JP4616175B2 - ５’−ホスフィチル化モノマーおよびｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、ホスフィチル化ヌクレオシドモノマー、その製造方法、当該ホスフィチル化ヌクレオシドモノマーを利用して得られる新規なＨ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体及びホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体並びにそれらの製造方法に関する。
ＤＮＡ合成の最初の技術であるホスホジエステル法は，１９６０年代にＫｈｏｒａｎａらによって開発されたが，反応はすべて液相で行い，各段階で生成物を単離しなくてはならないという煩雑な方法であった。しかしＫｈｏｒａｎａは，この方法と酵素法を組み合わせ，１９７２年に７７塩基からなる酵母アラニンｔＲＮＡ遺伝子を合成した。
１９８０年代初めまでにこれらの困難で手間のかかる液相法は，はるかに速い固相法にとって代わられ，オリゴヌクレオチド合成は自動化された。合成オリゴヌクレオチドの利用の一つに医薬が挙げられるが，それには天然型のＤＮＡではなく，それに化学的修飾を施したＤＮＡ類縁体が用いられている。ＤＮＡ類縁体としては，様々なものが開発されているが，実用化されているのは，ホスホジエステル結合の非架橋酸素原子の一つを硫黄原子に置換したホスホロチオエートＤＮＡのみである。しかし，ホスホロチオエートＤＮＡは，タンパク質との相互作用が強く，高い細胞毒性や副作用がある為，これに代わる新しいＤＮＡ類縁体の開発が求められている。
ＤＮＡ類縁体の合成に今日最も広く用いられている方法は，Ｌｅｔｓｉｎｇｅｒが考案し，Ｃａｒｕｔｈｅｒｓらが発展させた反応で，ホスホロアミダイト法（亜リン酸トリエステル）といわれている。そのスキームを下記に示す。
（式中、「ＢＰ」とは、保護基が付加された塩基を意味し、「ＤＭＴｒ」とは、ジメトキシトリチル基を指す。）
ホスホロアミダイト法の開発と並行して，ＧａｒｅｇｇとＭａｔｔｅｕｃｃｉは，それぞれ独立にＨ−ホスホネート法を開発した（Ｇａｒｅｇｇ，Ｐ．Ｊ．ｅｔ．ａｌ，Ｃｈｅｍｉｃａ Ｓｃｒｉｐｔａ，１９８５，２５，２８０−２８２、Ｆｒｏｅｈｌｅｒ，Ｂ．Ｃ．ｅｔ．ａｌ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，１９８６，２７，４６９−４７２）。そのスキームを下記に示す。
（式中、「ＤＢＵ」とは、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−ウンデカ−１−エンを示す。）
ＤＮＡ類縁体の合成にホスホロアミダイト法を利用すると，リン原子上に修飾を行う際，１６族元素である酸素，硫黄，セレン，そして配位結合をするボランによる修飾しか行えない。一方，Ｈ−ホスホネート法を利用すると，幅広い修飾が行え，ホスホロアミダイト法では合成することの出来ないＤＮＡ類縁体を合成することができる。これは，ホスホロアミダイト法では亜リン酸トリエステルであるホスファイトを経由して修飾を行うが，Ｈ−ホスホネート法では亜リン酸ジエステルを経由して酸化的に修飾を行うためである。
このように，Ｈ−ホスホネート法はＤＮＡ類縁体合成法として極めて有用であるが，その合成過程において種々の副反応が起こるため，オリゴヌクレオチドの合成収率がホスホロアミダイト法と比較して低いという欠点が指摘されている。副反応としては，
１）縮合剤としてピバロイルクロリド（ＰｉｖＣｌ）を用いるため，塩基部位のアミノ基がアシル化される（Ｆｒｏｅｈｌｅｒ，Ｂ．Ｃ．ｅｔ．ａｌ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，１９８６，２７，４６９−４７２）。
２）アデノシンの保護基としてベンゾイル基を用いるため，酸性条件下アデニン環の脱離反応であるデプリネーションが起こる（例えば、Ｈａｙａｋａｗａ，Ｙ．ｅｔ．ａｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９８，１２０，１２３９５−１２４０１）。
３）酸化反応で Ｉ２−Ｈ２Ｏを用いるため，主鎖が部分的に切断される（Ｗａｄａ，Ｔ．ｅｔ．ａｌ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，１９９９，４０，９１５−９１８）。
４）脱保護した後，末端の水酸基が近接するリン原子に求核攻撃することによって，オリゴヌクレオチド鎖の切断反応が起こる（Ｗａｄａ，Ｔ．ｅｔ．ａｌ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，１９９９，４０，９１５−９１８）。
Ｗａｄａらは１）−３）を克服した無保護Ｈ−ホスホネート法を開発した（Ｗａｄａ，Ｔ．ｅｔ．ａｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９７，１１９，１２７１０−１２７２１）。この方法ではまず，５’−水酸基をジメトキシトリチル基（ＤＭＴｒ基）で保護したヌクレオシドの３’−水酸基をジフェニルホスホネートで官能基選択的にホスホニル化してモノマー単位を合成する。次いで，縮合剤として２−（ベンゾトリアゾール１−イルオキシ）−１，３−ジメチル−２−ピロリジン−１−イル−１，３，２−ジアザホスホリジニウム ヘキサフルオロホスフェート（ＢＯＭＰ）（下記式参照）を用いてこのモノマー単位を官能基選択的に縮合する。これをＮ，Ｏ−ビストリメチルシリルアセトアミド（ＢＳＡ）でシリル化した後，ジクロロメタン中２−（フェニルスルホニル）−３−（３−ニトロフェニル）オキサジリジン（ＰＮＯ）（下記式参照）で官能基選択的に酸化して，オリゴヌクレオチドを得る。
しかしながら、当該方法では、モノマー単位合成が多段階にわたり煩雑であり、また、上記問題４）が解決できないという問題点があった。
１９８０年代初めまでにこれらの困難で手間のかかる液相法は，はるかに速い固相法にとって代わられ，オリゴヌクレオチド合成は自動化された。合成オリゴヌクレオチドの利用の一つに医薬が挙げられるが，それには天然型のＤＮＡではなく，それに化学的修飾を施したＤＮＡ類縁体が用いられている。ＤＮＡ類縁体としては，様々なものが開発されているが，実用化されているのは，ホスホジエステル結合の非架橋酸素原子の一つを硫黄原子に置換したホスホロチオエートＤＮＡのみである。しかし，ホスホロチオエートＤＮＡは，タンパク質との相互作用が強く，高い細胞毒性や副作用がある為，これに代わる新しいＤＮＡ類縁体の開発が求められている。
ＤＮＡ類縁体の合成に今日最も広く用いられている方法は，Ｌｅｔｓｉｎｇｅｒが考案し，Ｃａｒｕｔｈｅｒｓらが発展させた反応で，ホスホロアミダイト法（亜リン酸トリエステル）といわれている。そのスキームを下記に示す。
ホスホロアミダイト法の開発と並行して，ＧａｒｅｇｇとＭａｔｔｅｕｃｃｉは，それぞれ独立にＨ−ホスホネート法を開発した（Ｇａｒｅｇｇ，Ｐ．Ｊ．ｅｔ．ａｌ，Ｃｈｅｍｉｃａ Ｓｃｒｉｐｔａ，１９８５，２５，２８０−２８２、Ｆｒｏｅｈｌｅｒ，Ｂ．Ｃ．ｅｔ．ａｌ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，１９８６，２７，４６９−４７２）。そのスキームを下記に示す。
ＤＮＡ類縁体の合成にホスホロアミダイト法を利用すると，リン原子上に修飾を行う際，１６族元素である酸素，硫黄，セレン，そして配位結合をするボランによる修飾しか行えない。一方，Ｈ−ホスホネート法を利用すると，幅広い修飾が行え，ホスホロアミダイト法では合成することの出来ないＤＮＡ類縁体を合成することができる。これは，ホスホロアミダイト法では亜リン酸トリエステルであるホスファイトを経由して修飾を行うが，Ｈ−ホスホネート法では亜リン酸ジエステルを経由して酸化的に修飾を行うためである。
このように，Ｈ−ホスホネート法はＤＮＡ類縁体合成法として極めて有用であるが，その合成過程において種々の副反応が起こるため，オリゴヌクレオチドの合成収率がホスホロアミダイト法と比較して低いという欠点が指摘されている。副反応としては，
１）縮合剤としてピバロイルクロリド（ＰｉｖＣｌ）を用いるため，塩基部位のアミノ基がアシル化される（Ｆｒｏｅｈｌｅｒ，Ｂ．Ｃ．ｅｔ．ａｌ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，１９８６，２７，４６９−４７２）。
２）アデノシンの保護基としてベンゾイル基を用いるため，酸性条件下アデニン環の脱離反応であるデプリネーションが起こる（例えば、Ｈａｙａｋａｗａ，Ｙ．ｅｔ．ａｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９８，１２０，１２３９５−１２４０１）。
３）酸化反応で Ｉ２−Ｈ２Ｏを用いるため，主鎖が部分的に切断される（Ｗａｄａ，Ｔ．ｅｔ．ａｌ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，１９９９，４０，９１５−９１８）。
４）脱保護した後，末端の水酸基が近接するリン原子に求核攻撃することによって，オリゴヌクレオチド鎖の切断反応が起こる（Ｗａｄａ，Ｔ．ｅｔ．ａｌ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，１９９９，４０，９１５−９１８）。
Ｗａｄａらは１）−３）を克服した無保護Ｈ−ホスホネート法を開発した（Ｗａｄａ，Ｔ．ｅｔ．ａｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９７，１１９，１２７１０−１２７２１）。この方法ではまず，５’−水酸基をジメトキシトリチル基（ＤＭＴｒ基）で保護したヌクレオシドの３’−水酸基をジフェニルホスホネートで官能基選択的にホスホニル化してモノマー単位を合成する。次いで，縮合剤として２−（ベンゾトリアゾール１−イルオキシ）−１，３−ジメチル−２−ピロリジン−１−イル−１，３，２−ジアザホスホリジニウム ヘキサフルオロホスフェート（ＢＯＭＰ）（下記式参照）を用いてこのモノマー単位を官能基選択的に縮合する。これをＮ，Ｏ−ビストリメチルシリルアセトアミド（ＢＳＡ）でシリル化した後，ジクロロメタン中２−（フェニルスルホニル）−３−（３−ニトロフェニル）オキサジリジン（ＰＮＯ）（下記式参照）で官能基選択的に酸化して，オリゴヌクレオチドを得る。
本発明は、Ｈ−ホスホネート法における問題点の１）−４）を克服しつつ、モノマー単位合成およびそれを利用した鎖伸張が簡便に行える方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、モノマー単位としてヌクレオシド５’−ホスファイトを用いて、伸長する鎖の末端がホスホニル基とすることで、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明の第１態様では、下記一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位が提供される。
［式中、Ｂは、ピリミジン塩基、プリン塩基またはそれらの誘導体を表し、Ｒ１は炭化水素を含む保護基を表し、但し、互いに架橋して置換基を有していてもよい環を形成してもよく、Ｒ２は、水素原子、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいトリアルキルシリル基を表し、Ｒ３は、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、または下記式で表される基
（式中、Ｚ１はメチル基を示す。Ｚ２，Ｚ３及びＺ４は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、アルコキシチオカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アラルキルチオカルボニル基、アリールオキシチオカルボニル基若しくはアラルキルオキシチオカルボニル基を表し、Ｚ５は、電子吸引基を表す。）を表す。］
また、本発明の第２態様では、本発明の第１態様にかかるヌクレオチドモノマー単位を製造する方法が提供される。すなわち、本発明の第２態様では、下記一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位の製造方法であって、
［式中、Ｂは、ピリミジン塩基、プリン塩基またはそれらの誘導体を表し、Ｒ１は炭化水素を含む保護基を表し、但し、互いに架橋して置換基を有していてもよい環を形成してもよく、Ｒ２は、水素原子、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいトリアルキルシリル基を表し、Ｒ３は、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、または下記式で表される基
（式中、Ｚ１はメチル基を示す。Ｚ２，Ｚ３及びＺ４は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、アルコキシチオカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アラルキルチオカルボニル基、アリールオキシチオカルボニル基若しくはアラルキルオキシチオカルボニル基を表し、Ｚ５は、電子吸引基を表す。）を表す。］活性化剤存在下、下記一般式（２）で示されるヌクレオシドと、
［式中、Ｂ、Ｒ２及びＲ３は、前記と同義を表す。］下記一般式（３）で示されるホスフィチル化剤とを
［式中、Ｒ１は前記と同義を表す。Ａ１及びＡ２は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基を表す。］反応させることを特徴とする、ヌクレオチドモノマー単位の製造方法が提供される。
本発明の第１態様および第２態様において、Ｒ１が、少なくとも２級炭素若しくは３級炭素基を含むアルキル基、少なくとも２級炭素若しくは３級炭素基を含むアリールアルキル基、少なくとも２級炭素若しくは３級炭素基を含むジアリールアルキル基、又は、２個以上の環を有する縮合炭化水素環を含む基であることが好ましく、Ｒ１が、ｔ−ブチル基、２−フェニル−１，１−ジメチルエチル基、２−（１−ナフチル）−１，１−ジメチルエチル基、ジフェニルメチル基、９−フルオレニルメチル基、２−シアノ−１，１−ジメチルエチル基、９−フルオレニル−ジメチルメチル基、１−シクロヘキシルジメチルメチル基、トリベンジルメチル基、トリシクロヘキシルメチル基、１−アダマンチル基、ジ（トリフルオロメチル）フェニルメチル基、２−トリメチルシリル−１，１−ジメチルエチル基、又は、２−トリフェニルシリル−１，１−ジメチルエチル基であるか、又は、Ｒ１が互いに架橋して燐原子又び２つの酸素原子と共に下記式で示される環を形成することがより好ましい。
［式中、Ｐｈはフェニル基を示す。］
また、本発明の第２態様において、活性化剤が、ピリジン塩酸塩、ピリジンスルホン酸塩、ピリジンホウ酸塩、Ｎ−（シアノメチル）アミンスルホン酸塩、Ｎ−（シアノメチル）アミンホウ酸塩、Ｎ−（シアノメチル）アミンリン酸塩、イミダゾールスルホン酸塩、トリアゾールスルホン酸塩、Ｎ−ヒドロキシトリアゾール、ベンズイミダゾールスルホン酸塩、イミダゾール、トリアゾール又はテトラゾールであることが好ましい。
また、本発明の第３態様では、本発明の第１態様にかかるヌクレオチドモノマー単位から保護基であるＲ１を脱離させる方法が提供される。すなわち、本発明の第３態様では、下記一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位と、
［式中、Ｂは、ピリミジン塩基、プリン塩基またはそれらの誘導体を表し、Ｒ１は炭化水素を含む保護基を表し、但し、互いに架橋して置換基を有していてもよい環を形成してもよく、Ｒ２は、水素原子、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいトリアルキルシリル基を表し、Ｒ３は、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、または下記式で表される基
（式中、Ｚ１はメチル基を示す。Ｚ２，Ｚ３及びＺ４は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、アルコキシチオカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アラルキルチオカルボニル基、アリールオキシチオカルボニル基若しくはアラルキルオキシチオカルボニル基を表し、Ｚ５は、電子吸引基を表す。）を表す。］下記一般式（４ａ）で示される化合物、
［式中、Ａ３は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ１０アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ１０アリール基を表す。］
下記一般式（４ｂ）で示される化合物、
［式中、Ａ４は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ１０アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ１０アリール基を表す。］
臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ１を脱離させることを特徴とする、保護基除去方法が提供される。
また、本発明の第４態様では、下記一般式（５）で示されるホスホネートが提供される。
［式中、Ｂは、ピリミジン塩基、プリン塩基またはそれらの誘導体を表し、Ｒ３は、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、または下記式で表される基
（式中、Ｚ１はメチル基を示す。Ｚ２，Ｚ３及びＺ４は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、アルコキシチオカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アラルキルチオカルボニル基、アリールオキシチオカルボニル基若しくはアラルキルオキシチオカルボニル基を表し、Ｚ５は、電子吸引基を表す。）を表し、Ｒ４は、担体を表す。］
また、本発明の第５態様では、下記一般式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体が提供される。
［式中、Ｂは、ピリミジン塩基、プリン塩基またはそれらの誘導体を表し、Ｒ１は炭化水素を含む保護基を表し、但し、互いに架橋して置換基を有していてもよい環を形成してもよく、Ｒ３は、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、または下記式で表される基
