JP4660353B2 - 記憶媒体再生装置 - Google Patents
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Description
第1の実施の形態にかかる記憶媒体再生装置は、読出した情報の誤りを検出し、誤りが検出された場合に、メモリ素子に記憶された符号を判定するための閾値を変更して再度情報を読み出すものである。
第2の実施の形態にかかる記憶媒体再生装置は、読出した情報の誤りが検出されなかったときの閾値を記憶し、以降の読出し時に参照することにより、情報読出し処理の高速化を図るものである。
第3の実施の形態にかかる記憶媒体再生装置は、正常に情報を読出した際の閾値が所定の基準値より小さい場合に、電荷量を正常値に保持するリフレッシュ動作を行うものである。
101 誤り検出符号生成部
102 誤り訂正符号生成部
103a、103b、103c 書込み制御部
104a、104b、104c 比較部
105 誤り訂正部
106 誤り検出部
107 閾値生成部
110 記憶部
110a 情報記憶部
110b 誤り検出符号記憶部
110c 誤り訂正符号記憶部
401 閾値生成制御部
402 レジスタ
403 ROM
404 D/Aコンバータ
700 記憶媒体再生装置
707 閾値生成部
711 読出し閾値記憶部
1000 記憶媒体再生装置
1008 リフレッシュ制御部
Claims (2)
- 電荷量の大小に関連付けて情報を記憶する記憶手段と、
複数の閾値を生成可能な閾値生成手段と、
閾値を記憶する読出し閾値記憶手段と、
前記閾値生成手段が生成した閾値と、前記記憶手段に記憶された電荷量とを比較して、比較結果に基づいて前記記憶手段から電荷量に関連付けられた情報を読み出す比較手段と、
前記比較手段が読み出した情報に対して誤り訂正を行う誤り訂正手段と、
前記誤り訂正手段が訂正した情報に誤りが存在するか否かを判断するとともに、前記誤り訂正手段が訂正した誤りの個数が、前記閾値生成手段によって1つ前に生成された閾値を用いて読み出された情報に対して前記誤り訂正手段が訂正した誤りの個数よりも増加したか否かを判断する誤り検出手段と、を備え、
前記誤り訂正手段が訂正した情報に誤りが存在すると前記誤り検出手段が判断した場合には、既に生成した閾値とは異なる新たな閾値を前記閾値生成手段が生成する処理、該新たな閾値を用いて前記比較手段が情報を読み出す処理、前記誤り訂正手段による誤り訂正、および、前記誤り訂正手段が訂正した情報に誤りが存在するか否かについての前記誤り検出手段による判断を、前記誤り訂正手段が訂正した情報に誤りが存在しないと前記誤り検出手段が判断するまで、繰り返し実行し、
前記誤り訂正手段が訂正した情報に誤りが存在しないと前記誤り検出手段が判断した場合には、前記閾値生成手段は、既に生成した閾値とは異なる新たな閾値を生成し、前記比較手段は、該新たな閾値を用いて前記記憶手段から情報を読み出し、前記誤り訂正手段は、前記比較手段により読み出された情報に対して誤り訂正を行い、前記誤り検出手段は、前記誤り訂正手段が訂正した誤りの個数が、前記閾値生成手段によって1つ前に生成された閾値を用いて読み出された情報に対して前記誤り訂正手段が訂正した誤りの個数よりも増加したか否かを判断し、
前記誤り訂正手段により訂正された誤りの個数が増加していないと前記誤り検出手段が判断した場合には、既に生成した閾値とは異なる新たな閾値を前記閾値生成手段が生成する処理、該新たな閾値を用いて前記比較手段が情報を読み出す処理、前記誤り訂正手段による誤り訂正、および、前記誤り訂正手段により訂正された誤りの個数が増加したか否かについての前記誤り検出手段による判断を、前記誤り訂正手段により訂正された誤りの個数が増加したと前記誤り検出手段が判断するまで、繰り返し実行し、
前記誤り訂正手段が訂正した誤りの個数が増加したと前記誤り検出手段が判断した場合には、前記閾値生成手段によって最後に生成された閾値の1つ前に生成された閾値を前記読出し閾値記憶手段に記憶することを特徴とする記憶媒体再生装置。 - 電荷量の大小に関連付けて情報を記憶する記憶手段と、
複数の閾値を生成可能な閾値生成手段と、
前記閾値生成手段が生成した閾値と、前記記憶手段に記憶された電荷量とを比較して、比較結果に基づいて前記記憶手段から電荷量に関連付けられた情報を読み出す比較手段と、
前記比較手段が読出した情報に対して誤り訂正を行う誤り訂正手段と、
前記誤り訂正手段が訂正した情報に誤りが存在するか否かを判断する誤り検出手段と、
前記誤り検出手段が情報に誤りが存在しないと判断した場合に、誤りが存在しないと判断した該情報を読み出すのに用いた閾値と予め定められた第1の基準値とを比較し、該閾値が前記第1の基準値より小さい場合に、前記誤り訂正手段が訂正した誤りの個数と予め定められた第2の基準値とを比較し、前記誤りの個数が前記第2の基準値より大きい場合に、前記記憶手段の電荷量を正常値に保持するリフレッシュ動作を行うリフレッシュ制御手段と、を備え、
前記誤り検出手段が情報に誤りが存在すると判断した場合には、既に生成した閾値とは異なる新たな閾値を前記閾値生成手段が生成する処理、該新たな閾値を用いて前記比較手段が情報を読み出す処理、前記誤り訂正手段による誤り訂正、および、前記誤り訂正手段が訂正した情報に誤りが存在するか否かについての前記誤り検出手段による判断を、前記誤り検出手段が情報に誤りが存在しないと判断するまで繰り返し実行することを特徴とする記憶媒体再生装置。
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US11/531,963 US7551478B2 (en) | 2005-11-01 | 2006-09-14 | Apparatus, method and computer program product for reading information stored in storage medium |
CNB2006101429908A CN100565703C (zh) | 2005-11-01 | 2006-10-26 | 用于再生存储在存储介质中的信息的装置和方法 |
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003346432A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-12-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | データ記憶装置およびデータ処理方法 |
JP4660353B2 (ja) | 2005-11-01 | 2011-03-30 | 株式会社東芝 | 記憶媒体再生装置 |
JP4575288B2 (ja) * | 2005-12-05 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | 記憶媒体、記憶媒体再生装置、記憶媒体再生方法および記憶媒体再生プログラム |
JP2008066466A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその読み出し電圧の補正方法 |
US7886204B2 (en) * | 2006-09-27 | 2011-02-08 | Sandisk Corporation | Methods of cell population distribution assisted read margining |
WO2008084489A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-07-17 | Ashok Vishwanath Sathe | System of actuation of drive coupling to engage and disengage the drive to rotary tool holders |
JP2008217857A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | メモリコントローラ及び半導体装置 |
JP4564520B2 (ja) | 2007-08-31 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置およびその制御方法 |
JP4538034B2 (ja) * | 2007-09-26 | 2010-09-08 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置、及びその制御方法 |
JP5194775B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2013-05-08 | 日本電気株式会社 | 光チャネルモニタのデータ収集方法およびプログラムならびに伝送装置 |
CN101632068B (zh) * | 2007-12-28 | 2015-01-14 | 株式会社东芝 | 半导体存储装置 |
JP4439569B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2010-03-24 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
KR101506655B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2015-03-30 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 메모리 데이터 오류 관리 방법 |
KR101518199B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2015-05-06 | 삼성전자주식회사 | 오류 정정 장치, 그 방법 및 상기 장치를 포함하는 메모리장치 |
JP2010015197A (ja) | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Toshiba Corp | ストレージ制御装置、データ復元装置およびストレージシステム |
JP2010015195A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Toshiba Corp | 記憶制御装置及び記憶制御方法 |
JP2010009548A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Toshiba Corp | 記憶装置、制御装置、記憶システム、および記憶方法 |
JP5242264B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2013-07-24 | 株式会社東芝 | データ制御装置、ストレージシステムおよびプログラム |
JP4551958B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2010-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法 |
JP5268710B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2013-08-21 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US8077515B2 (en) * | 2009-08-25 | 2011-12-13 | Micron Technology, Inc. | Methods, devices, and systems for dealing with threshold voltage change in memory devices |
KR101678909B1 (ko) * | 2009-09-17 | 2016-11-23 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 시스템 및 그것의 소거 리프레쉬 방법 |
US8576625B1 (en) | 2010-04-20 | 2013-11-05 | Marvell International Ltd. | Decoder parameter estimation using multiple memory reads |
US8572445B2 (en) * | 2010-09-21 | 2013-10-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory (NVM) with imminent error prediction |
JP5039193B2 (ja) | 2010-09-22 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置および制御方法 |
US8665650B2 (en) * | 2011-02-18 | 2014-03-04 | Marvell World Trade Ltd. | Reliability metrics management for soft decoding |
US8472274B2 (en) * | 2011-03-02 | 2013-06-25 | Apple Inc. | Using temperature sensors with a memory device |
JP2011238346A (ja) * | 2011-06-16 | 2011-11-24 | Sandisk Il Ltd | フラッシュメモリ内のエラーから復旧するための方法 |
US8687421B2 (en) * | 2011-11-21 | 2014-04-01 | Sandisk Technologies Inc. | Scrub techniques for use with dynamic read |
JP5740296B2 (ja) | 2011-12-16 | 2015-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置、半導体記憶装置の制御方法、制御プログラム |
US9189313B2 (en) | 2012-08-27 | 2015-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system having NAND-type flash memory and memory controller with shift read controller and threshold voltage comparison module |
JP6420165B2 (ja) * | 2014-02-07 | 2018-11-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9230689B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-01-05 | Sandisk Technologies Inc. | Finding read disturbs on non-volatile memories |
DE102014211111A1 (de) * | 2014-06-11 | 2015-12-17 | Robert Bosch Gmbh | Refresh eines Speicherbereichs einer nichtflüchtigen Speichereinheit |
US9607703B2 (en) | 2014-09-08 | 2017-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
US9552171B2 (en) | 2014-10-29 | 2017-01-24 | Sandisk Technologies Llc | Read scrub with adaptive counter management |
US9978456B2 (en) | 2014-11-17 | 2018-05-22 | Sandisk Technologies Llc | Techniques for reducing read disturb in partially written blocks of non-volatile memory |
US9349479B1 (en) | 2014-11-18 | 2016-05-24 | Sandisk Technologies Inc. | Boundary word line operation in nonvolatile memory |
US10031865B2 (en) | 2014-11-26 | 2018-07-24 | Sony Corporation | Memory system, storage device, and method for controlling memory system |
US9449700B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-09-20 | Sandisk Technologies Llc | Boundary word line search and open block read methods with reduced read disturb |
US9786386B2 (en) | 2015-02-27 | 2017-10-10 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Dynamic approximate storage for custom applications |
US9653154B2 (en) | 2015-09-21 | 2017-05-16 | Sandisk Technologies Llc | Write abort detection for multi-state memories |
JP6659494B2 (ja) | 2016-08-19 | 2020-03-04 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置及びメモリシステム |
JP6725375B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2020-07-15 | キオクシア株式会社 | メモリシステムおよび方法 |
US10957407B1 (en) | 2019-10-30 | 2021-03-23 | International Business Machines Corporation | Calculating corrective read voltage offsets in non-volatile random access memory |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01133300A (ja) * | 1987-08-31 | 1989-05-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 自己訂正機能付半導体記憶装置及びマイクロコンピュータ |
JPH1078853A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-03-24 | Hitachi Ltd | 記憶装置 |
JPH11154394A (ja) * | 1997-09-08 | 1999-06-08 | Invox Technol | 誤り検出及び訂正を備えた多値レベル不揮発性メモリ |
JP2001332096A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-30 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体メモリおよび不揮発性半導体メモリを用いた記録再生装置 |
JP2007512639A (ja) * | 2003-10-29 | 2007-05-17 | サイファン・セミコンダクターズ・リミテッド | 基準電圧を決定する方法、回路、及びシステム |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5128944A (en) * | 1989-05-26 | 1992-07-07 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for providing notification of bit-cell failure in a redundant-bit-cell memory |
US5233559A (en) * | 1991-02-11 | 1993-08-03 | Intel Corporation | Row redundancy for flash memories |
JP2730375B2 (ja) * | 1992-01-31 | 1998-03-25 | 日本電気株式会社 | 半導体メモリ |
US5347489A (en) * | 1992-04-21 | 1994-09-13 | Intel Corporation | Method and circuitry for preconditioning shorted rows in a nonvolatile semiconductor memory incorporating row redundancy |
