JPH09321114A - 半導体素子製造方法 - Google Patents
半導体素子製造方法Info
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- JPH09321114A JPH09321114A JP8129580A JP12958096A JPH09321114A JP H09321114 A JPH09321114 A JP H09321114A JP 8129580 A JP8129580 A JP 8129580A JP 12958096 A JP12958096 A JP 12958096A JP H09321114 A JPH09321114 A JP H09321114A
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】不良工程を効率良く見い出したり、不良の原因
になる工程の的確なメンテナンス時期を推定でき、不良
素子の製造を最小限におさえるためのモニタ方法を提供
する。 【解決手段】ウエハ上の製品となる領域以外の場所にモ
ニタ用テストパタンを配置し、製造工程の後にテストパ
タン上にＸ線、又は荷電粒子線を走査し、その時に生じ
るＸ線，二次イオン，二次電子，反射電子、または吸収
電子を測定し、これらの強度のラインプロファイルや面
内分布、またはこれらのエネルギ分布を求める。
になる工程の的確なメンテナンス時期を推定でき、不良
素子の製造を最小限におさえるためのモニタ方法を提供
する。 【解決手段】ウエハ上の製品となる領域以外の場所にモ
ニタ用テストパタンを配置し、製造工程の後にテストパ
タン上にＸ線、又は荷電粒子線を走査し、その時に生じ
るＸ線，二次イオン，二次電子，反射電子、または吸収
電子を測定し、これらの強度のラインプロファイルや面
内分布、またはこれらのエネルギ分布を求める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子製造工程
で半導体素子の動作不良の原因となる不良工程を、製造
工程の進行と同時にモニタし、多くの不良素子を製造す
る以前に不良工程を検出するに好適な半導体素子製造方
法に関する。
で半導体素子の動作不良の原因となる不良工程を、製造
工程の進行と同時にモニタし、多くの不良素子を製造す
る以前に不良工程を検出するに好適な半導体素子製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高機能化のために、
用いられる素子構造の薄膜化，微細化が著しく進み、半
導体素子製造技術の限界レベルでの加工が行われてい
る。そのため、わずかな加工不良が素子特性の劣化や動
作不良につながり、半導体素子製造工程で不良素子を製
造する比率が増大しやすい状況となっている。これを防
ぐために、多くの不良素子を製造する前に不良工程の発
生をモニタしたいという要求が増えている。
用いられる素子構造の薄膜化，微細化が著しく進み、半
導体素子製造技術の限界レベルでの加工が行われてい
る。そのため、わずかな加工不良が素子特性の劣化や動
作不良につながり、半導体素子製造工程で不良素子を製
造する比率が増大しやすい状況となっている。これを防
ぐために、多くの不良素子を製造する前に不良工程の発
生をモニタしたいという要求が増えている。
【０００３】これに対して、現状では多くの場合、不良
素子を製造してしまった後にその不良素子を様々な方法
で分析し、不良の原因を調べている。その間、不良の原
因と推測される工程は停止するか、または多くの不良素
子を製造し続けることになり、素子の製造歩留りを低下
させる。
素子を製造してしまった後にその不良素子を様々な方法
で分析し、不良の原因を調べている。その間、不良の原
因と推測される工程は停止するか、または多くの不良素
子を製造し続けることになり、素子の製造歩留りを低下
させる。
【０００４】また、露光条件を決定するためにテストパ
タンを用いる方法はすでに検討されているが（特開平2
−157844号，特開平6−302492号公報）、これらはテス
トパタンを用いて最適な露光条件を決定するためのみに
使っており、製造工程のモニタとしてテストパタンを用
いているものではない。また、電気的特性を評価するた
めのテストパタン（ＴＥＧ）も半導体素子製造工程で用