（式中、Ｚ１はメチル基を示す。Ｚ２，Ｚ３及びＺ４は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、アルコキシチオカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アラルキルチオカルボニル基、アリールオキシチオカルボニル基若しくはアラルキルオキシチオカルボニル基を表し、Ｚ５は、電子吸引基を表す。）を表し、Ｒ４は、担体を表す。ｎは１以上の整数を表す。］
また、本発明の第６態様の一側面では、本発明の第１態様にかかるヌクレオチドモノマー単位の一態様と、本発明の第４態様で提供されるホスホネートとを縮合させて、本発明の第５態様の一態様である二量体を製造する方法が提供される。すなわち、本発明の第６態様の一側面では、下記一般式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位と
［式中、Ｂは、ピリミジン塩基、プリン塩基またはそれらの誘導体を表し、Ｒ１は炭化水素を含む保護基を表し、但し、互いに架橋して置換基を有していてもよい環を形成してもよく、Ｒ３は、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキジ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、または下記式で表される基
（式中、Ｚ１はメチル基を示す。Ｚ２，Ｚ３及びＺ４は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、アルコキシチオカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アラルキルチオカルボニル基、アリールオキシチオカルボニル基若しくはアラルキルオキシチオカルボニル基を表し、Ｚ５は、電子吸引基を表す。）を表す。］縮合剤存在下、下記一般式（５）で示されるホスホネートと
［式中、Ｂ及びＲ３は、前記と同義を表す。Ｒ４は、担体を表す。］を反応させ、下記一般式（６）で示される二量体を製造する方法が提供される。
［式中、Ｂ、Ｒ１、Ｒ３及びＲ４は、前記と同義を表す。］
また、本発明の第６態様の他の測面では、本発明の第５態様にかかる５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体から、本発明の第３態様にしたがって保護基を除去し、更に、本発明の第１態様にかかるヌクレオチドモノマー単位の一態様と縮合させて、鎖を伸張させる、５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体を製造する方法が提供される。すなわち、本発明の第６態様の他の側面では、下配一般式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体と、
［式中、Ｂは、ピリミジン塩基、プリン塩基またはそれらの誘導体を表し、Ｒ１は炭化水素を含む保護基を表し、但し、互いに架橋して置換基を有していてもよい環を形成してもよく、Ｒ３は、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、または下記式で表される基
（式中、Ｚ１はメチル基を示す。Ｚ２，Ｚ３及びＺ４は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、アルコキシチオカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アラルキルチオカルボニル基、アリールオキシチオカルボニル基若しくはアラルキルオキシチオカルボニル基を表し、Ｚ５は、電子吸引基を表す。）を表し、Ｒ４は、担体を表す。ｎは１以上の整数を表す。］
下記一般式（４ａ）で示される化合物、
［式中、Ａ３は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ１０アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ１０アリール基を表す。］
下記一般式（４ｂ）で示される化合物、
［式中、Ａ４は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ１０アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ１０アリール基を表す。］
臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ１を脱離させた後、縮合剤存在下、下記一般式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位と
［式中、Ｂ、Ｒ１及びＲ３は、前記と同義を表す。］
を反応させることを特徴とする、下記一般式（８）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体の製造方法が提供される。
［式中、Ｂ、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４及びｎは、前記と同義を表す。］
また、本発明の第７態様では、下記式（９）で示される５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体が提供される。
［式中、Ｂは、ピリミジン塩基、プリン塩基またはそれらの誘導体を表し、Ｒ３は、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、または下記式で表される基
（式中、Ｚ１はメチル基を示す。Ｚ２，Ｚ３及びＺ４は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、アルコキシチオカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アラルキルチオカルボニル基、アリールオキシチオカルボニル基若しくはアラルキルオキシチオカルボニル基を表し、Ｚ５は、電子吸引基を表す。）を表し、Ｒ４は、担体を表す。ｎは１以上の整数を表す。］
また、本発明の第８態様では、本発明の第７態様にかかる５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体を製造する方法が提供される。すなわち、本発明の第８態様では、下記一般式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体と、
［式中、Ｂは、ピリミジン塩基、プリン塩基またはそれらの誘導体を表し、Ｒ１は炭化水素を含む保護基を表し、但し、互いに架橋して置換基を有していてもよい環を形成してもよく、Ｒ３は、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、または下記式で表される基
（式中、Ｚ１はメチル基を示す。Ｚ２，Ｚ３及びＺ４は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、アルコキシチオカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アラルキルチオカルボニル基、アリールオキシチオカルボニル基若しくはアラルキルオキシチオカルボニル基を表し、Ｚ５は、電子吸引基を表す。）を表し、Ｒ４は、担体を表す。ｎは１以上の整数を表す。］
下記一般式（４ａ）で示される化合物、
［式中、Ａ３は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ１０アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ１０アリール基を表す。］
下記一般式（４ｂ）で示される化合物、
［式中、Ａ４は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ１０アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ１０アリール基を表す。］
臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ１を脱離させる工程を含む、下記式（９）で示される５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体を製造する方法が提供される。
［式中、Ｂ、Ｒ３、Ｒ４及びｎは、前記と同義を表す。］
本発明の第３態様〜第８態様において、Ｂがシトシン、チミンまたはそれらの誘導体であることが好ましい。
本発明によれば、従来法であるＨ−ホスホネート法における問題点を克服でき、かつ、モノマー単位合成のみならずオリゴヌクレオチド誘導体の合成も簡便に行うことができる。
本発明者らは、上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、モノマー単位としてヌクレオシド５’−ホスファイトを用いて、伸長する鎖の末端がホスホニル基とすることで、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明の第１態様では、下記一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位が提供される。
また、本発明の第２態様では、本発明の第１態様にかかるヌクレオチドモノマー単位を製造する方法が提供される。すなわち、本発明の第２態様では、下記一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位の製造方法であって、
本発明の第１態様および第２態様において、Ｒ１が、少なくとも２級炭素若しくは３級炭素基を含むアルキル基、少なくとも２級炭素若しくは３級炭素基を含むアリールアルキル基、少なくとも２級炭素若しくは３級炭素基を含むジアリールアルキル基、又は、２個以上の環を有する縮合炭化水素環を含む基であることが好ましく、Ｒ１が、ｔ−ブチル基、２−フェニル−１，１−ジメチルエチル基、２−（１−ナフチル）−１，１−ジメチルエチル基、ジフェニルメチル基、９−フルオレニルメチル基、２−シアノ−１，１−ジメチルエチル基、９−フルオレニル−ジメチルメチル基、１−シクロヘキシルジメチルメチル基、トリベンジルメチル基、トリシクロヘキシルメチル基、１−アダマンチル基、ジ（トリフルオロメチル）フェニルメチル基、２−トリメチルシリル−１，１−ジメチルエチル基、又は、２−トリフェニルシリル−１，１−ジメチルエチル基であるか、又は、Ｒ１が互いに架橋して燐原子又び２つの酸素原子と共に下記式で示される環を形成することがより好ましい。
また、本発明の第２態様において、活性化剤が、ピリジン塩酸塩、ピリジンスルホン酸塩、ピリジンホウ酸塩、Ｎ−（シアノメチル）アミンスルホン酸塩、Ｎ−（シアノメチル）アミンホウ酸塩、Ｎ−（シアノメチル）アミンリン酸塩、イミダゾールスルホン酸塩、トリアゾールスルホン酸塩、Ｎ−ヒドロキシトリアゾール、ベンズイミダゾールスルホン酸塩、イミダゾール、トリアゾール又はテトラゾールであることが好ましい。
また、本発明の第３態様では、本発明の第１態様にかかるヌクレオチドモノマー単位から保護基であるＲ１を脱離させる方法が提供される。すなわち、本発明の第３態様では、下記一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位と、
下記一般式（４ｂ）で示される化合物、
臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ１を脱離させることを特徴とする、保護基除去方法が提供される。
また、本発明の第４態様では、下記一般式（５）で示されるホスホネートが提供される。
また、本発明の第５態様では、下記一般式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体が提供される。
また、本発明の第６態様の一側面では、本発明の第１態様にかかるヌクレオチドモノマー単位の一態様と、本発明の第４態様で提供されるホスホネートとを縮合させて、本発明の第５態様の一態様である二量体を製造する方法が提供される。すなわち、本発明の第６態様の一側面では、下記一般式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位と
また、本発明の第６態様の他の測面では、本発明の第５態様にかかる５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体から、本発明の第３態様にしたがって保護基を除去し、更に、本発明の第１態様にかかるヌクレオチドモノマー単位の一態様と縮合させて、鎖を伸張させる、５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体を製造する方法が提供される。すなわち、本発明の第６態様の他の側面では、下配一般式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体と、
下記一般式（４ａ）で示される化合物、
下記一般式（４ｂ）で示される化合物、
臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ１を脱離させた後、縮合剤存在下、下記一般式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位と
を反応させることを特徴とする、下記一般式（８）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体の製造方法が提供される。
また、本発明の第７態様では、下記式（９）で示される５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体が提供される。
また、本発明の第８態様では、本発明の第７態様にかかる５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体を製造する方法が提供される。すなわち、本発明の第８態様では、下記一般式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体と、
下記一般式（４ａ）で示される化合物、
下記一般式（４ｂ）で示される化合物、
臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ１を脱離させる工程を含む、下記式（９）で示される５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体を製造する方法が提供される。
本発明の第３態様〜第８態様において、Ｂがシトシン、チミンまたはそれらの誘導体であることが好ましい。
本発明によれば、従来法であるＨ−ホスホネート法における問題点を克服でき、かつ、モノマー単位合成のみならずオリゴヌクレオチド誘導体の合成も簡便に行うことができる。
本発明の第１態様では、下記一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位が提供される。
［式中、Ｂ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、上記の意味を表す。］
本発明の第１態様で提供される上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位は、下記反応式で示される、本発明の第２態様で提供されるヌクレオチドモノマー単位の製造方法によって得ることができる。すなわち、活性化剤存在下、下記一般式（２）で示されるヌクレオシドと、下記一般式（３）で示されるホスフィチル化剤とを反応させることによって製造される。
［式中、Ｂ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ａ１及びＡ２は、上記の意味を表す。］
本発明において、モノマーユニットとして上記式（１）で示されるようなヌクレオシド５’−ホスファイトを用いるため、従来法や無保護Ｈ−ホスホネート法では二段階であったモノマーユニット合成が、対応するヌクレオシドから一段階で得ることができる。
本発明にかかるヌクレオチドモノマー単位の製造方法では、下記一般式（３）で示されるホスフィチル化剤が用いられる。
上記式（３）で示されるホスフィチル化剤は、上記式（２）で示されるヌクレオシドの５’−位を位置選択的かつ官能基選択的にホスフィチル化するものであることが好ましい。しかも、得られる上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位をオリゴヌクレオチド合成に使用する場合には、保護基であるＲ１が脱離できるものであることが好ましい。
以上の観点から、上記式（３）中、Ｒ１は、嵩高い炭化水素基を含むものであることが好ましい。
たとえば、少なくとも２級炭素若しくは３級炭素基を含む炭化水素基（たとえば、少なくとも２級炭素若しくは３級炭素基を含むアルキル基、アリールアルキル基、ジアリールアルキル基等）を挙げることができ、あるいは、２個以上の環を有する縮合炭化水素環を含む基を挙げることができる。
あるいは、２つのＲ１で示される炭化水素基が互いに架橋して置換基を有していてもよい環（例えば５員〜６員環）を形成してもよい。
これらの炭化水素基は置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル等）、Ｃ６〜Ｃ１０アリール基（例えば、フェニル等）、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）、Ｃ６〜Ｃ１０アリールオキシ基（例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等）、アミノ基、水酸基、シアノ基、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）又はシリル基などを挙げることができる。この場合、置換基は、置換可能な位置に１個以上導入されていてもよく、好ましくは１個〜４個導入されていてもよい。置換基数が２個以上である場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。
本発明において、Ｒ１としては、ｔ−ブチル基、２−フェニル−１，１−ジメチルエチル基、２−（１−ナフチル）−１，１−ジメチルエチル基、ジフェニルメチル基、９−フルオレニルメチル基、２−シアノ−１，１−ジメチルエチル基、９−フルオレニル−ジメチルメチル基、１−シクロヘキシルジメチルメチル基、トリベンジルメチル基、トリシクロヘキシルメチル基、１−アダマンチル基、ジ（トリフルオロメチル）フェニルメチル基、２−トリメチルシリル−１，１−ジメチルエチル基、又は、２−トリフェニルシリル−１，１−ジメチルエチル基を好ましく挙げることができる。
