JP4607554B2

JP4607554B2 - 真空バルブ用接点

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Publication number: JP4607554B2
Application number: JP2004331430A
Authority: JP
Inventors: 功奥富; 貴史草野; 三孝本間; 敦史山本; 経世関; 清長部; 光一手島
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2004-11-16
Filing date: 2004-11-16
Publication date: 2011-01-05
Anticipated expiration: 2024-11-16
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Description

本発明は、真空バルブ用接点に係り、特に接点消耗の少ない接触抵抗特性の安定した真空バルブ用接点に関する。

真空遮断器に使用される真空バルブの接点には、耐溶着特性、耐電圧特性、遮断特性が
基本的三要件として要求される。従来からこれら三要件を満たす接点としてＣｕに数％の
Ｔｅを含有させたＣｕ−Ｔｅ合金が多用されている。

しかし近年では負荷や電気回路の多様化や使用条件の過酷化（高電圧化、大電流化）な
どで、特に接点面の消耗（ア−クによる電気的、開閉による機械的消耗）が激しく、接触
抵抗特性の不安定化を招いている。そこで前記三要件をあるレベルに維持した上で、耐消
耗性（接点寿命）に優れた長寿命接点の出現が要求されてきた。それにもかかわらず前記
Ｃｕ−Ｔｅ合金では析出物の形状や分布状態が制御されていない場合には、耐消耗性が十
分ではない。

前記基本的三要件を満たす従来接点として以下の合金が知られている。

特許文献１には、平均粒径１０μｍ以下のＣｕ−Ｔｅ化合物が０．２〜６重量％、平均
粒子間距離が１０μｍ以上であるＣｕ−Ｔｅ合金接点が記載されている。

特許文献２には、合金中の残存ガス、ボイド、偏析を除去し遮断特性を一層改善する為
に、加熱源を移行させながら冷却してＣｕ−Ｔｅ接点を製造する製造方法が記載されてい
る。

特許文献３には、合金中の残存ガス、ボイド、偏析を除去し耐電圧特性と遮断特性を改
善する為に、溶融中の接点を加熱源から離しながら冷却してＣｕ−Ｔｅ接点を製造する製
造方法が記載されている。

特許文献４には、Ｂ源として１μｍ〜４ｍｍの範囲にある粒径を持つＢ粉と、同じ粒径
を持つＣｕとの均一混合粉を使用したＣｕ−Ｂ−Ｔｅ合金接点の製造方法が記載されてい
る。

特許文献５には、０．０００５〜２％のＢ、溶着防止成分（Ｔｅなど）を含有するＣｕ
−Ｂ−Ｔｅ合金に於いて、Ｂ粒子が導電性分マトリックスに高度に分散し、その平均粒子
直径が０．１〜７μｍの範囲にあるＣｕ−Ｂ−Ｔｅ合金接点が記載されている。

特許文献６には、主成分金属と僅少成分金属とからなる真空バルブ用接点を製造するに
際して、僅少成分金属を充填し特殊構造を持つ溶解部材と、これを保持、収納する収納容
器と、溶解部材と収納容器を収納する密閉容器と、密閉容器内を排気する排気装置と、溶
解部材を加熱するための加熱装置と、溶解部材を含む収納容器を移動させる移動装置との
各々を備えた真空バルブ用接点の製造装置が記載されている。

特許文献７には、０．０００１〜０．００２％のＢ、０．０００１％〜０．００２％の
酸素を含有するＣｕ−Ｂ−Ｔｅ合金に於いて、Ｂ粒子総数の９０％以上のＢ粒子の粒径が
、０．１μｍ〜７μｍの範囲にあり、合金中に均一に分散した状態にあるＣｕ−Ｂ−Ｔｅ
合金接点が記載されている。
特公昭６３−１４４４８号（特許第１４６９９４６号）公報特公平６−５８７７８号（特許第１９２６６２８号）公報特公平６−６４９７１号（特許第１９３５４８５号）公報特公平６−８０５６９号（特許第１９５２１４７号）公報特公平６−８０５７１号（特許第１９５２１５６号）公報特公平６−８０５７２号（特許第１９５２１５７号）公報特許第２５１１０１９号公報