いられているが、このパタンは素子の電気的特性につい
ての情報のみを与えるもので、素子構造そのものの情報
は含んでおらず、製造工程の直接的なモニタは行えな
い。
タンを用いる方法はすでに検討されているが（特開平2
−157844号，特開平6−302492号公報）、これらはテス
トパタンを用いて最適な露光条件を決定するためのみに
使っており、製造工程のモニタとしてテストパタンを用
いているものではない。また、電気的特性を評価するた
めのテストパタン（ＴＥＧ）も半導体素子製造工程で用
いられているが、このパタンは素子の電気的特性につい
ての情報のみを与えるもので、素子構造そのものの情報
は含んでおらず、製造工程の直接的なモニタは行えな
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来技術
では、半導体素子製造工程の進行と同時に不良工程を検
出する手段はなかった。しかし、量産工程では不良工程
を効率良く見い出し、不良素子の製造を最小限に食い止
めることが必要である。さらに、半導体素子製造装置内
に動作時間とともに蓄積する汚れや異物のために、その
工程が近い将来不良素子製造の原因になることを予測
し、的確なメンテナンス時期を決定することも必要であ
る。
では、半導体素子製造工程の進行と同時に不良工程を検
出する手段はなかった。しかし、量産工程では不良工程
を効率良く見い出し、不良素子の製造を最小限に食い止
めることが必要である。さらに、半導体素子製造装置内
に動作時間とともに蓄積する汚れや異物のために、その
工程が近い将来不良素子製造の原因になることを予測
し、的確なメンテナンス時期を決定することも必要であ
る。
【０００６】本発明の目的は、半導体素子製造工程の進
行に合わせてウエハ表面をテストパタンによりモニタ
し、単なる異物の有無だけでなく、酸化等の表面状態の
変化や異物の組織などを特定でき、不良素子の製造を最
小限に食い止める製造方法を提供することである。
行に合わせてウエハ表面をテストパタンによりモニタ
し、単なる異物の有無だけでなく、酸化等の表面状態の
変化や異物の組織などを特定でき、不良素子の製造を最
小限に食い止める製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明では、半導体素子
を製造する工程で、ウエハ上の製品となる領域以外の場
所にモニタ用テストパタンを配置し、製造工程の後に前
記テストパタン上にＸ線、又は荷電粒子線を走査し、そ
の時に生じるＸ線，二次イオン，二次電子，反射電子、
または吸収電子を測定し、これらの強度のラインプロフ
ァイルや面内分布、またはこれらのエネルギ分析結果よ
り前記テストパタン表面の構造または構成する元素を特
定する。これによりチップで起きている現象を把握でき
る。これらの結果より、その製造工程が素子の動作不良
を引き起こさないかを製造工程の進行と同時にモニタで
きる。
を製造する工程で、ウエハ上の製品となる領域以外の場
所にモニタ用テストパタンを配置し、製造工程の後に前
記テストパタン上にＸ線、又は荷電粒子線を走査し、そ
の時に生じるＸ線，二次イオン，二次電子，反射電子、
または吸収電子を測定し、これらの強度のラインプロフ
ァイルや面内分布、またはこれらのエネルギ分析結果よ
り前記テストパタン表面の構造または構成する元素を特
定する。これによりチップで起きている現象を把握でき
る。これらの結果より、その製造工程が素子の動作不良
を引き起こさないかを製造工程の進行と同時にモニタで
きる。
【０００８】
＜第１実施例＞本実施例はドライエッチング不良を検出
するものである。図１のフローチャートに示したよう
に、ウエハ上の製品となる領域外にモニタ用テストパタ
ンをウエハ内に均一な面密度で配置する。このテストパ
タンには製品に用いたパタンのうち、最も微細な構造を
持つものを転用する。半導体素子製造工程を進め、ドラ
イエッチング，レジスト除去の後、テストパタン上に細
く絞った電子線を走査する。
するものである。図１のフローチャートに示したよう
に、ウエハ上の製品となる領域外にモニタ用テストパタ
ンをウエハ内に均一な面密度で配置する。このテストパ
タンには製品に用いたパタンのうち、最も微細な構造を
持つものを転用する。半導体素子製造工程を進め、ドラ
