JP4638556B2 - 半導体チップ積層体の製造方法 - Google Patents
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Description
即ち、従来、半導体チップを基板又は他の半導体チップに接合する接着剤は、半導体チップからはみ出してワイヤーボンディングパッドにまで及んでいたが、半導体チップからワイヤーボンディングパッドまでの距離が短くなるのに伴い、はみ出した接着剤、いわゆるフィレットと呼ばれる部分により、ワイヤーボンディングすることが困難になってきている。また、接着剤のはみ出しを防ぐために接着剤の使用量を減らした場合には、半導体チップと基板又は他の半導体チップとの接合面全体に接着剤が濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じ、充分な信頼性を有する半導体チップ積層体を得ることが困難であった。
以下に本発明を詳述する。
なお、本発明の半導体チップ積層体の製造方法では、基板に対して半導体チップを接合して半導体チップ積層体を製造してもよく、また、例えば、基板に接合された半導体チップ等の他の半導体チップに対して更に半導体チップを接合して多層の半導体チップ積層体を製造してもよい。
上記半導体部品用接着剤を塗布する領域が接合領域の40%未満であると、後述する半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、上記半導体部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、モールド封止後に空洞が生じるため、得られる半導体チップ積層体は信頼性に欠ける。上記半導体部品用接着剤を塗布する領域が接合領域の90%を超えると、後述する半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、接合領域からはみ出る半導体部品用接着剤の量が多くなり、得られる半導体チップ積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となる。上記半導体部品用接着剤を塗布する領域は、接合領域の60〜90%であることが好ましい。
上記硬化性化合物は特に限定されず、付加重合、重縮合、重付加、付加縮合、開環重合反応により硬化する化合物を用いることができる。上記硬化性化合物として、具体的には、例えば、ユリア樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、レゾルシノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、キシレン樹脂、アルキル−ベンゼン樹脂、エポキシアクリレート樹脂、珪素樹脂、ウレタン樹脂等の熱硬化性化合物が挙げられる。なかでも、得られる半導体チップ積層体の信頼性及び接合強度に優れていることから、エポキシ樹脂、アクリル樹脂が好ましく、イミド骨格を有するエポキシ樹脂がより好ましい。
上記希釈剤は、エポキシ基を有することが好ましく、1分子中のエポキシ基数の好ましい下限が2、好ましい上限が4である。1分子中のエポキシ基数が2未満であると、半導体部品用接着剤の硬化後に充分な耐熱性が発現しないことがある。1分子中のエポキシ基数が4を超えると、硬化によるひずみが発生したり、未硬化のエポキシ基が残存したりすることがあり、これにより、接合強度の低下又は繰り返しの熱応力による接合不良が発生することがある。上記希釈剤の1分子中のエポキシ基数のより好ましい上限は3である。
また、上記希釈剤は、芳香環及び/又はジシクロペンタジエン構造を有することが好ましい。
また、上記希釈剤は、他の硬化性化合物よりも硬化開始温度が低く、硬化速度が大きいものであることが好ましい。
上記CV値が10%以下のスペーサー粒子を含有することにより、例えば、本発明の半導体チップ積層体の製造方法を用いて多層の半導体チップ積層体を製造する場合に、ダミーチップ等を介在させることなくチップ間距離を一定に保つことが可能となる。
上記スペーサー粒子のCV値が10%を超えると、粒子径のばらつきが大きいことから、チップ間距離を一定に保つことが困難となり、スペーサー粒子としての機能を充分に果たせないことがある。上記スペーサー粒子のCV値のより好ましい上限は6%、更により好ましい上限は4%である。
なお、本明細書においてCV値とは、下記式(1)により求められる数値のことである。
粒子径のCV値(%)=(σ2/Dn2)×100 (1)
式(1)中、σ2は粒子径の標準偏差を表し、Dn2は数平均粒子径を表す。
また、本明細書においてチップ間距離とは、基板と半導体チップとの距離と、半導体チップ同士の距離との両方を意味する。
