JP4629778B2 - チップ性能を最大にするように負荷サイクル回路を自動的に自己較正するための装置及び方法 - Google Patents

チップ性能を最大にするように負荷サイクル回路を自動的に自己較正するための装置及び方法 Download PDF

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Description

本発明は、一般に、改善された集積回路装置及び方法に関する。より具体的には、本発明は、チップ性能を最大にするように負荷サイクル回路を自動的に自己較正するための装置及び方法を対象とする。
今日の集積回路デバイスが動作する速度は、近年、非常に増大した。このような高速の集積回路デバイスは、負荷サイクル、即ちパルス周期に対するパルス持続時間の比が約50%(50/50負荷サイクル)であるシステム・クロック信号と同期させて動作させることが必要な場合が多い。したがって、50%より大きいか又は小さい負荷サイクルを有するクロック信号が入力として与えられたときには、集積回路デバイスは十分に機能しないことがある。この問題に対処するために、負荷サイクル補正回路が開発されてきた。
負荷サイクル補正回路を提供するために、種々の機構が考えられてきた。例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3、特許文献4、特許文献5、特許文献6、特許文献7、特許文献8、特許文献9、特許文献10、特許文献11、及び特許文献12は、すべて、負荷サイクル補正のための様々な回路を説明する。さらに、特許文献13、特許文献14、及び特許文献15は、他のタイプの負荷サイクル補正回路を説明する。しかしながら、これらの回路はいずれも、すべての条件において固定された負荷サイクル値、例えば50%負荷サイクルを達成することを目的としている。
固定された負荷サイクルを有することが、集積回路デバイスにとって必ずしも最適な動作条件をもたらすとは限らない。例えば、低い電圧における最適性能のためには、アレイは、50%ではない負荷サイクルを必要とする場合があり、実際には可変負荷サイクルを必要とする場合がある。即ち、例えばプロセス(単一のウェハ又は多数のウェハにわたるドーピング、閾電圧、移動度、ゲート酸化物の厚さなどの変動)、電圧、温度、周波数などの動作条件が変化することがあるため、固定された負荷サイクルは、すべての条件の下で集積回路デバイスの性能を最適化することには繋がらない場合がある。
米国特許公開2002/0140478 米国特許公開2004/0189364 米国特許公開2004/0108878 米国特許公開2004/0075462 米国特許公開2005/0007168 米国特許6,844,766 米国特許6,750,689 米国特許6,680,637 米国特許6,583,657 米国特許6,466,071 米国特許6,426,660 米国特許5,757,218 欧州特許EP1139569B1 欧州特許EP1146644A2 米国特許出願10/970,284
本発明は、性能を最大にするように負荷サイクル回路を自動的に較正するための機構を提供する。本発明の機構は、種々の動作条件の下で負荷サイクルを動的に較正することができる負荷サイクル回路の自動自己較正を提供する。
負荷サイクル補正(DCC)回路は、設計上、チップを製造するのに用いられるプロセス、チップが動作する電圧、及びチップが動作する温度の影響を受けやすい。従来の機構の下では、チップの各々、又は同一のプロセス・ロットからの幾つかのチップを、プロセス・ロット全体について最良のDCC回路設定値を取得するように特性決定することが必要であった。その結果として、DCC回路は、特定のチップの特定の動作条件に拘わりなく同一の設定値で動作し、結果として、チップの最適な動作が達成できないことがある。
これに対し、本発明の機構は、各々のチップについて負荷サイクル補正(DCC)回路の設定値を自動的に較正するチップ・レベルの組込み回路を提供する。このチップ・レベルの組込み回路は、クロック生成マクロ・ユニットと、単純負荷サイクル補正(DCC)回路と、アレイ・スライス及び組込み自己テスト・ユニットと、DCC回路コントローラとを含む。DCC回路は、所与の動作周波数についての負荷サイクルを増加的に変化させるための複数のステージからなるものとすることができる。DCC回路コントローラは、アレイ・スライス及び組込み自己テスト・ユニットの組込み自己テストの結果をAND演算するためのANDゲートと、カウンタと、温度デコーダと、カウンタ・オーバーフロー検出器と、動作特性セレクタ・ユニットとを含む。
動作の際には、初期動作周波数が選択され、チップ・コア電圧は、可能な最も低い値に初期化される。DCC補正回路は最も低い設定値に初期化され、アレイ回路の代表的なスライス、即ち、アレイ・スライス及び組込み自己テスト・ユニットに対して、所与の電圧、周波数、温度、プロセス、及びDCC設定値で自己テストが実行される。組込み自己テストの結果、即ち合格又は不合格は、DCC回路コントローラに与えられる。組込み自己テストの結果が合格の場合には、現在のDCC回路コントローラのDCC制御ビット設定値が、そのチップの設定値として設定される。DCC制御ビットは、DCC回路のどのステージが有効であるか、したがってそのチップの負荷サイクルが何であるかを特定する。
