JP4625716B2 - 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 - Google Patents
欠陥検査装置及び欠陥検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4625716B2 JP4625716B2 JP2005148885A JP2005148885A JP4625716B2 JP 4625716 B2 JP4625716 B2 JP 4625716B2 JP 2005148885 A JP2005148885 A JP 2005148885A JP 2005148885 A JP2005148885 A JP 2005148885A JP 4625716 B2 JP4625716 B2 JP 4625716B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- illumination
- defect
- light
- inspected
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 141
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 127
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 37
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 14
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 32
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
Landscapes
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
(NA)で決まるため、これまで高性能化は、結像に使用する光の波長の短波長化と、対物レンズの高開口数(NA)化による高解像度化として行われてきた。これらは光学顕微鏡の解像度を向上させることによって、微細パターンとその上に存在する微細欠陥の両者の濃淡コントラストを向上させ、より微細な欠陥を検出しやすくするものである。しかしながら、光学顕微鏡に使用可能な光源の最も短い波長は現状で高々200nm程度であり、短波長化による解像度の向上には限界がある。また、対物レンズの開口数も明視野照明方式では既に0.8〜0.9の高開口数のものが使用されており、乾燥系の対物レンズとしてはほぼ限界である。更に屈折率が1以上の液体と共に液浸系の対物レンズを使用しても実現可能な開口数は最大で1.5 程度であり、現在の乾燥系の対物レンズに比べて解像度の向上は1.6 倍程度に留まる。
(ランダム偏光)は、偏光ビームスプリッタ200を透過してp偏光の直線偏光となった後、λ/4板17を透過して円偏光となり、対物レンズ20を経て半導体ウェーハ1に照射される。半導体ウェーハ1に照明された光は、半導体ウェーハ1上で反射,散乱,回折され、対物レンズ20のNA以内の光は再び対物レンズ20に入射し、λ/4板17を通る。半導体ウェーハ1で反射された光のうち一部分(高次回折光の一部)は反射時に回転方向が変わらない円偏光となり、再度λ/4板17を透過する際にp偏光の直線偏光となるが、大部分は反射時に回転方向が逆の円偏光となり、λ/4板17を透過する際にs偏光の直線偏光となる。そのため、偏光ビームスプリッタ200では後者のみがほぼ損失なく反射されて効率よく結像光学系へ導かれ、撮像素子70上に半導体ウェーハ1の像が形成される。この像は撮像素子70で電気信号に変換された画像となり、画像処理部73に取り込まれる。画像処理部73は、半導体ウェーハ1上に行列方向に等間隔で連続的に配列された同一形状を有するパターンを走査して得られる検出画像とその行列方向に隣接する同一形状のパターンを走査して得られる参照画像とを比較して欠陥を検出する。
“欠陥信号強度差”を符号付きで大きい方から順に並べ替える。負の符号を持つものの合計の方が大きい場合は、21個の“欠陥信号強度差”を符号付きで小さい方から順に並べ替える。
21C10=352,716通り
の種類の遮光板を用意しなければならず現実的ではない。しかし小開口への分割数が少ない場合、例えば図3cのような小開口に分割されていて照明光量を確保するために必要な“開”状態の小開口の数が2個である場合には、
5C2=10通り
の種類で済み、現実に適用が可能である。更に、選択された遮光板を照明瞳面上で縦横に平行移動または光軸に関して回転またはその両方を組み合わせて位置を移動できる手段を設けておくと、例えば、図4bの形状の遮光板と図4cの形状の遮光板は同一の遮光板を回転することで実現できるため、予め備えておかなければならない遮光板の種類を減らすことが可能になる
また、前記実施例と全く同一の効果までは得られないが、より簡便に実装でき、類似の効果が得られる他の代案として、図5のように開口寸法を可変できる開口絞りを照明瞳面に置き、照明瞳面上で縦横に平行移動できるようにした技術が可能である。この代案では、前記実施例で決定された合成開口の形状が図4aのように単純な凸多角形でない場合や、図4dのように開口部が不連続な2以上の領域に分かれている場合には、同一の開口形状を実現できないが、合成開口が開口絞りの開口形状で近似できる場合には類似の効果を得ることができる。
Claims (11)
- 被検査物体に光を照射する照明手段と、
該被検査物体で反射された光を結像させる結像手段と、
該結像手段で結像した像を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段で取得された画像に基づき前記被検査物体の欠陥を検出する欠陥検出手段と、
遮光部のパターン形状を切り替え可能な機構を備え、前記照明手段からの光を通して前記被検査物体に照射する遮光手段と、を備え、
前記遮光手段は前記照明手段の照明瞳面に配置され、
前記遮光手段は光透過面を複数の小開口に分割し、該小開口の遮光/透光を切り替える手段であり、
前記複数の小開口は、光透過面の概略中央に配置された円形乃至多角形の1つの小開口、またはその小開口を更に複数の小開口に分割した小開口と、その外部を放射状に分割した小開口から成り、