K=(3/√2)・F・S−3/2・R−1/2 (2)
式(2)中、F、Sはそれぞれスペーサー粒子の10%圧縮変形における荷重値(kgf)、圧縮変位(mm)を表し、Rは該スペーサー粒子の半径(mm)を表す。
まず、平滑表面を有する鋼板の上にスペーサー粒子を散布した後、その中から1個のスペーサー粒子を選び、微小圧縮試験機を用いてダイヤモンド製の直径50μmの円柱の平滑な端面でスペーサー粒子を圧縮する。この際、圧縮荷重を電磁力として電気的に検出し、圧縮変位を作動トランスによる変位として電気的に検出する。そして、得られた圧縮変位−荷重の関係から10%圧縮変形における荷重値、圧縮変位をそれぞれ求め、得られた結果からK値を算出する。
上記K値の測定の場合と同様の手法によって圧縮変位を作動トランスによる変位として電気的に検出し、反転荷重値まで圧縮したのち荷重を減らしていき、その際の荷重と圧縮変位との関係を測定する。得られた測定結果から圧縮回復率を算出する。ただし、除荷重における終点は荷重値ゼロではなく、0.1g以上の原点荷重値とする。
上記樹脂粒子を構成する樹脂は特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタラート、ポリブチレンテレフタラート、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール等が挙げられる。なかでも、スペーサー粒子の硬さと圧縮回復率を調整しやすく、かつ、耐熱性を向上できることから、架橋樹脂を用いることが好ましい。
上記表面処理の方法は特に限定されないが、例えば、上記接着組成物が全体として疎水性を示す場合には、表面に親水基を付与することが好ましい。上記表面に親水基を付与する方法は特に限定されず、例えば、スペーサー粒子として上記樹脂粒子を用いる場合には、親水基を有するカップリング剤で樹脂粒子の表面を処理する方法等が挙げられる。
上記スペーサー粒子の平均粒子径以上の粒子径を有する固形成分の融点は、上記半導体部品用接着剤の硬化温度以下であることが好ましい。
上記スペーサー粒子の平均粒子径以上の粒子径を有する固形成分の最大粒子径は、上記スペーサー粒子の平均粒子径の1.1〜1.5であることが好ましく、1.1〜1.2であることが更に好ましい。
上記溶媒は特に限定されず、例えば、芳香族炭化水素類、塩化芳香族炭化水素類、塩化脂肪族炭化水素類、アルコール類、エステル類、エーテル類、ケトン類、グリコールエーテル(セロソルブ)類、脂環式炭化水素類、脂肪族炭化水素類等が挙げられる。
上記無機イオン交換体のうち、市販品としては、例えば、IXEシリーズ(東亞合成社製)等が挙げられる。上記半導体部品用接着剤における上記無機イオン交換体の配合量の好ましい上限は10重量%、好ましい下限は1重量%である。
上記半導体部品用接着剤は、E型粘度計を用いて25℃にて粘度を測定したときに、0.5rpmにおける粘度が100Pa・s以下、10rpmにおける粘度が15Pa・s以下であることがより好ましい。
上記半導体部品用接着剤は、E型粘度計を用いて25℃にて粘度を測定したときに、1rpmにおける粘度が10rpmにおける粘度の4倍以下であることがより好ましい。
上記半導体部品用接着剤は、E型粘度計を用いて80℃にて粘度を測定したときに、0.5rpmにおける粘度が3Pa・s以上、25Pa・s以下であることがより好ましく、5Pa・s以上、20Pa・s以下であることが更に好ましく、6Pa・s以上、15Pa・s以下であることが更により好ましい。
上記混合の方法は特に限定されず、例えば、ホモディスパー、万能ミキサー、バンバリーミキサー、ニーダー等を使用する方法が挙げられる。
上記半導体チップ積層工程(2)では、塗布した半導体部品用接着剤を介して、上記基板又は他の半導体チップに対し、上記半導体チップを位置合わせすることにより積層する。
上記半導体部品用接着剤の濡れ広がった領域が接合領域の60%未満であると、後述する半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、上記半導体部品用接着剤が接合領域全体に均一に濡れ広がらず、得られる半導体チップ積層体が信頼性に欠ける。上記半導体部品用接着剤の濡れ広がった領域が接合領域の100%以上であると、後述する半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)を経たとき、接合領域からはみ出る半導体部品用接着剤の量が多くなり、得られる半導体チップ積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となる。