イエッチング，レジスト除去の後、テストパタン上に細
く絞った電子線を走査する。
【０００９】電子線は図２に示すように、製品となる領
域には照射しないようにし、テストパタン表面から放出
される二次電子を検出し、その強度変化のパタン上の位
置依存性を調べる。一方、精度良く加工された同一パタ
ン上からの二次電子強度をあらかじめ実験的に、または
シミュレーションで求めておき、参照プロファイルとし
て記録しておく。表１に示すように、この参照プロファ
イルと実際の製品ウエハ上のテストパタンの二次電子強
度プロファイルとを両者の比を用いて比較する。
域には照射しないようにし、テストパタン表面から放出
される二次電子を検出し、その強度変化のパタン上の位
置依存性を調べる。一方、精度良く加工された同一パタ
ン上からの二次電子強度をあらかじめ実験的に、または
シミュレーションで求めておき、参照プロファイルとし
て記録しておく。表１に示すように、この参照プロファ
イルと実際の製品ウエハ上のテストパタンの二次電子強
度プロファイルとを両者の比を用いて比較する。
【００１０】
【表１】
【００１１】両者のずれはドライエッチグ残さにより起
こるものであり、このずれがある一定値を超えた場合に
は製品用のパタン上でも同様のドライエッチング不良が
存在すると推定されるため、ドライエッチング工程のメ
ンテナンス等の対策を施す。
こるものであり、このずれがある一定値を超えた場合に
は製品用のパタン上でも同様のドライエッチング不良が
存在すると推定されるため、ドライエッチング工程のメ
ンテナンス等の対策を施す。
【００１２】また、図３に示すように、ドライエッチン
グ残さに電子線を照射し、残さから発生する特性Ｘ線を
Ｘ線検出器によりエネルギ分析し、エッチング残さの構
成元素を明らかにすることによりドライエッチング不良
の原因を解明する。さらに、ドライエッチング不良発生
のウエハ面内分布を調べることにより、エッチングガス
の流れや電極の影響を明らかにする。
グ残さに電子線を照射し、残さから発生する特性Ｘ線を
Ｘ線検出器によりエネルギ分析し、エッチング残さの構
成元素を明らかにすることによりドライエッチング不良
の原因を解明する。さらに、ドライエッチング不良発生
のウエハ面内分布を調べることにより、エッチングガス
の流れや電極の影響を明らかにする。
【００１３】＜第２実施例＞本実施例はスピン乾燥工程
後のウエハ表面のウオータマークを検出するものであ
る。図４に示したように、ウエハ上の製品となる領域外
にモニタ用のテストパタンを放射状に配置する。乾燥工
程後、モニタ用テストパタン上に細く絞った電子線を走
査する。表２に示すようにウオータマークが存在する場
合には表面からの二次電子放出効率が増大するため、ウ
オータマークがない場合に比べて二次電子強度が増え
る。
後のウエハ表面のウオータマークを検出するものであ
る。図４に示したように、ウエハ上の製品となる領域外
にモニタ用のテストパタンを放射状に配置する。乾燥工
程後、モニタ用テストパタン上に細く絞った電子線を走
査する。表２に示すようにウオータマークが存在する場
合には表面からの二次電子放出効率が増大するため、ウ
オータマークがない場合に比べて二次電子強度が増え
る。
【００１４】
【表２】
【００１５】一方、ウオータマークがなく、精度良く加
工された同一パタン上からの二次電子強度をあらかじめ
実験的に、またはシミュレーションで求めておき、参照
プロファイルとして記録しておく。この参照プロファイ
ルと乾燥工程を経た実際の製品ウエハ上のテストパタン
の二次電子強度プロファイルとを両者の比により比較す
る。両者のずれはテストパタン上のウオータマークによ
るものであり、このずれがある一定値を超えた場合には
製品用のパタン上でも同様のウオータマークが存在する
と推定されるため、ウエハの再洗浄等の対策を施す。ま
た、ウエハ中心部でのウオータマーク発生率と周辺部で
の発生率との比較よりスピン乾燥条件の見直しを行う。
工された同一パタン上からの二次電子強度をあらかじめ
実験的に、またはシミュレーションで求めておき、参照
プロファイルとして記録しておく。この参照プロファイ
ルと乾燥工程を経た実際の製品ウエハ上のテストパタン
の二次電子強度プロファイルとを両者の比により比較す
る。両者のずれはテストパタン上のウオータマークによ
るものであり、このずれがある一定値を超えた場合には