再点弧は電気回路が機械的に「閉」の状態（接点が接触した状態）となったにもかかわ
らず、ある時間経過後に接点間で発弧する現象であり、電気制御回路の混乱を招く。その
一因として接点面の荒れが挙げられ、接点の消耗が関係している。そのためＣｕ−Ｔｅ合
金の消耗を低減させる事が課題である。

特許文献１では、Ｃｕ−Ｔｅ化合物の密集化を避ける為に平均粒径と平均粒子間距離と
を最適値に制御して、耐圧性と耐溶着圧の安定化を得ている。しかし過酷化した条件への
適応では接点消耗の抑制に対して十分ではない。

特許文献２は、加熱源を移行させながら冷却してＣｕ−Ｔｅ接点を製造する製造方法の
提案であって、接点消耗を軽減するためのＣｕ_２Ｔｅの最適な存在形態についての示唆は
成されていない。

特許文献３は、溶融中の接点を加熱源から離しながら冷却してＣｕ−Ｔｅ接点を製造す
る製造方法の提案であって、接点消耗を軽減するためのＣｕ_２Ｔｅの最適な存在形態につ
いての示唆は成されていない。

特許文献４は、接点中のＢ量を正確に制御する事によって、電気特性のバラツキを解消
したＣｕ−Ｂ−Ｔｅ合金接点の製造方法の提供を目的としている。しかしＢ量の制御だけ
では、遮断あるいは被ア−ク時の接点消耗の抑制には十分ではない。

特許文献５には、遮断特性の改良と再点弧発生の防止に寄与する事が記載されている。
しかしＣｕ_２Ｔｅ粒子の形態の制御が十分でなく、遮断あるいは被ア−ク時の接点消耗の
抑制には十分ではない。

特許文献６は、耐電圧特性と遮断特性を改善する為に、接点中のガスの除去、ボイドの
除去、僅少成分金属の偏析を無くした製造装置の提案であって、接点消耗を軽減するため
の示唆は成されていない。

特許文献７は、加熱時の接点の変形現象を防止し、耐溶着性能の向上には有益であるが
、しかしＣｕ_２Ｔｅ粒子の形態の制御が十分でなく、遮断あるいは被ア−ク時の接点消耗
の発生の抑制には十分ではない。

本発明は、従来のこのような点に鑑みて為されたもので、接点消耗の少ない接触抵抗特性の安定した真空バルブ用接点を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る真空バルブ用接点は、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子が０．００１〜１０質量％で、残部がＣｕからなるＣｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ系接点で構成され、１つの辺ａの長さが２．５〜５００μｍ、１つの辺ａにほぼ直角の他の辺ｂの長さが１０〜１０００μｍであり、かつ１つの辺ａの長さと他の辺ｂの長さとの比率（ｂ／ａ）が２〜４００である形状と大きさのＣｕ_２Ｔｅ粒子が、通電面に平行な面における全Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の面積の９０％以上を占める事を特徴とする。

ここで、０．０００１〜５質量％のＢを含有したものとし、Ｃｕ−Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ系接点で構成することもできる。

また、通電面に平行な面における前記形状と大きさのＣｕ _２Ｔｅ粒子の面積の５０％以上を占めるＣｕ _２Ｔｅ粒子が、合金中に互いに平行に配列されているような構成とすることもできる。

本発明によれば、遮断時、開閉時に衝撃を受けても、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の、マトリックスからの離脱を軽減化することができ、接点消耗が少なく接触抵抗特性の安定した真空バルブ用接点を得ることができる。

以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。

本発明の第１の実施形態は、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子が０．００１〜１０質量％で、残部がＣｕからなるＣｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ系接点で構成され、
１つの辺ａの長さが２．５〜５００μｍ、前記１つの辺ａにほぼ直角の他の辺ｂの長さが１０〜１０００μｍであり、かつ１つの辺ａの長さと他の辺ｂの長さとの比率（ｂ／ａ）が２〜４００である形状と大きさのＣｕ_２Ｔｅ粒子が、通電面に平行な面における全Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の面積の９０％以上を占める事を特徴とする真空バルブ用接点である。