US5517634A (en) * | 1992-06-23 | 1996-05-14 | Quantum Corporation | Disk drive system including a DRAM array and associated method for programming initial information into the array |
US5428621A (en) * | 1992-09-21 | 1995-06-27 | Sundisk Corporation | Latent defect handling in EEPROM devices |
US5883903A (en) * | 1993-09-20 | 1999-03-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor memory of XN type having parity corresponding to n×m bits |
KR0168896B1 (ko) * | 1993-09-20 | 1999-02-01 | 세키자와 다다시 | 패리티에 의해 에러를 수정할 수 있는 반도체 메모리장치 |
CN1147866C (zh) * | 1994-06-02 | 2004-04-28 | 英特尔公司 | 含多级单元的快擦存储器的读出电路 |
US5559742A (en) * | 1995-02-23 | 1996-09-24 | Micron Technology, Inc. | Flash memory having transistor redundancy |
US6353554B1 (en) * | 1995-02-27 | 2002-03-05 | Btg International Inc. | Memory apparatus including programmable non-volatile multi-bit memory cell, and apparatus and method for demarcating memory states of the cell |
JP2833574B2 (ja) * | 1996-03-28 | 1998-12-09 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US5774396A (en) * | 1996-03-29 | 1998-06-30 | Aplus Integrated Circuits, Inc. | Flash memory with row redundancy |
TW380255B (en) * | 1997-02-26 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | Semiconductor memory |
EP1153394B1 (de) * | 1999-02-22 | 2002-11-06 | Infineon Technologies AG | Verfahren zum betrieb einer speicherzellenanordnung mit selbstverstärkenden dynamischen speicherzellen |
US6108250A (en) * | 1999-04-15 | 2000-08-22 | Alliance Semiconductor Corporation | Fast redundancy scheme for high density, high speed memories |
US6711056B2 (en) * | 2001-03-12 | 2004-03-23 | Micron Technology, Inc. | Memory with row redundancy |
US6469932B2 (en) * | 2001-03-12 | 2002-10-22 | Micron Technology, Inc. | Memory with row redundancy |
US6771541B1 (en) * | 2003-02-25 | 2004-08-03 | Nexflash Technologies, Inc. | Method and apparatus for providing row redundancy in nonvolatile semiconductor memory |
US7057939B2 (en) * | 2004-04-23 | 2006-06-06 | Sandisk Corporation | Non-volatile memory and control with improved partial page program capability |
US7009889B2 (en) * | 2004-05-28 | 2006-03-07 | Sandisk Corporation | Comprehensive erase verification for non-volatile memory |
JP4660353B2 (ja) | 2005-11-01 | 2011-03-30 | 株式会社東芝 | 記憶媒体再生装置 |
JP4575288B2 (ja) | 2005-12-05 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | 記憶媒体、記憶媒体再生装置、記憶媒体再生方法および記憶媒体再生プログラム |
-
2005
- 2005-11-01 JP JP2005318803A patent/JP4660353B2/ja active Active
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JPH01133300A (ja) * | 1987-08-31 | 1989-05-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 自己訂正機能付半導体記憶装置及びマイクロコンピュータ |
JPH1078853A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-03-24 | Hitachi Ltd | 記憶装置 |
JPH11154394A (ja) * | 1997-09-08 | 1999-06-08 | Invox Technol | 誤り検出及び訂正を備えた多値レベル不揮発性メモリ |
JP2001332096A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-30 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体メモリおよび不揮発性半導体メモリを用いた記録再生装置 |
JP2007512639A (ja) * | 2003-10-29 | 2007-05-17 | サイファン・セミコンダクターズ・リミテッド | 基準電圧を決定する方法、回路、及びシステム |
Also Published As
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