前記小開口の遮光/透光を1小開口ずつまたは2以上の小開口を1つのグループとして切り替える切り替え手段を備え、
検出すべき微細欠陥の位置における検出画像と参照画像との信号強度差の絶対値の参照画像の最明部の信号強度に対する比で定義される微細欠陥の欠陥コントラストを計測する欠陥コントラスト計測手段と、
該欠陥コントラスト計測手段の計測結果に基づき、透光状態の小開口から成る合成開口のパターンを、該照明瞳面を通過できる全照明光量を一定以上に維持しつつ、欠陥コントラストが概略最大になるように制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項1記載の欠陥検査装置において、
前記小開口が、概略同一形状を有することを特徴とする欠陥検査方法。 - 請求項1記載の欠陥検査装置において、
前記欠陥コントラスト計測手段による検出画像と参照画像との計測に際し信号強度差を符号付きで計測し、信号強度差が同一符号になる組合せの中で欠陥コントラストが概略最大になるよう透光状態の小開口から成る合成開口のパターンを決定する制御手段を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の欠陥検査装置において、
前記開口が光スイッチで構成され、電気信号で各小開口の遮光/透光を制御できるよう構成したことを特徴とする欠陥検査装置。 - 対物レンズを通して照明光を被検査物体面に照射する照明手段と、被検査物体で反射・散乱・回折された光を再び前記対物レンズによって集光し結像させる結像手段を備え、照明手段の照明瞳面に異なる形状または開口面積を有する複数の照明開口を切り替えて出し入れ可能な手段を備え、被検査物体上に行列方向に等間隔で連続的に配列された同一形状を有するパターンを撮像素子を走査して得られる検出画像とその行列方向に隣接する同一形状のパターンを走査して得られる参照画像とを比較して欠陥を検出するパターン欠陥検査方法において、異なる形状または開口面積を有する複数の照明開口を切り替え、検出すべき微細欠陥の位置における検出画像と参照画像との信号強度差の絶対値の参照画像の最明部の信号強度に対する比で定義される欠陥コントラストを計測し、照明開口の種類を欠陥コントラストが概略最大になるように決定する手段を設け、その結果に従って照明開口の種類を選択するように構成したことを特徴とする欠陥検査方法。
- 対物レンズを通して照明光を被検査物体面に照射する照明手段と、被検査物体で反射・散乱・回折された光を再び前記対物レンズによって集光し結像させる結像手段を備え、照明手段の照明瞳面に異なる形状または開口面積を有する複数の照明開口を切り替えて出し入れ可能な手段を備え、被検査物体上に行列方向に等間隔で連続的に配列された同一形状を有するパターンを撮像素子を走査して得られる検出画像とその行列方向に隣接する同一形状のパターンを走査して得られる参照画像とを比較して欠陥を検出するパターン欠陥検査方法において、光軸上に挿入した照明開口を照明瞳面内で平行移動または光軸に関して回転またはその両方を組み合わせて位置を移動できる手段を設け、
さらに、
異なる形状または開口面積を有する複数の照明開口を選択・切替し、その選択された照明開口を照明瞳面内で平行移動または光軸に関して回転またはその両方を組み合わせて位置を移動させ、検出すべき微細欠陥の位置における検出画像と参照画像との信号強度差の絶対値の参照画像の最明部の信号強度に対する比で定義される欠陥コントラストを計測し、照明開口の種類とその照明開口の位置を欠陥コントラストが概略最大になるように決定する手段を設け、その結果に従って照明開口の種類の選択・切替とその選択された照明開口の位置を制御するように構成したことを特徴とする欠陥検査方法。 - 対物レンズを通して照明光を被検査物体面に照射する照明手段と、被検査物体で反射・散乱・回折された光を再び前記対物レンズによって集光し結像させる結像手段を備え、照明手段の照明瞳面に開口寸法を可変できる開口絞りを備え、被検査物体上に行列方向に等間隔で連続的に配列された同一形状を有するパターンを撮像素子を走査して得られる検出画像とその行列方向に隣接する同一形状のパターンを走査して得られる参照画像とを比較して欠陥を検出するパターン欠陥検査方法において、開口絞りを照明瞳面内で平行移動できる手段を設け、
さらに、
開口絞りの開口寸法と位置を変化させ、検出すべき微細欠陥の位置における検出画像と参照画像との信号強度差の絶対値の参照画像の最明部の信号強度に対する比で定義される欠陥コントラストを計測し、開口絞りの開口寸法と位置を欠陥コントラストが概略最大になるように決定する手段を設け、その結果に従って開口絞りの開口寸法と位置を制御するように構成したことを特徴とする欠陥検査方法。 - レーザ光源を有し対物レンズを通して照明光を被検査物体面に照射する照明手段と、被検査物体で反射・散乱・回折された光を再び前記対物レンズによって集光し結像させる結像手段を備え、照明瞳面上で該レーザ光源からの照明光束が通過する位置を予め指定された部分領域内で時間的に揺動させることによってインコヒーレント照明または部分コヒーレント照明と概略等価な照明効果を得る手段を備え、被検査物体上に行列方向に等間隔で連続的に配列された同一形状を有するパターンを撮像素子を走査して得られる検出画像とその行列方向に隣接する同一形状のパターンを走査して得られる参照画像とを比較して欠陥を検出するパターン欠陥検査方法において、レーザ光源からの照明光束を照明瞳面上で揺動する部分領域を変化させて検出すべき微細欠陥の位置における検出画像と参照画像との信号強度差の絶対値の参照画像の最明部の信号強度に対する比で定義される欠陥コントラストを計測し、レーザ光源からの照明光束を照明瞳面上で揺動する部分領域を欠陥コントラストが概略最大になるように決定する手段を設け、その結果に従ってレーザ光源からの照明光束を照明瞳面上で揺動する部分領域を制御するように構成したことを特徴とする欠陥検査方法。
- 請求項8記載の微細欠陥検出方法において、レーザ光源からの照明光束を照明瞳面上で揺動する部分領域を変化させて検出すべき微細欠陥の欠陥コントラストを計測する際に、検出画像と参照画像との信号強度差を符号付きで計測し、信号強度差が同一符号になる組合せの中で欠陥コントラストが概略最大になるようレーザ光源からの照明光束を照明瞳面上で揺動する部分領域を決定する手段を設けたことを特徴とする欠陥検査方法。
- レーザ光源を有し対物レンズを通して照明光を被検査物体面に照射する照明手段と、