あるいは、Ｒ１が互いに架橋して燐原子及び２つの酸素原子と共に環を形成してもよく、この場合に形成される環としては、下記式で示される環を好ましく挙げることができる。
［式中、Ｐｈはフェニル基を示す。］
上記式（３）中、Ａ１及びＡ２は、同一または異なって、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基である。
本明細書において、「Ｃ１〜Ｃ６アルキル基」としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル等を挙げることができる。
本発明において、Ａ１及びＡ２は、同一または異なって、エチル、イソプロピルであることが好ましい。
本発明において、ホスフィチル化剤としては、
ジ（ｔ−ブチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（ｔ−ブチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（２−フェニル−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（２−フェニル−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（２−（１’−ナフチル）−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（２−（１’−ナフチル）−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（１，２−ジフェニル−１，２−ジメチルプロピル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（１，２−ジフェニル−１，２−ジメチルプロピル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（ジフェニルメル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（ジフェニルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（９−フルオレニルメチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（９−フルオレニルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（２−シアノ−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（２−シアノ−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（９−フルオレニル−ジメチルメチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（９−フルオレニル−ジメチルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（１−シクロヘキシルジメチルメチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（１−シクロヘキシルジメチルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（トリベンジルメチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（トリベンジルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（トリシクロヘキシルメチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（トリシクロヘキシルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（１−アダマンチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（１−アダマンチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（ジ（トリフルオロメチル）フェニルメチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（ジ（トリフルオロメチル）フェニルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（２−トリメチルシリル−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（２−トリメチルシリル−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（２−トリフェニルシリル−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、又は、
ジ（２−トリフェニルシリル−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイトを好ましく用いることができる。
本発明では、上記式（３）で示されるホスフィチル化剤によって、下記一般式（２）で示されるヌクレオシドをホスフィチル化する。
上記式（２）中、Ｒ２は、水素原子、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいトリアルキルシリル基を表す。
本明細書において、「アシル基」としては、制限するわけではないが、Ｃ１−６アルキル−カルボニル（たとえばメチルカルボニル、エチルカルボニル等）、Ｃ６−１０アリール−カルボニル（たとえばベンゾイル）などが挙げられる。
本明細書において、「トリアルキルシリル基」としては、制限するわけではないが、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基などを挙げることができる。
本発明において、Ｒ２で示される「アシル基」、「アルキル基」、「トリアルキルシリル基」は置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）、Ｃ６〜Ｃ１０アリールオキシ基（例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等）、アミノ基、水酸基、シアノ基、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）又はシリル基などを挙げることができる。この場合、置換基は、置換可能な位置に１個以上導入されていてもよく、好ましくは１個〜４個導入されていてもよい。置換基数が２個以上である場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。
本発明において、Ｒ２は、水素原子、ベンゾイル基、フェノキシアセチル基であることが好ましい。
上記式（２）中、Ｒ３は、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、または下記式で表される基
（式中、Ｚ１はメチル基を示す。Ｚ２，Ｚ３及びＺ４は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アリール基、アラルキル基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、アルコキシチオカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アラルキルチオカルボニル基、アリールオキシチオカルボニル基若しくはアラルキルオキシチオカルボニル基を表し、Ｚ５は、電子吸引基を表す。）を表す。
本明細書において、「アルコキシ基」としては、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ等を挙げることができる。
本明細書において、「アルケニルオキシ基」としては、制限するわけではないが、ビニルオキシ、アリルオキシ、１−プロペニルオキシ、イソプロペニルオキシ、２−メチル−１−プロペニルオキシ、２−メチルアリルオキシ、２−ブテニルオキシ等を挙げることができる。
本明細書において、「アシルオキシ基」としては、制限するわけではないが、Ｃ１−６アルキル−カルボニルオキシ（たとえばメチルカルボニルオキシ、エチルカルボニルオキシ等）、Ｃ６−１０アリール−カルボニル（たとえばベンゾイルオキシ）などが挙げられる。
本明細書において、「トリアルキルシリルオキシ基」としては、制限するわけではないが、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基などを挙げることができる。
本明細書において、「アルケニル基」としては、制限するわけではないが、ビニル、アリル、プロペニル、イソプロペニル、２−メチル−１−プロペニル、２−メチルアリル、２−ブテニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アルキニル基」としては、制限するわけではないが、エチニル、プロピニル、ブチニル等を挙げることができる。
本明細書において、「シクロアルキル基」としては、制限するわけではないが、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等を挙げることができる。
本明細書において、「シクロアルケニル基」としては、制限するわけではないが、シクロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アリール基」としては、制限するわけではないが、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、インデニル、ビフェニリル、アントリル、フェナントリル等を挙げることができる。
本明細書において、「アラルキル基」としては、制限するわけではないが、ベンジル、フェネチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、１−ナフチルメチル、２−ナフチルメチル、２，２−ジフェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル等を挙げることができる。
本明細書において、「アリールオキシ基」としては、制限するわけではないが、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等を挙げることができる。
本明細書において、「アラルキルオキシ基」としては、制限するわけではないが、ベンジルオキシ、フェネチルオキシ、ジフェニルメチルオキシ、トリフェニルメチルオキシ、１−ナフチルメチルオキシ、２−ナフチルメチルオキシ、２，２−ジフェニルエチルオキシ、３−フェニルプロピルオキシ、４−フェニルブチルオキシ、５−フェニルペンチルオキシ等を挙げることができる。
本明細書において、「アルコキシカルボニル基」としては、制限するわけではないが、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、２−メトキシエトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アリールオキシカルボニル基」としては、制限するわけではないが、フェノキシカルボニル、ナフトキシカルボニル、フェニルフェノキシカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アラルキルオキシカルボニル基」としては、制限するわけではないが、ベンジルオキシカルボニル、フェネチルオキシカルボニル、ジフェニルメチルオキシカルボニル、トリフェニルメチルオキシカルボニル、１−ナフチルメチルオキシカルボニル、２−ナフチルメチルオキシカルボニル、２，２−ジフェニルエチルオキシカルボニル、３−フェニルプロピルオキシカルボニル、４−フェニルブチルオキシカルボニル、５−フェニルペンチルオキシカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アルキルチオカルボニル基」としては、制限するわけではないが、メチルチオカルボニル、エチルチオカルボニル、プロピルチオカルボニル、イソプロピルチオカルボニル、ｎ−ブチルチオカルボニル、ｓｅｃ−ブチルチオカルボニル、ｔｅｒｔ−ブチルチオカルボニル、ペンチルチオカルボニル、ヘキシルチオカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アルコキシチオカルボニル基」としては、制限するわけではないが、メトキシチオカルボニル、エトキシチオカルボニル、２−メトキシエトキシチオカルボニル、ｔ−ブトキシチオカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アリールチオカルボニル基」としては、制限するわけではないが、フェニルチオカルボニル、ナフチルチオカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アラルキルチオカルボニル基」としては、制限するわけではないが、ベンジルチオカルボニル、フェネチルチオカルボニル、ジフェニルメチルチオカルボニル、トリフェニルメチルチオカルボニル、１−ナフチルメチルチオカルボニル、２−ナフチルメチルチオカルボニル、２，２−ジフェニルエチルチオカルボニル、３−フェニルプロピルチオカルボニル、４−フェニルブチルチオカルボニル、５−フェニルペンチルチオカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アリールオキシカルボニル基」としては、制限するわけではないが、フェノキシチオカルボニル、ナフトキシチオカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アラルキルオキシチオカルボニル基」としては、制限するわけではないが、ベンジルオキシチオカルボニル、フェネチルオキシチオカルボニル、ジフェニルメチルオキシチオカルボニル、トリフェニルメチルオキシチオカルボニル、１−ナフチルメチルオキシチオカルボニル、２−ナフチルメチルオキシチオカルボニル、２，２−ジフェニルエチルオキシチオカルボニル、３−フェニルプロピルオキシチオカルボニル、４−フェニルブチルオキシチオカルボニル、５−フェニルペンチルオキシチオカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、電子吸引基としては、制限するわけではないが、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、メタンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基、フッ素、塩素等を挙げることができる。
本発明において、Ｒ３は、水素原子、ヒドロキシ基、メトキシ基、または下記式で表される基
であって、式中、Ｚ１がメチル基であり、Ｚ２，Ｚ３及びＺ４が、水素原子であり、Ｚ５が、シアノ基又はニトロ基であることが好ましい。
上記式（２）中、Ｂは、互いに異なっていてもよい、チミン、シトシン、ウラシル等のピリミジン塩基；アデニン、グアニン等のプリン塩基；または５−メチルシトシン、５−フルオロウラシル、５−ヒドロキシメチルシトシン等のそれらの誘導体を表す。
溶媒への溶解度を向上させるために、塩基部位に、ジメトキシトリチル基（ＤＭＴｒ）、ベンゾイル（Ｂｚ）、イソプロピルカルボニル（ｉＢｕ）、フェノキシアセチル（ＰＡＣ）、４−（ｔ−ブチル）フェノキシアセチル（ＢＰＡ）、アリルオキシカルボニル（ＡＯＣ）、２−［（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）メチル］ベンゾイル（ＳｉＯＭＢ）、２−（アセチルメチル）ベンゾイル（ＡＭＢ）、２−アジドベンゾイル（ＡＺＭＢ）等の保護基を導入してもよい。
本発明において、Ｂは、シトシン、チミン、アデニン、グアニンまたはそれらの誘導体、あるいはそれらに保護基が導入されたものであることが好ましい。
本発明の第２態様において、上記式（３）で示されるホスフィチル化剤は、５’水酸基に対して選択的に反応させるために、上記式（２）で示されるヌクレオシド１モルに対して０．１モル〜１．５モル用いることが好ましく、０．３モル〜１．２モル用いることが更に好ましく、０．５モル〜１．０モル用いることが更になお好ましい。
本発明の第２態様では、活性化剤を用いる。活性化剤としては、ピリジン塩酸塩；ピリジウムトリフラート等のピリジンスルホン酸塩；ピリジウムテトラフルオロボレート等のピリジンホウ酸塩；４，５−ジシアノイミダゾール、４，５−ジクロロイミダゾール等のイミダゾール；５−ベンジルテトラゾール、５−エチルチオ−１Ｈ−テトラゾール、１Ｈ−テトラゾール等のテトラゾール；イミダゾリウムトリフラート等のイミダゾールスルホン酸塩；５−ニトロベンズイミダゾリウムトリフラート等のベンズイミダゾールスルホン酸塩；トリアゾリウムトリフラート等のトリアゾールスルホン酸塩；１−ヒドロキシベンズトリアゾール等のＮ−ヒドロキシトリアゾール；トリアゾール；Ｎ−（シアノメチル）ピロリジニウムテトラフルオロボレート等のＮ−（シアノメチル）アミンホウ酸塩；Ｎ−（シアノメチル）ピロリジニウムトリフラート等のＮ−（シアノメチル）アミンスルホン酸塩；Ｎ−（シアノメチル）ピロリジニウムヘキサフルオロホスフェート等のＮ−（シアノメチル）アミンリン酸塩等を挙げることができ、ピリジン塩酸塩、ピリジンスルホン酸塩、ピリジンホウ酸塩、イミダゾール、又はテトラゾールを好ましく挙げることができる。
本発明の第２態様において、活性化剤は、反応を完結させるために、上記式（３）で示されるホスフィチル化剤１モルに対して１モル〜１０モル用いることが好ましく、２モル〜５モル用いることが更に好ましく、２モル〜３モル用いることが更になお好ましい。
本発明の第２態様において、典型的には、上記式（２）で示されるヌクレオシドの溶液に、活性化剤を添加して攪拌し、次いでホスフィチル化剤を添加し攪拌して、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位を得る。ヌクレオシド（２）は単離されたものを用いる必要はなく、溶液中で調製されたヌクレオシドをそのまま用いても良い。
