放出させられるパッケージを具現できる。
図１４は本発明により発光素子をアレイして白色光源を具現したパッケージの他の断面図であって、基板２００の上部に六つの導電性パッド２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ、２１４ｄ、２１４ｅ、２１４ｆが形成されており、二つの導電性パッド２１４ａ、２１４ｂを用いて、基板２００の上部に上部及び下部のそれぞれに電極パッド３０１、３０２が形成されている発光素子３００を実装しワイヤボンディングせずパッケージングする。
残り４つの導電性パッド２１４ｃ、２１４ｄ、２１４ｅ、２１４ｆに一対の電極パッド３５１、３５２が形成されている二つの発光素子３５２、３６０をフリップチップ(Flip chip)ボンディングする。
本発明は具体的な例について詳述されたが、本発明の技術思想の範囲内で多様な変形及び修正が可能なことは当業者にとって明らかであり、このような変形及び修正が特許請求の範囲に属することは当然である。
従来のワイヤボンディングを用いた発光素子パッケージの断面図 従来の技術により発光素子をアレイしてパッケージングした状態の断面図 従来の技術に係る発光素子パッケージに蛍光体が塗布された状態を概略的に示した断面図 従来の技術に係る発光素子パッケージに蛍光体が塗布された状態を概略的に示した断面図 本発明の第１実施例による発光素子パッケージの概略的な断面図 本発明の第１実施例により非導電性基板が適用された発光素子パッケージの断面図 本発明の第１実施例により導電性基板が適用された発光素子パッケージの断面図 本発明の第１実施例により発光素子パッケージの製造工程を説明するための断面図 本発明の第１実施例により発光素子パッケージの製造工程を説明するための断面図 本発明の第１実施例により発光素子パッケージの製造工程を説明するための断面図 本発明により光透過用物質膜を形成するための一例の工程断面図 本発明により光透過用物質膜を形成するための一例の工程断面図 本発明により光透過用物質膜を形成するための他の例の工程断面図 本発明により光透過用物質膜を形成するための他の例の工程断面図 本発明の第２実施例による発光素子パッケージの概略的な断面図 本発明の第２実施例により発光素子パッケージの製造工程を説明するための断面図 本発明の第２実施例により発光素子パッケージの製造工程を説明するための断面図 本発明の第２実施例により発光素子パッケージの製造工程を説明するための断面図 本発明により発光素子をアレイしてパッケージングした状態の断面図 本発明により発光素子をアレイして白色光源を具現したパッケージの断面図 本発明により発光素子をアレイして白色光源を具現したパッケージの他の断面図
符号の説明
２００:基板
２０２:導電性基板
２１０、２１１、２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃ、２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ、２１４ｄ、２１４ｅ、２１４ｆ:導電性パッド
３００、３００ａ、３００ｂ、３５０:発光素子
３０１、３０２、３０５、３５１、３５２、３６０:電極パッド
３１０:接着剤
３１１:導電性接着剤
４００:光透過用物質膜
４０１、４０２:トレンチ(Trench)
４１０:コーティング膜
４２０:平坦膜
５００、５２１:導電性ライン
５１１、５１２:導電性物質
５１３:導電層
７０５:ｎ型層
７０６:活性層
７０７:ｐ型層
７０８:サファイア基板
７０９:ワイヤ
７１０:サブマウント
７１２:ｐ-型オーミック接触金属
７１３:ｎ-型オーミック接触金属
７１５:ｎ型導電性パッド
７１６:ｐ型導電性パッド
７１７:インターコネクション部
７１８:蛍光体
７１９:透明絶縁膜
７２０:絶縁膜

Claims (16)