すなわち本実施形態では、０．００１〜１０質量％のＣｕ_２Ｔｅ粒子と、残部のＣｕとからなるＣｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ系接点を用いた上で、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の１つの辺ａの長さを２．５〜５００μｍ、辺ａにほぼ直角の他の辺ｂの長さを１０〜１０００μｍの範囲とする事が好ましい。この好ましい形態のＣｕ_２Ｔｅ粒子面積が、通電面に平行な面（なお、通電面に平行な面には、通電面自身も含まれる。）における全Ｃｕ_２Ｔｅ粒子面積の９０％以上とした事によって、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子がマトリックスから剥がれたり脱落したりして起こる接点表面が荒れたり材料消耗が進展したりするのを軽減し、接触抵抗値が増大したり接触抵抗値のバラツキ幅が増大したりする現象を抑制する。全Ｃｕ_２Ｔｅ粒子面積の９０％未満では、上記した効果が得られにくい。

Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の辺ａの長さが、５００μｍを越える場合には、マトリックスからのＣ
ｕ_２Ｔｅ粒子の脱落が増えたり、接触抵抗値のバラツキ幅が大となったりする。２．５μ
ｍ未満の場合には、やはりＣｕ_２Ｔｅ粒子のマトリックスからの脱落が増える。なおＣｕ
_２Ｔｅ粒子の短い辺をａ、長い辺をｂ（ａ＜ｂ）とする。

Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の辺ｂの長さが、１０００μｍを越える場合には、開閉又は遮断時の衝
撃で折損し易く、折損が発生したと同時に折損部の一部はマトリックスからの脱落につな
がる。しかも辺ｂの長さが１０００μｍを越えても、製造技術の高度化が要求されるのみ
で遮断器としての機能上への利益例えば耐溶着性、接触抵抗特性の向上への寄与がない。
１０μｍ未満の場合には、やはりＣｕ_２Ｔｅ粒子のマトリックスからの脱落が増える。

更に、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の１つの辺ａの長さと他の辺ｂの長さとの比率（ｂ／ａ）が、２
〜４００である事が好ましい。

比率（ｂ／ａ）が４００を越える場合には、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子が遮断時などに外力を受け
た場合、１つの粒子の一部が切り離れたり、折れたりする。その際に切り離れたり、折れ
たりした粒子の一部がマトリックスから脱落して、耐消耗性の不安定化が見られる。

一方、比率（ｂ／ａ）が２．０未満の場合には、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子とマトリックスとが接
触している接触面積が小さく、その結果マトリックスがＣｕ_２Ｔｅ粒子を拘束している力
が小さく、同様に耐消耗性の不安定化が見られる。

Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の辺ａの長さ、辺ｂの長さを上記の好ましい範囲としたとしても、Ｃｕ
_２Ｔｅ粒子の量が０．００１％未満では、耐消耗特性の改善が見られない。１０％を越え
る場合では、耐消耗特性の低下が著しい。従って本発明技術は、Ｃｕ−０．００１〜１０
％Ｃｕ_２Ｔｅ系接点に適用した時にその効果を発揮する。

本発明の第２の実施形態は、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子が０．００１〜１０質量％で、０．０００１〜５質量％のＢを含有し、残部がＣｕからなるＣｕ−Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ系接点で構成され、
１つの辺ａの長さが２．５〜５００μｍ、１つの辺ａにほぼ直角の他の辺ｂの長さが１０〜１０００μｍであり、かつ１つの辺ａの長さと他の辺の長さｂとの比率（ｂ／ａ）が２〜４００である形状と大きさのＣｕ_２Ｔｅ粒子が、通電面に平行な面における全Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の面積の９０％以上を占める事を特徴とする真空バルブ用接点である。

すなわち、前記Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ系接点を用いた第１の実施形態と同様の傾向がＣｕ−
Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ接点を用いた第２の実施形態に於いても得られる。なお、Ｂを含有したこ
とにより、脱酸素を促進する効果がある。

本発明の第３の実施形態は、第１の実施形態の真空バルブ用接点において、通電面に平
行な面における前記形状と大きさのＣｕ_２Ｔｅ粒子の面積の５０％以上を占めるＣｕ_２Ｔ
ｅ粒子が、合金中に互いにほぼ平行に配列されている事を特徴とする真空バルブ用接点で
ある。

すなわち本発明は、複数のＣｕ_２Ｔｅ粒子が若し接触しながら交差した状態でマトリッ
クス内に存在していると、接触し交差した部分は遮断時などで受ける外力によって容易に
脱落する傾向を示し、耐消耗特性の低下が見られる。これに対して、複数のＣｕ_２Ｔｅ粒
子が接触しないほぼ平行に配列された状態では、安定した耐消耗特性が発揮される。この
ほぼ平行に配列された状態のＣｕ_２Ｔｅ粒子面積が、通電面に平行な面（なお、通電面に
平行な面には、通電面自身も含まれる。）における前記形状と大きさのＣｕ_２Ｔｅ粒子面
積の５０％以上とした事によって、安定した耐消耗特性が発揮される。５０％未満では、
上述のように、耐消耗特性が低下する。

本発明の第４の実施形態は、第２の実施形態の真空バルブ用接点において、通電面に平
行な面における前記形状と大きさのＣｕ_２Ｔｅ粒子の面積の５０％以上を占めるＣｕ_２Ｔ
ｅ粒子が、合金中に互いにほぼ平行に配列されている事を特徴とする真空バルブ用接点で
ある。

すなわち、前記Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ系接点を用いた第２の実施形態と同様の傾向がＣｕ−
Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ接点を用いた第４の実施形態に於いても得られる。

本発明の第５の実施形態は、対向する一対の接点のうち少なくとも一方の接点として、
第１〜第４の実施形態のいずれかに記載の真空バルブ用接点を用いた事を特徴とする真空
バルブである。

すなわち、真空遮断器に使用される真空バルブの対向する一対の接点の双方に、上述の
ような第１〜第４の実施形態のいずれかの真空バルブ用接点を用いることができる。また
対向する一対の接点の一方に、上述のような第１〜第４の実施形態のいずれかの真空バル
ブ用接点を用い、他方の接点は、他方を実質的にＣｕ、Ｃｕ合金からなる接点としたり、
他の所定の合金からなる接点としたりすることもでき、このような組み合わせであっても
、耐消耗性と接触抵抗特性の安定化を図ることができる。

以上説明したように、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ系接点、Ｃｕ−Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ接点を構成して
いるＣｕ_２Ｔｅ粒子の存在形態を、１つの辺ａの長さが２．５〜５００μｍ、この辺ａに
ほぼ直角の他の辺ｂの長さが１０〜１０００μｍの形状と大きさとし、かつ１つの辺ａの
長さと他の辺の長さｂとの比率（ｂ／ａ）を２〜４００としたＣｕ_２Ｔｅ粒子が、通電面
に平行な面における全Ｃｕ_２Ｔｅ粒子面積の９０％以上とし、補助技術として、通電面に
平行な面における上記形状と大きさのＣｕ_２Ｔｅ粒子面積の５０％以上のＣｕ_２Ｔｅ粒子
を合金中に互いにほぼ平行に配列する事によって、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子のマトリックスからの
離脱を軽減化して、接点消耗の少ない接触抵抗特性の安定した真空遮断器に使用される真
空バルブ用の接点とする。これにより、材料消耗の進展するのを軽減し、接点表面の荒れ
を軽減し、接触抵抗値を増大させたり接触抵抗値のバラツキ幅を増大させたりする現象を
抑制することができる。

次に、図１を参照して、本発明の実施形態に係る真空バルブ用接点を製造する方法につ
いて説明する。

所定比率のＣｕ_２Ｔｅ（ＣｕＴｅ）とＣｕ（必要に応じてＢも）を秤量して、それを例
えばＭｇＯルツボに入れ、真空中で、１１５０℃で３０分間加熱して溶解し、インゴット
１を作る（工程１）。

インゴット１の側周面の表面汚れや傷、亀裂等をとるために、側周面の表面を除去する
（剥がす）（工程２）。

表面を除去した後の新たな表面の亀裂の有無をチェックする（工程３）。

亀裂があったときは、工程２に戻り、さらに表面を除去する。

表面に亀裂のないインゴット１の側周面を、加圧機で加圧する。即ち、断面収縮率が５
〜１０％となるような加圧力を与える。必要に応じて、インゴット１を３０°回転させた
位置で、同様に加圧する。これを数回繰り返してもよい（工程４）。

工程４で得た細長い円柱状のインゴット２に、側周面の一方向から加圧力を与えて扁平
な形状に加工し、板状の接点素材３を得る（工程５）。

この板状の接点素材３から、円板状の接点４を切り出す（工程６）。

以下、図２および図３を参照して、本発明の実施例および比較例について説明する。

（接触抵抗の測定）
まず、実施例および比較例を評価するための接触抵抗の測定について説明する。

各接点素材から直径４２ｍｍ、厚さ３ｍｍの１対の接点を製作する。これを真空バルブ
に組込みこれらを対向させ、両接点間に１５０Ｎの接触荷重を与え、測定電流１０Ａで接
触抵抗を測定した。参考に測定した真空バルブを支持する支持部品や電極とで構成される
導体抵抗の合計値は５０μΩであったので、図３では、この５０μΩを差し引いた値をも
って接触抵抗値とした。測定値は５台の真空バルブの最大値と最小値を示した。

（耐消耗特性）
次に、耐消耗特性について説明する。

各接点素材から直径１０ｍｍ、厚さ３ｍｍの１対のネジ込み式の接点を作成し真空バル
ブに組込み、これらを対向させ両接点間に１０Ｎの接触荷重を与え、電流１００Ａで通電
させ３０，０００回開閉後、真空バルブから取り外し、開閉前後の重量の変化を材料消耗
量として測定した。５対の接点の測定値の最大値と最小値を示した。

（実施例１〜５、比較例１〜２）
Ｂを０．００１％含有したＣｕ−２．５％Ｃｕ_２Ｔｅ合金中のＣｕ_２Ｔｅ粒子の１つの
辺ａの長さをほぼ２．５〜５μｍに一定とした場合の、所定条件での耐消耗性と接触抵抗
特性に及ぼす辺ｂ（辺ａにほぼ直角）の長さの影響を確認した。

辺ｂの長さが１０００μｍを越えた２５００μｍの場合（比較例２）では、電流開閉あ
るいは遮断時の衝撃でＣｕ_２Ｔｅ粒子が折損しマトリックスから脱落している状況が観察
される。それに伴い３０，０００回開閉後の材料消耗が大きい。また消耗による表面荒れ
は接触抵抗値のバラツキ幅の増大を招き真空バルブ用接点として好ましくない。

これに対して、辺ｂの長さが１０００μｍ以下の場合では、評価後も安定した表面状態
を得て良好な耐消耗性と接触抵抗特性を示す（実施例１〜４）。

なお、辺ａの長さが１μｍ以下の場合（比較例１）では、接触抵抗特性は問題ないが耐
消耗性が劣り好ましくない。

従って、辺ｂの長さは１０μｍ〜１０００μｍの範囲が耐消耗性と接触抵抗特性の安定
化に対して良好である。

前記実施例１〜４では、Ｂを０．００１％含有するＣｕ−２．５％Ｃｕ_２Ｔｅ合金につ
いて、合金中のＣｕ_２Ｔｅ粒子の１つの辺ａの長さをほぼ２．５〜５μｍに一定とした場
合の、所定条件での耐消耗性と接触抵抗特性に及ぼす辺ｂ（辺ａにほぼ直角）の長さの影
響を確認したが、ＢのないＣｕ−２．５％Ｃｕ_２Ｔｅ合金であっても同様の効果を得た（
実施例５）。

各条件の辺ａとｂを持つ合金は、１１００〜１２００℃を選択し真空溶解してインゴッ
トを得て、加圧機械、圧延機械、鍛造機械を単独あるいは適宜組み合わせかつ外力を選択
し、所定の試験片を６００℃程度で加工し接点とした後、所定条件を持つＣｕ_２Ｔｅ粒子
の辺ａと辺ｂの長さの試料を顕微鏡組織観察によって選出した。

（実施例６〜８、比較例３〜４）
前記実施例では、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の１つの辺ａの長さをほぼ２．５〜５μｍに一定とし
た場合について、効果を示したが、本発明での辺ａの長さは、２．５〜５μｍに限ること
なくその効果を発揮する。