本発明の第２態様において、上記式（２）で示されるヌクレオシドをホスフィチル化する際の位置選択性・官能基選択性は、ヌクレオシドの溶媒に対する溶解度に依存する。したがって、溶媒としては上記式（２）で示されるヌクレオシドが溶解できるものが好ましい。たとえば、ピリジン、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒、ピリジンとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドとの混合溶媒を挙げることができ、ピリジン、又は、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒であることが好ましい。
木発明の第２態様において、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒を用いる場合は、その体積割合が、２〜０．５：１であることが好ましく、約１：１であることがより好ましい。
反応温度としては、−７８℃〜３０℃が好ましく、０℃〜３０℃がさらに好ましく、１５℃〜２５℃が更になお好ましい。所望により、光を遮断して反応を進行させてもよい。
圧力は、大気圧であることが好ましい。
本発明の第３態様では、本発明の第１態様で提供されたヌクレオチドモノマー単位から、保護基であるＲ１を除去する方法が提供される。すなわち、上記一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位と、下記一般式（４ａ）で示される化合物、下記一般式（４ｂ）で示される化合物、臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ１を脱離させることを特徴とする、保護基除去方法が提供される。
上記式（４ａ）中、Ａ３は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ１０アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ１０アリール基を表す。また、上記式（４ｂ）中、Ａ４は、置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ１０アルキル基又は置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ１０アリール基を表す。
本明細書において、「Ｃ６〜Ｃ１０アリール基」としては、制限するわけではないが、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、インデニル、ビフェニリル、アントリル、フェナントリル等を挙げることができる。
本発明において、Ａ３及びＡ４で示される「Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基」、「Ｃ６〜Ｃ１０アリール基」には、置換基が導入されていてもよい。この置換基としては、例えば、Ｃ１〜Ｃ１０炭化水素基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、トリル、キシリル、クメニル、メシチル、ナフチル、インデニル、トリル、キシリル、ベンジル等）、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）、Ｃ６〜Ｃ１０アリールオキシ基（例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等）、アミノ基、水酸基、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）又はシリル基などを挙げることができる。この場合、置換基は、置換可能な位置に１個以上導入されていてもよく、好ましくは１個〜４個導入されていてもよい。置換基数が２個以上である場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。
本発明において、Ａ３は、トリフルオロメチル、フェニル、ｐ−メチルフェニル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルであることが好ましい。
また、本発明において、Ａ４は、メチル、エチル、又はイソプロピルであることが好ましい。
本発明の保護基除去方法において、脱保護試薬は、脱離すべき上記式（１）中の保護基Ｒ１によって適宜選択される。たとえば、Ｒ１が、ｔ−ブチル基、２−フェニル−１，１−ジメチルエチル基、２−（１−ナフチル）−１，１−ジメチルエチル基、ジフェニルメチル基、１−シクロヘキシルジメチルメチル基、トリベンジルメチル基、トリシクロヘキシルメチル基、１−アダマンチル基、ジ（トリフルオロメチル）フェニルメチル基、２−トリメチルシリル−１，１−ジメチルエチル基、２−トリフェニルシリル−１，１−ジメチルエチル基など、あるいは、Ｒ１が互いに架橋して燐原子及び２つの酸素原子と共に環を形成する場合には、上記式（４ａ）、上記式（４ｂ）で示される脱保護試薬あるいは臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸を用いることが好ましい。上記式（４ａ）、上記式（４ｂ）で示される脱保護試薬としては、たとえば、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート（ＴＭＳＯＴｆ）、トリメチルシリルベンゼンスルホネート、ジメチル塩化アルミニウム、ジエチル塩化アルミニウム、ジイソプロピル塩化アルミニウムを好ましく挙げることができる。
また、Ｒ１が、９−フルオレニルメチル基、９−フルオレニル−ジメチルメチル、２−シアノ−１，１−ジメチルエチル基などである場合には、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、又は １，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンを脱保護試薬として用いることが好ましい。
本発明の第３態様において、脱保護試薬は、反応を完結させるために、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位１モルに対して２モル〜２０モル用いることが好ましく、３モル〜１０モル用いることが更に好ましく、５モル〜８モル用いることが更になお好ましい。
本発明の第３態様において、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位中、３’位を保護する観点から、Ｒ２は、ベンゾイル基、フェノキシアセチル基等の置換基を有していてもよいアシル基であることが好ましい。
本発明の第３態様において、典型的には、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位の溶液に、脱保護試薬を添加し、攪拌して保護基Ｒ１を除去する。ヌクレオチドモノマー単位（１）は単離されたものを用いる必要はなく、溶液中で調製されたヌクレオチドモノマー単位をそのまま用いても良い。
脱保護試薬が、例えばＴＭＳＯＴｆといった上記式（４ａ）で示される化合物である場合には、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位に脱保護試薬を作用させると、保護基が脱離し、トリメチルシリルエステルになり、トリフルオロメタンスルホン酸が生成する。従って、任意に、メタノール等を用いてトリメチルシリル基を除去し、更に、トリエチルアミン（ＴＥＡ）等を用いてトリフルオロメタンスルホン酸を中和し、Ｈ−ホスホネートモノエステルのトリエチルアミン塩とすることができる。この場合、メタノールは、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位１モルに対して、６モル〜２０モル用いることが好ましく、１０モル〜１６モル用いることが更に好ましい。反応機構を下記に示す。
［式中、Ｂ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、上記の意味を表す。］
なお、上記反応機構は仮説であり、本発明はこの反応機構に限定されるものではない。
上記反応機構のように、ヌクレオチドモノマー単位の保護基を脱離させた後に５’−Ｈ−ホスホネートとすることで、後述するように、新たなヌクレオチドモノマー単位（１ａ）と縮重合することができるため鎖の伸張が容易となる。
本発明の第３態様において、溶媒としては、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位が溶解できるものが好ましい。たとえば、コリジン、ピリジン、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒、ピリジンとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドとの混合溶媒を挙げることができ、ピリジン、又は、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒であることが好ましい。
本発明の第３態様において、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒を用いる場合は、その体積割合が、２〜０．５：１であることが好ましく、約１：１であることがより好ましい。
反応温度としては、−３０℃〜３０℃が好ましく、０℃〜３０℃がさらに好ましく、１５℃〜２５℃が更になお好ましい。所望により、光を遮断して反応を進行させてもよい。
圧力は、大気圧であることが好ましい。
本発明の第４態様では、下記一般式（５）で示されるホスホネートが提供される。
上記式中、Ｂ及びＲ３についての説明は、本発明の第１態様〜第２態様においてしたのと同様である。
上記式中、Ｒ４は、担体を表す。担体としては、たとえば、調節多孔性ガラス（ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｐｏｒｅ ｇｌａｓｓ：ＣＰＧ）、高架橋性ポリスチレン（ＨＣＰ）といった固相法に用いられる公知の高分子支持体であって、できるだけ膨潤性がなく、過剰に用いた試薬を洗浄によって簡単に除去できるものや、フェノキシアセチル基やベンゾイル基のような保護基などを、特に制限なく挙げることができる。
本発明において、Ｒ４は、好ましくは、フェノキシアセチル基である。
上記式（５）で示されるホスホネートは、例えば、第２態様にしたがって合成したヌクレオチドモノマー単位の３’−位に担体Ｒ４を導入した後に、第３態様にしたがって５’−ホスファイトの保護基を除去することによって得ることができる。
本発明の第５態様では、下記一般式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体が提供される。
上記式中、Ｂ、Ｒ１及びＲ３についての説明は、本発明の第１態様〜第２態様においてしたのと同様である。また、上記式中、Ｒ４についての説明は、本発明の第４態様においてしたのと同様である。
上記式中、ｎは１以上の整数を表す。ｎは、１〜１００の整数であることが好ましく、１０〜３０の整数であることがより好ましい。
本発明の第６態様では、一側面として、本発明の第１態様にかかるヌクレオチドモノマー単位の一態様と、本発明の第４態様で提供されるホスホネートとを縮合させて、本発明の第５態様の一態様であるヌクレオチド二量体を製造する方法が提供される。すなわち、縮合剤存在下、下記一般式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位と、下記一般式（５）で示されるホスホネートとを反応させ、下記一般式（６）で示される二量体を製造する。
上記式中、Ｂ、Ｒ１及びＲ３についての説明は、本発明の第１態様〜第２態様においてしたのと同様である。また、上記式中、Ｒ４についての説明は、本発明の第４態様においてしたのと同様である。
本発明の第６態様では、伸長鎖の末端として上記式（５）で示されるホスホネート（Ｈ−ホスホネートモノエステル）を用いる。したがって、従来法で確認されていた副反応である分子内，分子間の鎖切断反応が抑制される。
本発明の第６態様において、二量体（６）を製造するためには、上記式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位は、縮合反応を定量的に進行させるために、上記式（５）で示されるホスホネート１モルに対して液相法では１モル〜１０モル用いることが好ましく、１モル〜５モル用いることが更に好ましく、１モル〜１．５モル用いることが更になお好ましい。また、固相法では、上記式（５）で示される固相担体に結合したホスホネート１モルに対して１モル〜１００モル用いることが好ましく、１０モル〜５０モル用いることが更に好ましく、２０モル〜３０モル用いることが更になお好ましい。
本発明にかかるオリゴヌクレオチド誘導体の製造方法では、縮合剤を用いる。縮合剤としては、２−（ベンゾトリアゾール１−イルオキシ）−１，３−ジメチル−２−ピロリジン−１−イル−１，３，２−ジアザホスホリジニウム ヘキサフルオロホスフェート（ＢＯＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（２−オキソ−３−オキサゾリジニル）ホスホニッククロリド（ＢｏｐＣｌ）等を挙げることができ、ＢＯＭＰを好ましく用いることができる。
本発明の第６態様において、縮合剤は、反応を定量的に進行させるために、上記式（５）で示されるホスホネート１モルに、液相法では１モル〜２０モル用いることが好ましく、１モル〜１０モル用いることが更に好ましく、１モル〜５モル用いることが更になお好ましい。また、固相法では、上記式（５）で示される固相担体に結合したホスホネート１モルに対して１モル〜２００モル用いることが好ましく、２０モル〜１００モル用いることが更に好ましく、４０モル〜６０モル用いることが更になお好ましい。
本発明の第６態様において、典型的には、ホスホネート（５）の溶液に、上記式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位を溶解して加え、縮合剤を添加し、攪拌して二量体（６）を得る。ホスホネート（５）は単離されたものを用いる必要はなく、溶液中で調製されたヌクレオチドモノマー単位をそのまま用いても良い。
本発明の第６態様において、溶媒としては、上記式（５）で示されるホスホネートが溶解できるものが好ましい。たとえば、ピリジン、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒、ピリジンとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドとの混合溶媒を挙げることができ、ピリジン、又は、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒であることが好ましい。
本発明の第６態様において、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒を用いる場合は、その体積割合が、２〜０．５：１であることが好ましく、約１：１であることがより好ましい。
反応温度としては、０℃〜５０℃が好ましく、１０℃〜３０℃がさらに好ましく、１５℃〜２５℃が更になお好ましい。所望により、光を遮断して反応を進行させてもよい。
圧力は、大気圧であることが好ましい。
本発明の第６態様の他の側面では、本発明の第５態様にかかる５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体から、本発明の第３態様にしたがって保護基を除去し、更に、前述した本発明の第６態様の一側面にかかる縮合方法と同様の手順で、本発明の第１態様にかかるヌクレオチドモノマー単位の一態様と縮合させて、鎖を伸張させる、５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体を製造する方法が提供される。
すなわち、本発明の第６態様の他の側面では、下記一般式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体と、例えば、ＴＭＳＯＴｆといった上記一般式（４ａ）で示される化合物、上記一般式（４ｂ）で示される化合物、臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ１を脱離させた後、縮合剤存在下、下記一般式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位とを反応させることを特徴とする、下記一般式（８）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体の製造方法が提供される。
［式中、Ｂ、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４及びｎ、上記の意味を表す。］
たとえば、第６態様で得られた二量体を出発物質として、（ａ）脱保護工程、（ｂ）新たなモノマーとの縮重合工程を経ることでヌクレオチド三量体を得ることができる。更に鎖を伸ばす場合には、以上の（ａ）工程、（ｂ）工程を繰り返すことで容易に鎖を伸張させることができる。
本発明の第６態様において、上記式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体からＲ１を脱離除去する際の脱保護試薬、反応条件は、本発明の第３態様で説明したのと同様である。保護基を脱離させた後、任意に、メタノールやＴＥＡ等を用いて、５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチドにしてもよい。
また、本発明の第６態様において、保護基を脱離させた後、縮合剤存在下、上記式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位と反応させる際の縮合剤、反応条件は、前述した本発明の第６態様の一側面において説明したのと同様である。
本発明の第７態様では、下記式（９）で示される５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体が提供される。
［式中、Ｂ、Ｒ３、Ｒ４及びｎ、上記の意味を表す。］
上記式中、Ｂ及びＲ３についての説明は、本発明の第１態様〜第２態様においてしたのと同様である。また、上記式中、Ｒ４についての説明は、本発明の第４態様においてしたのと同様である。
本発明の第８態様では、本発明の第７態様にかかる５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体を製造する方法が提供される。すなわち、本発明の第８態様では、下記一般式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体と、例えば、ＴＭＳＯＴｆといった上記一般式（４ａ）で示される化合物、上記一般式（４ｂ）で示される化合物、臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ１を脱離させる工程を含む、下記式（９）で示される５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体を製造する方法が提供される。
［式中、Ｂ、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４及びｎは、上記の意味を表す。］
本発明の第８態様において、上記式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体からＲ１を脱離除去する際の脱保護試薬、反応条件は、本発明の第３態様で説明したのと同様である。保護基を脱離させた後、メタノールやＴＥＡ等を用いて処理することで、上記式（９）で示される５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体を得ることができる。
保護基除去後、５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体を得る手順については、本発明の第３態様において説明したのと同様である。ただし、メタノールは、上記式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体中のヌクレオチド１モルに対して、６モル〜２０モル用いることが好ましく、１０モル〜１６モル用いることが更に好ましい。
こうして得られたオリゴヌクレオチド誘導体（９）は、幅広い修飾が行え、有用なＤＮＡ類縁体を合成することができる。たとえば、縮合剤存在下で、Ｒ５ＯＨと反応させて、官能基Ｒ５が導入された下記式（１０）のオリゴヌクレオチド誘導体を得る。
［式中、Ｂ、Ｒ３、Ｒ４及びｎは、上記の意味を表す。］
Ｒ５としては、水素、ヌクレオシド、アルキル、アリール、各種蛍光発色団、ビオチン等の機能性残基を挙げることができる。
縮合剤としては、ＢＯＭＰおよびＢｏｐＣｌを挙げることができ、ＢＯＭＰを好ましく用いることができる。
次いで、得られた上記式（１０）で示されるオリゴヌクレオチド誘導体を酸化又は化学変換することにより各種ＤＮＡ類縁体を得ることができる。たとえば、下記のような（１）〜（７）の試薬／溶媒を用いることで、対応する各種ＤＮＡ類縁体を得ることができる。
［式中、Ｂ、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びｎは、上記の意味を表す。Ｒとは、アルキル基を示す。］
本発明の第１態様で提供される上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位は、下記反応式で示される、本発明の第２態様で提供されるヌクレオチドモノマー単位の製造方法によって得ることができる。すなわち、活性化剤存在下、下記一般式（２）で示されるヌクレオシドと、下記一般式（３）で示されるホスフィチル化剤とを反応させることによって製造される。
本発明において、モノマーユニットとして上記式（１）で示されるようなヌクレオシド５’−ホスファイトを用いるため、従来法や無保護Ｈ−ホスホネート法では二段階であったモノマーユニット合成が、対応するヌクレオシドから一段階で得ることができる。
本発明にかかるヌクレオチドモノマー単位の製造方法では、下記一般式（３）で示されるホスフィチル化剤が用いられる。
以上の観点から、上記式（３）中、Ｒ１は、嵩高い炭化水素基を含むものであることが好ましい。
たとえば、少なくとも２級炭素若しくは３級炭素基を含む炭化水素基（たとえば、少なくとも２級炭素若しくは３級炭素基を含むアルキル基、アリールアルキル基、ジアリールアルキル基等）を挙げることができ、あるいは、２個以上の環を有する縮合炭化水素環を含む基を挙げることができる。
あるいは、２つのＲ１で示される炭化水素基が互いに架橋して置換基を有していてもよい環（例えば５員〜６員環）を形成してもよい。
これらの炭化水素基は置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル等）、Ｃ６〜Ｃ１０アリール基（例えば、フェニル等）、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）、Ｃ６〜Ｃ１０アリールオキシ基（例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等）、アミノ基、水酸基、シアノ基、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）又はシリル基などを挙げることができる。この場合、置換基は、置換可能な位置に１個以上導入されていてもよく、好ましくは１個〜４個導入されていてもよい。置換基数が２個以上である場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。
本発明において、Ｒ１としては、ｔ−ブチル基、２−フェニル−１，１−ジメチルエチル基、２−（１−ナフチル）−１，１−ジメチルエチル基、ジフェニルメチル基、９−フルオレニルメチル基、２−シアノ−１，１−ジメチルエチル基、９−フルオレニル−ジメチルメチル基、１−シクロヘキシルジメチルメチル基、トリベンジルメチル基、トリシクロヘキシルメチル基、１−アダマンチル基、ジ（トリフルオロメチル）フェニルメチル基、２−トリメチルシリル−１，１−ジメチルエチル基、又は、２−トリフェニルシリル−１，１−ジメチルエチル基を好ましく挙げることができる。
あるいは、Ｒ１が互いに架橋して燐原子及び２つの酸素原子と共に環を形成してもよく、この場合に形成される環としては、下記式で示される環を好ましく挙げることができる。
上記式（３）中、Ａ１及びＡ２は、同一または異なって、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基である。
本明細書において、「Ｃ１〜Ｃ６アルキル基」としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル等を挙げることができる。
本発明において、Ａ１及びＡ２は、同一または異なって、エチル、イソプロピルであることが好ましい。
本発明において、ホスフィチル化剤としては、
ジ（ｔ−ブチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（ｔ−ブチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（２−フェニル−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（２−フェニル−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（２−（１’−ナフチル）−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（２−（１’−ナフチル）−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（１，２−ジフェニル−１，２−ジメチルプロピル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（１，２−ジフェニル−１，２−ジメチルプロピル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（ジフェニルメル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（ジフェニルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（９−フルオレニルメチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（９−フルオレニルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（２−シアノ−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（２−シアノ−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（９−フルオレニル−ジメチルメチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（９−フルオレニル−ジメチルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（１−シクロヘキシルジメチルメチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（１−シクロヘキシルジメチルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（トリベンジルメチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（トリベンジルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（トリシクロヘキシルメチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（トリシクロヘキシルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（１−アダマンチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（１−アダマンチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（ジ（トリフルオロメチル）フェニルメチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（ジ（トリフルオロメチル）フェニルメチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（２−トリメチルシリル−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、
ジ（２−トリメチルシリル−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト、
ジ（２−トリフェニルシリル−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、又は、
ジ（２−トリフェニルシリル−１，１−ジメチルエチル） Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイトを好ましく用いることができる。
本発明では、上記式（３）で示されるホスフィチル化剤によって、下記一般式（２）で示されるヌクレオシドをホスフィチル化する。
本明細書において、「アシル基」としては、制限するわけではないが、Ｃ１−６アルキル−カルボニル（たとえばメチルカルボニル、エチルカルボニル等）、Ｃ６−１０アリール−カルボニル（たとえばベンゾイル）などが挙げられる。
本明細書において、「トリアルキルシリル基」としては、制限するわけではないが、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基などを挙げることができる。
本発明において、Ｒ２で示される「アシル基」、「アルキル基」、「トリアルキルシリル基」は置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）、Ｃ６〜Ｃ１０アリールオキシ基（例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等）、アミノ基、水酸基、シアノ基、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）又はシリル基などを挙げることができる。この場合、置換基は、置換可能な位置に１個以上導入されていてもよく、好ましくは１個〜４個導入されていてもよい。置換基数が２個以上である場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。
本発明において、Ｒ２は、水素原子、ベンゾイル基、フェノキシアセチル基であることが好ましい。
上記式（２）中、Ｒ３は、水素原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アシルオキシ基、トリアルキルシリルオキシ基、または下記式で表される基
本明細書において、「アルコキシ基」としては、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ等を挙げることができる。
本明細書において、「アルケニルオキシ基」としては、制限するわけではないが、ビニルオキシ、アリルオキシ、１−プロペニルオキシ、イソプロペニルオキシ、２−メチル−１−プロペニルオキシ、２−メチルアリルオキシ、２−ブテニルオキシ等を挙げることができる。
本明細書において、「アシルオキシ基」としては、制限するわけではないが、Ｃ１−６アルキル−カルボニルオキシ（たとえばメチルカルボニルオキシ、エチルカルボニルオキシ等）、Ｃ６−１０アリール−カルボニル（たとえばベンゾイルオキシ）などが挙げられる。
本明細書において、「トリアルキルシリルオキシ基」としては、制限するわけではないが、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基などを挙げることができる。
本明細書において、「アルケニル基」としては、制限するわけではないが、ビニル、アリル、プロペニル、イソプロペニル、２−メチル−１−プロペニル、２−メチルアリル、２−ブテニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アルキニル基」としては、制限するわけではないが、エチニル、プロピニル、ブチニル等を挙げることができる。
本明細書において、「シクロアルキル基」としては、制限するわけではないが、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等を挙げることができる。
本明細書において、「シクロアルケニル基」としては、制限するわけではないが、シクロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アリール基」としては、制限するわけではないが、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、インデニル、ビフェニリル、アントリル、フェナントリル等を挙げることができる。
本明細書において、「アラルキル基」としては、制限するわけではないが、ベンジル、フェネチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、１−ナフチルメチル、２−ナフチルメチル、２，２−ジフェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル等を挙げることができる。
本明細書において、「アリールオキシ基」としては、制限するわけではないが、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等を挙げることができる。
本明細書において、「アラルキルオキシ基」としては、制限するわけではないが、ベンジルオキシ、フェネチルオキシ、ジフェニルメチルオキシ、トリフェニルメチルオキシ、１−ナフチルメチルオキシ、２−ナフチルメチルオキシ、２，２−ジフェニルエチルオキシ、３−フェニルプロピルオキシ、４−フェニルブチルオキシ、５−フェニルペンチルオキシ等を挙げることができる。
本明細書において、「アルコキシカルボニル基」としては、制限するわけではないが、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、２−メトキシエトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アリールオキシカルボニル基」としては、制限するわけではないが、フェノキシカルボニル、ナフトキシカルボニル、フェニルフェノキシカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アラルキルオキシカルボニル基」としては、制限するわけではないが、ベンジルオキシカルボニル、フェネチルオキシカルボニル、ジフェニルメチルオキシカルボニル、トリフェニルメチルオキシカルボニル、１−ナフチルメチルオキシカルボニル、２−ナフチルメチルオキシカルボニル、２，２−ジフェニルエチルオキシカルボニル、３−フェニルプロピルオキシカルボニル、４−フェニルブチルオキシカルボニル、５−フェニルペンチルオキシカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アルキルチオカルボニル基」としては、制限するわけではないが、メチルチオカルボニル、エチルチオカルボニル、プロピルチオカルボニル、イソプロピルチオカルボニル、ｎ−ブチルチオカルボニル、ｓｅｃ−ブチルチオカルボニル、ｔｅｒｔ−ブチルチオカルボニル、ペンチルチオカルボニル、ヘキシルチオカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アルコキシチオカルボニル基」としては、制限するわけではないが、メトキシチオカルボニル、エトキシチオカルボニル、２−メトキシエトキシチオカルボニル、ｔ−ブトキシチオカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アリールチオカルボニル基」としては、制限するわけではないが、フェニルチオカルボニル、ナフチルチオカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アラルキルチオカルボニル基」としては、制限するわけではないが、ベンジルチオカルボニル、フェネチルチオカルボニル、ジフェニルメチルチオカルボニル、トリフェニルメチルチオカルボニル、１−ナフチルメチルチオカルボニル、２−ナフチルメチルチオカルボニル、２，２−ジフェニルエチルチオカルボニル、３−フェニルプロピルチオカルボニル、４−フェニルブチルチオカルボニル、５−フェニルペンチルチオカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アリールオキシカルボニル基」としては、制限するわけではないが、フェノキシチオカルボニル、ナフトキシチオカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、「アラルキルオキシチオカルボニル基」としては、制限するわけではないが、ベンジルオキシチオカルボニル、フェネチルオキシチオカルボニル、ジフェニルメチルオキシチオカルボニル、トリフェニルメチルオキシチオカルボニル、１−ナフチルメチルオキシチオカルボニル、２−ナフチルメチルオキシチオカルボニル、２，２−ジフェニルエチルオキシチオカルボニル、３−フェニルプロピルオキシチオカルボニル、４−フェニルブチルオキシチオカルボニル、５−フェニルペンチルオキシチオカルボニル等を挙げることができる。