  1. 一対の導電性パッドが上部に形成された基板と、
    前記基板に実装され、上部及び下部それぞれに電極パッドが形成されていて、下部に形成された電極パッドが前記一対の導電性パッドの一方にボンディングされている発光素子と、
    前記電極パッドとボンディングされていない他方の導電性パッドの一部を露出させる第１垂直貫通ホールが形成されており、前記発光素子の上部に形成された電極パッドの一部を露出させる第２垂直貫通ホールが形成されており、前記導電性パッド及び発光素子の形態に沿って形成された光透過用物質膜と、
    前記第１垂直貫通ホールにより露出された前記導電性パッドの一部から前記第２垂直貫通ホールにより露出された前記発光素子の電極パッドの一部まで前記光透過用物質膜の表面に沿って形成された導電性ラインとを含んで構成された発光素子パッケージ。
  2. 前記基板は導電性基板であり、
    前記導電性パッドと前記導電性基板との間には絶縁膜がさらに介されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
  3. 前記発光素子は、
    赤色光または赤外線光を発光する素子であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
  4. 一対の導電性パッドが上部に形成された基板と、
    前記基板の上部に実装され、上部に一対の電極パッドが形成されている発光素子と、
    前記一対の導電性パッドそれぞれの一部を露出させる一対の第１垂直貫通ホールが形成されており、該一対の電極パッドそれぞれの一部を露出させる一対の第２垂直貫通ホールが形成されており、前記導電性パッド及び発光素子の形態に沿って形成された光透過用物質膜と、
    前記一対の第１垂直貫通ホールにより露出された前記一対の導電性パッドそれぞれの露出された一部から前記一対の第２垂直貫通ホールにより露出された前記一対の電極パッドそれぞれの露出された一部まで前記光透過用物質膜の表面に沿って形成された一対の導電性ラインとを含んで構成される発光素子パッケージ。
  5. 前記発光素子は、
    緑色または青色発光素子であることを特徴とする請求項４に記載の発光素子パッケージ。
  6. 前記光透過用物質膜は、
    光透過の可能な感光物質よりなることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
  7. 前記光透過用物質膜の内部には、
    前記発光素子から放出される光を波長転換させる蛍光体が分散されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
  8. 前記光透過用物質膜は、
    前記導電性パッド及び発光素子を包み、上部が平坦化されており、
    前記導電性ラインは、
    前記第１垂直貫通ホール及び前記第２垂直貫通ホールのそれぞれに充填された導電性物質と、
    前記第１垂直貫通ホール及び前記第２垂直貫通ホールのそれぞれに充填された導電性物質を連結するように前記光透過用物質膜の上部に形成された導電層で構成されることを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
  9. 前記光透過用物質膜は、
    前記発光素子の一部領域にだけ形成されており、
    前記光透過用物質膜及び発光素子を包む蛍光体膜がさらに具備されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発光素子パッケージ。
  10. 一対の導電性パッドが上部に形成された基板の前記一対の導電性パッドの一方に、上部及び下部のそれぞれに電極パッドが形成されている発光素子の下部に形成された電極パッドをボンディングする段階と、
    前記電極パッドとボンディングされていない他方の導電性パッドの一部を露出させる第１垂直貫通ホール及び前記発光素子の上部に形成された電極パッドの一部を露出させる第２垂直貫通ホールを形成し、前記導電性パッド及び発光素子の形態に沿って光透過用物質膜を形成する段階と、
    前記第１垂直貫通ホールにより露出された前記導電性パッドの一部から前記第２垂直貫通ホールにより露出された前記発光素子の電極パッドの一部まで前記光透過用物質膜の表面に沿って導電性ラインを形成する段階とを含んで構成される発光素子パッケージの製造方法。
  11. 前記光透過用物質膜は、
    光透過用物質を前記導電性パッド及び発光素子にコーティングして膜を形成し、前記導電性パッドの一部及び前記発光素子の上部に形成された電極パッドの一部が露出されるように、前記膜を選択的に除去する工程を行なって形成することを特徴とする請求項１０に記載の発光素子パッケージの製造方法。
  12. 前記膜は、
    スプレイコーティング法で形成することを特徴とする請求項１１に記載の発光素子パッケージの製造方法。
  13. 前記光透過用物質膜を形成することは、
    前記導電性パッド及び発光素子を包み、上部が平坦化された平坦膜を形成する工程と、
    前記平坦膜の上部から導電性パッド及び発光素子の電極パッドまでの平坦膜がそれぞれ除去され形成された第１垂直貫通ホール及び第２垂直貫通ホールを形成する工程と、
    前記第１垂直貫通ホール及び第２垂直貫通ホールそれぞれに導電性物質を充填し、充填された導電性物質を連結する導電層を形成する工程を行なうことを特徴とする請求項１０に記載の発光素子パッケージの製造方法。
  14. 一対の導電性パッドが上部に形成された基板上部に一対の電極パッドが形成されている発光素子を接合する段階と、
    前記一対の導電性パッドそれぞれの一部を露出させる一対の第１垂直貫通ホール及び前記一対の電極パッドそれぞれの一部を露出させる一対の第２垂直貫通ホールを形成し、前記導電性パッド及び発光素子の形態に沿って光透過用物質膜を形成する段階と、
    前記一対の第１垂直貫通ホールにより露出された前記一対の導電性パッドそれぞれの露出された一部から一対の第２垂直貫通ホールにより露出された前記一対の電極パッドそれぞれの露出された一部まで前記光透過用物質膜の表面に沿って形成された一対の導電性ラインを形成する段階を含んで構成される発光素子パッケージの製造方法。
  15. 前記光透過用物質膜は、
    光透過の可能な感光物質よりなることを特徴とする請求項１０又は１４に記載の発光素子パッケージの製造方法。
  16. 前記光透過用物質膜の内部には、
    前記発光素子から放出される光を波長転換させる蛍光体が分散されていることを特徴とする請求項１０又は１４に記載の発光素子パッケージの製造方法。
JP2006137259A 2005-05-17 2006-05-17 発光素子パッケージ及びその製造方法 Active JP4664861B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050041235A KR101047683B1 (ko) 2005-05-17 2005-05-17 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006324667A JP2006324667A (ja) 2006-11-30
JP4664861B2 true JP4664861B2 (ja) 2011-04-06

Family

ID=36791562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006137259A Active JP4664861B2 (ja) 2005-05-17 2006-05-17 発光素子パッケージ及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7683539B2 (ja)
EP (1) EP1724848B1 (ja)
JP (1) JP4664861B2 (ja)
KR (1) KR101047683B1 (ja)
CN (1) CN1866561A (ja)

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
EP1963743B1 (en) 2005-12-21 2016-09-07 Cree, Inc. Lighting device
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US7943952B2 (en) 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
EP2081238A1 (en) * 2006-11-08 2009-07-22 C. I. Kasei Company, Limited Light emitting device and method for manufacturing the same
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US9196799B2 (en) 2007-01-22 2015-11-24 Cree, Inc. LED chips having fluorescent substrates with microholes and methods for fabricating
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
DE102007018837A1 (de) * 2007-03-26 2008-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
US7687812B2 (en) * 2007-06-15 2010-03-30 Tpo Displays Corp. Light-emitting diode arrays and methods of manufacture
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
DE102008003423A1 (de) * 2008-01-07 2009-07-23 Uni-Light Touchtek Corp. Optoelektronisches Halbleiterbauelement und aus diesem hergestellte Leuchtdiode
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US20090309114A1 (en) * 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
CN101222014A (zh) * 2008-01-31 2008-07-16 金芃 垂直结构的半导体芯片
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
DE102008021402B4 (de) 2008-04-29 2023-08-10 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares Leuchtdioden-Modul und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Leuchtdioden-Moduls
KR101506264B1 (ko) * 2008-06-13 2015-03-30 삼성전자주식회사 발광 소자, 발광 장치 및 상기 발광 소자의 제조 방법
KR101021398B1 (ko) * 2008-07-24 2011-03-14 한국광기술원 발광 다이오드 및 그의 제조방법
DE102008049188A1 (de) * 2008-09-26 2010-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat und einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008057350A1 (de) 2008-11-14 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
KR100993045B1 (ko) * 2009-10-23 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 칩 및 발광소자 패키지
US8207547B2 (en) 2009-06-10 2012-06-26 Brudgelux, Inc. Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate
KR101622399B1 (ko) * 2009-08-18 2016-05-18 엘지전자 주식회사 Ｌｅｄ 장치
DE102009039890A1 (de) * 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper, einer Isolationsschicht und einer planaren Leitstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102009039891A1 (de) 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul aufweisend zumindest einen ersten Halbleiterkörper mit einer Strahlungsaustrittsseite und einer Isolationsschicht und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101134802B1 (ko) * 2010-02-01 2012-04-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
EP2367203A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-21 Samsung LED Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having multi-cell array and method for manufacturing the same
KR101144616B1 (ko) * 2010-04-28 2012-05-11 하나 마이크론(주) 발광다이오드 패키지 제조 방법
WO2011145794A1 (ko) 2010-05-18 2011-11-24 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
DE102010034565A1 (de) * 2010-08-17 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102010044560A1 (de) 2010-09-07 2012-03-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US8803185B2 (en) * 2012-02-21 2014-08-12 Peiching Ling Light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101303015B1 (ko) * 2012-04-13 2013-09-03 (재)한국나노기술원 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
KR101374611B1 (ko) * 2012-04-13 2014-03-17 (재)한국나노기술원 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
CN103378079A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 广东金源照明科技有限公司 一种多芯片阵列式cob倒装共晶封装结构及封装方法
KR20130131852A (ko) * 2012-05-25 2013-12-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 모듈
CN103000780B (zh) * 2012-12-14 2015-08-05 京东方科技集团股份有限公司 一种led芯片封装结构及制作方法、显示装置
KR20140094752A (ko) 2013-01-22 2014-07-31 삼성전자주식회사 전자소자 패키지 및 이에 사용되는 패키지 기판
KR101455813B1 (ko) * 2013-04-30 2014-11-04 주식회사 세미콘라이트 백라이트 유닛
KR101506291B1 (ko) * 2013-06-11 2015-03-30 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자, 반도체 발광소자의 제조방법 및 반도체 발광소자를 포함하는 백라이트 유닛