組込み自己テストの結果が不合格の場合には、DCC回路コントローラのDCC制御ビット設定値、したがってDCC回路の設定値は、次の設定値に増分され、再度、自己テストが実行される。このプロセスは、組込み自己テストの結果が合格を示すまで繰り返される。DCC回路コントローラ設定値のオーバーフローが生じた場合、即ち、DCC回路コントローラがすべての設定値にわたって増分を行ったが、組込み自己テストの結果が依然として不合格を示す場合には、チップ・コア電圧が次のより高い増分値に増分されるか、若しくは、動作周波数が次のより低い増分値に減少されるか、又はその両方が行われる。このような場合においては、DCC回路は再初期化され、新たなチップ・コア電圧及び/又は動作周波数について上述の処理が繰り返される。
この処理は、定期的に、連続的に、又は、例えば電源投入イベント、電圧や温度などの動作特性の変更といった特定のイベントが生じたときに、実行させることができる。本発明の処理及び機構は、所与のプロセス、電圧、及び温度(PVT)条件でチップが最適な性能を有するように、負荷サイクル補正回路について最良の負荷サイクル設定値を自動的に選択する。本発明の処理及び機構は、特性決定を行うのに外部テスト環境を用いる必要がなくなるため、最良のDCC回路設定値を決定するのに必要なテスト及び特性決定の時間及びコストを大幅に低減する。回路の動的性質によって、作業負荷の変動及びPVTの変動が原因でチップ・レベルの動作環境が変化するときでも、チップが最良の負荷サイクル設定値を選択できるようにもなる。
本発明の1つの例示的な実施形態においては、負荷サイクル補正(DCC)回路と、DCC回路に結合されたDCC回路コントローラと、DCC回路に結合されたアレイと、アレイ及びDCC回路に結合された組込み自己テスト回路と、を含むものとすることができる装置が提供される。組込み自己テスト回路は、DCC回路の現在の設定値を用いてアレイの自己テストを実行することができる。DCC回路コントローラは、アレイの不合格を示す組込み自己テスト回路の結果に応答して、DCC回路の設定値を次の増分設定値に増分することができる。DCC回路コントローラは、アレイの合格を示す組込み自己テスト回路の結果に応答して、DCC回路の現在の設定値をチップのDCC設定値として設定することができる。
DCC回路は複数のステージを含むものとすることができ、複数のステージにおける各々のステージは、有効なときにアレイの負荷サイクルに増分変化を与える。複数のステージにおける各々のステージは、DCC回路コントローラからの入力に基づいて個別に有効にすることができる。複数のステージにおける各々のステージは、少なくとも1つの増幅器と、少なくとも1つの増幅器に結合された少なくとも1つのスイッチとを含むものとすることができる。少なくとも1つのスイッチは、DCC回路コントローラからの入力によって制御することができる。
DCC回路コントローラは、カウンタと、カウンタに結合されたデコーダとを含むものとすることができる。カウンタは、自己テストの結果が合格であったか不合格であったかを示す信号を入力として受信し、自己テストが不合格であったことを入力信号が示しているときには増分することができる。カウンタ値信号をデコーダに出力することができる。デコーダは、カウンタからカウンタ値信号を受信し、カウンタ値信号に基づいて制御信号を生成し、制御信号をDCC回路に出力することができる。さらに、デコーダは、温度デコーダ(Thermometric decoder)とすることができる。
DCC回路コントローラは、さらに、自己テストが合格であったか不合格であったかを示す組込み自己テスト回路からの第1の信号とカウンタを駆動するクロック信号である第2の信号とを入力として受信するANDゲートを含むものとすることができる。DCC回路コントローラはまた、Nビット・カウンタに結合されたカウンタ・オーバーフロー検出器を含むものとすることができる。カウンタ・オーバーフロー検出器は、カウンタ・オーバーフロー条件が生じたときにそれを検出することができ、カウンタ・オーバーフロー条件が生じたときにはカウンタを再初期化する。
DCC回路コントローラはまた、カウンタ・オーバーフロー検出器に結合されたチップ動作特性セレクタを含むものとすることができる。カウンタ・オーバーフロー検出器は、カウンタ・オーバーフロー条件が生じたときにオーバーフロー信号をチップ動作特性セレクタに送信することができる。チップ動作特性セレクタは、オーバーフロー信号を受信したことに応答して、チップの新たな動作特性を選択することができる。新たな動作特性は、動作電圧又は動作周波数の少なくとも一方とすることができる。新たな動作特性を選択することは、動作電圧を次のより高い動作電圧に増分することか又は動作周波数を次のより低い動作周波数に増分することの少なくとも一方を含むことができる。
DCC回路は、最初に最も低い設定値に設定し、DCC回路の設定値が、動作電圧又は動作周波数の少なくとも一方が修正されDCC回路が再初期化される最大設定値に達するまで、組込み自己テスト回路がアレイに適用された自己テストの不合格を示すごとに、次のより高い設定値に増分することができる。
本装置は、システム・オン・チップの一部とすることができる。システム・オン・チップは、データ処理システムの一部とすることができる。データ処理システムは、デスクトップ型データ処理システム、サーバ、携帯型データ処理システム、ラップトップ型データ処理システム、ノートブック型データ処理システム、個人用携帯情報端末、ゲーム用装置、ゲーム機、携帯電話装置、又は通信装置のうちの1つとすることができる。本装置は、少なくとも2つの異種プロセッサを有するマルチプロセッサ型システム・オン・チップの一部とすることができる。
本発明の更なる実施形態においては、負荷サイクル補正(DCC)回路コントローラが提供される。DCC回路コントローラは、カウンタと、カウンタに結合されたデコーダとを含むものとすることができる。カウンタは、自己テストが合格又は不合格であったことを自己テストの結果が示しているかどうかを示す入力信号を受信し、自己テストが不合格であったことを入力信号が示しているときには増分し、カウンタ値信号をデコーダに出力することができる。デコーダは、カウンタからカウンタ値信号を受信し、カウンタ値信号に基づいて制御信号を生成し、制御信号を負荷サイクル補正(DCC)回路に出力することができる。DCC回路は、デコーダによる制御信号出力に基づいて負荷サイクルを増分変化させることができる。デコーダは、温度デコーダとすることができる。
DCC回路コントローラは、さらに、自己テストが合格であったか不合格であったかを示す組込み自己テスト回路からの第1の信号とカウンタを駆動するクロック信号である第2の信号とを入力として受信するANDゲートを含むものとすることができる。DCC回路コントローラはまた、Nビット・カウンタに結合されたカウンタ・オーバーフロー検出器を含むものとすることができ、カウンタ・オーバーフロー検出器は、カウンタ・オーバーフロー条件が生じたときにそれを検出し、カウンタ・オーバーフロー条件が生じたときにはカウンタを再初期化する。
DCC回路コントローラはまた、カウンタ・オーバーフロー検出器に結合されたチップ動作特性セレクタを含むものとすることができる。カウンタ・オーバーフロー条件が生じたときに、カウンタ・オーバーフロー検出器は、オーバーフロー信号をチップ動作特性セレクタに送信することができる。チップ動作特性セレクタは、オーバーフロー信号を受信したことに応答してチップの新たな動作特性を選択することができる。新たな動作特性は、動作電圧又は動作周波数の少なくとも一方とすることができ、新たな動作特性を選択することは、動作電圧を次のより高い動作電圧に増分することか又は動作周波数を次のより低い動作周波数に増分することの少なくとも一方を含む。
DCC回路コントローラは、システム・オン・チップの一部とすることができる。システム・オン・チップは、データ処理システムの一部とすることができる。データ処理システムは、デスクトップ型データ処理システム、サーバ、携帯型データ処理システム、ラップトップ型データ処理システム、ノートブック型データ処理システム、個人用携帯情報端末、ゲーム用装置、ゲーム機、携帯電話装置、又は通信装置のうちの1つとすることができる。DCC回路コントローラは、少なくとも2つの異種プロセッサを有するマルチプロセッサ型システム・オン・チップの一部とすることができる。
上記に加えて、本発明は、データ処理デバイスにおいて、データ処理デバイスの初期動作周波数を選択するステップと、データ処理デバイスの動作電圧を可能な最も低い電圧値に初期化するステップと、負荷サイクル補正(DCC)デバイス設定値を最も低いDCC設定値に初期化するステップとを含む方法を提供する。本方法は、さらに、データ処理デバイスの要素のテストを実行するステップと、テストの実行結果に基づいて、DCCデバイス設定値を修正するかどうかを判定するステップと、DCCデバイス設定値が修正されるべきであると判定された場合にはDCCデバイス設定値を修正するステップとを含むことができる。
データ処理デバイスは集積回路デバイスとすることができ、本方法はオンチップ負荷サイクル補正デバイスに実装することができる。データ処理デバイスの要素は、集積回路デバイス上のアレイの一部とすることができる。
データ処理デバイスの要素にテストを実行するステップは、現在の動作電圧、動作周波数、及びDCCデバイス設定値でアレイの一部の自己テストを実行するために、アレイの一部に結合された組込み自己テスト回路を用いるステップを含むことができる。テストの実行結果に基づいてDCCデバイス設定値を修正するかどうかを判定するステップは、テストが合格又は不合格であったことをテストの実行結果が示しているかどうかを判定するステップと、テストが不合格であったことをテストの実行結果が示している場合には、DCCデバイス設定値をDCCデバイスの次の増分設定値に増分するステップとを含むことができる。テストが合格であったことをテストの実行結果が示している場合には、DCCデバイスの現在の設定値を、データ処理デバイスにおける負荷サイクル補正のための設定として用いることができる。
本方法は、さらに、DCCデバイス設定値を修正するステップがオーバーフロー条件をもたらすかどうかを判定するステップを含むことができる。DCCデバイス設定値の修正がオーバーフロー条件をもたらした場合には、動作電圧及び動作周波数の一方又は両方を増分することができる。
さらに、本発明は、負荷サイクル補正(DCC)回路と、DCC回路に結合されたDCC回路コントローラと、DCC回路に結合されたアレイと、アレイ及びDCC回路コントローラに結合された組込み自己テスト回路とが設けられた負荷サイクル補正デバイスを提供するための方法を与えるものである。組込み自己テスト回路は、DCC回路の現在の設定値を用いてアレイの自己テストを実行することができる。DCC回路コントローラは、アレイの不合格を示す組込み自己テスト回路の結果に応答して、DCC回路の設定値を次の増分設定値に増分することができる。DCC回路コントローラは、アレイの合格を示す組込み自己テスト回路からの結果に応答して、DCC回路の現在の設定値をチップのDCC設定値として設定することができる。
さらに、本発明は、カウンタとカウンタに結合されたデコーダとが設けられたDCC制御回路を提供するための方法を与えるものである。カウンタは、自己テストが合格又は不合格であったことを自己テストの結果が示しているかどうかを示す入力信号を受信し、自己テストが不合格であったことを入力信号が示しているときには増分し、カウンタ値信号をデコーダに出力することができる。デコーダは、カウンタからカウンタ値信号を受信し、カウンタ値信号に基づいて制御信号を生成し、制御信号を負荷サイクル補正(DCC)回路に出力することができる。DCC回路は、デコーダによる制御信号出力に基づいて、負荷サイクルを増分変化させることができる。
本発明のこれらの及び他の特徴及び利点は、本発明の例示的な実施形態の以下の詳細な説明において説明されるか、又は、本発明の例示的な実施形態の以下の詳細な説明を考慮して当業者に明らかとなるであろう。
本発明の特性と考えられる新規な特徴が、特許請求の範囲に記載される。しかしながら、本発明自体、並びに、その好ましい使用形態、更なる利点は、添付図面と併せて読むとき、例示的な実施形態に関する以下の詳細な説明を参照することによって最も良く理解されるであろう。
本発明は、種々の動作条件の下でチップの最適な動作を達成するために、負荷サイクル補正回路を自動的に制御するためのオンチップ集積回路装置及び方法を提供する。チップ性能の総合的な目標は、電力を低減するために、可能な最も低い動作電圧において可能な最も高い動作周波数を有することである。本発明は、負荷サイクル補正回路の自動的なオンチップ制御を通じて、このような最適なチップ性能を達成することを目指す。
図1は、本発明の1つの例示的な実施形態による回路アーキテクチャの例示的なブロック図である。図1に示されるように、回路アーキテクチャは、クロック生成マクロ・ユニット110と、単純負荷サイクル補正(DCC)回路120と、アレイ・スライス及び組込み自己テスト・ユニット130と、DCC回路コントローラ140とを含む。1つの例示的な実施形態においては所望の周波数のクロック信号を出力するように制御可能な位相ロック・ループ(PLL)回路である、クロック生成マクロ・ユニット110は、DCC回路120への入力クロック信号を生成する。DCC回路120は、入力クロック信号のサンプリングを行い、DCC回路の現在の設定値に従って、クロック信号の負荷サイクル補正を実行する。DCC回路の現在の設定値は、DCC回路コントローラ140からのDCC制御ビット出力によって制御される。
DCC回路120は、DCC回路120の現在の設定値に基づいて、入力クロック信号に増分変化を与える。例えば、本発明の1つの例示的な実施形態においては、DCC回路120は、各々の有効なステージによって入力クロック信号が増幅される複数のステージを備える。したがって、各々のステージは、入力クロック信号に増分増幅を与え、結果として、アレイ・スライス及び組込み自己テスト・ユニット130に出力クロック信号ncklが与えられる。
アレイ・スライス及び組込み自己テスト・ユニット130は、メイン・アレイ・ブロックを代表するものである小アレイ・グリッドと、組込み自己テスト回路とで構成される。アレイについての組込み自己テスト回路は当該技術分野において一般に公知であり、したがって、ここでは詳細な説明は行わない。組込み自己テスト回路は、アレイ・スライスを自己テスト条件にかけて、テストの結果を出力する。例えば、組込み自己テスト回路は、データをアレイ・スライスに書き込み、アレイ・スライスからデータを読み出し、両者を比較して、アレイ・スライスに書き込まれたデータがアレイ・スライスから読み出されたデータと一致するかどうかを判定することができる。一致した場合には、テストは合格である。一致しなかった場合には、テストは不合格である。出力クロック信号nclkの負荷サイクルが適切に調整されていない場合には、アレイ・スライスに書き込まれたデータはアレイ・スライスから読み出されたデータと一致せず、テスト不合格という結果になる。
別の言い方をすれば、簡単なアレイ・テストが以下のように提供される。所定の値の組が、所与の電圧、周波数、温度などで代表的なアレイ・スライスに書き込まれる。次いで、この格納された値の組は、アレイ・スライスから読み出される。アレイ・スライスから読み出された値が、アレイ・スライスに書き込まれるべき値と異なっていた場合には、テストは不合格である。このような場合には、アレイが機能するように、即ち読み出された値が書き込まれた値と等しくなるように、回路の動作条件を変更しなければならない。
アレイ・スライス及び組込み自己テスト・ユニット130の組込み自己テスト回路によって生成された結果、即ち「合格」又は「不合格」は、DCC回路コントローラ140に出力される。DCC回路コントローラ140は、DCC制御ビットを設定するように動作し、DCC制御ビットは、DCC回路120に出力されて、DCC回路120の動作を制御する、例えばDCC回路120のどのステージを有効とすべきかを特定する。DCC回路コントローラ140への信号入力が「合格」の結果を示した場合には、そのチップの設定値として現在のDCC設定値が用いられる。即ち、それ以上のテスト及びDCC回路120の修正は不要であり、DCC回路120の動作は、現在の設定値から修正されない。DCC回路コントローラ140への信号入力が「不合格」の結果を示した場合には、DCC回路コントローラは、DCC回路120の設定値を次の設定値に増分するためのDCC制御ビットを生成し、次いで上述のテスト動作が繰り返される。
特定の条件下では、DCC回路コントローラ140がDCC回路120の設定値のすべてを増分させ、それでもなおアレイ・スライス及び組込み自己テスト・ユニット130から得られる信号が「不合格」の結果を示す場合がある。このような場合においては、DCC回路コントローラ140は、チップ・コア電圧を次のより高い増分に増分するための制御信号、若しくは、動作周波数を次のより低い増分に低減するための制御信号、又はその両方を行うための制御信号を与える。次いで、DCC回路120を再初期化し、新たなチップ・コア電圧、周波数、又はその両方を用いて、上述のテスト動作を開始することができる。
本発明の1つの例示的な実施形態においては、DCC回路コントローラ140は、動作電圧と動作周波数とを選択するセレクタ機構を用いて、チップ・コア電圧を増分するか又は動作周波数を低減する。周波数は、回路の出力周波数制御を選択することができるクロック生成マクロ・ユニット110に関連付けることができる。電圧は、例えば、チップの電圧レギュレータの設定値を選択することによって、選択することができる。動作電圧はまた、クロック周波数に間接的に影響を与えることもある。このような相互依存性は、セレクタ機構の設計と、DCC回路コントローラ140のセレクタ機構が選択することができる設定値とによって、償われる。
図2は、本発明の1つの例示的な実施形態による負荷サイクル補正(DCC)回路の例示的な図である。図2に示されるように、「n」を負荷サイクルを修正するための増分の数とすると、DCC回路200は、複数のステージ、例えば1から2/2個のステージを含む。各々のステージは、2つの小型電源210及び220と、2つの増幅器230及び240と、2つのスイッチ250及び260とを含む。DCC回路コントローラからDCC回路に入力されたDCC制御ビットの設定値に基づいて、DCC回路の各々のステージにおける種々のスイッチ250及び260が閉じられ、それにより、ステージが有効になる。ステージが有効になると、ステージの増幅器230及び240は、入力クロック信号の負荷サイクルを増分量ごとに増加させるように機能する。ステージが直列で設けられているため、複数のステージを直列で有効にすることによって、負荷サイクルの累積的な増分増加が行われる。
このように、DCC回路200は、ステージごとにインバータのプルダウン/プルアップ強度を変えることによって動作する。このようにして、クロックの上昇/下降時間を制御することができる。これによって、望ましい負荷サイクル出力が得られる。図2はDCC回路200の1つの構成を示すが、この構成は例示的なものに過ぎず、本発明を実装することができるDCC回路のタイプに関して、いかなる限定を述べることも示唆することも意図されていない。逆に、多くの異なるタイプのDCC回路が知られており、本発明の機構は、本発明の範囲を逸脱することなく、いずれかの公知の又は後に開発されるDCC回路と共に用いることができる。
図3は、本発明の1つの例示的な実施形態による負荷サイクル補正(DCC)回路コントローラの例示的な図である。図3に示されるように、DCC回路コントローラ300は、Nから2個の温度デコーダ310と、Nビット・カウンタ320と、カウンタ・オーバーフロー検出器330と、チップ動作特性セレクタ340と、ANDゲート350とを含む。ANDゲート350は、入力として、アレイ・スライス及び組込み自己テスト・ユニット130からの結果と、クロック生成マクロ・ユニット110によって生成されたクロック信号とを受信する。これらの2つの信号はAND演算され、その結果がNビット・カウンタ320に入力される。その効果は、組込み自己テストが不合格を示したときに、ANDゲート350の出力が次のクロック遷移において0になることである。その結果として、Nビット・カウンタ320は、次のカウントに増分し、温度デコーダ310及びカウンタ・オーバーフロー検出器330にカウンタ値を出力する。
温度デコーダ310は、Nビット・カウンタによって生成されたNビット・カウンタ値を、単純負荷サイクル補正回路120に入力として与えられる2のDCC制御ビット信号に変換する。単純負荷サイクル補正回路120は、負荷サイクル補正を実行し、メイン・クロック・グリッド及び回路150とアレイ・スライス及び組込み自己テスト・ユニット130とに出力を与える。
温度デコーダ310の動作は当該技術分野において一般に知られており、したがって、ここでは詳細な説明は行わない。原則的には、Nビット・カウンタ値信号によって特定される、現在の制御ビットまでのすべてのDCC制御ビットは、設定済みである。結果として、DCC回路がDCC制御ビットを受信したときに、設定済みのDCC制御ビットによって特定されるステージにおけるスイッチのすべてが閉じられ、それによって入力クロック信号に関するそのステージの動作が有効になる。Nビット・カウンタ320が増分されるごとに、DCC回路における一連のステージの中の別のステージが有効になる。
カウンタ・オーバーフロー検出器330はまた、Nビット・カウンタ320からのカウンタ値出力信号を受信し、カウンタ・オーバーフロー条件が発生したかどうかを判定する。カウンタ・オーバーフロー条件は、例えば、カウンタが最大値まで増分して初期カウンタ値に戻ったときに、例えば最大カウンタ値16から初期カウンタ値1になったときに、検出することができる。このような場合には、カウンタ・オーバーフロー検出器330は、オーバーフロー信号をチップ動作特性セレクタ340に出力し、カウンタ初期化信号をNビット・カウンタ320に出力する。このカウンタ初期化信号を受信したことに応答して、Nビット・カウンタ320は、自分自身を最も低いカウント値に再初期化する。
