JP6659494B2 - 半導体記憶装置及びメモリシステム - Google Patents
半導体記憶装置及びメモリシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6659494B2 JP6659494B2 JP2016161058A JP2016161058A JP6659494B2 JP 6659494 B2 JP6659494 B2 JP 6659494B2 JP 2016161058 A JP2016161058 A JP 2016161058A JP 2016161058 A JP2016161058 A JP 2016161058A JP 6659494 B2 JP6659494 B2 JP 6659494B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- read
- command
- memory cells
- data
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 227
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 44
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 20
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 103
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 32
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 31
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 102100037009 Filaggrin-2 Human genes 0.000 description 1
- 101000878281 Homo sapiens Filaggrin-2 Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 208000011580 syndromic disease Diseases 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
- G11C16/3427—Circuits or methods to prevent or reduce disturbance of the state of a memory cell when neighbouring cells are read or written
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
- G11C11/5621—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
- G11C11/5642—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1063—Control signal output circuits, e.g. status or busy flags, feedback command signals
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Description
以下に、第1実施形態に係る半導体記憶装置及びメモリシステムについて説明する。
[1−1−1]メモリシステム1の構成
まず、図1を用いてメモリシステムの構成について説明する。図1にはメモリシステムのブロック図が示されている。図1に示すようにメモリシステム1は、半導体記憶装置10、及びコントローラ20を備えている。
次に、図2を用いて半導体記憶装置10の構成について説明する。図2には半導体記憶装置10のブロック図が示されている。図2に示すように半導体記憶装置10は、メモリセルアレイ11、センスアンプモジュール12、ロウデコーダ13、入出力回路14、レジスタ15、ロジック制御回路16、シーケンサ17、レディ/ビジー制御回路18、及び電圧生成回路19を備えている。
次に、図3を用いてメモリセルアレイ11の構成について説明する。図3はメモリセルアレイ11の回路図であり、メモリセルアレイ11内の1つのブロックBLKについての詳細な回路構成が示されている。図3に示すようにブロックBLKは、複数のNANDストリングNSを備えている。
次に、図5を用いてセンスアンプモジュール12の構成について説明する。図5は、センスアンプモジュール12の回路図である。図5に示すようにセンスアンプモジュール12は、ビット線BL毎に設けられたセンスアンプユニットSAU(SAU0〜SAU(L−1))を含む。
次に、メモリシステム1の動作について説明する。
まず、メモリシステム1全体の動作を説明する前に、半導体記憶装置10が実行することが可能な複数の動作について以下に説明する。
それでは、メモリシステム1の読み出し動作について説明する。メモリシステム1の読み出し動作において半導体記憶装置10は、コントローラ20が発行する第1〜第3コマンドセットに応答してそれぞれ第1〜第3読み出し動作を実行することが出来る。
ステップS13のシフトリードによって読み出されたデータDATがコントローラ20に送信されると、レディ/ビジー信号が“L”レベルから“H”レベルになる。
次に、第1実施形態の効果について説明する。本実施形態に係るメモリシステム1によれば、動作を高速化することが出来る。以下に、本効果について詳述する。
次に、第2実施形態に係るメモリシステム1について説明する。第2実施形態は、上記第1実施形態で説明した読み出し動作において、コントローラ20が特殊コマンドを発行すること無く、直近のトラッキングリードにより得られた補正値を適用したシフトリードを実行するものである。以下に、第1実施形態と異なる点を説明する。
