JP4601295B2 - コンタクト開口の製造を監視して検査する方法 - Google Patents
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Description
製造検査のための方法であって、
半導体基板と、該基板を覆って形成された非導電層とを備えるウェーハを受け取るステップであって、それに続いて、該非導電層を貫通して該基板に達するコンタクト開口をエッチングし、該コンタクト開口が、該ウェーハ上の検査領域内の予め画定されたテストパターン内に配列されたコンタクト開口から構成される配列を備える、上記ステップと、
上記検査領域を照射する為に電子ビームを向けるステップと、
該電子ビームに反応して上記基板を流れる試料電流を測定するステップと、
上記コンタクト開口の寸法を評価するために上記試料電流を分析することとを含む、方法が提供される。
マイクロ電子デバイスを製造する方法であって、
ウェーハ上の非導電層を貫通して、それを覆って該非導電層が形成されている半導体基板に達するコンタクト開口をエッチングするステップであって、該コンタクト開口が、該ウェーハ上の検査領域内の予め画定されたテストパターン内に配列されたコンタクト開口から構成される配列を含んでいる上記ステップと、
電子ビームを向けて該検査領域を照射するステップと、
該電子ビームに反応して上記基板を流れる試料電流を測定するステップと、
上記コンタクト開口の寸法を評価するために、上記試料電流を分析するステップと、を含む、方法が提供される。
非導電層を貫通して半導体基板に達するコンタクト開口のエッチング後の、該半導体基板と、該基板を覆って形成された非導電層とを含むウェーハの製造検査のための装置であって、
電子ビームを向けて、予め画定されたテストパターン内に配列されたコンタクト開口から構成される配列を含むウェーハ上の検査領域を照射するように適合されている電子ビーム源と、
上記電子ビームに反応して、上記基板を流れる試料電流を測定するために結合された電流測定装置と、
測定された試料電流に応答して上記コンタクト開口の寸法を評価するように適合されているコントローラとを備える装置が追加的に提供される。
半導体基板と、
該基板を覆って形成され、且つ非導電層を貫通し上記基板に達してエッチングされる複数のコンタクト開口を有する非導電層であって、該コンタクト開口が、ウェーハの検査領域内に予め画定されたテストパターン内に配列されたコンタクト開口から構成される配列を含む非導電層とを含む半導体ウェーハが提供される。
マイクロ電子デバイスを製造するためのクラスタツールであって、
非導電層を貫通して半導体基板に達するコンタクト開口を製造するために、該半導体基板と、該基板を覆って形成された非導電層とを含むウェーハをエッチングするように適合されているエッチングステーションであって、該コンタクト開口が、該ウェーハの予め画定された検査領域内の予め画定されたテストパターン内に配列されたコンタクト開口から構成される配列を含む、エッチングステーションと、
電子ビームを向けて上記ウェーハ上の検査領域を照射するように適合されている電子ビーム源と、該電子ビームに反応して上記基板に流れる試料電流を測定するために結合された電流測定装置とを備える検査ステーションと、
測定した試料電流に基づいて、上記コンタクト開口の寸法を評価し、且つ該評価した寸法に応答して、エッチングツールの動作パラメータを調整するように適合されているコントローラとを備える、クラスタツールが提供される。
Claims (17)
- 製造検査のための方法であって、
半導体基板と、該基板を覆って形成された非導電層と、該非導電層を覆うフォトレジスト層とを備えるウェーハを受け取るステップであって、それに続いて、該非導電層を貫通して該基板に達するコンタクト開口をエッチングし、該フォトレジスト層が該コンタクト開口をエッチングする際に使用されており、該コンタクト開口が、該ウェーハ上の検査領域内の予め定められたテストパターン内に配列されたコンタクト開口から構成される配列を備える前記ステップと、
前記検査領域を照射する為に電子ビームを前記ウェーハに向けるステップと、
前記フォトレジスト層を除去する前に、該電子ビームに反応して前記基板を流れる試料電流を測定するステップと、
前記コンタクト開口の寸法を評価するために前記試料電流を分析するステップと
を含む、方法。 - 前記コンタクト開口が、コンタクトホールを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記コンタクト開口が、トレンチを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記テストパターンが、少なくとも10×10μmのサイズである、請求項1に記載の方法。
- 前記テストパターンが、少なくとも100個のコンタクト開口を備える、請求項4に記載の方法。
- 前記電子ビームを前記ウェーハに向けることが、該ビームを、前記テストパターンのサイズに等しい領域に収束させることを含む、請求項4に記載の方法。
- 前記試料電流が、前記コンタクト開口の寸法が所定の限界以下であることを示す場合、該寸法を増すために、前記フォトレジスト層を用いて前記非導電層を更にエッチングする工程を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ウェーハは、その上に多数のマイクロ電子回路を含んでおり、該回路が、スクライブ線によって分離されており、前記検査領域が、該スクライブ線のうちの1つの上に配置されている、請求項1に記載の方法。
- 前記検査領域が、前記ウェーハ上の異なる位置にある複数のそのような検査領域のうちの1つであり、前記電子ビームを前記ウェーハに向けることが、前記検査領域の少なくとも2つの各々も照射するように、該電子ビームと該ウェーハのうちの少なくとも一方を位置決めすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記電子ビームを前記ウェーハに向けるステップが、前記検査領域をプリチャージするように、プリチャージ期間中に前記電子ビームを作動させる工程と、その後、該プリチャージ期間に続いて、検査期間中に前記電子ビームを作動させると共に、前記試料電流を測定する工程とを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プリチャージ期間中に前記電子ビームを作動させる工程が、負の電荷を前記検査領域の表面に与えることを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記検査期間中に前記電子ビームを作動させる工程が、前記基板の正の荷電領域に前記電子ビームのエネルギを設定することを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記試料電流を測定するステップが、前記検査領域に隣接して前記ウェーハに固定された導電性接触パッドを接触させる工程と、該接触パッドを流れる電流を測定する工程と、を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記電子ビームを前記ウェーハに向けるステップが、前記電子ビームをパルス化すると共に、前記検査領域を照射する工程を含み、前記試料電流を測定するステップが、前記ウェーハに対する容量性結合によって該電流を測定する工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記試料電流を分析するステップが、前記コンタクト開口の深さ及び幅のうちの少なくとも一方を評価する工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記電子ビームに反応して前記基板から射出された二次電子電流を測定するステップと、該二次電子電流を前記試料電流と共に分析するステップとを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記試料電流を分析するステップが、前記コンタクト開口内の残留物を検出することを備え、また該残留物を除去するために前記電子ビームを前記ウェーハに照射するステップを含む、請求項1に記載の方法。
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