オーバーフロー信号を受信したことに応答して、チップ動作特性セレクタ340は、使用されるチップの動作特性の次の設定値を選択する。例えば、チップ動作特性セレクタ340は、電圧を次のより高い電圧に増分するか、動作周波数を次のより低い周波数に増分するか、又はその両方を行う。次いで、この新たな動作特性は、アレイ・スライス及び組込み自己テスト・ユニットで用いられ、電圧、動作周波数、及び負荷サイクルの最適な組み合わせを判定するための次の一連のテストが実行される。即ち、新たな動作特性の選択及びNビット・カウンタ320の再初期化により、DCC回路の制御は新たな動作特性のために再初期化され、適切な負荷サイクルを判定するための上述の動作が繰り返される。
したがって、動作の際に、例えばチップの電源投入の際に、Nビット・カウンタ320は所定の値(例えば、最も低いカウント設定値)に初期化される。Nビット・カウンタ320は、クロック入力clkにおいて遷移が存在するときに、その値を増分する。次いで、チップは、既知の動作電圧及び周波数の値で開始される。次いで、組込み自己テストの結果は、Nビット・カウンタ320を駆動するクロックとAND演算される。組込み自己テストの結果が「不合格」、即ち信号が低いか又は0であった場合には、Nビット・カウンタ320のclk入力の次の遷移の際に、Nビット・カウンタ320は、その値を次のレベルに増分する。次いで、このカウンタ値は、DCC回路設定値として温度デコーダ310に送信される。温度デコーダ310は、そのカウンタ値に基づいて、DCC回路を制御するためのDCC制御ビットを生成する。DCC制御ビットは、所与の電圧及び周波数でチップについて利用可能な負荷サイクルに関して増分変化を与えることになる。
次いで、この新たな負荷サイクル設定値を用いて、再び、組込み自己テストが行われる。組込み自己テストの結果が「不合格」であった場合には、カウンタは再び増分され、その値を用いて上述のように負荷サイクルが修正される。このプロセスは、組込み自己テストが「合格」になるまで続く。合格の場合には、Nビット・カウンタ320はそれ以上値を増分せず、DCC回路は現在の設定値を保持することになる。
上述のように、厳しい動作条件の下では、Nビット・カウンタ320が全範囲にわたってカウントし、組込み自己テストがそのDCC設定値のすべてについて不合格となることがある。この場合には、カウンタ・オーバーフロー検出器330は、オーバーフローを検出し、電圧、周波数、又はその両方を増分するようにセレクタ340に命令するために、セレクタ340に信号を出力する。次いで、最適なチップ性能のための最適なDCC設定値を見出すために、上述のプロセスが繰り返される。
図4は、本発明の1つの例示的な実施形態による負荷サイクル補正回路の設定値を制御するための例示的な動作の概要を示すフローチャートである。図4に示されるように、動作は初期動作周波数を選択することで開始し、チップ・コア電圧は可能な最も低い値に初期化され、付加サイクル補正回路設定値は最も低い設定値に初期化される(ステップ410)。次いで、所与の電圧、周波数、温度、プロセス、及びDCC設定値で、アレイ回路の代表的なスライスの自己テストが実行される(ステップ420)。自己テストの結果が受信され(ステップ430)、結果が「合格」を示しているかどうかに関して判定が行われる(ステップ440)。結果が「合格」を示している場合には、DCC回路の現在の設定値がチップの負荷サイクル補正のための設定値として用いられ(ステップ450)、動作は終了する。
自己テストの結果が「合格」を示していない場合、即ち結果が「不合格」の場合には、DCC回路設定値は、次のより高い設定値に増分される(ステップ460)。DCC回路設定値のこの増分によってオーバーフローが生じるかどうかに関して、判定が行われる(ステップ470)。オーバーフローが生じない場合には、動作はステップ420に戻る。オーバーフローが生じた場合には、そのチップについて次の電圧、周波数、又はその両方が選択される(ステップ480)。次いで、DCC設定値は最も低い設定値に再初期化され(ステップ490)、動作はステップ420に戻る。
このように、本発明は、所与のプロセス、電圧、及び温度(PVT)条件でチップが最適な性能を有することが可能なように、負荷サイクル補正回路について最適な負荷サイクル設定値を自動的に選択することができる機構を提供する。本発明の機構は、外部テスト環境で最良の設定値を特性決定する場合に必要なテスト/特性決定の時間及びコストを大幅に低減する。本発明の機構の動的性質によって、作業負荷の変動及びPVTの変動が原因でチップ・レベルの動作環境が変化するときでも、チップが最適な負荷サイクル設定値を選択できるようにもなる。
上述の回路は、集積回路チップについての設計の一部である。チップ設計は、グラフィカル・コンピュータ・プログラミング言語で作成され、(ディスク、テープ、物理ハード・ドライブ、又は、ストレージ・アクセス・ネットワークにおけるような仮想ハード・ドライブといった)コンピュータのストレージ媒体に格納される。設計者が、チップ又はチップの製造に用いられるフォトリソグラフィ・マスクを製造しない場合には、設計者は、結果として得られた設計を、物理的な手段によって(例えば、設計を格納しているストレージ媒体のコピーを提供することによって)又は電子的に(例えば、インターネットを通じて)、チップ又はマスクを製造するエンティティに直接的に又は間接的に送る。次いで、格納された設計は、典型的にはウェハ上に形成される当該チップ設計の多数のコピーを含むフォトリソグラフィ・マスクの製造のための適切なフォーマット(例えば、GDSII)に変換される。フォトリソグラフィ・マスクは、エッチングされるか又は別の方法で処理されるウェハ(及び/又は、その上の層)の領域を定めるのに用いられる。
結果として得られた集積回路チップは、製造者により、未加工のウェハの形態で(即ち、多数のパッケージ化されていないチップを有する単一のウェハとして)、裸のダイとして、又はパッケージ化された形態で、流通させることができる。後者の場合には、チップは、(リード線でマザーボード又は他の高位レベルの支持体に取り付けられたプラスチック支持体などの)シングル・チップ・パッケージ、又は、(片面又は両面に相互接続体又は埋め込み相互接続体を有するセラミック支持体などの)マルチチップ・パッケージに取り付けられる。いずれの場合においても、次に、チップは、(a)マザーボードなどの中間製品の一部として又は(b)最終製品の一部として、他のチップ、個別の回路要素、及び/又は他の信号処理デバイスと一体化される。最終製品は、玩具及び他の低性能用途から、ゲーム機、ハンドヘルド型又は携帯型コンピュータ装置、及び、ディスプレイ、キーボード、又は他の入力装置と中央処理装置とを有する他の高性能な非携帯型コンピュータ製品までの範囲にわたる、集積回路チップを含むいかなる製品であってもよい。
図5は、本発明の負荷サイクル補正回路コントローラを実装することができるデータ処理システムの例示的なブロック図である。図5に示されるように、負荷サイクル補正回路コントローラ520は、データ処理デバイス510上に又はその中に、負荷サイクル補正回路530、クロック生成マクロ540、アレイ・スライス及び組込み自己テスト・ユニット550、及びメイン・クロック・グリッド及び回路560と関連付けて設けられる。データ処理デバイス510は、他の要素530〜560に結合された単一の負荷サイクル補正回路コントローラ520を有するものとして示されているが、本発明は、そのようなものに限定されないことに留意すべきである。むしろ、本発明によるデータ処理デバイス510において、要素520〜560の多数の具体例を提供することができる。
上述のように、データ処理デバイス510は、多数の異なるタイプのデータ処理デバイスのいずれかとすることができる。このようなデータ処理デバイスは、集積回路チップ、マルチチップ・パッケージ、マザーボードなどを含むが、これらに限定されるものではない。データ処理デバイス510は、より大きなデータ処理システム又はデバイス500の一部とすることができる。このより大きなデータ処理システム又はデバイス500は、玩具及び他の低性能用途から、ゲーム用装置、ゲーム機、ハンドヘルド型又は携帯型コンピュータ装置、ラップトップ型コンピュータ装置、個人用携帯情報端末、電話装置又は他の通信装置、及び、デスクトップ・コンピュータ、サーバなどといった他の高性能な非携帯型コンピュータ装置までの範囲にわたる、データ処理デバイス510を用いるいずれかのタイプの装置とすることができる。
1つの例示的な実施形態においては、図5に示されるデータ処理システムは、例えば、システム・オン・チップとすることができる。本発明の1つの例示的な実施形態においては、本発明を実装することができるデータ処理システムは、ニューヨーク州アーモンク所在のIBM社から入手可能なCELL Broadband Engine(CBE)アーキテクチャベースのデータ処理システムである。シングル・チップに実装されたCELL Broadband Engine(CBE)アーキテクチャは、共通のメモリ及びバスを共有する異なる命令セットを有する複数の異種プロセッサを含む。例えば、1つの異種プロセッサを、同一のメモリ空間を共有するベクトル命令セットを有するsynergistic processing unit(SPU)とし、他の異種プロセッサを、同一のメモリ空間を共有する縮小命令セット・コンピュータ(RISC)又は他のタイプの命令セットを有するPowerPCプロセッサとすることができる。
本発明の説明は、例示及び説明を目的として提示されており、網羅的であることも、開示された形態の発明に限定されることも、意図されていない。当業者には、多数の修正及び変形が明らかであろう。本実施形態は、本発明の原理及び実際の用途を最も良く説明するために、並びに、考慮される特定の用途に適した種々の修正を伴う種々の実施形態について当業者以外が本発明を理解できるように、選択され説明された。
本発明の1つの例示的な実施形態による回路アーキテクチャの例示的なブロック図である。 本発明の1つの例示的な実施形態による負荷サイクル補正回路の例示的な図である。 本発明の1つの例示的な実施形態による負荷サイクル補正回路コントローラの例示的な図である。 本発明の1つの例示的な実施形態による負荷サイクル補正回路の設定値を制御するための例示的な動作を概略的に示すフローチャートである。 本発明の負荷サイクル補正回路コントローラを実装することができるデータ処理システムの例示的なブロック図である。

Claims (16)

  1. 負荷サイクル補正(DCC)回路と、
    前記DCC回路に結合されたDCC回路コントローラと、
    前記DCC回路に結合されたアレイと、
    前記アレイ及び前記DCC回路コントローラに結合された組込み自己テスト回路と、
    を含み、
    前記組込み自己テスト回路は、前記DCC回路の現在の設定値を用いて前記アレイの自己テストを実行し、
    前記DCC回路コントローラは、前記アレイの不合格を示す前記組込み自己テスト回路からの結果に応答して、前記DCC回路の設定値を次の増分設定値に増分し、前記アレイの合格を示す前記組込み自己テスト回路からの結果に応答して、前記DCC回路の前記現在の設定値をチップのDCC設定値として設定する、装置。
