JP4619388B2 - 薄膜太陽電池素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る薄膜太陽電池素子の1つのセルの構造を示す縦断面図である。図1に於いて、絶縁透光性基板1の上面上には、表面電極層(表面透明電極層に該当)2、第1光電変換層3、第1バッファ層4、中間透明電極層6、第2光電変換層7、第2バッファ層8、裏面透明電極層10、及び裏面電極層11が順次に積層形成されており、第1及び第2バッファ層4,8の各々には酸化層5,9が生成している。
以上、本発明の実施の形態を詳細に開示し記述したが、以上の記述は本発明の適用可能な局面を例示したものであって、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、記述した局面に対する様々な修正や変形例を、この発明の範囲から逸脱することの無い範囲内で考えることが可能である。
Claims (6)
- 第1透明電極層と金属電極層との間にシリコンを主成分とする半導体層膜から成る光電変換層を有し、前記光電変換層と前記金属電極層との間に酸化物を主成分とする第2透明電極層を有する薄膜太陽電池素子の製造方法であって、
前記光電変換層の上にシリコンよりも酸化し易い非酸化物系の導電性材料から成る薄膜を形成する工程と、
前記薄膜上に前記第2透明電極層を形成する工程と、
前記第2透明電極層上に前記金属電極層を形成する工程とを有することを特徴とする、
薄膜太陽電池素子の製造方法。 - 第1透明電極層と金属電極層との間にシリコンを主成分とする半導体層膜から成り前記第1透明電極層側と前記金属電極層側とに重なり合う少なくとも2つの光電変換層を有し、前記光電変換層間に酸化物を主成分とする第3透明電極層を有する薄膜太陽電池素子の製造方法であって、
前記第1透明電極層側の光電変換層の上にシリコンよりも酸化し易い非酸化物系の導電性材料から成る薄膜を形成する工程と、
前記薄膜上に前記第3透明電極層を形成する工程と、
前記第3透明電極層上に前記金属電極層側の光電変換層を形成する工程とを有することを特徴とする、
薄膜太陽電池素子の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の薄膜太陽電池素子の製造方法であって、
前記シリコンよりも酸化し易い非酸化物系の導電性材料は、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、及びアルミニウムの何れかにニオブ又はガリウムの何れかを添加した金属材料であることを特徴とする、
薄膜太陽電池素子の製造方法。 - 請求項1乃至3の何れか1項に記載の薄膜太陽電池素子の製造方法であって、
前記非酸化物系の導電性材料から成る薄膜の膜厚は50nm以上、100nm以下の範囲内で形成されることを特徴とする、
薄膜太陽電池素子の製造方法。 - 第1透明電極層と金属電極層との間にシリコンを主成分とする半導体層膜から成る光電変換層を有し、前記光電変換層と前記金属電極層との間に酸化物を主成分とする第2透明電極層を有する薄膜太陽電池素子であって、
前記光電変換層と前記第2透明電極層との間に、シリコンよりも酸化し易い非酸化物系の導電性材料を有することを特徴とする、
薄膜太陽電池素子。 - 第1透明電極層と金属電極層との間にシリコンを主成分とする半導体層膜から成り前記第1透明電極層側と前記金属電極層側とに重なり合う少なくとも2つの光電変換層を有し、前記光電変換層間に酸化物を主成分とする第3透明電極層を有する薄膜太陽電池素子であって、
前記第1透明電極層側の光電変換層と前記第3透明電極層との間に、シリコンよりも酸化し易い非酸化物系の導電性材料を有することを特徴とする、
薄膜太陽電池素子。
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