すなわち辺ａの長さが、８、１００、５００μｍの場合に於いて、良好な耐消耗性と接
触抵抗特性を示す（実施例６〜８）。これに対して、同じ５００μｍの場合でも、辺ｂが
３０００μｍの場合では、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の折損があり耐耐消耗性が好ましくない（比較
例３）。辺ａの長さが、２０００μｍの場合では，マトリックスからのＣｕ_２Ｔｅ粒子の
脱落が著しく耐消耗性が好ましくない（比較例４）。

従って、辺ａの長さは２．５μｍ〜５００μｍの範囲が耐消耗性と接触抵抗特性の安定
化に対して良好である。

以上の実施例１〜８、比較例１〜４の結果から、辺ａの長さが２．５μｍ〜５００μｍ
、辺ｂの長さが１０μｍ〜１０００μｍの範囲で、かつ辺ａと辺ｂの比率ｂ／ａが２〜４
００であることが好ましい。

（実施例９〜１１、比較例５〜６）
上記実施例１〜８および比較例１〜４では、Ｃｕ_２Ｔｅ量を２．５％含有させた場合の
Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の辺ａ、ｂ値の耐消耗性と接触抵抗特性に及ぼす影響を示したが、本発明
技術で使用するＣｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金中のＣｕ_２Ｔｅ量は２．５％以外でも効果を発揮す
る。

すなわち、Ｃｕ_２Ｔｅ量が０．００１％、０．１％、１０％であっても、Ｃｕ_２Ｔｅ粒
子の辺ａ、ｂ値が前記所定値範囲であれば良好な耐消耗性と接触抵抗特性を示す（実施例
９〜１１）。しかし、Ｃｕ_２Ｔｅ量を１５％含有させＣｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金に対して、Ｃ
ｕ_２Ｔｅ粒子の辺ａ、ｂ値を所定値に調整しても、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金自体の脆化によ
って、真空バルブとしての基本的三要件を満たさず好ましくない（比較例６）。一方参考
として示したＣｕ_２Ｔｅ量がゼロの場合では、耐溶着性が極端に劣り真空バルブとしての
基本的三要件を満たしていない（比較例５）。

従って、Ｃｕ_２Ｔｅ量が０．００１〜１０％の範囲のＣｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金に対して、
辺ａの長さは２．５μｍ〜５００μｍの範囲に調整する時、良好な耐消耗性と接触抵抗特
性を示す（実施例９〜１１）。

（実施例１２〜１７）
前記実施例１〜１１では、Ｂ量を０．００１％含有させたＣｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金に対し
て、Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の辺ａ、ｂ値の耐消耗性と接触抵抗特性に及ぼす影響を示したが、本
発明技術で使用するＣｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金中のＢ量は０．００１％に限る事なく効果を発
揮する。

すなわちＢ量を０．０００１％、０．０１％、０．１％、１％、５％とした場合に於い
て、良好な耐消耗性と接触抵抗特性を示す（実施例１３〜１７）。

前記実施例１〜４、実施例６〜１１、実施例１３〜１７では、Ｂが所定量存在したＣｕ
−Ｃｕ_２Ｔｅ合金について、合金中のＣｕ_２Ｔｅ粒子の１つの辺ａの長さをほぼ２．５〜
５μｍに一定とした場合（または辺ａの長さを８、１００、５００とした場合）の、耐消
耗性と接触抵抗特性に及ぼす辺ｂ（辺ａにほぼ直角）の長さの影響を確認したが、Ｂのな
いＣｕ−１．０％Ｃｕ_２Ｔｅ合金であっても同様の効果を得た（実施例１２）。

従って、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金、Ｃｕ−Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金に対しても辺ａの長さは２
．５μｍ〜５００μｍの範囲が耐消耗性と接触抵抗特性の安定化に対して良好である。

（実施例１８、比較例８）
前記実施例１〜１６では、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金、Ｃｕ−Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金中の通
電面（対向する接点との接触面）に平行な面における各Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の配列状況として
、５０面積％以上を並列とした場合の効果を示したが、本発明技術で使用するＣｕ−Ｃｕ
_２Ｔｅ合金中のＣｕ_２Ｔｅ粒子、Ｃｕ−Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金中の各Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の配列
状況が９５〜１００％でも同様の効果を発揮する（実施例１８）。５０面積％以上あるい
は９５〜１００面積％を並列としたＣｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金、Ｃｕ−Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金は
、金属顕微鏡による観察によって選別した。一方、この配列の平行部分が５０％未満とし
た場合には耐消耗性の低下が大きく好ましくない（比較例８）。これも、同様に金属顕微
鏡による観察によって選別した。