  2. 前記DCC回路は複数のステージを含み、前記複数のステージにおける各々のステージは、有効なときに前記アレイの負荷サイクルに増分変化を与え、前記複数のステージにおける各々のステージは、前記DCC回路コントローラからの入力に基づいて個別に有効になる、請求項1に記載の装置。
  3. 前記複数のステージにおける各々のステージは、
    少なくとも1つの増幅器と、
    前記少なくとも1つの増幅器に結合された少なくとも1つのスイッチと、
    を含み、前記少なくとも1つのスイッチは、前記DCC回路コントローラからの前記入力によって制御される、請求項2に記載の装置。
  4. 前記DCC回路コントローラは、
    カウンタと、
    前記カウンタに結合されたデコーダと、
    を含み、
    前記カウンタは、前記自己テストの結果が合格であったか不合格であったかを示す信号を入力として受信し、前記自己テストが不合格であったことを前記入力信号が示しているときには増分し、カウンタ値信号を前記デコーダに出力し、
    前記デコーダは、前記カウンタから前記カウンタ値信号を受信し、該カウンタ値信号に基づいて制御信号を生成し、前記制御信号を前記DCC回路に出力する、
    請求項1ないし3のいずれか1つの請求項に記載の装置。
  5. 前記DCC回路コントローラは、前記自己テストが合格であったか不合格であったかを示す前記組込み自己テスト回路からの第1の信号と前記カウンタを駆動するクロック信号である第2の信号とを入力として受信するANDゲートをさらに含む、請求項4に記載の装置。
  6. 前記DCC回路コントローラは、前記カウンタに結合されたカウンタ・オーバーフロー検出器をさらに含み、前記カウンタ・オーバーフロー検出器は、カウンタ・オーバーフロー条件が生じたときにそれを検出し、前記カウンタ・オーバーフロー条件が生じたときには前記カウンタを再初期化する、請求項4又は請求項5に記載の装置。
  7. 前記DCC回路コントローラは、前記カウンタ・オーバーフロー検出器に結合されたチップ動作特性セレクタをさらに含み、前記カウンタ・オーバーフロー検出器は、前記カウンタ・オーバーフロー条件が生じたときにオーバーフロー信号を前記チップ動作特性セレクタに送信し、前記チップ動作特性セレクタは、前記オーバーフロー信号を受信したことに応答して前記チップの新たな動作特性を選択する、請求項6に記載の装置。
  8. 前記チップの新たな動作特性は、動作電圧又は動作周波数の少なくとも一方であり、新たな動作特性を選択することは、前記動作電圧を次のより高い動作電圧に増分することか又は前記動作周波数を次のより低い動作周波数に増分することの少なくとも一方を含む、請求項7に記載の装置。
  9. 前記DCC回路は、最初に最も低い設定値に設定され、前記DCC回路の設定値が、動作電圧又は動作周波数の少なくとも一方が修正され前記DCC回路が再初期化される最大設定値に達するまで、前記組込み自己テスト回路が前記アレイに適用された自己テストの不合格を示すごとに、次のより高い設定値に増分される、請求項1ないし8のいずれか1つの請求項に記載の装置。
  10. データ処理デバイスにおける較正方法であって、
    前記データ処理デバイスの初期動作周波数を選択するステップと、
    前記データ処理デバイスの動作電圧を可能な最も低い電圧値に初期化するステップと、
    負荷サイクル補正(DCC)デバイス設定値を最も低いDCC設定値に初期化するステップと、
    前記データ処理デバイスの要素のテストを実行するステップと、
    前記テストの実行結果に基づいて前記DCCデバイス設定値を修正するかどうかを判定するステップと、
    前記DCCデバイス設定値が修正されるべきであると判定された場合には前記DCCデバイス設定値を修正するステップと、
    を含む方法。
  11. 前記データ処理デバイスは集積回路デバイスであり、前記方法はオンチップ負荷サイクル補正デバイスに実装される、請求項10に記載の方法。
  12. 前記データ処理デバイスの前記要素は、前記集積回路デバイス上のアレイの一部である、請求項11に記載の方法。
  13. 前記データ処理デバイスの要素のテストを実行する前記ステップは、現在の動作電圧、動作周波数、及びDCC設定値で前記アレイの前記一部の自己テストを実行するために、前記アレイの前記一部に結合された組込み自己テスト回路を用いるステップを含む、請求項12に記載の方法。
  14. 前記テストの実行結果に基づいて前記DCCデバイス設定値を修正するかどうかを判定する前記ステップは、
    テストが合格又は不合格であったことを前記テストの実行結果が示しているかどうかを判定するステップと、
    前記テストが不合格であったことを前記テストの実行結果が示している場合には、前記DCCデバイス設定値を前記DCCデバイスの次の増分設定値に増分するステップと、
    を含む、請求項10ないし13のいずれか1つの請求項に記載の方法。
  15. 前記テストが合格であったことを前記テストの実行結果が示している場合には、前記DCCデバイスの現在の設定値が、前記データ処理デバイスにおける負荷サイクル補正のための設定値として用いられる、請求項14に記載の方法。
  16. 前記DCCデバイス設定値を修正する前記ステップによってオーバーフロー条件が生じるかどうかを判定するステップと、
    前記DCCデバイス設定値の修正によってオーバーフロー条件が生じた場合には、前記動作電圧及び前記動作周波数の一方又は両方を増分するステップと、
    をさらに含む、請求項10ないし15のいずれか1つの請求項に記載の方法。
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