本明細書において、電子吸引基としては、制限するわけではないが、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、メタンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基、フッ素、塩素等を挙げることができる。
本発明において、Ｒ３は、水素原子、ヒドロキシ基、メトキシ基、または下記式で表される基
上記式（２）中、Ｂは、互いに異なっていてもよい、チミン、シトシン、ウラシル等のピリミジン塩基；アデニン、グアニン等のプリン塩基；または５−メチルシトシン、５−フルオロウラシル、５−ヒドロキシメチルシトシン等のそれらの誘導体を表す。
溶媒への溶解度を向上させるために、塩基部位に、ジメトキシトリチル基（ＤＭＴｒ）、ベンゾイル（Ｂｚ）、イソプロピルカルボニル（ｉＢｕ）、フェノキシアセチル（ＰＡＣ）、４−（ｔ−ブチル）フェノキシアセチル（ＢＰＡ）、アリルオキシカルボニル（ＡＯＣ）、２−［（ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ）メチル］ベンゾイル（ＳｉＯＭＢ）、２−（アセチルメチル）ベンゾイル（ＡＭＢ）、２−アジドベンゾイル（ＡＺＭＢ）等の保護基を導入してもよい。
本発明において、Ｂは、シトシン、チミン、アデニン、グアニンまたはそれらの誘導体、あるいはそれらに保護基が導入されたものであることが好ましい。
本発明の第２態様において、上記式（３）で示されるホスフィチル化剤は、５’水酸基に対して選択的に反応させるために、上記式（２）で示されるヌクレオシド１モルに対して０．１モル〜１．５モル用いることが好ましく、０．３モル〜１．２モル用いることが更に好ましく、０．５モル〜１．０モル用いることが更になお好ましい。
本発明の第２態様では、活性化剤を用いる。活性化剤としては、ピリジン塩酸塩；ピリジウムトリフラート等のピリジンスルホン酸塩；ピリジウムテトラフルオロボレート等のピリジンホウ酸塩；４，５−ジシアノイミダゾール、４，５−ジクロロイミダゾール等のイミダゾール；５−ベンジルテトラゾール、５−エチルチオ−１Ｈ−テトラゾール、１Ｈ−テトラゾール等のテトラゾール；イミダゾリウムトリフラート等のイミダゾールスルホン酸塩；５−ニトロベンズイミダゾリウムトリフラート等のベンズイミダゾールスルホン酸塩；トリアゾリウムトリフラート等のトリアゾールスルホン酸塩；１−ヒドロキシベンズトリアゾール等のＮ−ヒドロキシトリアゾール；トリアゾール；Ｎ−（シアノメチル）ピロリジニウムテトラフルオロボレート等のＮ−（シアノメチル）アミンホウ酸塩；Ｎ−（シアノメチル）ピロリジニウムトリフラート等のＮ−（シアノメチル）アミンスルホン酸塩；Ｎ−（シアノメチル）ピロリジニウムヘキサフルオロホスフェート等のＮ−（シアノメチル）アミンリン酸塩等を挙げることができ、ピリジン塩酸塩、ピリジンスルホン酸塩、ピリジンホウ酸塩、イミダゾール、又はテトラゾールを好ましく挙げることができる。
本発明の第２態様において、活性化剤は、反応を完結させるために、上記式（３）で示されるホスフィチル化剤１モルに対して１モル〜１０モル用いることが好ましく、２モル〜５モル用いることが更に好ましく、２モル〜３モル用いることが更になお好ましい。
本発明の第２態様において、典型的には、上記式（２）で示されるヌクレオシドの溶液に、活性化剤を添加して攪拌し、次いでホスフィチル化剤を添加し攪拌して、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位を得る。ヌクレオシド（２）は単離されたものを用いる必要はなく、溶液中で調製されたヌクレオシドをそのまま用いても良い。
本発明の第２態様において、上記式（２）で示されるヌクレオシドをホスフィチル化する際の位置選択性・官能基選択性は、ヌクレオシドの溶媒に対する溶解度に依存する。したがって、溶媒としては上記式（２）で示されるヌクレオシドが溶解できるものが好ましい。たとえば、ピリジン、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒、ピリジンとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドとの混合溶媒を挙げることができ、ピリジン、又は、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒であることが好ましい。
木発明の第２態様において、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒を用いる場合は、その体積割合が、２〜０．５：１であることが好ましく、約１：１であることがより好ましい。
反応温度としては、−７８℃〜３０℃が好ましく、０℃〜３０℃がさらに好ましく、１５℃〜２５℃が更になお好ましい。所望により、光を遮断して反応を進行させてもよい。
圧力は、大気圧であることが好ましい。
本発明の第３態様では、本発明の第１態様で提供されたヌクレオチドモノマー単位から、保護基であるＲ１を除去する方法が提供される。すなわち、上記一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位と、下記一般式（４ａ）で示される化合物、下記一般式（４ｂ）で示される化合物、臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ１を脱離させることを特徴とする、保護基除去方法が提供される。
本明細書において、「Ｃ６〜Ｃ１０アリール基」としては、制限するわけではないが、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、インデニル、ビフェニリル、アントリル、フェナントリル等を挙げることができる。
本発明において、Ａ３及びＡ４で示される「Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基」、「Ｃ６〜Ｃ１０アリール基」には、置換基が導入されていてもよい。この置換基としては、例えば、Ｃ１〜Ｃ１０炭化水素基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、フェニル、トリル、キシリル、クメニル、メシチル、ナフチル、インデニル、トリル、キシリル、ベンジル等）、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等）、Ｃ６〜Ｃ１０アリールオキシ基（例えば、フェニルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ等）、アミノ基、水酸基、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）又はシリル基などを挙げることができる。この場合、置換基は、置換可能な位置に１個以上導入されていてもよく、好ましくは１個〜４個導入されていてもよい。置換基数が２個以上である場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。
本発明において、Ａ３は、トリフルオロメチル、フェニル、ｐ−メチルフェニル、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルであることが好ましい。
また、本発明において、Ａ４は、メチル、エチル、又はイソプロピルであることが好ましい。
本発明の保護基除去方法において、脱保護試薬は、脱離すべき上記式（１）中の保護基Ｒ１によって適宜選択される。たとえば、Ｒ１が、ｔ−ブチル基、２−フェニル−１，１−ジメチルエチル基、２−（１−ナフチル）−１，１−ジメチルエチル基、ジフェニルメチル基、１−シクロヘキシルジメチルメチル基、トリベンジルメチル基、トリシクロヘキシルメチル基、１−アダマンチル基、ジ（トリフルオロメチル）フェニルメチル基、２−トリメチルシリル−１，１−ジメチルエチル基、２−トリフェニルシリル−１，１−ジメチルエチル基など、あるいは、Ｒ１が互いに架橋して燐原子及び２つの酸素原子と共に環を形成する場合には、上記式（４ａ）、上記式（４ｂ）で示される脱保護試薬あるいは臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸を用いることが好ましい。上記式（４ａ）、上記式（４ｂ）で示される脱保護試薬としては、たとえば、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホネート（ＴＭＳＯＴｆ）、トリメチルシリルベンゼンスルホネート、ジメチル塩化アルミニウム、ジエチル塩化アルミニウム、ジイソプロピル塩化アルミニウムを好ましく挙げることができる。
また、Ｒ１が、９−フルオレニルメチル基、９−フルオレニル−ジメチルメチル、２−シアノ−１，１−ジメチルエチル基などである場合には、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、又は １，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンを脱保護試薬として用いることが好ましい。
本発明の第３態様において、脱保護試薬は、反応を完結させるために、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位１モルに対して２モル〜２０モル用いることが好ましく、３モル〜１０モル用いることが更に好ましく、５モル〜８モル用いることが更になお好ましい。
本発明の第３態様において、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位中、３’位を保護する観点から、Ｒ２は、ベンゾイル基、フェノキシアセチル基等の置換基を有していてもよいアシル基であることが好ましい。
本発明の第３態様において、典型的には、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位の溶液に、脱保護試薬を添加し、攪拌して保護基Ｒ１を除去する。ヌクレオチドモノマー単位（１）は単離されたものを用いる必要はなく、溶液中で調製されたヌクレオチドモノマー単位をそのまま用いても良い。
脱保護試薬が、例えばＴＭＳＯＴｆといった上記式（４ａ）で示される化合物である場合には、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位に脱保護試薬を作用させると、保護基が脱離し、トリメチルシリルエステルになり、トリフルオロメタンスルホン酸が生成する。従って、任意に、メタノール等を用いてトリメチルシリル基を除去し、更に、トリエチルアミン（ＴＥＡ）等を用いてトリフルオロメタンスルホン酸を中和し、Ｈ−ホスホネートモノエステルのトリエチルアミン塩とすることができる。この場合、メタノールは、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位１モルに対して、６モル〜２０モル用いることが好ましく、１０モル〜１６モル用いることが更に好ましい。反応機構を下記に示す。
なお、上記反応機構は仮説であり、本発明はこの反応機構に限定されるものではない。
上記反応機構のように、ヌクレオチドモノマー単位の保護基を脱離させた後に５’−Ｈ−ホスホネートとすることで、後述するように、新たなヌクレオチドモノマー単位（１ａ）と縮重合することができるため鎖の伸張が容易となる。
本発明の第３態様において、溶媒としては、上記式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位が溶解できるものが好ましい。たとえば、コリジン、ピリジン、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒、ピリジンとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドとの混合溶媒を挙げることができ、ピリジン、又は、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒であることが好ましい。
本発明の第３態様において、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒を用いる場合は、その体積割合が、２〜０．５：１であることが好ましく、約１：１であることがより好ましい。
反応温度としては、−３０℃〜３０℃が好ましく、０℃〜３０℃がさらに好ましく、１５℃〜２５℃が更になお好ましい。所望により、光を遮断して反応を進行させてもよい。
圧力は、大気圧であることが好ましい。
本発明の第４態様では、下記一般式（５）で示されるホスホネートが提供される。
上記式中、Ｒ４は、担体を表す。担体としては、たとえば、調節多孔性ガラス（ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｐｏｒｅ ｇｌａｓｓ：ＣＰＧ）、高架橋性ポリスチレン（ＨＣＰ）といった固相法に用いられる公知の高分子支持体であって、できるだけ膨潤性がなく、過剰に用いた試薬を洗浄によって簡単に除去できるものや、フェノキシアセチル基やベンゾイル基のような保護基などを、特に制限なく挙げることができる。
本発明において、Ｒ４は、好ましくは、フェノキシアセチル基である。
上記式（５）で示されるホスホネートは、例えば、第２態様にしたがって合成したヌクレオチドモノマー単位の３’−位に担体Ｒ４を導入した後に、第３態様にしたがって５’−ホスファイトの保護基を除去することによって得ることができる。
本発明の第５態様では、下記一般式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体が提供される。
上記式中、ｎは１以上の整数を表す。ｎは、１〜１００の整数であることが好ましく、１０〜３０の整数であることがより好ましい。
本発明の第６態様では、一側面として、本発明の第１態様にかかるヌクレオチドモノマー単位の一態様と、本発明の第４態様で提供されるホスホネートとを縮合させて、本発明の第５態様の一態様であるヌクレオチド二量体を製造する方法が提供される。すなわち、縮合剤存在下、下記一般式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位と、下記一般式（５）で示されるホスホネートとを反応させ、下記一般式（６）で示される二量体を製造する。
本発明の第６態様では、伸長鎖の末端として上記式（５）で示されるホスホネート（Ｈ−ホスホネートモノエステル）を用いる。したがって、従来法で確認されていた副反応である分子内，分子間の鎖切断反応が抑制される。
本発明の第６態様において、二量体（６）を製造するためには、上記式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位は、縮合反応を定量的に進行させるために、上記式（５）で示されるホスホネート１モルに対して液相法では１モル〜１０モル用いることが好ましく、１モル〜５モル用いることが更に好ましく、１モル〜１．５モル用いることが更になお好ましい。また、固相法では、上記式（５）で示される固相担体に結合したホスホネート１モルに対して１モル〜１００モル用いることが好ましく、１０モル〜５０モル用いることが更に好ましく、２０モル〜３０モル用いることが更になお好ましい。
本発明にかかるオリゴヌクレオチド誘導体の製造方法では、縮合剤を用いる。縮合剤としては、２−（ベンゾトリアゾール１−イルオキシ）−１，３−ジメチル−２−ピロリジン−１−イル−１，３，２−ジアザホスホリジニウム ヘキサフルオロホスフェート（ＢＯＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ビス（２−オキソ−３−オキサゾリジニル）ホスホニッククロリド（ＢｏｐＣｌ）等を挙げることができ、ＢＯＭＰを好ましく用いることができる。
本発明の第６態様において、縮合剤は、反応を定量的に進行させるために、上記式（５）で示されるホスホネート１モルに、液相法では１モル〜２０モル用いることが好ましく、１モル〜１０モル用いることが更に好ましく、１モル〜５モル用いることが更になお好ましい。また、固相法では、上記式（５）で示される固相担体に結合したホスホネート１モルに対して１モル〜２００モル用いることが好ましく、２０モル〜１００モル用いることが更に好ましく、４０モル〜６０モル用いることが更になお好ましい。
本発明の第６態様において、典型的には、ホスホネート（５）の溶液に、上記式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位を溶解して加え、縮合剤を添加し、攪拌して二量体（６）を得る。ホスホネート（５）は単離されたものを用いる必要はなく、溶液中で調製されたヌクレオチドモノマー単位をそのまま用いても良い。
本発明の第６態様において、溶媒としては、上記式（５）で示されるホスホネートが溶解できるものが好ましい。たとえば、ピリジン、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒、ピリジンとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドとの混合溶媒を挙げることができ、ピリジン、又は、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒であることが好ましい。
本発明の第６態様において、ピリジンとアセトニトリルとの混合溶媒を用いる場合は、その体積割合が、２〜０．５：１であることが好ましく、約１：１であることがより好ましい。
反応温度としては、０℃〜５０℃が好ましく、１０℃〜３０℃がさらに好ましく、１５℃〜２５℃が更になお好ましい。所望により、光を遮断して反応を進行させてもよい。
圧力は、大気圧であることが好ましい。