なお、本発明の半導体チップ積層体の製造方法において、上記半導体チップ積層工程(2)の直後の状態を図1に模式的に示す。図1において、半導体チップ2は、塗布した半導体部品用接着剤3を介して基板又は他の半導体チップ1上に積層されている。
上記半導体部品用接着剤の粘度を上記範囲内とすることにより、接合領域全体に上記半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせることができる。このとき、上記半導体部品用接着剤は、表面張力によって上記基板又は他の半導体チップと上記半導体チップとの間に保持される。このように保持した状態のまま、上記半導体部品用接着剤を後述する硬化工程(4)において硬化させることにより、接合領域からはみ出る半導体部品用接着剤の量を調整することができる。
なお、本発明の半導体チップ積層体の製造方法において、上記半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)の直後の状態を図2に模式的に示す。図2において、半導体部用接着剤3は接合領域全体に濡れ広がっており、表面張力によって基板又は他の半導体チップ1と半導体チップ2との間に保持されている。また、上記半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)が適切に行われず、半導体部品用接着剤3が表面張力によって保持されずに半導体チップ2の接合領域からはみ出した状態を、図3に模式的に示す。接合領域からはみ出る半導体部品用接着剤の量が多くなると、得られる半導体チップ積層体に対してワイヤーボンディングすることが困難となる。
なお、本明細書中、フィレットとは、接合領域からはみ出した半導体部品用接着剤の分厚い部分をいう。また、本明細書中、接合領域の2以上の部位に部分的にフィレットを形成するとは、接合領域の周囲全体ではなく、例えば、角又は辺等の接合領域の一部分のうち、2以上の箇所に部分的にフィレットを形成することをいう。
この問題に対し、上記半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)において、接合領域の2以上の部位に部分的にフィレットを形成しながら上記半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせることで、フィレットの量を調整して小型化した半導体チップ積層体においても良好なワイヤーボンディングを可能にしながら、チップシフトを抑制することができ、得られる半導体チップ積層体の信頼性を更に高めることができる。
なお、部分的にフィレットを形成する部位が接合領域のうちの1つの部位である場合には、上記半導体チップが上記半導体部品用接着剤上で回転してしまい、チップシフトを充分に抑制することができないことがある。
また、半導体チップ上に半導体チップを階段状に積層する場合は、1段目の半導体チップ上と2段目の半導体チップがオーバーハングした部分の下側の2以上の部位に部分的にフィレットを形成することにより、効果的にチップシフトを抑制することができる。
上記対称的な形状は特に限定されず、例えば、図4、6、8、10、12及び14に示す形状が挙げられる。例えば、上記塗布工程(1)において上記半導体部品用接着剤を図4に示す形状に塗布した場合には、上記半導体チップ積層工程(2)の直後、上記半導体部品用接着剤の濡れ広がった領域の形状は図5に示す形状となり、次いで、上記半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)において、接合領域の2以上の部位に部分的にフィレットを形成しながら、上記半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせることができる。同様に、例えば、上記塗布工程(1)において上記半導体部品用接着剤を図6、図8、図10、図12及び図14に示す形状に塗布した場合には、上記半導体チップ積層工程(2)の直後、上記半導体部品用接着剤の濡れ広がった領域の形状は、それぞれ、図7、図9、図11、図13及び図15に示す形状となる。
上記接合領域からのフィレットの距離のより好ましい下限は100μm、より好ましい上限は300μmであり、更に好ましい下限は150μm、更に好ましい上限は300μmである。
上記半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)として、例えば、上記基板又は他の半導体チップと半導体チップとの間の半導体部品用接着剤を常温処理する常温工程を行ってもよい。
なお、本明細書中、常温処理とは、所定の時間、常温に維持する処理をいい、また、常温とは、特に熱を加えない温度をいい、具体的には、例えば、0〜40℃の範囲の温度等が挙げられる。
なお、本明細書中、加温処理とは、所定の温度、時間、加温速度等の条件下で徐々に熱を加える処理をいう。