従って、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金、Ｃｕ−Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金中の通電面に平行な面にお
ける各Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の配列状況として５０面積％以上とした場合に耐消耗性と接触抵抗
特性の安定化が良好である。

（変形例１）
前記実施例１〜１８では、対向する１対の接点として、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金またはＣ
ｕ−Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金同士を組み合わせ、耐消耗性と接触抵抗特性の安定化を確認した
。

これに限らず、接点の一方をＣｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金またはＣｕ−Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金と
し、他方をＣｕ、Ｃｕ合金とした組み合わせであっても耐消耗性と接触抵抗特性の安定化
を確認した。

（変形例２）
前記実施例１〜１８では、対向する１対の接点として、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金またはＣ
ｕ−Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金同士を組み合わせ、耐消耗性と接触抵抗特性の安定化を確認した
。

これに限らず、接点の一方をＣｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金またはＣｕ−Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ合金と
し、他方を１５〜６０％のＣｒを含むＣｕ−Ｃｒ合金、他方を２０〜８０％のＷを含むＣ
ｕ−Ｗ合金、他方を２０〜８０％のＷと０．０５〜１％のＳｂを含むＣｕ−Ｗ−Ｓｂ合金
、他方を３０〜６０％のＷＣを含むＣｕ−ＷＣ合金、他方を３０〜６０％のＭｏ_２Ｃを含
むＣｕ−Ｍｏ_２Ｃ合金、他方を３０〜６０％のＴｉＣを含むＣｕ−ＴｉＣ合金、他方を３
０〜６０％のＷＣを含むＡｇ−ＷＣ合金とした組み合わせであっても耐消耗性と接触抵抗
特性の安定化を確認した。

本発明の実施形態に係る真空バルブ用接点を製造する方法を説明するための図。本発明の各実施例および比較例の評価条件を示す表図。本発明の各実施例および比較例の評価結果を示す表図。

符号の説明

１、２…インゴット
３…接点素材
４…円板状の接点

Claims

Ｃｕ_２Ｔｅ粒子が０．００１〜１０質量％で、残部がＣｕからなるＣｕ−Ｃｕ_２Ｔｅ系接点で構成され、
１つの辺ａの長さが２．５〜５００μｍ、前記１つの辺ａに直角の他の辺ｂの長さが１０〜１０００μｍであり、かつ前記１つの辺ａの長さと前記他の辺ｂの長さとの比率（ｂ／ａ）が２〜４００である形状と大きさのＣｕ_２Ｔｅ粒子が、通電面に平行な面における全Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の面積の９０％以上を占める事を特徴とする真空バルブ用接点。
Ｃｕ_２Ｔｅ粒子が０．００１〜１０質量％で、０．０００１〜５質量％のＢを含有し、残部がＣｕからなるＣｕ−Ｂ−Ｃｕ_２Ｔｅ系接点で構成され、
１つの辺ａの長さが２．５〜５００μｍ、前記１つの辺ａに直角の他の辺ｂの長さが１０〜１０００μｍであり、かつ前記１つの辺ａの長さと前記他の辺の長さｂとの比率（ｂ／ａ）が２〜４００である形状と大きさのＣｕ_２Ｔｅ粒子が、通電面に平行な面における全Ｃｕ_２Ｔｅ粒子の面積の９０％以上を占める事を特徴とする真空バルブ用接点。
通電面に平行な面における前記形状と大きさのＣｕ_２Ｔｅ粒子の面積の５０％以上を占めるＣｕ_２Ｔｅ粒子が、合金中に互いに平行に配列されている事を特徴とする請求項１に記載の真空バルブ用接点。
通電面に平行な面における前記形状と大きさのＣｕ_２Ｔｅ粒子の面積の５０％以上を占めるＣｕ_２Ｔｅ粒子が、合金中に互いに平行に配列されている事を特徴とする請求項２に記載の真空バルブ用接点。