製品用のパタン上でも同様のウオータマークが存在する
と推定されるため、ウエハの再洗浄等の対策を施す。ま
た、ウエハ中心部でのウオータマーク発生率と周辺部で
の発生率との比較よりスピン乾燥条件の見直しを行う。
【００１６】＜第３実施例＞本実施例はウエハ上の異物
を検出するものである。あらかじめウエハ上の製品とな
る領域外にモニタ用テストパタンを設け、半導体素子製
造工程を進める。異物検査時にはテストパタン上に細く
絞った電子線を走査し、テストパタン表面から放出され
る二次電子を検出する。さらに、異物による微弱な二次
電子プロファイルの変化を強調するために、その微分を
求める。表３に示すように、異物がない場合にはテスト
パタン端のみで二次電子プロファイルの微分値がピーク
を示すのに対して、異物がある場合には異物の位置に対
応したピークが現われる。このピークの数，半値幅より
異物数や異物の粒径を求める。
を検出するものである。あらかじめウエハ上の製品とな
る領域外にモニタ用テストパタンを設け、半導体素子製
造工程を進める。異物検査時にはテストパタン上に細く
絞った電子線を走査し、テストパタン表面から放出され
る二次電子を検出する。さらに、異物による微弱な二次
電子プロファイルの変化を強調するために、その微分を
求める。表３に示すように、異物がない場合にはテスト
パタン端のみで二次電子プロファイルの微分値がピーク
を示すのに対して、異物がある場合には異物の位置に対
応したピークが現われる。このピークの数，半値幅より
異物数や異物の粒径を求める。
【００１７】
【表３】
【００１８】また、図５に示すように、検出した異物に
電子線を照射したときに異物より発生する特性Ｘ線をＸ
線検出器によりエネルギ分析し、異物の構成元素を調
べ、異物の発生原因を明らかにする。
電子線を照射したときに異物より発生する特性Ｘ線をＸ
線検出器によりエネルギ分析し、異物の構成元素を調
べ、異物の発生原因を明らかにする。
【００１９】＜第４実施例＞本実施例はウエハ上の異物
の数をモニタし、その経時変化を製造装置メンテナンス
時期を判断するための情報として用いるものである。図
６に示すように、ウエハ上の異物数は経時変化する場合
がある。この主な原因として動作時間に伴い製造装置内
に蓄積される汚れがあげられる。異物数の経時変化をモ
ニタし、あるレベルに異物数が達したとき、装置メンテ
ナンスを行うことにより、異物による不良素子の製造を
未然に防ぎ、効果的にメンテナンスを施すことができ
る。
の数をモニタし、その経時変化を製造装置メンテナンス
時期を判断するための情報として用いるものである。図
６に示すように、ウエハ上の異物数は経時変化する場合
がある。この主な原因として動作時間に伴い製造装置内
に蓄積される汚れがあげられる。異物数の経時変化をモ
ニタし、あるレベルに異物数が達したとき、装置メンテ
ナンスを行うことにより、異物による不良素子の製造を
未然に防ぎ、効果的にメンテナンスを施すことができ
る。
【００２０】＜第５実施例＞図７に本発明によるモニタ
装置の一例を示す。ロード，アンロード室７０１にウエ
ハ装着後、室内を真空とし、ゲートバルブ７０２を開
け、ウエハを搬送系等によりモニタ室７０３に移動す
る。試料台７０４上のウエハ７０５について、電子銃７
０６および二次電子検出系７０７により上記実施例に示
したテストパタンの検査を行う。検査後は再びゲートバ
ルブを開け、測定済みウエハをロード，アンロード室に
移し、測定が完了する。
装置の一例を示す。ロード，アンロード室７０１にウエ
ハ装着後、室内を真空とし、ゲートバルブ７０２を開
け、ウエハを搬送系等によりモニタ室７０３に移動す
る。試料台７０４上のウエハ７０５について、電子銃７
０６および二次電子検出系７０７により上記実施例に示
したテストパタンの検査を行う。検査後は再びゲートバ
ルブを開け、測定済みウエハをロード，アンロード室に
移し、測定が完了する。
【００２１】＜第６実施例＞図８に本発明によるモニタ
機能を有したドライ洗浄装置の一例を示す。ドライ洗浄
装置８０１に本発明によるモニタ室８０２を組み合わせ
る。洗浄ガス８０３がキャビテイ８０４によりプラズマ
化され、あるいは、洗浄ガス８０３が紫外光源８０５に
より励起され、加熱試料台８０６上のウエハ８０７に導