上記加温処理する方法は特に限定されず、例えば、常温から80℃まで30分かけて昇温する方法等が挙げられる。
なお、本明細書中、保温処理とは、所定の時間、上記加温工程(3−1)において到達した温度条件下に維持する処理をいう。
上記保温処理の方法は特に限定されず、例えば、80℃のオーブンの中で60分間保持する方法等が挙げられる。
また、本発明の半導体チップ積層体の製造方法を用いて多層の半導体チップ積層体を製造する場合、上記硬化工程(4)の後に得られる半導体チップ積層体のチップ間距離のばらつきは、3σで5μm未満であることが好ましい。ばらつきが3σで5μm以上であると、得られる半導体チップ積層体のワイヤーボンディング不良、フリップチップボンディング不良が発生することがある。なお、σは標準偏差を表す。
なお、以下の実施例及び比較例に記載の粒子径の測定には粒子サイズ測定機(コールターカウンターZB/C−1000、コールターエレクトロニクス社製)を使用した。
(1)半導体部品用接着剤の製造
表1の参考例1の組成に従って、下記に示すスペーサー粒子以外の各材料を、ホモディスパーを用いて攪拌混合して、接着組成物を作製した。得られた接着組成物に、スペーサー粒子を表1の組成に従って配合し、更にホモディスパーを用いて攪拌混合することにより半導体部品用接着剤を製造した。
1.エポキシ樹脂
ビスフェノールF型エポキシ樹脂(EXA−830−CRP、DIC社製)
レゾルシノール型エポキシ樹脂(EX−201、ナガセケムテックス社製)
ポリエーテル型エポキシ樹脂(エポゴーセーPT、四日市合成社製)
2.エポキシ基を有する高分子化合物
エポキシ基含有アクリル樹脂(ブレンマーCP−30、日油社製)
3.ゴム変性エポキシ樹脂
NBR変性エポキシ樹脂(EPR−4033、アデカ社製)
4.硬化剤
酸無水物(YH−306、ジャパンエポキシレジン社製)
5.硬化促進剤
イミダゾール化合物(2MA−OK、四国化成工業社製)
6.接着性付与剤
イミダゾールシランカップリング剤(SP−1000、日鉱マテリアルズ社製)
7.チキソトロピー付与剤
ヒュームドシリカ(表面親水基含有チキソトロピー付与剤、QS−40、トクヤマ社製)
8.スペーサー粒子
樹脂粒子(ミクロパールSP−210、積水化学工業社製、平均粒子径10μm、CV値=4%)
9.シリカフィラー
球状シリカ(SE−4050−SPE、アドマテックス社製、平均粒子径1μm、最大粒子径5μm)
得られた半導体部品用接着剤を10mLシリンジ(岩下エンジニアリング社製)に充填し、シリンジ先端に精密ノズル(岩下エンジニアリング社製、ノズル先端径0.3mm)を取り付け、ディスペンサ装置(SHOT MASTER300、武蔵エンジニアリング社製)を用いて、吐出圧0.4MPa、半導体チップとニードルとのギャップ200μm、塗布量3.3μLにて図16に示す形状でガラス基板上に塗布した。
このとき、半導体部品用接着剤を塗布した領域は、接合領域の50%であった。
このとき、半導体部品用接着剤の濡れ広がった領域は、接合領域の70%であり、図17に示す形状であった。
半導体部品用接着剤を塗布した領域が接合領域の90%の領域で、塗布形状が図18に示す形状であり、かつ、塗布した半導体部品用接着剤を介して半導体チップ(チップ1)をガラス基板上に積層した直後、半導体部品用接着剤の濡れ広がった領域が接合領域の95%であり、濡れ広がった領域の形状が図19に示す形状であったこと以外は参考例1と同様にして、半導体部品用接着剤及び半導体チップ積層体を得た。
表1の参考例3の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は参考例1と同様にして、半導体部品用接着剤及び半導体チップ積層体を得た。
表1の参考例4の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は参考例2と同様にして、半導体部品用接着剤及び半導体チップ積層体を得た。
表1の参考例5の組成に従って接着組成物を作製し、加熱処理及び保温処理の代わりに常温処理を30分間行ったこと以外は参考例1と同様にして、半導体部品用接着剤及び半導体チップ積層体を得た。
表1の参考例6の組成に従って接着組成物を作製し、加熱処理及び保温処理の代わりに常温処理を30分間行ったこと以外は参考例1と同様にして、半導体部品用接着剤及び半導体チップ積層体を得た。
半導体部品用接着剤をガラス基板上に塗布する際、図4に示す形状で半導体部品用接着剤を塗布したこと以外は参考例3と同様にして、半導体チップ積層体を得た。半導体チップ(チップ1)をガラス基板上に積層した直後、接合領域における半導体部品用接着剤の濡れ広がった領域は図5に示す形状であり、フィレットを形成していた。