被検査物体で反射された光を再び前記対物レンズによって集光し結像させる結像手段と、
照明瞳面上で該レーザ光源からの照明光束が通過する位置を予め指定された部分領域内で時間的に揺動させることによってインコヒーレント照明または部分コヒーレント照明と概略等価な照明効果を得る手段と、
該被検査物体上に行列方向に等間隔で連続的に配列された同一形状を有するパターンを撮像素子を走査して得られる検出画像とその行列方向に隣接する同一形状のパターンを走査して得られる参照画像とを比較して欠陥を検出する欠陥検出手段と、
該照明光が該照明瞳面上で揺動する部分領域を変化させて検出すべき微細欠陥の位置における検出画像と参照画像との信号強度差の絶対値の参照画像の最明部の信号強度に対する比で定義される欠陥コントラストを計測し、該照明光を該照明瞳面上で揺動する部分領域を該欠陥コントラストが概略最大になるように決定する手段と、
その結果に従って該照明光が該照明瞳面上で揺動する部分領域を制御する制御手段と、を有することを特徴とする欠陥検査装置。 - 請求項10に記載の微細欠陥検出方法において、
該欠陥コントラストを計測する際に、該検出画像と該参照画像との信号強度差を符号付きで計測し、該信号強度差が同一符号になる組合せの中で該欠陥コントラストが概略最大になるよう該照明光が該照明瞳面上で揺動する部分領域を決定する手段を設けたことを特徴とする欠陥検査装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005148885A JP4625716B2 (ja) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
US11/437,643 US7535562B2 (en) | 2005-05-23 | 2006-05-22 | Apparatus and method for defect inspection |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005148885A JP4625716B2 (ja) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006329630A JP2006329630A (ja) | 2006-12-07 |
JP4625716B2 true JP4625716B2 (ja) | 2011-02-02 |
Family
ID=37447994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005148885A Expired - Fee Related JP4625716B2 (ja) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7535562B2 (ja) |
JP (1) | JP4625716B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170021830A (ko) * | 2014-06-26 | 2017-02-28 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 웨이퍼 검사 동안 집광 어퍼처에 위치하는 광학 엘리먼트에 대한 구성의 결정 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7589832B2 (en) | 2006-08-10 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device method |
JP4906609B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2012-03-28 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および方法 |
TW200916764A (en) * | 2007-09-05 | 2009-04-16 | Nikon Corp | Monitoring apparatus, monitoring method, inspecting apparatus and inspecting method |
JP4940122B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2012-05-30 | 株式会社日立製作所 | ハードディスクメディア上のパターンの検査方法及び検査装置 |
JP4600476B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2010-12-15 | 日本電気株式会社 | 微細構造物の欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US7826045B2 (en) * | 2008-01-25 | 2010-11-02 | International Business Machines Corporation | Angular spectrum tailoring in solid immersion microscopy for circuit analysis |
DE102008021199A1 (de) * | 2008-04-28 | 2009-10-29 | Focke & Co.(Gmbh & Co. Kg) | Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen von mit Folie umwickelten Zigarettenpackungen |
US8223327B2 (en) * | 2009-01-26 | 2012-07-17 | Kla-Tencor Corp. | Systems and methods for detecting defects on a wafer |
US8605275B2 (en) * | 2009-01-26 | 2013-12-10 | Kla-Tencor Corp. | Detecting defects on a wafer |
WO2013134068A1 (en) | 2012-03-07 | 2013-09-12 | Kla-Tencor Corporation | Wafer and reticle inspection systems and method for selecting illumination pupil configurations |
US9128064B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-09-08 | Kla-Tencor Corporation | Super resolution inspection system |
JP5993691B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-09-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
US9008410B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-04-14 | Kla-Tencor Corporation | Single die inspection on a dark field inspection tool |
US9726617B2 (en) * | 2013-06-04 | 2017-08-08 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for finding a best aperture and mode to enhance defect detection |
JP5965952B2 (ja) * | 2014-08-25 | 2016-08-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US10598607B2 (en) * | 2017-06-14 | 2020-03-24 | Camtek Ltd. | Objective lens |
CN107941820A (zh) * | 2017-12-21 | 2018-04-20 | 苏州精濑光电有限公司 | 一种面板缺陷检查装置 |
CN109961455B (zh) * | 2017-12-22 | 2022-03-04 | 杭州萤石软件有限公司 | 一种目标检测方法及装置 |
JP7261903B2 (ja) * | 2019-05-06 | 2023-04-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 暗視野顕微鏡 |
US20210042909A1 (en) * | 2019-08-07 | 2021-02-11 | Kimball Electronics Indiana, Inc. | Imaging system for surface inspection |
US20220405903A1 (en) * | 2021-06-17 | 2022-12-22 | Kla Corporation | Image contrast metrics for deriving and improving imaging conditions |
CN114754707B (zh) * | 2022-04-18 | 2024-01-30 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 一种红外探测芯片的平整度检测方法及水平检测台 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003177102A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-06-27 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法およびその装置 |
JP2003203850A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005003689A (ja) * | 1994-10-07 | 2005-01-06 | Renesas Technology Corp | 被検査対象物上のパターンの欠陥検査方法及びその装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5719405A (en) * | 1992-09-01 | 1998-02-17 | Nikon Corporation | Particle inspecting apparatus and method using fourier transform |
JPH0783844A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
JPH0682373A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-03-22 | Nikon Corp | 欠陥検査方法 |
IL104708A (en) * | 1993-02-12 | 1995-12-31 | Orbotech Ltd | Device and method for optical inspection of items |
JPH07113760A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-05-02 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
JPH07229845A (ja) * | 1994-02-22 | 1995-08-29 | Nikon Corp | 異物検査装置 |
JP3657694B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2005-06-08 | リンテック株式会社 | 照明装置 |
JP3610837B2 (ja) | 1998-09-18 | 2005-01-19 | 株式会社日立製作所 | 試料表面の観察方法及びその装置並びに欠陥検査方法及びその装置 |
DE10146499B4 (de) * | 2001-09-21 | 2006-11-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen sowie Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens drei optischen Elementen |