WO2016027186A1 (en) * 2014-08-19 2016-02-25 Koninklijke Philips N.V. Sapphire collector for reducing mechanical damage during die level laser lift-off
EP3295479B1 (en) * 2015-05-13 2018-09-26 Lumileds Holding B.V. Sapphire collector for reducing mechanical damage during die level laser lift-off
JP6637703B2 (ja) * 2015-09-10 2020-01-29 アルパッド株式会社 半導体発光装置
JP6991981B2 (ja) * 2016-02-24 2022-01-13 マジック リープ， インコーポレイテッド 光エミッタのための薄型相互接続子
CN108461608B (zh) * 2017-02-21 2019-11-12 鼎元光电科技股份有限公司 发光元件及发光元件的制造方法
DE102017112223A1 (de) * 2017-06-02 2018-12-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaser-Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaser-Bauteils
KR102433873B1 (ko) 2018-01-29 2022-08-19 삼성전자주식회사 Led 패널 및 led 패널의 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002344011A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Sony Corp 表示素子及びこれを用いた表示装置
JP2003258312A (ja) * 2002-03-01 2003-09-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置の製造方法
JP2004282004A (ja) * 2002-09-17 2004-10-07 Daiwa Kogyo:Kk 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP2005057239A (ja) * 2003-03-27 2005-03-03 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子およびその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910006706B1 (ko) 1988-12-12 1991-08-31 삼성전자 주식회사 발광다이오드 어레이 헤드의 제조방법
JP2744350B2 (ja) * 1990-11-22 1998-04-28 キヤノン株式会社 半導体基板およびその製造方法
US5798536A (en) * 1996-01-25 1998-08-25 Rohm Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device and method for manufacturing the same
KR20050053798A (ko) * 1996-06-26 2005-06-08 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
KR100413450B1 (ko) * 2001-07-20 2003-12-31 엘지전자 주식회사 표시소자의 보호막 구조
CN1477721A (zh) 2002-08-20 2004-02-25 何文志 混光层和混光方法
EP1665397A2 (en) * 2003-09-16 2006-06-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lighting source and led lighting apparatus
US7252408B2 (en) * 2004-07-19 2007-08-07 Lamina Ceramics, Inc. LED array package with internal feedback and control
DE102004050371A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einer drahtlosen Kontaktierung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002344011A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Sony Corp 表示素子及びこれを用いた表示装置
JP2003258312A (ja) * 2002-03-01 2003-09-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置の製造方法
JP2004282004A (ja) * 2002-09-17 2004-10-07 Daiwa Kogyo:Kk 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP2005057239A (ja) * 2003-03-27 2005-03-03 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060118840A (ko) 2006-11-24
US20060261292A1 (en) 2006-11-23
CN1866561A (zh) 2006-11-22
US7683539B2 (en) 2010-03-23
JP2006324667A (ja) 2006-11-30
EP1724848A3 (en) 2012-06-27
EP1724848B1 (en) 2018-08-15
KR101047683B1 (ko) 2011-07-08
EP1724848A2 (en) 2006-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4664861B2 (ja) 発光素子パッケージ及びその製造方法
EP3767688B1 (en) Light emitting diode
JP5036287B2 (ja) 発光素子パッケージ
JP3978451B2 (ja) 発光装置
US11189601B2 (en) Reflective solder mask layer for LED phosphor package
US8610135B2 (en) Substrate for mounting light-emitting elements, light-emitting device, and method for manufacturing same
US8399267B2 (en) Methods for packaging light emitting devices and related microelectronic devices
CN111164753B (zh) 半导体装置及包括该半导体装置的前照灯
WO2011129202A1 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP5036222B2 (ja) 発光装置
CN106997888B (zh) 发光二极管显示装置
US8587008B2 (en) Light-emitting device
JP2007194675A (ja) 発光装置
JP4847793B2 (ja) 発光装置
JP2007214592A (ja) 発光装置
JP6212989B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
KR101360324B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR101329194B1 (ko) 광 모듈 및 그 제조 방법
US10147709B2 (en) Light emitting module
US20220069184A1 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
CN219959038U (zh) 一种发光芯片封装结构和发光装置
KR101300463B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
KR100956106B1 (ko) 칩레벨 발광 다이오드 패키지를 이용한 투명 디스플레이장치
KR20150077088A (ko) 발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090804

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091104

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100119

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100415

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100928

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101214

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110107

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4664861

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250