半導体部品用接着剤をガラス基板上に塗布する際、表2に示す図面に対応する形状で半導体部品用接着剤を塗布し、10mm×10mm角の大きさの半導体チップ(チップ1)を使用したこと以外は実施例7と同様にして、半導体チップ積層体を得た。半導体チップ(チップ1)をガラス基板上に積層した直後、接合領域における半導体部品用接着剤の濡れ広がった領域は表2に示す図面に対応する形状であり、フィレットを形成していた。
半導体部品用接着剤をガラス基板上に塗布する際、表2に示す図面に対応する形状で半導体部品用接着剤を塗布したこと以外は実施例7と同様にして、半導体チップ積層体を得た。半導体チップ(チップ1)をガラス基板上に積層した直後、接合領域における半導体部品用接着剤の濡れ広がった領域は表2に示す図面に対応する形状であり、フィレットを形成していた。
半導体部品用接着剤を塗布した領域が接合領域の20%の領域であり、かつ、塗布した半導体部品用接着剤を介して半導体チップ(チップ1)をガラス基板上に積層した直後、半導体部品用接着剤の濡れ広がった領域が接合領域の40%であったこと以外は参考例1と同様にして、半導体部品用接着剤及び半導体チップ積層体を得た。
半導体部品用接着剤を塗布した領域が接合領域の95%の領域であり、かつ、塗布した半導体部品用接着剤を介して半導体チップ(チップ1)をガラス基板上に積層した直後、半導体部品用接着剤の濡れ広がった領域が接合領域の110%であったこと以外は参考例1と同様にして、半導体部品用接着剤及び半導体チップ積層体を得た。
表3の比較例3の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は参考例1と同様にして、半導体部品用接着剤及び半導体チップ積層体を得た。
表3の比較例4の組成に従って接着組成物を作製したこと以外は参考例1と同様にして、半導体部品用接着剤及び半導体チップ積層体を得た。
表3の比較例5の組成に従って接着組成物を作製し、加熱処理及び保温処理の代わりに常温処理を30分間行ったこと以外は参考例1と同様にして、半導体部品用接着剤及び半導体チップ積層体を得た。
表3の比較例6の組成に従って接着組成物を作製し、加熱処理及び保温処理の代わりに常温処理を30分間行ったこと以外は参考例1と同様にして、半導体部品用接着剤及び半導体チップ積層体を得た。
実施例及び比較例で得られた半導体部品用接着剤及び半導体チップ積層体について、以下の方法により評価を行った。結果を表1、2、3に示した。
E型粘度測定装置(商品名「VISCOMETER TV−22」、TOKI SANGYO CO.LTD社製、使用ローターφ15mm、設定温度25℃)を用いて、得られた半導体部品用接着剤の回転数0.5rpmにおける粘度(A)、1rpmにおける粘度(B)及び10rpmにおける粘度(C)を測定した。また、1rpmにおける粘度(B)と10rpmにおける粘度(C)との比として(B/C)を求めた。
また、E型粘度測定装置(商品名「VISCOMETER TV−22」、TOKI SANGYO CO.LTD社製、使用ローターφ15mm、設定温度80℃)を用いて、得られた半導体部品用接着剤の回転数0.5rpmにおける粘度を求めた。
ガラス基板−半導体チップ(チップ1)間について、接合領域における半導体部品用接着剤の充填性を下記の基準で評価した。
○ ガラス基板から見て、接合領域全体に半導体部品用接着剤が充填されていた。
× ガラス基板から見て、接合領域に半導体部品用接着剤が充填されていない部分があった。
ガラス基板−半導体チップ(チップ1)間について、接合領域からはみ出した半導体部品用接着剤のはみ出し距離(フィレット距離)の最大値を測定することにより、下記の基準で評価した。
◎ はみ出し距離の最大値が1〜100μmであった。
○ はみ出し距離の最大値が101〜200μmであった。
△ はみ出し距離の最大値が201〜300μmであった。
× はみ出し距離の最大値が301μm以上であった、又は、接合領域全体に半導体部品用接着剤が充填されておらず、はみ出し距離の最大値が0μmであった。
得られた半導体チップ積層体について、サンプルを10個作製し、各半導体チップ積層体の積層状態を、レーザー変位計(KS−1100、KEYENCE社製)を用いて測定した。具体的には、チップ1とガラスの上面との段差を測定し、測定値からチップ厚みを引くことで、チップ1とガラスとの間のチップ間距離を求めた後、チップ間距離のバラツキを3σ(μm)(σ=標準偏差)として算出した。なお、本明細書においてチップ間距離とは、基板と半導体チップとの距離と、半導体チップ同士の距離との両方を意味する。
また、(チップ間距離/スペーサー粒子の平均粒子径)を、スペース到達度として算出した。
得られた半導体チップ積層体を125℃で6時間乾燥し、続いて85℃、85%の湿潤条件で48時間処理した後、ハンダリフロー時と同様の260℃、30秒の条件で加熱処理を行った。そして、このような加熱処理を3回行った後の半導体チップ積層体について、層間剥離が発生しているか否かを観察した。層間剥離の観察は、超音波探査映像装置(mi−scope hyper II、日立建機ファインテック社製)を用いて行った。
層間剥離について下記の基準で評価することにより、半導体チップ積層体の耐リフロー性評価を行った。
○ 層間剥離がほとんど観察されなかった。
△ 層間剥離がわずかに観察された。
× 層間の目立った剥離が観察された。
塗布した半導体部品用接着剤を介して半導体チップをガラス基板上に積層した直後、半導体チップの角からガラス基板の角の距離を測定し、その後、硬化過程を終えて得られた半導体チップ積層体について、半導体チップの角からガラス基板の角の距離を測定し、これらの距離の差をチップシフト距離として、下記の基準で評価した。
◎ チップシフト距離が1〜10μmであった。
○ チップシフト距離が11〜20μmであった。
△ チップシフト距離が21〜50μmであった。
× チップシフト距離が51μm以上であった。
2 半導体チップ
3 半導体部品用接着剤
Claims (7)
- 半導体チップが、半導体部品用接着剤を介して基板又は他の半導体チップに接合された半導体チップ積層体の製造方法であって、
基板又は他の半導体チップに半導体部品用接着剤を、対称的な形状に塗布する塗布工程(1)と、
前記塗布した半導体部品用接着剤を介して、0.01〜1.0MPaの圧力で0.1〜5秒間押圧することにより前記基板又は他の半導体チップ上に半導体チップを積層する半導体チップ積層工程(2)と、
前記基板又は他の半導体チップ上の前記半導体チップを接合させる領域全体に、前記半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)と、
前記半導体部品用接着剤を硬化させる硬化工程(4)とを有し、
前記塗布工程(1)において、前記半導体部品用接着剤を塗布する領域は、前記基板又は他の半導体チップ上の前記半導体チップを接合させる領域の40〜90%であり、
前記半導体チップ積層工程(2)の直後、前記半導体部品用接着剤の濡れ広がった領域は、前記基板又は他の半導体チップ上の前記半導体チップを接合させる領域の60%以上100%未満であり、
前記半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)において、前記基板又は他の半導体チップと半導体チップとの間の半導体部品用接着剤は、E型粘度計を用いて測定したときの0.5rpmにおける粘度が1〜30Pa・sであり、
半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)において、基板又は他の半導体チップ上の半導体チップを接合させる領域の互いに対称となる位置にある角、辺、辺の一部及びその組み合わせである2以上の部位に部分的にフィレットを形成する
ことを特徴とする半導体チップ積層体の製造方法。 - 半導体部品用接着剤を均一に濡れ広がらせる工程(3)は、基板又は他の半導体チップと半導体チップとの間の半導体部品用接着剤を加温処理する加温工程(3−1)と、前記加温処理した半導体部品用接着剤を保温処理する保温工程(3−2)とを有することを特徴とする請求項1記載の半導体チップ積層体の製造方法。
- 半導体部品用接着剤は、硬化性化合物及び硬化剤を有する接着組成物と、CV値が10%以下のスペーサー粒子とを含有し、E型粘度計を用いて25℃にて粘度を測定したときに、0.5rpmにおける粘度が150Pa・s以下、10rpmにおける粘度が20Pa・s以下であり、1rpmにおける粘度が10rpmにおける粘度の2〜5倍であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体チップ積層体の製造方法。
- 半導体部品用接着剤は、更に、チキソトロピー付与剤を含有することを特徴とする請求項3記載の半導体チップ積層体の製造方法。
- チキソトロピー付与剤は、表面に親水基を有する粒子であることを特徴とする請求項4記載の半導体チップ積層体の製造方法。
- 半導体部品用接着剤は、更に、硬化性化合物と反応可能な官能基を有する高分子化合物を含有することを特徴とする請求項3、4又は5記載の半導体チップ積層体の製造方法。
- 半導体部品用接着剤は、更に、フェニルシランカップリング剤で表面処理されたシリカフィラーを含有することを特徴とする請求項3、4、5又は6記載の半導体チップ積層体の製造方法。
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