US6844927B2 (en) * | 2002-11-27 | 2005-01-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for removing optical abberations during an optical inspection |
US7440105B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-10-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
US6950183B2 (en) * | 2003-02-20 | 2005-09-27 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for inspection of photolithographic mask |
-
2005
- 2005-05-23 JP JP2005148885A patent/JP4625716B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-05-22 US US11/437,643 patent/US7535562B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005003689A (ja) * | 1994-10-07 | 2005-01-06 | Renesas Technology Corp | 被検査対象物上のパターンの欠陥検査方法及びその装置 |
JP2003177102A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-06-27 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査方法およびその装置 |
JP2003203850A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170021830A (ko) * | 2014-06-26 | 2017-02-28 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 웨이퍼 검사 동안 집광 어퍼처에 위치하는 광학 엘리먼트에 대한 구성의 결정 |
KR102269512B1 (ko) * | 2014-06-26 | 2021-06-24 | 케이엘에이 코포레이션 | 웨이퍼 검사 동안 집광 어퍼처에 위치하는 광학 엘리먼트에 대한 구성의 결정 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006329630A (ja) | 2006-12-07 |
US7535562B2 (en) | 2009-05-19 |
US20060262297A1 (en) | 2006-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4625716B2 (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
JP5182090B2 (ja) | 欠陥検出装置及び欠陥検出方法 | |
JP3610837B2 (ja) | 試料表面の観察方法及びその装置並びに欠陥検査方法及びその装置 | |
US8885037B2 (en) | Defect inspection method and apparatus therefor | |
US8319960B2 (en) | Defect inspection system | |
TWI677679B (zh) | 在雷射暗場系統中用於斑點抑制之方法及裝置 | |
KR920007196B1 (ko) | 이물질 검출방법 및 그 장치 | |
WO2010050488A1 (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
KR20100110321A (ko) | 검사 장치 및 검사 방법 | |
JP2012047654A (ja) | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 | |
KR20220031687A (ko) | 광학 표면 결함 재료 특성화를 위한 방법 및 시스템 | |
JPWO2009133849A1 (ja) | 検査装置 | |
KR101445463B1 (ko) | 결함 검사 방법 및 그 장치 | |
JP2947513B1 (ja) | パターン検査装置 | |
JP3956942B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
JP2014240766A (ja) | 表面検査方法および表面検査装置 | |
KR20140065348A (ko) | 외관 검사 장치 및 외관 검사 방법 | |
JP3965325B2 (ja) | 微細構造観察方法、および欠陥検査装置 | |
JP3918840B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
JP2008046011A (ja) | 表面検査装置 | |
JP2007303904A (ja) | 表面検査装置 | |
JP2012042254A (ja) | レンズ欠陥の検査方法 | |
JPH0682373A (ja) | 欠陥検査方法 | |
US11055836B2 (en) | Optical contrast enhancement for defect inspection | |
JP2010107465A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101019 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101108 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |