JP4628750B2 - バッファメモリを内蔵したフラッシュメモリ装置及びフラッシュメモリシステム - Google Patents
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Description
200…フラッシュメモリ装置
210…ホストインターフェース
220…レジスタ
230…ステートマシン
240…エラー訂正及びデータ入出力ブロック
250…フラッシュコントローラ
260…フラッシュメモリ
270…バッファコントローラ
280…デコーダ
290…バッファメモリ
Claims (16)
- メイン領域とスペア領域とに大別されるフラッシュメモリと、
前記フラッシュメモリに書き込まれる又は前記フラッシュメモリから読み出されるデータを臨時に貯蔵し、そして前記フラッシュメモリと同一なアドレス構造を有するようにメイン領域とスペア領域とに大別されるバッファメモリと、
ホストから印加されたアドレスを前記バッファメモリに適していたアドレスにマッピングし、そして前記バッファメモリのデータが前記フラッシュメモリに貯蔵されるように又は前記フラッシュメモリのデータが前記バッファメモリに貯蔵されるように前記フラッシュメモリとバッファメモリとを制御する制御手段とを含み、
前記ホストで割り当てられたバッファアドレスが内部的に割り当てられたバッファアドレスと一致しない場合には、前記制御手段は、前記ホストで割り当てられたバッファアドレスを内部的に割り当てられたバッファアドレスへと変更するマッピング動作を遂行し、前記マッピング動作において、前記ホストで割り当てられたバッファアドレスが主領域(main region)と予備領域(spare region)とに分割され、
前記制御手段は、前記バッファコントローラから印加されるアドレスをマッピングするデコーダを、さらに含む
ことを特徴とするフラッシュメモリ装置。 - 前記フラッシュメモリ、前記バッファメモリ、そして前記制御手段は、単一チップより成る
ことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記ホストから印加される制御信号、アドレス、そしてデータを前記フラッシュメモリ装置を動作させるための内部信号に変更するホストインターフェースを、さらに含む
ことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記バッファメモリは、ランダムアクセスが可能なメモリである
ことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記メモリは、SRAMである
ことを特徴とする請求項4に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記メモリは、DRAMである
ことを特徴とする請求項4に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記制御手段は、前記フラッシュメモリのアドレス、前記バッファメモリのアドレス、そしてコマンドを貯蔵するレジスタと、
前記バッファメモリの読み取り及び書き取り動作を制御するバッファコントローラと、
前記フラッシュメモリの読み取り及び書き取り動作を制御するフラッシュコントローラと、
前記レジスタに貯蔵された値により前記バッファメモリのデータが前記フラッシュメモリに貯蔵されるように又は前記フラッシュメモリのデータが前記バッファメモリに貯蔵されるように、前記バッファコントローラと前記フラッシュコントローラとを制御するステートマシンとを含む
ことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ装置。 - 前記制御手段は、前記ステートマシンにより制御され、
前記バッファメモリと前記フラッシュメモリとの間で伝送されるデータのエラーを訂正するエラー訂正及びデータ入出力回路を、さらに含む
ことを特徴とする請求項7に記載のフラッシュメモリ装置。 - ホストと、
前記ホストの要求に応じてデータを貯蔵するか、或いは貯蔵されたデータを出力するフラッシュメモリ装置とを含み、
前記フラッシュメモリ装置は、メイン領域とスペア領域とに大別されるフラッシュメモリと、
前記フラッシュメモリに書き込まれる又は前記フラッシュメモリから読み出されるデータを臨時に貯蔵し、そして前記フラッシュメモリと同一なアドレス構造を有するようにメイン領域とスペア領域とに大別されるバッファメモリと、
ホストから印加されたアドレスを前記バッファメモリに適していたアドレスにマッピングし、そして前記バッファメモリのデータが前記フラッシュメモリに貯蔵されるように又は前記フラッシュメモリのデータが前記バッファメモリに貯蔵されるように前記フラッシュメモリとバッファメモリとを制御する制御手段とを含む
前記ホストで割り当てられたバッファアドレスが内部的に割り当てられたバッファアドレスと一致しない場合には、前記制御手段は、前記ホストで割り当てられたバッファアドレスを内部的に割り当てられたバッファアドレスへと変更するマッピング動作を遂行し、前記マッピング動作において、前記ホストで割り当てられたバッファアドレスが主領域(main region)と予備領域(spare region)とに分割され、
前記制御手段は、前記バッファコントローラから印加されるアドレスをマッピングするデコーダを、さらに含む
ことを特徴とするフラッシュメモリシステム。 - 前記フラッシュメモリ、前記バッファメモリ、そして前記制御手段は単一チップより成る
ことを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリシステム。 - 前記ホストから印加される制御信号、アドレス、そしてデータを前記フラッシュメモリ装置を動作させるための内部信号に変更するホストインターフェースを、さらに含む
ことを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリシステム。 - 前記バッファメモリは、ランダムアクセスが可能なメモリである
ことを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリシステム。 - 前記メモリは、SRAMである
ことを特徴とする請求項12に記載のフラッシュメモリシステム。 - 前記メモリは、DRAMである
ことを特徴とする請求項12に記載のフラッシュメモリシステム。 - 前記制御手段は、前記フラッシュメモリのアドレス、前記バッファメモリのアドレス、そしてコマンドを貯蔵するレジスタと、
前記バッファメモリの読み取り及び書き取り動作を制御するバッファコントローラと、
前記フラッシュメモリの読み取り及び書き取り動作を制御するフラッシュコントローラと、
前記レジスタに貯蔵された値により前記バッファメモリのデータが前記フラッシュメモリに貯蔵されるように又は前記フラッシュメモリのデータが前記バッファメモリに貯蔵されるように、前記バッファコントローラと前記フラッシュコントローラとを制御するステートマシンとを含む
ことを特徴とする請求項9に記載のフラッシュメモリシステム。 - 前記制御手段は、前記ステートマシンにより制御され、前記バッファメモリと前記フラッシュメモリとの間で伝送されるデータのエラーを訂正するエラー訂正及びデータ入出力回路を、さらに含む
ことを特徴とする請求項15に記載のフラッシュメモリシステム。
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