入されることでドライ洗浄を行う。洗浄終了後、ゲート
バルブ８０８を開け、ウエハを搬送系等によりモニタ室
８０２に移動し、電子銃８０９および二次電子検出系８
１０によりテストパタンの検査を行う。洗浄が不十分で
あればドライ洗浄装置８０１にウエハを戻し、再び洗浄
を行う。
機能を有したドライ洗浄装置の一例を示す。ドライ洗浄
装置８０１に本発明によるモニタ室８０２を組み合わせ
る。洗浄ガス８０３がキャビテイ８０４によりプラズマ
化され、あるいは、洗浄ガス８０３が紫外光源８０５に
より励起され、加熱試料台８０６上のウエハ８０７に導
入されることでドライ洗浄を行う。洗浄終了後、ゲート
バルブ８０８を開け、ウエハを搬送系等によりモニタ室
８０２に移動し、電子銃８０９および二次電子検出系８
１０によりテストパタンの検査を行う。洗浄が不十分で
あればドライ洗浄装置８０１にウエハを戻し、再び洗浄
を行う。
【００２２】＜第７実施例＞図９に本発明によるモニタ
機能を有したドライエッチング装置の一例を示す。ドラ
イエッチング装置９０１に本発明によるモニタ室９０２
を組み合わせる。エッチングガス９０３をキャビテイ９
０４によりプラズマ化し、加熱試料台９０５上のウエハ
９０６に導入しドライエッチングを行う。ドライエッチ
ング完了後、ゲートバルブ９０７を開け、ウエハを搬送
系等によりモニタ室９０２に移動し、電子銃９０８およ
び二次電子検出系９０９によりテストパターンの検査を
行う。本発明の実施例１で述べた検査を行い、エッチン
グ工程の良否を判定する。エッチング不良があればドラ
イエッチング装置９０１にウエハを戻し、再びドライエ
ッチングを行う。
機能を有したドライエッチング装置の一例を示す。ドラ
イエッチング装置９０１に本発明によるモニタ室９０２
を組み合わせる。エッチングガス９０３をキャビテイ９
０４によりプラズマ化し、加熱試料台９０５上のウエハ
９０６に導入しドライエッチングを行う。ドライエッチ
ング完了後、ゲートバルブ９０７を開け、ウエハを搬送
系等によりモニタ室９０２に移動し、電子銃９０８およ
び二次電子検出系９０９によりテストパターンの検査を
行う。本発明の実施例１で述べた検査を行い、エッチン
グ工程の良否を判定する。エッチング不良があればドラ
イエッチング装置９０１にウエハを戻し、再びドライエ
ッチングを行う。
【００２３】＜第８実施例＞図１０に本発明によるモニ
タ機能を有したＣＶＤ装置の一例を示す。ＣＶＤ装置１
００１に本発明によるモニタ室１００２を組み合わせ
る。成膜用のガスが導入管１００３により装置内に導入
され、ウエハ１００４上に所望の成膜が行われる。成膜
終了後、ゲートバルブ１００５を開け、ウエハを自動搬
送系等によりモニタ室１００２に移動し、電子銃１００
６および二次電子検出系１００７によりテストパタンの
検査を行う。第４実施例に示した方法によりＣＶＤ装置
１００１のメンテナンス時期を判断する。
タ機能を有したＣＶＤ装置の一例を示す。ＣＶＤ装置１
００１に本発明によるモニタ室１００２を組み合わせ
る。成膜用のガスが導入管１００３により装置内に導入
され、ウエハ１００４上に所望の成膜が行われる。成膜
終了後、ゲートバルブ１００５を開け、ウエハを自動搬
送系等によりモニタ室１００２に移動し、電子銃１００
６および二次電子検出系１００７によりテストパタンの
検査を行う。第４実施例に示した方法によりＣＶＤ装置
１００１のメンテナンス時期を判断する。
【００２４】
【発明の効果】本発明による半導体素子製造方法は、製
造工程の進行と同時にウエハ表面の構造や異物をテスト
パタンによりモニタするため、不良素子の製造を最小限
に抑え、装置メンテナンスを効率良く行うことができ
る。
造工程の進行と同時にウエハ表面の構造や異物をテスト
パタンによりモニタするため、不良素子の製造を最小限
に抑え、装置メンテナンスを効率良く行うことができ
る。
【図１】本発明の一実施例であるエッチング残さの検出
方法を示すフローチャート。
方法を示すフローチャート。
【図２】本発明の一実施例であるエッチング残さの検出
時の電子線の走査方法を示す説明図。
時の電子線の走査方法を示す説明図。
【図３】本発明の一実施例であるエッチング残さの構成
元素の分析方法を示す説明図。
元素の分析方法を示す説明図。
【図４】本発明の一実施例であるスピン乾燥後のウオー
タマークの検出に適したテストパタンの配置を示す説明
図。
タマークの検出に適したテストパタンの配置を示す説明
図。
【図５】本発明の一実施例である異物の構成元素の分析
方法を示す説明図。
方法を示す説明図。
【図６】本発明の一実施例である異物数の経時変化より
最適な装置メンテナンス時期を決定する方法を示す説明
図。
最適な装置メンテナンス時期を決定する方法を示す説明
図。
【図７】本発明の一実施例であるモニタ装置を示すブロ
ック図。
ック図。
【図８】本発明の一実施例であるモニタ機能を有したド
ライ洗浄装置を示すブロック図。
ライ洗浄装置を示すブロック図。
【図９】本発明の一実施例であるモニタ機能を有したド
ライエッチング装置を示すブロック図。
ライエッチング装置を示すブロック図。
【図１０】本発明の一実施例であるモニタ機能を有した
ＣＶＤ装置を示すブロック図。
ＣＶＤ装置を示すブロック図。
２０１…シリコンウエハ、２０２…電子線走査経路、２
０３…製品チップになる領域、２０４…モニタ用テスト
パタン。
０３…製品チップになる領域、２０４…モニタ用テスト
パタン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｚ 37/305 37/305 Ａ
Claims (16)
- 【請求項１】半導体基板の上にレジスト材料を付着さ
せ、マスクを介して光やＸ線等の電磁波を照射し、ある
いは電子線描画法により、製造工程のモニタ用テストパ
タンを半導体素子自体とは異なる場所に転写し、このテ
ストパタン上にＸ線、又は荷電粒子線を走査し、その時
に生じるＸ線，二次イオン，二次電子，反射電子、また
は吸収電子を測定し、これらの強度のラインプロファイ
ルまたは面内分布より前記テストパタン表面の構造を推
定することを特徴とした半導体素子製造方法。 - 【請求項２】請求項１において、上記モニタ用テストパ
タン上にＸ線、又は荷電粒子線を照射した時に生じるＸ
線，二次イオン，二次電子をエネルギ分析し、この結果
よりテストパタン上のＸ線、又は荷電粒子線照射領域を
構成している元素を特定する半導体素子製造方法。 - 【請求項３】請求項１または２において、モニタ用テス
トパタンとして、製品となる素子に用いるパタンの一
部、または、製品となる素子に用いるパタンよりもさら
に微細な構造、あるいはさらに深い構造を用いる半導体
素子製造方法。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、モニタ用
テストパタンをウエハ内に均一な面密度で配置する半導
体素子製造方法。 - 【請求項５】請求項１，２または３において、モニタ用
テストパタンをウエハ内に放射状に配置する半導体素子
製造方法。 - 【請求項６】請求項１，２，３，４または５において、
モニタ用テストパタン上にＸ線、又は荷電粒子線を走査
する際に製品となる素子領域には照射せず、テストパタ
ンを含むウエハ上の製品として用いない領域のみにＸ
線、又は荷電粒子線を走査してモニタを行う半導体素子
製造方法。 - 【請求項７】請求項１，２，３，４，５または６におい
て、モニタ用テストパタン上にＸ線、又は荷電粒子線を
走査する際に生じるＸ線，二次イオン，二次電子，反射
電子、または吸収電子のラインプロファイルのテストパ
タン端部におけるコントラスト異常を検出することによ
りウオータマークの存在を推定する半導体素子製造方
法。 - 【請求項８】請求項１，３，４，５または６において、
モニタ用テストパタン上にＸ線、又は荷電粒子線を走査
する際に生じるＸ線，二次イオン，二次電子，反射電
子、または吸収電子のラインプロファイルの微分を用い
ることによりテストパタン上の異物の有無，異物の粒
径，位置を測定する半導体素子製造方法。 - 【請求項９】請求項８において、検出したテストパタン
上の異物にＸ線、又は荷電粒子線を照射し、その時に生
じるＸ線，二次イオン，二次電子をエネルギ分析し、こ
の結果より異物を構成する元素を推定する半導体素子製
造方法。 - 【請求項１０】請求項８または９において、テストパタ
ン上の異物の数をモニタし、その経時変化を製造装置メ
ンテナンス時期を判断するための情報として用いる半導
体素子製造方法。 - 【請求項１１】請求項１，３，４，５または６におい
て、モニタ用テストパタン中のスルーホール底にＸ線、
又は荷電粒子線を照射し、このときに生じるＸ線，二次
イオン，二次電子，反射電子、または吸収電子の強度を
測定することにより、スルーホール底の異物の有無を推
定する半導体素子製造方法。 - 【請求項１２】請求項３，４または５に記載の原理に基
づくテストパタンを備えたウエハ。 - 【請求項１３】請求項１，２，６，７，８，９，１０ま
たは１１に記載の原理に基づいて半導体素子製造工程を
モニタするモニタ装置。 - 【請求項１４】請求項１または２に記載の原理に基づく
半導体素子製造工程モニタを装備したドライ洗浄装置。 - 【請求項１５】請求項１または２に記載の原理に基づく
半導体素子製造工程モニタを装備したドライエッチング
装置。 - 【請求項１６】請求項１０に記載のモニタ方法を実現す
るための、半導体素子製造工程モニタを装備した成膜装
置、あるいはドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8129580A JPH09321114A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 半導体素子製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8129580A JPH09321114A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 半導体素子製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09321114A true JPH09321114A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15012981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8129580A Pending JPH09321114A (ja) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | 半導体素子製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09321114A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999028964A1 (fr) * | 1997-12-03 | 1999-06-10 | Hitachi, Ltd. | Procede de production d'un dispositif electronique et analyseur de corps etrangers a cet effet |
| JP2010097965A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Ricoh Co Ltd | 半導体ウェハ及び半導体ウェハのモニタ方法 |
| JP2020515716A (ja) * | 2017-03-31 | 2020-05-28 | ア−カム アーベー | ３次元物品形成のための方法及び装置 |
-
1996
- 1996-05-24 JP JP8129580A patent/JPH09321114A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999028964A1 (fr) * | 1997-12-03 | 1999-06-10 | Hitachi, Ltd. | Procede de production d'un dispositif electronique et analyseur de corps etrangers a cet effet |
| JP2010097965A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Ricoh Co Ltd | 半導体ウェハ及び半導体ウェハのモニタ方法 |
| JP2020515716A (ja) * | 2017-03-31 | 2020-05-28 | ア−カム アーベー | ３次元物品形成のための方法及び装置 |
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