本発明の第６態様の他の側面では、本発明の第５態様にかかる５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体から、本発明の第３態様にしたがって保護基を除去し、更に、前述した本発明の第６態様の一側面にかかる縮合方法と同様の手順で、本発明の第１態様にかかるヌクレオチドモノマー単位の一態様と縮合させて、鎖を伸張させる、５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体を製造する方法が提供される。
すなわち、本発明の第６態様の他の側面では、下記一般式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体と、例えば、ＴＭＳＯＴｆといった上記一般式（４ａ）で示される化合物、上記一般式（４ｂ）で示される化合物、臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ１を脱離させた後、縮合剤存在下、下記一般式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位とを反応させることを特徴とする、下記一般式（８）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体の製造方法が提供される。
たとえば、第６態様で得られた二量体を出発物質として、（ａ）脱保護工程、（ｂ）新たなモノマーとの縮重合工程を経ることでヌクレオチド三量体を得ることができる。更に鎖を伸ばす場合には、以上の（ａ）工程、（ｂ）工程を繰り返すことで容易に鎖を伸張させることができる。
本発明の第６態様において、上記式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体からＲ１を脱離除去する際の脱保護試薬、反応条件は、本発明の第３態様で説明したのと同様である。保護基を脱離させた後、任意に、メタノールやＴＥＡ等を用いて、５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチドにしてもよい。
また、本発明の第６態様において、保護基を脱離させた後、縮合剤存在下、上記式（１ａ）で示されるヌクレオチドモノマー単位と反応させる際の縮合剤、反応条件は、前述した本発明の第６態様の一側面において説明したのと同様である。
本発明の第７態様では、下記式（９）で示される５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体が提供される。
上記式中、Ｂ及びＲ３についての説明は、本発明の第１態様〜第２態様においてしたのと同様である。また、上記式中、Ｒ４についての説明は、本発明の第４態様においてしたのと同様である。
本発明の第８態様では、本発明の第７態様にかかる５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体を製造する方法が提供される。すなわち、本発明の第８態様では、下記一般式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体と、例えば、ＴＭＳＯＴｆといった上記一般式（４ａ）で示される化合物、上記一般式（４ｂ）で示される化合物、臭化亜鉛（ＺｎＢｒ２）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ２）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ１を脱離させる工程を含む、下記式（９）で示される５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体を製造する方法が提供される。
本発明の第８態様において、上記式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体からＲ１を脱離除去する際の脱保護試薬、反応条件は、本発明の第３態様で説明したのと同様である。保護基を脱離させた後、メタノールやＴＥＡ等を用いて処理することで、上記式（９）で示される５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体を得ることができる。
保護基除去後、５’−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体を得る手順については、本発明の第３態様において説明したのと同様である。ただし、メタノールは、上記式（７）で示される５’−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体中のヌクレオチド１モルに対して、６モル〜２０モル用いることが好ましく、１０モル〜１６モル用いることが更に好ましい。
こうして得られたオリゴヌクレオチド誘導体（９）は、幅広い修飾が行え、有用なＤＮＡ類縁体を合成することができる。たとえば、縮合剤存在下で、Ｒ５ＯＨと反応させて、官能基Ｒ５が導入された下記式（１０）のオリゴヌクレオチド誘導体を得る。
Ｒ５としては、水素、ヌクレオシド、アルキル、アリール、各種蛍光発色団、ビオチン等の機能性残基を挙げることができる。
縮合剤としては、ＢＯＭＰおよびＢｏｐＣｌを挙げることができ、ＢＯＭＰを好ましく用いることができる。
次いで、得られた上記式（１０）で示されるオリゴヌクレオチド誘導体を酸化又は化学変換することにより各種ＤＮＡ類縁体を得ることができる。たとえば、下記のような（１）〜（７）の試薬／溶媒を用いることで、対応する各種ＤＮＡ類縁体を得ることができる。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。ただし、本発明は、下記の実施例に制限されるものではない。
反応に用いた溶媒は、市販のものを蒸留した後ナトリウムまたはモレキュラーシーブ４Ａで乾燥したものを用いた。テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルについては、用いる直前にナトリウムベンゾフェノンケチル存在下で蒸留したものを用いた。
また、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、３’−Ｏ−ベンゾイルチミジン、３’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルチミジンについては、既知の方法で合成した。
各種分析機器は、以下に示した機種を用いた。
１Ｈ−核磁気共鳴スペクトル（１Ｈ−ＮＭＲ）：バリアン Ｍｅｒｃｕｒｙ３００（３００ＭＨｚ）
３１Ｐ−核磁気共鳴スペクトル（３１Ｐ−ＮＭＲ）：バリアン Ｍｅｒｃｕｒｙ３００（１２１．５ＭＨｚ）
カラムクロマトグラフィーに充填するシリカゲルには、ＫＡＮＴＯ ＣＨＥＭＩＣＡＬのＳｉｌｉｃａ Ｇｅｌ ６０ Ｎを用いた。
［実施例１］（３’−末端の合成）
３’−Ｏ−ベンゾイル−５’−Ｏ−（ジ ｔ−ブチル）−ホスフィチルチミジン
アルゴン雰囲気下、３’−Ｏ−ベンゾイルチミジン（６９３．３ｍｇ，２．０ｍｍｏｌ）をドライピリジン（５ｍｌ）で３回共沸した。これに、ドライピリジンで共沸してから０．２５Ｍに調製し、モレキュラーシーブス３Ａで乾燥したピリジン塩酸塩のドライピリジン溶液を１６ｍｌ加えた（Ａ）。これに、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイトを室温で２分かけて滴下した。滴下終了後、室温で１．５時間撹拌した後、クロロホルム（５０ｍｌ）で希釈し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（４０ｍｌ）で洗浄した。水層をクロロホルム（５０ｍｌ）で逆抽出し、すべての有機層を集めて無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル−トリエチルアミン（７５：２５：２，ｖ／ｖ／ｖ）で分離精製した。トリエチルアミンを減圧して除去した後、ドライトルエン（２ｍｌ）で３回、ドライジクロロメタン（２ｍｌ）で３回共沸することにより、目的化合物を収率９１％で得た。白色泡状固体。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１．４，１．４４（２ｓ，１８Ｈ），δ１．９６０，１．９６４（２ｓ，３Ｈ），δ２．３１−２．４１（ｍ，１Ｈ），δ２．４９−２．５６（ｍ，１Ｈ）δ３．９８−４．０４（ｍ，１Ｈ），δ４．２７−４．３６（ｍ，２Ｈ），δ５．５６−５．６０（ｍ，１Ｈ），δ６．５３（ｄｄ，１Ｈ），δ７．４４−７．５０（ｍ，２Ｈ），δ７．５７−７．６３（ｍ，１Ｈ），δ７．８００，７．８０４（２ｓ，１Ｈ），δ８．０４−８．０８（ｍ，２Ｈ），δ８．５４（ｂｒｓ，１Ｈ）
３１Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１３４．４
［実施例２］（３’−末端の合成）
トリエチルアンモニウム ３’−Ｏ−ベンゾイルチミジン−５’−イル ホスホネート
アルゴン雰囲気下、実施例１で得られた３’−Ｏ−ベンゾイル−５’−Ｏ−ビス（ｔ−ブチル）−ホスフィチルチミジン（１５６．８ｍｇ，０．３ｍｍｏｌ）をドライピリジン（１ｍｌ）で３回、ドライトルエン（１ｍｌ）で３回共沸乾燥した。これを３ｍｌのドライアセトニトリル溶液にして、トリメチルシリルトリフラート（１１０μｌ，０．６ｍｍｏｌ）を３０秒かけて滴下した。滴下終了後，室温で１０分間撹拌した後，メタノール（４９μｌ，１．２ｍｍｏｌ）で脱保護し、トリエチルアミン（１７０μｌ，１．２ｍｍｏｌ）で中和した。これをカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン−トリエチルアミン（９８：２，ｖ／ｖ）−ジクロロメタン−メタノール−トリエチルアミン（９６：４：２，ｖ／ｖ／ｖ））で分離精製し，トルエン（３ｍｌ）で３回、クロロホルム（３ｍｌ）で３回共沸した。その後、ジクロロメタン（２ｍｌ）で希釈し、１Ｍ炭酸トリエチルアンモニウム水溶液−ピリジン（１：１，ｖ／ｖ）（２ｍｌ）で洗浄した。これを無水硫酸ナトリウムで乾燥し，溶媒を留去した後，トルエン（１ｍｌ）で３回、ジクロロメタン（１ｍｌ）で３回共沸し、目的化合物を収率２５％で得た。白色泡状固体。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１．３５（ｔ，９Ｈ，−ＣＨ２−ｏｆ Ｅｔ３Ｎ，３ＪＨＨ＝７．２Ｈｚ），δ１．９７（ｓ，３Ｈ，−ＣＨ３ ｏｆ ｔｈｙｍｉｎｅ），δ２．４７−２．５０（ｍ，２Ｈ，２’−Ｈ），δ３．１１（ｑ，６Ｈ，−ＣＨ３ ｏｆ Ｅｔ３Ｎ，３ＪＨＨ＝７．２Ｈｚ），δ３．５２−３．６５（ｄｄｄ，１Ｈ，５’−Ｈ），δ４．１２−４．３０（ｄｄｄ，１Ｈ，５’’−Ｈ），δ４，３４（ｍ，１Ｈ，４’−Ｈ），δ５．６４（ｍ，１Ｈ，３’−Ｈ），δ６．５３（ｔ，１Ｈ，１’−Ｈ），６．９１（ｄ，１Ｈ，Ｈ ｏｆ Ｐ−Ｈ，１ＪＰＨ＝５８３Ｈｚ），δ７．４３−７．４９（ｍ，２Ｈ，ｏ−ｏｆ Ｂｚ），δ７．５７−７．６２（ｍ，１Ｈ，ｐ−ｏｆ Ｂｚ），７．９９−８．０５（ｍ２Ｈ，ｍ−ｏｆ Ｂｚ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ４．５３（１ＪＰＨ＝６１８Ｈｚ
［実施例３］（モノマーユニットの合成）
チミジン５’−Ｏ−ビス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスファイト
チミジン（７４．５ｍｇ，０．３ｍｍｏｌ）をドライピリジン（１ｍｌ）で３回共沸乾燥した。これに、ドライピリジン（３．６ｍｌ）と、モレキュラーシーブス３Ａ １０粒を加えた。その後、ドライピリジンで共沸してから０．２５Ｍに調製して、モレキュラーシーブス３Ａで乾燥したピリジン塩酸塩のドライピリジン溶液を２．４ｍｌ加えた。終夜で撹拌した後、これに、ビス−ｔｅｒｔ−ブチル Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイトを３分かけて滴下した。滴下終了後、室温で１．５時間撹拌した後、濾過によりＭＳ３Ａを除去して、クロロホルム（１０ｍｌ）で希釈して飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１０ｍｌ）で洗浄した後にクロロホルム（１０ｍｌ）で３回逆抽出した。これを無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル−トリエチルアミン（８０：２０：２，ｖ／ｖ／ｖ）−ヘキサン−酢酸エチル−トリエチルアミン（５０：５０：２，ｖ／ｖ／ｖ））で分離精製した。トリエチルアミンを減圧して除去した後、ドライトルエン（２ｍｌ）で３回、クロロホルム（２ｍｌ）で３回共沸することにより、目的化合物を収率５８％で得た。白色泡状固体。
［実施例４］（３’−末端の合成）
３’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−５’−Ｏ−ビス（ｔ−ブチル）−ホスフィチルチミジン
アルゴン雰囲気下、３’−Ｏ−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル）チミジン（１０７．１ｍｇ，０．３ｍｍｏｌ）をドライピリジン（２ｍｌ）で３回共沸した。これに、ドライピリジン（０．１２ｍｌ）と、ＭＳ３Ａ １５粒を加えた。その後、ドライピリジンで共沸してから０．２５Ｍに調製して、モレキュラーシーブス３Ａで乾燥したピリジン塩酸塩のドライピリジン溶液を２．８８ｍｌ加えた。これに、ビス−ｔｅｒｔ−ブチル Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイトを２分かけて滴下した。滴下終了後、室温で１５分間撹拌した後、濾過によりＭＳ３Ａを除去して、クロロホルム（３０ｍｌ）で希釈して飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（３０ｍｌ）で洗浄した。これを無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィー（ヘキサン−酢酸エチル−トリエチルアミン（９６：１６：２，ｖ／ｖ／ｖ）−ヘキサン−酢酸エチル−トリエチルアミン（８０：２０：２，ｖ／ｖ／ｖ））で分離精製した。トリエチルアミンを減圧して除去した後、ドライトルエン（２ｍｌ）で３回、クロロホルム（２ｍｌ）で３回共沸することにより、目的化合物を収率７９％で得た。白色泡状固体。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ０．０８（ｓ，６Ｈ），δ０．８７（ｓ，９Ｈ），δ１．４１（ｓ，１８Ｈ），δ１．９３（ｓ，３Ｈ），δ２．００−２．２８（ｍ，２Ｈ），δ４．０１−４．０２（ｍ，３Ｈ），δ４．４０−４．４１（ｍ，１Ｈ），δ６．３３−６．３８（ｄｄ，１Ｈ），δ７．６９（ｓ，１Ｈ），δ８．２６（ｓ，１Ｈ）
３１Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１３３．２
［実施例５］（３’−末端の合成）
トリエチルアンモニウム３’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）チミジン−５’−イル ホスホネート
アルゴン雰囲気下、実施例４で得られた３’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−５’−Ｏ−ビス（ｔ−ブチル）−ホスフィチルチミジン（４．２６ｍｇ，８ｍｍｏｌ）を５ｍｌのドライジクロロメタン溶液にして、トリフルオロ酢酸（８．０ｍｌ，１０３ｍｍｏｌ）を３分かけて滴下した。滴下終了後、室温で１時間撹拌した後、トリエチルアミン（１７．３ｍｌ，４０ｍｍｏｌ）で中和した。これを １Ｍ炭酸トリエチルアンモニウム水溶液（８０ｍｌ）で洗浄した。これを無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去した後、トルエン（１０ｍｌ）で共沸した。カラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン−トリエチルアミン（１００：０．５，ｖ／ｖ）ジクロロメタン メタノール−トリエチルアミン（９７：３：０．５，ｖ／ｖ／ｖ））で分離精製し、トルエン（１０ｍｌ）で３回、ジクロロメタン（１０ｍｌ）で３回共沸し、目的化合物を収率９８％で得た。白色泡状固体。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ０．０８（ｓ，６Ｈ），δ０．８９（ｓ，９Ｈ），δ１．３１−１．３６（ｔ，９Ｈ），δ１．９６（ｓ，３Ｈ），δ２．１４−２．１９（ｍ，２Ｈ），δ３．０６−３．０８（ｍ，６Ｈ），δ４．０１−４．０１（ｍ，３Ｈ），δ４．４８（ｍ，１Ｈ），δ６．３５−６．４０（ｄｄ，１Ｈ），δ６．９０（ｓ，１Ｈ，Ｊ＝６１８．０Ｈｚ），δ７．７６（ｓ，１Ｈ），δ８．７６（ｓ，１Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ５．２４（ｓ，Ｊ＝６２０．４Ｈｚ）
［実施例６］（二量体の合成）
３’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）チミジン−５’−イル−｛５’−Ｏ−（ビス ｔｅｒｔ−ブチルホスフィチル）チミジン−３’−イル｝｝ホスホネート
実施例３で得られたチミジン ５’−Ｏ−（ジ ｔｅｒｔ−ブチル）ホスファイト（４１８．２ｍｇ，１ｍｍｏｌ）をドライトルエン（１ｍｌ）で３回共沸乾燥し、３ｍｌのドライピリジン溶液にした。これに実施例５で得られたトリエチルアンモニウム３’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルチミジン−５’−イルホスホネート（８９７．３ｍｇ，１．７２ｍｍｏｌ）をドライピリジン（７ｍｌ）に溶解して加え、ＢｏｐＣｌ（０．５０９ｇ，２．００ｍｍｏｌ）を加えた後、室温で１．５時間撹拌した。ピリジンを減圧下で留去した後、クロロホルム（１００ｍｌ）で希釈し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）で３回洗浄した、クロロホルム（１００ｍｌ）で１回逆抽出をした。これを無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去して、目的化合物を定量的に得た。白色泡状固体。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ０．０９（ｍ，６Ｈ），δ０．８９（ｓ，９Ｈ），δ１．４０（ｓ，３Ｈ），δ１．８９−１．９３（ｍ，３Ｈ），δ２．１４−２．３５（ｍ，２Ｈ），δ２．４３−２，６１（ｍ，２Ｈ），δ３．３６−３．５５（ｍ，２Ｈ），δ３．８０（ｓ，６Ｈ），δ３．９８−４．０３（ｍ，２Ｈ），δ４．０５−４．４２（ｍ，４Ｈ），δ５．２５（ｍ，２Ｈ），δ４．０５−４．４２（ｄｄ，１Ｈ），δ６．１０−６．１４（ｔ，１Ｈ），δ６．１９−６．２３（ｔ，１Ｈ），δ６．４３−６．４６（ｍ，２Ｈ），δ６．８９２（ｄ，１Ｈ，７１７Ｈｚ），δ６．９３３（ｄ，１Ｈ，７１６Ｈｚ），δ７．１６−７．３７（ｍ，１３Ｈ），δ８．５０−８．７５（ｍ，２Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１３３．５３，１３３．４６，δ９．１６（ｓ，Ｊ＝７０４．８Ｈｚ），７．７２（ｓ，Ｊ＝７０８．２Ｈｚ）
［実施例７］（二量体の脱保護）
実施例６で得られた３’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）チミジン−５’−イル−｛５’−Ｏ−（ビス ｔｅｒｔ−ブチルホスフィチル）チミジン−３’−イル｝｝ホスホネート（４１．０ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ）をドライトルエン（１ｍｌ）で３回共沸乾燥し、５ｍｌのドライジクロロメタン溶液にした。これにトリフルオロ酢酸（５０μｌ，０．６４９ｍｍｏｌ）を加え、室温で２５時間撹拌した。クロロホルム（３０ｍｌ）で希釈し、１Ｍ炭酸トリエチルアンモニウム水溶液（３０ｍｌ）で３回洗浄した、クロロホルム（３０ｍｌ）で５回逆抽出をした。これを無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去して、目的化合物を得た。黄色油状物質。
３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ８．９７（ｍ，１ＪＰＨ＝７０８．３Ｈｚ），８．８５（ｍ，１ＪＰＨ＝７０８．３Ｈｚ），δ４．９０（ｍ，１ＪＰＨ＝６１９．４Ｈｚ），４．７８１（ｍ，１ＪＰＨ＝６１９．４Ｈｚ）
［実施例８］（三量体の合成）
実施例６と同様の手順で行った。但し、実施例５で得られたトリエチルアンモニウム ３’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルチミジン−５’−イル ホスホネートの代わりに、実施例７で得られたホスホネートを用いた。黄色油状物質。
３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１３３．７２（ｔ），δ１３３．６９（ｔ），δ１３３．３４（ｔ），δ１３３．３１（ｔ），δ９．９１（ｍ），δ９．７３（ｍ），δ９．２６（ｍ），δ９．０７（ｍ），δ８．１９（ｍ），δ８．０７（ｍ），δ７．８３（ｍ），δ７．７７（ｍ）
［実施例９］（塩基性条件下での脱保護）
１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］１−ウンデセニウム ３’−Ｏ−（ｔ−フェノキシアセチル）チミジン−５’−イルホスホネート
アルゴン雰囲気下、３’−Ｏ−（フェノキシアセチル）−５’−Ｏ−ビスジメチルシアノエチルホスフィチルチミジン（３６．２ｍｇ，０．０６ｍｍｏｌ）をドライピリジン（１ｍｌ）で３回、ドライトルエン（１ｍｌ）で３回共沸した。これをドライ重アセトニトリル−アセトニトリル（１：４，ｖ／ｖ）（０．６ｍｌ）溶液にして、ＤＢＵを添加した。２２時間後、クロロホルム（３ｍｌ）で希釈し、ＤＢＵ重炭酸塩（３ｍｌ）で洗浄した。これを無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去して目的化合物を得た。
３１Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ０．１５（１ＪＰＨ＝５８４．１Ｈｚ）
反応に用いた溶媒は、市販のものを蒸留した後ナトリウムまたはモレキュラーシーブ４Ａで乾燥したものを用いた。テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルについては、用いる直前にナトリウムベンゾフェノンケチル存在下で蒸留したものを用いた。
また、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル Ｎ，Ｎ−ジエチルホスホロアミダイト、３’−Ｏ−ベンゾイルチミジン、３’−Ｏ−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルチミジンについては、既知の方法で合成した。
各種分析機器は、以下に示した機種を用いた。
１Ｈ−核磁気共鳴スペクトル（１Ｈ−ＮＭＲ）：バリアン Ｍｅｒｃｕｒｙ３００（３００ＭＨｚ）
３１Ｐ−核磁気共鳴スペクトル（３１Ｐ−ＮＭＲ）：バリアン Ｍｅｒｃｕｒｙ３００（１２１．５ＭＨｚ）
カラムクロマトグラフィーに充填するシリカゲルには、ＫＡＮＴＯ ＣＨＥＭＩＣＡＬのＳｉｌｉｃａ Ｇｅｌ ６０ Ｎを用いた。
［実施例１］（３’−末端の合成）
３’−Ｏ−ベンゾイル−５’−Ｏ−（ジ ｔ−ブチル）−ホスフィチルチミジン
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１．４，１．４４（２ｓ，１８Ｈ），δ１．９６０，１．９６４（２ｓ，３Ｈ），δ２．３１−２．４１（ｍ，１Ｈ），δ２．４９−２．５６（ｍ，１Ｈ）δ３．９８−４．０４（ｍ，１Ｈ），δ４．２７−４．３６（ｍ，２Ｈ），δ５．５６−５．６０（ｍ，１Ｈ），δ６．５３（ｄｄ，１Ｈ），δ７．４４−７．５０（ｍ，２Ｈ），δ７．５７−７．６３（ｍ，１Ｈ），δ７．８００，７．８０４（２ｓ，１Ｈ），δ８．０４−８．０８（ｍ，２Ｈ），δ８．５４（ｂｒｓ，１Ｈ）
３１Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１３４．４
［実施例２］（３’−末端の合成）
トリエチルアンモニウム ３’−Ｏ−ベンゾイルチミジン−５’−イル ホスホネート
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１．３５（ｔ，９Ｈ，−ＣＨ２−ｏｆ Ｅｔ３Ｎ，３ＪＨＨ＝７．２Ｈｚ），δ１．９７（ｓ，３Ｈ，−ＣＨ３ ｏｆ ｔｈｙｍｉｎｅ），δ２．４７−２．５０（ｍ，２Ｈ，２’−Ｈ），δ３．１１（ｑ，６Ｈ，−ＣＨ３ ｏｆ Ｅｔ３Ｎ，３ＪＨＨ＝７．２Ｈｚ），δ３．５２−３．６５（ｄｄｄ，１Ｈ，５’−Ｈ），δ４．１２−４．３０（ｄｄｄ，１Ｈ，５’’−Ｈ），δ４，３４（ｍ，１Ｈ，４’−Ｈ），δ５．６４（ｍ，１Ｈ，３’−Ｈ），δ６．５３（ｔ，１Ｈ，１’−Ｈ），６．９１（ｄ，１Ｈ，Ｈ ｏｆ Ｐ−Ｈ，１ＪＰＨ＝５８３Ｈｚ），δ７．４３−７．４９（ｍ，２Ｈ，ｏ−ｏｆ Ｂｚ），δ７．５７−７．６２（ｍ，１Ｈ，ｐ−ｏｆ Ｂｚ），７．９９−８．０５（ｍ２Ｈ，ｍ−ｏｆ Ｂｚ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ４．５３（１ＪＰＨ＝６１８Ｈｚ
［実施例３］（モノマーユニットの合成）
チミジン５’−Ｏ−ビス（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスファイト
［実施例４］（３’−末端の合成）
３’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−５’−Ｏ−ビス（ｔ−ブチル）−ホスフィチルチミジン
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ０．０８（ｓ，６Ｈ），δ０．８７（ｓ，９Ｈ），δ１．４１（ｓ，１８Ｈ），δ１．９３（ｓ，３Ｈ），δ２．００−２．２８（ｍ，２Ｈ），δ４．０１−４．０２（ｍ，３Ｈ），δ４．４０−４．４１（ｍ，１Ｈ），δ６．３３−６．３８（ｄｄ，１Ｈ），δ７．６９（ｓ，１Ｈ），δ８．２６（ｓ，１Ｈ）
３１Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１３３．２
［実施例５］（３’−末端の合成）
トリエチルアンモニウム３’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）チミジン−５’−イル ホスホネート
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ０．０８（ｓ，６Ｈ），δ０．８９（ｓ，９Ｈ），δ１．３１−１．３６（ｔ，９Ｈ），δ１．９６（ｓ，３Ｈ），δ２．１４−２．１９（ｍ，２Ｈ），δ３．０６−３．０８（ｍ，６Ｈ），δ４．０１−４．０１（ｍ，３Ｈ），δ４．４８（ｍ，１Ｈ），δ６．３５−６．４０（ｄｄ，１Ｈ），δ６．９０（ｓ，１Ｈ，Ｊ＝６１８．０Ｈｚ），δ７．７６（ｓ，１Ｈ），δ８．７６（ｓ，１Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ５．２４（ｓ，Ｊ＝６２０．４Ｈｚ）
［実施例６］（二量体の合成）
３’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）チミジン−５’−イル−｛５’−Ｏ−（ビス ｔｅｒｔ−ブチルホスフィチル）チミジン−３’−イル｝｝ホスホネート
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ０．０９（ｍ，６Ｈ），δ０．８９（ｓ，９Ｈ），δ１．４０（ｓ，３Ｈ），δ１．８９−１．９３（ｍ，３Ｈ），δ２．１４−２．３５（ｍ，２Ｈ），δ２．４３−２，６１（ｍ，２Ｈ），δ３．３６−３．５５（ｍ，２Ｈ），δ３．８０（ｓ，６Ｈ），δ３．９８−４．０３（ｍ，２Ｈ），δ４．０５−４．４２（ｍ，４Ｈ），δ５．２５（ｍ，２Ｈ），δ４．０５−４．４２（ｄｄ，１Ｈ），δ６．１０−６．１４（ｔ，１Ｈ），δ６．１９−６．２３（ｔ，１Ｈ），δ６．４３−６．４６（ｍ，２Ｈ），δ６．８９２（ｄ，１Ｈ，７１７Ｈｚ），δ６．９３３（ｄ，１Ｈ，７１６Ｈｚ），δ７．１６−７．３７（ｍ，１３Ｈ），δ８．５０−８．７５（ｍ，２Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１３３．５３，１３３．４６，δ９．１６（ｓ，Ｊ＝７０４．８Ｈｚ），７．７２（ｓ，Ｊ＝７０８．２Ｈｚ）
［実施例７］（二量体の脱保護）
３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ８．９７（ｍ，１ＪＰＨ＝７０８．３Ｈｚ），８．８５（ｍ，１ＪＰＨ＝７０８．３Ｈｚ），δ４．９０（ｍ，１ＪＰＨ＝６１９．４Ｈｚ），４．７８１（ｍ，１ＪＰＨ＝６１９．４Ｈｚ）
［実施例８］（三量体の合成）
３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ１３３．７２（ｔ），δ１３３．６９（ｔ），δ１３３．３４（ｔ），δ１３３．３１（ｔ），δ９．９１（ｍ），δ９．７３（ｍ），δ９．２６（ｍ），δ９．０７（ｍ），δ８．１９（ｍ），δ８．０７（ｍ），δ７．８３（ｍ），δ７．７７（ｍ）
［実施例９］（塩基性条件下での脱保護）
１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］１−ウンデセニウム ３’−Ｏ−（ｔ−フェノキシアセチル）チミジン−５’−イルホスホネート
３１Ｐ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ０．１５（１ＪＰＨ＝５８４．１Ｈｚ）
Claims (10)
- 下記一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位。
- Ｒ1が、ｔ−ブチル基、２−フェニル−１，１−ジメチルエチル基、２−（１−ナフチル）−１，１−ジメチルエチル基、２−シアノ−１，１−ジメチルエチル基、９−フルオレニル−ジメチルメチル基、１−シクロヘキシルジメチルメチル基、トリベンジルメチル基、トリシクロヘキシルメチル基、１−アダマンチル基、ジ（トリフルオロメチル）フェニルメチル基、２−トリメチルシリル−１，１−ジメチルエチル基、又は、２−トリフェニルシリル−１，１−ジメチルエチル基であるか、又は、Ｒ1が互いに架橋して燐原子及び２つの酸素原子と共に下記式で示される環を形成する、請求項１記載のヌクレオチドモノマー単位。
- 請求項１記載の一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位［式中、Ｂ、Ｒ 1 、Ｒ 2 及びＲ 3 は、前記と同義を表す。］の製造方法であって、
ピリジン塩酸塩、ピリジンスルホン酸塩、ピリジンホウ酸塩、Ｎ−（シアノメチル）アミンスルホン酸塩、Ｎ−（シアノメチル）アミンホウ酸塩、Ｎ−（シアノメチル）アミンリン酸塩、イミダゾールスルホン酸塩、トリアゾールスルホン酸塩、Ｎ−ヒドロキシトリアゾール、ベンズイミダゾールスルホン酸塩、イミダゾール、トリアゾール、及びテトラゾールからなる群から選ばれる活性化剤存在下、下記一般式（２）で示されるヌクレオシドと、
下記一般式（３）で示されるホスフィチル化剤とを
反応させることを特徴とする、ヌクレオチドモノマー単位の製造方法。 - Ｒ1が、ｔ−ブチル基、２−フェニル−１，１−ジメチルエチル基、２−（１−ナフチル）−１，１−ジメチルエチル基、２−シアノ−１，１−ジメチルエチル基、９−フルオレニル−ジメチルメチル基、１−シクロヘキシルジメチルメチル基、トリベンジルメチル基、トリシクロヘキシルメチル基、１−アダマンチル基、ジ（トリフルオロメチル）フェニルメチル基、２−トリメチルシリル−１，１−ジメチルエチル基、又は、２−トリフェニルシリル−１，１−ジメチルエチル基であるか、又は、Ｒ1が互いに架橋して燐原子及び２つの酸素原子と共に下記式で示される環を形成する、請求項３記載のヌクレオチドモノマー単位の製造方法。
- 請求項１記載の一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位［式中、Ｂ、Ｒ 1 、Ｒ 2 及びＲ 3 は、前記と同義を表す。］と、
下記一般式（４ａ）で示される化合物、
下記一般式（４ｂ）で示される化合物、
臭化亜鉛（ＺｎＢｒ2）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ2）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ1を脱離させることを特徴とする、保護基除去方法。 - Ｂが、シトシン、チミンまたは保護基が付加されたシトシンである、請求項５記載の保護基除去方法。
- 請求項１記載の一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位［式中、Ｂ、Ｒ 1 、Ｒ 2 及びＲ 3 は、前記と同義を表す。］と、２−（ベンゾトリアゾール１−イルオキシ）−１，３−ジメチル−２−ピロリジン−１−イル−１，３，２−ジアザホスホリジニウム ヘキサフルオロホスフェート及びＮ，Ｎ−ビス（２−オキソ−３−オキサゾリジニル）ホスホニッククロリドからなる群から選ばれる縮合剤存在下、下記一般式（５）で示されるホスホネートと
を反応させ、下記一般式（６）で示される二量体を製造する方法。
- 下記一般式（７）で示される５'−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体。
- 請求項８記載の一般式（７）で示される５'−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体［式中、Ｂ、Ｒ 1 、Ｒ 3 、Ｒ 4 及びｎは前記と同義を表す。］と、請求項５記載の一般式（４ａ）で示される化合物［式中、Ａ 3 は、前記と同義を表す。］、請求項５記載の一般式（４ｂ）で示される化合物［式中、Ａ 4 は、前記と同義を表す。］、臭化亜鉛（ＺｎＢｒ2）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ2）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ1を脱離させた後、２−（ベンゾトリアゾール１−イルオキシ）−１，３−ジメチル−２−ピロリジン−１−イル−１，３，２−ジアザホスホリジニウム ヘキサフルオロホスフェート及びＮ，Ｎ−ビス（２−オキソ−３−オキサゾリジニル）ホスホニッククロリドからなる群から選ばれる縮合剤存在下、請求項１記載の一般式（１）で示されるヌクレオチドモノマー単位［式中、Ｂ、Ｒ 1 及びＲ 3 は、前記と同義を表す。］とを反応させることを特徴とする、下記一般式（８）で示される５'−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体の製造方法。
- 請求項８記載の一般式（７）で示される５'−ホスファイトオリゴヌクレオチド誘導体［式中、Ｂ、Ｒ 1 、Ｒ 3 、Ｒ 4 及びｎは前記と同義を表す。］と、請求項５記載の一般式（４ａ）で示される化合物［式中、Ａ 3 は、前記と同義を表す。］、請求項５記載の一般式（４ｂ）で示される化合物［式中、Ａ 4 は、前記と同義を表す。］、臭化亜鉛（ＺｎＢｒ2）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ2）、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、２−ｔ−ブチルイミノ−２−ジエチルアミノ−１，３−ジメチル−１，３，２−ジアザホスホリナン、（ｔ−ブチルイミノ）トリス（ジメチルアミノ）ホスホラン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンからなる群より選ばれる１種以上の脱保護試薬とを反応させて、Ｒ1を脱離させる工程を含む、下記式（９）で示される５'−Ｈ−ホスホネートオリゴヌクレオチド誘導体を製造する方法。
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- 2010-07-22 JP JP2010165124A patent/JP5143872B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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| JPH0291088A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Central Glass Co Ltd | ホスファイトおよびヌクレオシド‐３’‐ホスファイト誘導体およびこれを用いるオリゴヌクレオチドの合成法 |
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