まず、メモリシステム1の読み出し動作について説明する。本実施形態に係る半導体記憶装置10は、第1実施形態係る半導体記憶装置10では第2コマンドセットCS2に応答して第2読み出し動作を実行していたのに対して、第3コマンドセットCS3に応答して第2読み出し動作を実行する。
次に、第2実施形態の効果について説明する。本実施形態に係るメモリシステム1によれば、第1実施形態と同様の効果を得ることが出来、さらに第1実施形態よりも動作を高速化することが出来る。以下に、本効果について詳述する。
次に、第3実施形態に係るメモリシステム1について説明する。第3実施形態は、上記第2実施形態で説明した読み出し動作において、データを読み出すブロックアドレスが変わった際に、半導体記憶装置10がトラッキングリードを実行するものである。以下に、第1及び第2実施形態と異なる点を説明する。
まず、メモリシステム1の読み出し動作について説明する。本実施形態に係るメモリシステム1の読み出し動作においてコントローラ20は、最初のページを読み出す際には第1コマンドセットCS1を発行し、それ以降のページの読み出す際には第3コマンドセットCS3を発行する。また半導体記憶装置10は、通常は第3コマンドセットCS3に応答して第2読み出し動作を実行し、受信した第3コマンドセットCS3に含まれたブロックアドレスが変化した場合には第1読み出し動作を実行する。
次に、第3実施形態の効果について説明する。本実施形態に係るメモリシステム1によれば、第1実施形態と同様の効果を得ることが出来、さらに第1実施形態よりも動作を高速化することが出来る。以下に、本効果について詳述する。
次に、第4実施形態に係るメモリシステム1について説明する。第4実施形態は、上記第2実施形態で説明した読み出し動作において、半導体記憶装置10内部で特定のワード線WLが選択されたことを検知した場合にトラッキングリードを実行するものである。以下に、第1〜第3実施形態と異なる点を説明する。
まず、メモリシステム1の読み出し動作について説明する。本実施形態に係るメモリシステム1の読み出し動作においてコントローラ20は、第3実施形態と同様に、最初のページを読み出す際には第1コマンドセットCS1を発行し、それ以降のページの読み出す際には第3コマンドセットCS3を発行する。また半導体記憶装置10は、通常は第3コマンドセットCS3に応答して第2読み出し動作を実行し、受信した第3コマンドセットCS3に含まれたアドレスが特定のワード線に対応する場合には第1読み出し動作を実行する。この特定のワード線としては、例えば各ブロックBLKの端部に位置するワード線が指定され、任意に設定することが可能である。
次に、第4実施形態の効果について説明する。本実施形態に係るメモリシステム1によれば、第3実施形態と同様の効果を得ることが出来、さらに第3実施形態よりも動作を高速化することが出来る。以下に、本効果について詳述する。
次に、第5実施形態に係るメモリシステム1について説明する。第5実施形態は、各ページの冗長領域にフラグ情報を書き込み、このフラグ情報に基づいてトラッキングリードを実行するものである。以下に、第1〜第4実施形態と異なる点を説明する。
[5−1−1]メモリシステム1の動作の概要
まず、メモリシステム1の動作の概要について説明する。本実施形態に係るメモリシステム1では、書き込み動作及び読み出し動作においてフラグ情報が使用される。
次に、図19を用いてメモリシステム1の書き込み動作の具体例について説明する。図19には、書き込み動作の一例がフローチャートで示されている。
次に、メモリシステム1の読み出し動作の詳細について説明する。本実施形態に係るメモリシステム1は、1種類のコマンドセット(例えばコマンドセットCS3)で、以下で説明する読み出し動作を実行することが出来る。読み出し動作において半導体記憶装置10は、コントローラ20から受信したコマンドセットに応答してまずフラグリードを実行し、続けて第1読み出し動作又は第2読み出し動作を実行する。
次に、第5実施形態の効果について説明する。本実施形態に係るメモリシステム1によれば、第1実施形態と同様の効果を得ることが出来、さらに第1実施形態よりも動作を高速化することが出来る。以下に、本効果について詳述する。
次に、第6実施形態に係るメモリシステム1について説明する。第6実施形態は、第5実施形態においてコントローラ20がフラグ情報を生成していたのに対して、半導体記憶装置10がフラグ情報を生成するものである。以下に、第1〜第5実施形態と異なる点を説明する。
まず、図22を用いてメモリシステム1の書き込み動作の具体例について説明する。図22には、書き込み動作の一例がフローチャートで示されている。
次に、第6実施形態の効果について説明する。本実施形態に係るメモリシステム1によれば、第5実施形態と同様の効果を得ることが出来る。以下に、本効果について詳述する。
上記実施形態に係る半導体記憶装置<10、図1>は、複数の第1及び第2メモリセルと、複数の第1及び第2メモリセルにそれぞれ接続された第1及び第2ワード線と、外部から受信した第1及び第2コマンドセット<CS1,CS2、図9>にそれぞれ応答して読み出し動作を実行する制御回路<20、図1>とを含む。制御回路は、読み出し動作時において第1及び第2読み出しシーケンスを実行することが可能である。第1読み出しシーケンス<Tracking read、図9>では、互いに異なる第1乃至第3電圧を用いてそれぞれデータが読み出される。第2読み出しシーケンス<Shift read、図9>では、第1読み出しシーケンスの結果に基づいた電圧を用いてデータが読み出される。第1コマンドセットに基づく複数の第1メモリセルの読み出し動作では、第1及び第2読み出しシーケンスが連続で実行される。複数の第1メモリセルの読み出し動作に続く、第2コマンドセットに基づく複数の第2メモリセルの読み出し動作では、複数の第1メモリセルの読み出し動作における第1読み出しシーケンスの結果に基づいた電圧を用いた第2読み出しシーケンスが実行される。
(1)読み出し動作では、“A”レベルの読み出し動作に選択されたワード線に印加される電圧は、例えば0〜0.55Vの間である。これに限定されることなく、0.1〜0.24V、0.21〜0.31V、0.31〜0.4V、0.4〜0.5V、0.5〜0.55Vのいずれかの間にしてもよい。
(2)書き込み動作は、上述したとおりプログラム動作とベリファイ動作を含む。書き込み動作では、プログラム動作時に選択されたワード線に最初に印加される電圧は、例えば13.7〜14.3Vの間である。これに限定されることなく、例えば13.7〜14.0V、14.0〜14.6Vのいずれかの間としてもよい。
(3)消去動作では、半導体基板上部に形成され、かつ、上記メモリセルが上方に配置されたウェルに最初に印加する電圧は、例えば12.0〜13.6Vの間である。この場合に限定されることなく、例えば13.6〜14.8V、14.8〜19.0V、19.0〜19.8V、19.8〜21.0Vの間であってもよい。
(4)メモリセルの構造は、半導体基板(シリコン基板)上に膜厚が4〜10nmのトンネル絶縁膜を介して配置された電荷蓄積層を有している。この電荷蓄積層は膜厚が2〜3nmのSiN、又はSiON等の絶縁膜と膜厚が3〜8nmのポリシリコンとの積層構造にすることができる。また、ポリシリコンにはRu等の金属が添加されていてもよい。電荷蓄積層の上には絶縁膜を有している。この絶縁膜は、例えば、膜厚が3〜10nmの下層High−k膜と膜厚が3〜10nmの上層High−k膜に挟まれた膜厚が4〜10nmのシリコン酸化膜を有している。High−k膜はHfO等が挙げられる。また、シリコン酸化膜の膜厚はHigh−k膜の膜厚よりも厚くすることができる。絶縁膜上には膜厚が3〜10nmの材料を介して膜厚が30〜70nmの制御電極が形成されている。ここで材料はTaO等の金属酸化膜、TaN等の金属窒化膜である。制御電極にはW等を用いることができる。
尚、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
Claims (12)
- 各々が複数ビットデータを記憶することが可能な複数の第1及び第2メモリセルと、
前記複数の第1メモリセルに接続された第1ワード線と、
前記複数の第2メモリセルに接続された第2ワード線と、
外部から受信した第1及び第2コマンドセットにそれぞれ応答して読み出し動作を実行する制御回路と、
を備え、
前記制御回路は、読み出し動作時において第1及び第2読み出しシーケンスを実行することが可能であり、前記第1読み出しシーケンスでは、第1ビットデータを読み出す場合には互いに異なる第1乃至第3電圧を用いてそれぞれデータを読み出し、第2ビットデータを読み出す場合には互いに異なる第4乃至第6電圧を用いてそれぞれデータを読み出し、前記第2読み出しシーケンスでは前記第1読み出しシーケンスの結果に基づいた電圧を用いてデータを読み出し、
前記第1コマンドセットに基づく前記複数の第1メモリセルの読み出し動作では、前記第1及び第2読み出しシーケンスを連続して実行し、
前記複数の第1メモリセルの読み出し動作に続く、前記第2コマンドセットに基づく前記複数の第2メモリセルの読み出し動作では、前記複数の第1メモリセルの読み出し動作における前記第1読み出しシーケンスの結果に基づいた電圧を用いて前記第2読み出しシーケンスを実行する、
半導体記憶装置。 - 複数の第3メモリセルと、
前記複数の第3メモリセルに接続された第3ワード線と、
をさらに備え、
前記第1乃至第3メモリセルは、同じブロックに含まれ、
前記制御回路は、前記複数の第2メモリセルの読み出し動作に続く、前記第2コマンドセットに基づく前記複数の第3メモリセルの読み出し動作では、前記第3ワード線が選択されたことに応答して前記第1及び第2読み出しシーケンスを連続して実行する、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 複数の第3メモリセルと、
前記複数の第3メモリセルに接続された第3ワード線と、
をさらに備え、
前記第1及び第2メモリセルは、同じブロックに含まれ、
前記第1及び第2メモリセルの組と、前記第3メモリセルとは、異なるブロックに含まれ、
前記制御回路は、前記複数の第2メモリセルの読み出し動作に続く、前記第2コマンドセットに基づく前記複数の第3メモリセルの読み出し動作では、前記第3ワード線が選択されたことに応答して前記第1及び第2読み出しシーケンスを連続して実行する、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1コマンドセットでは、アドレス情報の前に第1コマンドと第2コマンドとが続けて発行され、
前記第2コマンドセットでは、アドレス情報の前に前記第2コマンドが発行される、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第2コマンドセットにおいて、前記第2コマンドの前に第3コマンドが発行される、
請求項4に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1コマンドセットでは、アドレス情報の前に第1コマンドが発行され、
前記第2コマンドセットでは、アドレス情報の前に第2コマンドと前記第1コマンドとが続けて発行される、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1読み出しシーケンスの結果に基づいた電圧は、前記第1ビットデータを読み出す場合には前記第1乃至第3電圧のいずれかであり、前記第2ビットデータを読み出す場合には前記第4乃至第6電圧のいずれかである、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の半導体記憶装置と、
前記第1及び第2コマンドセットを発行可能なコントローラと、
を備える、メモリシステム。 - 複数の第1及び第2メモリセルと、
前記複数の第1メモリセルに接続された第1ワード線と、
前記複数の第2メモリセルに接続された第2ワード線と、
外部から受信した第1コマンドセットに応答して読み出し動作を実行する制御回路と、
を備え、
前記制御回路は、読み出し動作時において第1乃至第3読み出しシーケンスを実行することが可能であり、前記第1読み出しシーケンスでは第1電圧を用いてデータを読み出し、前記第2読み出しシーケンスでは互いに異なる第2乃至第4電圧を用いてそれぞれデータを読み出し、前記第3読み出しシーケンスでは前記第2読み出しシーケンスの結果に基づいた電圧を用いてデータを読み出し、
前記複数の第1メモリセルの読み出し動作では、前記第1乃至第3読み出しシーケンスを連続して実行し、複数の第1メモリセルの読み出し動作における前記第1読み出しシーケンスにおいて第1フラグ情報を含むデータを読み出し、
前記複数の第1メモリセルの読み出し動作に続く前記複数の第2メモリセルの読み出し動作では、前記第1読み出しシーケンスを実行して第2フラグ情報を含むデータを読み出し、前記第1フラグ情報と前記第2フラグ情報とが一致した場合に、前記第2読み出しシーケンスを実行せずに前記第3読み出しシーケンスを実行し、前記第1フラグ情報と前記第2フラグ情報とが一致しない場合に、前記第2及び第3読み出しシーケンスを連続して実行する、
半導体記憶装置。 - 前記第1及び第2フラグ情報はそれぞれ、前記複数の第1及び第2メモリセルがそれぞれ保持するデータの冗長領域に記憶される、
請求項9に記載の半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、外部から受信した第2コマンドセットに応答して書き込み動作を実行することが可能であり、
前記第1及び第2フラグ情報はそれぞれ、前記第2コマンドセットに基づく前記複数の第1及び第2メモリセルに対する書き込み動作で書き込まれ、
前記第1及び第2フラグ情報は前記第2コマンドセットに含まれない、
請求項10に記載の半導体記憶装置。 - 前記第2コマンドセットに応答して書き込み動作を実行可能な請求項9に記載の半導体記憶装置と、
前記第1及び第2コマンドセットを発行可能なコントローラと、
を備え、
前記第1及び第2フラグ情報はそれぞれ、前記第2コマンドセットに基づく前記複数の第1及び第2メモリセルの書き込み動作で書き込まれ、
前記複数の第1メモリセルに対する書き込み動作において、前記半導体記憶装置が受信する前記第2コマンドセットには前記第1フラグ情報が含まれ、
前記複数の第2メモリセルに対する書き込み動作において、前記半導体記憶装置が受信する前記第2コマンドセットには前記第2フラグ情報が含まれる、
請求項10に記載のメモリシステム。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016161058A JP6659494B2 (ja) | 2016-08-19 | 2016-08-19 | 半導体記憶装置及びメモリシステム |
TW106104800A TWI626651B (zh) | 2016-08-19 | 2017-02-14 | Semiconductor memory device and memory system |
TW107108302A TWI709965B (zh) | 2016-08-19 | 2017-02-14 | 半導體記憶裝置、記憶體系統、及執行讀取動作之方法 |
US15/442,683 US9859011B1 (en) | 2016-08-19 | 2017-02-26 | Semiconductor memory device and memory system |
CN202110761095.9A CN113380297B (zh) | 2016-08-19 | 2017-03-10 | 半导体存储装置、存储器系统及执行读取动作的方法 |
CN201710144254.4A CN107767914B (zh) | 2016-08-19 | 2017-03-10 | 半导体存储装置及存储器系统 |
US15/822,581 US10163517B2 (en) | 2016-08-19 | 2017-11-27 | Semiconductor memory device and memory system configured to perform tracking read on first memory cells followed by shift read on second memory cells using read voltage correction value determined during the tracking read |
US16/195,738 US10643715B2 (en) | 2016-08-19 | 2018-11-19 | Semiconductor memory device and memory system configured to perform tracking read on first memory cells followed by shift read on second memory cells using read voltage correction value determined during the tracking read |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016161058A JP6659494B2 (ja) | 2016-08-19 | 2016-08-19 | 半導体記憶装置及びメモリシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018028956A JP2018028956A (ja) | 2018-02-22 |
JP6659494B2 true JP6659494B2 (ja) | 2020-03-04 |
Family
ID=60788783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016161058A Active JP6659494B2 (ja) | 2016-08-19 | 2016-08-19 | 半導体記憶装置及びメモリシステム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9859011B1 (ja) |
JP (1) | JP6659494B2 (ja) |
CN (2) | CN107767914B (ja) |
TW (2) | TWI626651B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6659494B2 (ja) * | 2016-08-19 | 2020-03-04 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置及びメモリシステム |
CN110246533B (zh) * | 2018-03-09 | 2020-11-13 | 建兴储存科技(广州)有限公司 | 固态储存装置的失败模式检测方法及错误更正方法 |
JP2020027674A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | キオクシア株式会社 | 半導体メモリ |
JP7158965B2 (ja) | 2018-09-14 | 2022-10-24 | キオクシア株式会社 | メモリシステム |
JP7105911B2 (ja) * | 2018-11-06 | 2022-07-25 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2020113351A (ja) * | 2019-01-10 | 2020-07-27 | キオクシア株式会社 | メモリチップ |
JP2020155174A (ja) | 2019-03-19 | 2020-09-24 | キオクシア株式会社 | メモリシステム |
JP2021012752A (ja) * | 2019-07-08 | 2021-02-04 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2021047695A (ja) | 2019-09-19 | 2021-03-25 | キオクシア株式会社 | メモリシステム |
DE102020100541A1 (de) * | 2020-01-13 | 2021-07-15 | Infineon Technologies Ag | Bestimmung eines resultierenden datenworts beim zugriff auf einen speicher |
JP2021149997A (ja) | 2020-03-23 | 2021-09-27 | キオクシア株式会社 | メモリシステム |
US11294819B2 (en) * | 2020-03-31 | 2022-04-05 | Western Digital Technologies, Inc. | Command optimization through intelligent threshold detection |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005182871A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8019928B2 (en) * | 2004-02-15 | 2011-09-13 | Sandisk Il Ltd. | Method of managing a multi-bit-cell flash memory |
JP4660353B2 (ja) | 2005-11-01 | 2011-03-30 | 株式会社東芝 | 記憶媒体再生装置 |
KR100837282B1 (ko) * | 2007-06-14 | 2008-06-12 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템,그것의 프로그램 방법 및 읽기 방법 |
KR100888842B1 (ko) * | 2007-06-28 | 2009-03-17 | 삼성전자주식회사 | 읽기 전압을 최적화할 수 있는 플래시 메모리 장치 및그것의 독출 전압 설정 방법 |
KR101515122B1 (ko) | 2008-02-15 | 2015-04-27 | 삼성전자주식회사 | 저장된 데이터의 오류에 기반하여 기준 전압을 제어하는 방법과 메모리 데이터 검출 장치 |
KR100938092B1 (ko) * | 2008-03-10 | 2010-01-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자의 동작 방법 |
KR101486980B1 (ko) * | 2008-10-27 | 2015-01-30 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리의 문턱 전압 산포의 분석 방법 |
US8184476B2 (en) * | 2008-12-26 | 2012-05-22 | Everspin Technologies, Inc. | Random access memory architecture including midpoint reference |
JP2010192049A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
KR101578511B1 (ko) * | 2009-05-20 | 2015-12-18 | 삼성전자주식회사 | 리드 전압 설정 방법 |
KR101626528B1 (ko) * | 2009-06-19 | 2016-06-01 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 이의 데이터 독출 방법 |
KR101727704B1 (ko) | 2010-10-04 | 2017-04-18 | 삼성전자주식회사 | 리드 성능을 향상시킬 수 있는 리드 파라미터 변경 방법과 상기 방법을 수행할 수 있는 장치들 |
KR101784973B1 (ko) * | 2010-11-11 | 2017-10-13 | 삼성전자주식회사 | 메모리 소자의 동작 전압 제공 방법 및 메모리 컨트롤러 |
US8681564B2 (en) * | 2011-05-23 | 2014-03-25 | Marvell World Trade Ltd. | Systems and methods for generating soft information in NAND flash |
KR20130034919A (ko) * | 2011-09-29 | 2013-04-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 이의 동작 방법 |
JP2013122793A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-20 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2013122804A (ja) | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
CN103366828B (zh) * | 2012-04-10 | 2016-05-11 | 旺宏电子股份有限公司 | 存储器装置及其检测方法 |
US9645177B2 (en) | 2012-05-04 | 2017-05-09 | Seagate Technology Llc | Retention-drift-history-based non-volatile memory read threshold optimization |
JP2014053061A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びそのコントローラ |
US8879324B2 (en) * | 2013-02-01 | 2014-11-04 | Lsi Corporation | Compensation loop for read voltage adaptation |
US8995195B2 (en) * | 2013-02-12 | 2015-03-31 | Sandisk Technologies Inc. | Fast-reading NAND flash memory |
US20140269086A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Sandisk Technologies Inc. | System and method of accessing memory of a data storage device |
US9190159B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
JP2015056190A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
WO2015037088A1 (ja) | 2013-09-11 | 2015-03-19 | 株式会社 東芝 | 半導体記憶装置およびメモリシステム |
KR20150091684A (ko) * | 2014-02-03 | 2015-08-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 |
US20150262693A1 (en) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
JP2015195070A (ja) | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US20160012916A1 (en) * | 2014-07-10 | 2016-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device and memory system |
US9640270B2 (en) * | 2014-08-12 | 2017-05-02 | Sandisk Technologies Llc | System and method of using multiple read operations |
JP2016054017A (ja) * | 2014-09-04 | 2016-04-14 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US9251892B1 (en) * | 2014-09-11 | 2016-02-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and method of controlling nonvolatile memory |
JP6266479B2 (ja) * | 2014-09-12 | 2018-01-24 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム |
US9978456B2 (en) * | 2014-11-17 | 2018-05-22 | Sandisk Technologies Llc | Techniques for reducing read disturb in partially written blocks of non-volatile memory |
US9916237B2 (en) * | 2014-12-12 | 2018-03-13 | Sandisk Technologies Llc | Model based configuration parameter management |
US9792995B1 (en) * | 2016-04-26 | 2017-10-17 | Sandisk Technologies Llc | Independent multi-plane read and low latency hybrid read |
JP6659494B2 (ja) * | 2016-08-19 | 2020-03-04 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置及びメモリシステム |
-
2016
- 2016-08-19 JP JP2016161058A patent/JP6659494B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-14 TW TW106104800A patent/TWI626651B/zh active
- 2017-02-14 TW TW107108302A patent/TWI709965B/zh active
- 2017-02-26 US US15/442,683 patent/US9859011B1/en active Active
- 2017-03-10 CN CN201710144254.4A patent/CN107767914B/zh active Active
- 2017-03-10 CN CN202110761095.9A patent/CN113380297B/zh active Active
- 2017-11-27 US US15/822,581 patent/US10163517B2/en active Active
-
2018
- 2018-11-19 US US16/195,738 patent/US10643715B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI709965B (zh) | 2020-11-11 |
US10163517B2 (en) | 2018-12-25 |
CN113380297B (zh) | 2023-12-29 |
CN107767914B (zh) | 2021-07-23 |
CN107767914A (zh) | 2018-03-06 |
TWI626651B (zh) | 2018-06-11 |
US10643715B2 (en) | 2020-05-05 |
CN113380297A (zh) | 2021-09-10 |
JP2018028956A (ja) | 2018-02-22 |
TW201820335A (zh) | 2018-06-01 |
US9859011B1 (en) | 2018-01-02 |
US20180090212A1 (en) | 2018-03-29 |
TW201807707A (zh) | 2018-03-01 |
US20190115085A1 (en) | 2019-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6659494B2 (ja) | 半導体記憶装置及びメモリシステム | |
US11688458B2 (en) | Semiconductor memory device and memory system | |
US11170857B2 (en) | Semiconductor memory device that performs successive tracking reads during an operation to read one page | |
US11804267B2 (en) | Memory system having semiconductor memory device that performs verify operations using various verify voltages | |
US10860251B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US10978165B2 (en) | Memory system and non-volatile semiconductor memory | |
JP2017208152A (ja) | 半導体記憶装置及びメモリシステム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170525 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20180831 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181009 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190724 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6659494 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |