CN112233993B - 检测晶圆通孔缺陷的方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种直接检测通孔通断状态的方法及装置，该装置可以由碳纳米管探针组成阵列模板，通过在碳纳米管探针上加上预设数值的电压，对准并向下移动探针到达孔层底部，由于孔层完全开通或有介质层残留时，底部的材料导电性不同，这样通过探针上电压的变化就可以直接检测出通孔的通断状态，用当站直接检测的数据来反馈前面工艺参数是否合适，解决目前孔层检测在填充金属后才可以检测，反馈滞后的问题。

Description

检测晶圆通孔缺陷的方法及装置
技术领域
本发明涉及半导体芯片技术领域，特别是涉及半导体芯片晶圆通孔缺陷的检测方法及装置。
背景技术
对于集成电路芯片的制造工艺来说，包括接触孔CT和通孔Via等孔层次由于其图形特殊性和大深宽比，相对于普通的线性层次，孔层的制造工艺和量测难度大，由于孔层刻蚀后直径小、深度大的特点，当前的检测手段不论是光学散射仪OCD或是电子扫描电镜，都不能在孔层形成后第一时间检测到其底部是否存在介质层残留，孔层是否完全被开通，而是等到孔层被填上钨或铜等金属磨平后,通过测量通孔处的电学性能才能知道其通断情况。
本发明的检测晶圆通孔缺陷的方法及装置，通过可上下移动的带有预设电压的探针伸入需要检测的晶圆通孔中并直抵通孔底部，电连接探针的导线传输系统传输电压信号值，分析所述电压信号值即可判断该通孔是否通断。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，如何解决目前孔层检测在填充金属后才可以检测出晶圆通孔缺陷，反馈滞后以及检测效率低的问题。
为了解决以上技术问题，本发明提供一种检测晶圆通孔缺陷的方法，通过可上下移动的带有预设电压的探针伸入需要检测的晶圆通孔中并直抵通孔底部，通过电连接探针的导线传输系统传输电压信号值，分析所述电压信号值判断该通孔是否通断。
进一步地、多个碳纳米管探针形成碳纳米管探针阵列模板，一次性完成多孔检测，电连接探针的导线为一种金属纤维。
进一步地，检测晶圆通孔缺陷的步骤如下：
步骤一、待检晶圆进入待检工位；
步骤二、碳纳米管探针阵列模板进入检测工位，靠近待检晶圆需要检测的芯片单元或曝光单元；
步骤三、碳纳米管探针阵列模板通过对准装置系统将模板对准标记，调整并对准晶圆需要测试的芯片单元或曝光单元；
步骤四、碳纳米管探针阵列模板加上合适的电压，每个探针上都带有相同电压；
步骤五、驱动碳纳米管探针阵列中需要进行测试的点上的金属纤维向下移动，接近晶圆上的测试通孔；
步骤六、碳纳米管探针到达通孔的最底部，停止该点上金属纤维的向下运动；
步骤七、读取每个测试点探针上的电压变化值，判断该点通孔的通断情况，输出该测试点通孔是否符合要求的信号；
进一步地，检测工位为多工位系统，每个工位为需要进行检测的芯片单元或曝光单元，碳纳米管探针阵列模板每进入一个新的检测工位，重复上述步骤三至步骤七，直至将待检晶圆需要进行检测的所有芯片单元或曝光单元检测完毕。
进一步地，本发明还涉及一种检测晶圆通孔缺陷的装置，包括：
碳纳米管探针，可上下移动伸入待测晶圆通孔并直抵通孔底部；
电极，施加碳纳米管探针预设电压值；
电信号传输装置，用于传输碳纳米管探针电信号值；
分析判断控制系统，用于分析碳纳米管探针电信号值并判断所述碳纳米管探针所伸入的晶圆通孔的通断。
进一步地，多个碳纳米管探针按照一定的间隔组成碳纳米管探针阵列模板，电信号传输装置包括与碳纳米管探针电连接的金属纤维；碳纳米管探针阵列模板开设有可置放金属纤维的孔槽。
进一步地，还包括将碳纳米管探针阵列模板与待测晶圆需要检测的芯片单元或曝光单元对准的对准控制系统。
进一步地，对准控制系统包括待测晶圆检测时所放置的可进行四维运动的载台以及探针阵列模板承载移动系统。
进一步地，对准控制系统还包括探针阵列模板的对准标记14，用于探针阵列模板与晶圆中各个芯片单元或曝光单元对准。
进一步地，电极提供探针检测时需要的电压大小根据各产品工艺需求进行加载。
进一步地，碳纳米管探针阵列模板开设有可置放金属纤维的孔槽，每个孔槽中都有一个金属纤维，金属纤维可被控制在孔槽中上下移动及是否加上电压，孔槽的直径稍大于金属纤维的直径。
进一步地，金属纤维为导电性能好且可以做成直径在微米级的金属材料。
进一步地，碳纳米管探针直径随着工艺节点可变。
通过本发明的检测晶圆通孔缺陷的方法及装置，能够快速、高效、直接、准确地在识别出半导体芯片制造工艺中中晶圆通孔的通断状态，用当前直接检测的数据来反馈前面工艺参数是否合适，解决目前孔层检测在填充金属后才可以检测出晶圆通孔缺陷、反馈滞后以及检测效率低的问题。
附图说明
图1为现有技术检测圆通孔缺陷的方式示意图。
图2为本发明的检测晶圆通孔缺陷的方法逻辑步骤图。
图3为本发明的检测晶圆通孔缺陷的装置系统组合示意图。
图4为本发明的检测晶圆通孔缺陷的装置示意图。
图5为本发明的检测晶圆通孔缺陷的装置检测示意详图。
附图标记说明
10 碳纳米管探针阵列模板 11 碳纳米管探针
12 金属纤维 13 电极
14 对准标记 15 孔槽
20 晶圆 21 介质层
22 金属层 23 通孔
24 通孔内介质残留 30 分析判断控制系统
40 电信号传输装置 50 通孔内填充的金属导电材料
60 载台 70 探针阵列模板承载移动系统
具体实施方式
下面结合附图对本发明做详细说明。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。
首先，现有技术在半导体芯片制造工艺中对于晶圆通孔通断的通常做法，参阅图1，晶圆的结构层包括介质层21和金属层22，一般要求在刻蚀晶圆通孔23时，希望形成的通孔23直抵金属层22，但是在刻蚀晶圆通孔23的工艺中难免会出现通孔内介质残留24，导致通孔23的缺陷，为了检测并识别出通孔23的缺陷，需要进行检测，目前孔层检测是在通孔内填充钨或筒的金属导电材料50后才可以检测出晶圆通孔缺陷，出现反馈滞后以及检测效率低的问题。
参阅图2、3、4、5，为解决现有技术检测方法的反馈滞后以及检测效率低的问题，本发明的检测晶圆通孔缺陷的方法，是通过可上下移动的带有预设电压的探针伸入需要检测的晶圆通孔中并直抵通孔底部，通过电连接探针的导线传输系统传输电压信号值，分析所述电压信号值判断该通孔是否通断；
由于一个晶圆有多个模块，为了提高检测效率，本发明将多个碳纳米管探针形成碳纳米管探针阵列模板，一次性完成多孔检测；电连接探针的导线为一种金属纤维，用于将探针电压等电信号输出；
参阅图2本发明的检测晶圆通孔缺陷的方法逻辑步骤图以及图3本发明的检测晶圆通孔缺陷的装置系统组合示意图，本发明采取如下步骤进行检测：
步骤一、待检晶圆进入待检工位；
步骤二、碳纳米管探针阵列模板进入检测工位，靠近待检晶圆需要检测的芯片单元或曝光单元；
步骤三、碳纳米管探针阵列模板通过对准装置系统将模板对准标记，调整并对准晶圆需要测试的芯片单元或曝光单元；
步骤四、碳纳米管探针阵列模板加上合适的电压，每个探针上都带有相同电压；
步骤五、驱动碳纳米管探针阵列中需要进行测试的点上的金属纤维向下移动，接近晶圆上的测试通孔；
步骤六、碳纳米管探针到达通孔的最底部，停止该点上金属纤维的向下运动；
步骤七、读取每个测试点探针上的电压变化值，判断该点通孔的通断情况，输出该测试点通孔是否符合要求的信号；
步骤二的检测工位为多工位系统，每个工位为需要进行检测的芯片单元或曝光单元，碳纳米管探针阵列模板每进入一个新的检测工位，重复上述步骤三至步骤七，直至将待检晶圆需要进行检测的所有芯片单元或曝光单元检测完毕。
参阅图3、4、5，为了实现上述检测方法，本发明的检测晶圆通孔缺陷的装置，包括：碳纳米管探针11，可上下移动伸入待测晶圆20通孔23并直抵通孔底部；电极13，施加碳纳米管探针11预设电压值；电信号传输装置40，用于传输碳纳米管探针11的电压等电信号值；分析判断控制系统30，用于分析碳纳米管探针11电信号值并判断所述碳纳米管探针所伸入的晶圆通孔的通断。当通孔23底部没有通孔内介质残留24时，探针直接接触金属层22，这种探针反馈的电压信号值明显不同于通孔23底部存有通孔内介质残留24时的探针反馈的电压等信号值，通过探针不同电压信号值的反馈即可分析出是否出现断孔缺陷。
参阅图4，为了提高检测效率，成批甚至成模块式的一次性检测，多个碳纳米管探针11按照一定的间隔组成碳纳米管探针阵列模板10，电信号传输装置包括与碳纳米管探针电连接的金属纤维12；碳纳米管探针阵列模板10开设有可置放金属纤维12的孔槽15，用于将探针电压信号输出给分析控制系统进行通断分析。
为了将碳纳米管探针阵列模板10与待测晶圆20需要检测的芯片单元或曝光单元快速精准对位，本发明还包括对准控制系统；参阅图3，对准控制系统包括待测晶圆检测时所放置的可进行四维运动的载台60以及探针阵列模板承载移动系统70。参阅图4，对准控制系统还包括探针阵列模板的对准标记14，用于探针阵列模板与晶圆中各个芯片单元或曝光单元对准。
电极13具体提供探针检测时需要的电压大小根据各产品工艺需求进行加载。
参阅图4、5所示，碳纳米管探针阵列模板10开设有可置放金属纤维12的孔槽15，每个孔槽15中都有一个金属纤维12，金属纤维可被控制在孔槽15中上下移动及是否加上电压，孔槽15的直径稍大于金属纤维12的直径；金属纤维12为导电性能好且可以做成直径在微米级的金属材料；碳纳米管探针11直径随着工艺节点可变。
结合上述具体实施例，进一步说明本发明提供的一种直接检测通孔通断状态的方法和装置所达到的技术效果。通过本发明的一种直接检测通孔通断状态的方法和装置，该方法及其装置由碳纳米管探针组成阵列模板，通过在碳纳米管探针上加上一定数值的电压，对准并向下移动探针到达孔层底部，由于孔层完全开通或有介质层残留时，底部的材料导电性不同，这样通过探针上电压的变化就可以直接检测出通孔的通断状态，用当前直接检测的数据来反馈前面工艺参数是否合适，解决目前孔层检测在填充金属后才可以检测出晶圆通孔缺陷，反馈滞后以及检测效率低的问题。
以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种检测晶圆通孔缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：将可上下移动的带有预设电压的探针伸入需要检测的晶圆通孔中并直抵通孔底部，通过电连接探针的导线传输系统传输电压信号值，分析所述电压信号值判断该通孔是否通断；
多个碳纳米管探针形成碳纳米管探针阵列模板，一次性完成多孔检测；所述电连接探针的导线为一种金属纤维；
还包括以下步骤：
步骤一、待检晶圆进入待检工位；
步骤二、碳纳米管探针阵列模板进入检测工位，靠近待检晶圆需要检测的芯片单元或曝光单元；
步骤三、碳纳米管探针阵列模板通过对准装置系统将模板对准标记，调整并对准晶圆需要测试的芯片单元或曝光单元；
步骤四、碳纳米管探针阵列模板加上合适的电压，每个探针上都带有相同电压；
步骤五、驱动碳纳米管探针阵列中需要进行测试的点上的金属纤维向下移动，接近晶圆上的测试通孔；
步骤六、碳纳米管探针到达通孔的最底部，停止该点上金属纤维的向下运动；
步骤七、读取每个测试点探针上的电压变化值，判断该点通孔的通断情况，输出该测试点通孔是否符合要求的信号。
2.根据权利要求1所述的一种检测晶圆通孔缺陷的方法，其特征在于：
所述步骤二的检测工位为多工位系统，每个工位为需要进行检测的芯片单元或曝光单元，碳纳米管探针阵列模板每进入一个新的检测工位，重复上述步骤三至步骤七，直至将待检晶圆需要进行检测的所有芯片单元或曝光单元检测完毕。
3.一种检测晶圆通孔缺陷的装置，包括：
碳纳米管探针(11)，可上下移动伸入待测晶圆(20)通孔(23)并直抵通孔底部；
电极(13)，施加碳纳米管探针(11)预设电压值；
电信号传输装置(40)，用于传输碳纳米管探针(11)电信号值；
分析判断控制系统(30)，用于分析碳纳米管探针(11)电信号值并判断所述碳纳米管探针所伸入的晶圆通孔的通断；
多个碳纳米管探针(11)按照一定的间隔组成碳纳米管探针阵列模板(10)，所述的电信号传输装置包括与碳纳米管探针电连接的金属纤维(12)；所述碳纳米管探针阵列模板(10)开设有可置放金属纤维(12)的孔槽(15)；
所述碳纳米管探针阵列模板(10)开设有可置放金属纤维(12)的孔槽(15)，每个孔槽(15)中都有一个金属纤维(12)，金属纤维可被控制在孔槽(15)中上下移动及是否加上电压，孔槽(15)的直径稍大于金属纤维(12)的直径。
4.根据权利要求3所述的检测晶圆通孔缺陷的装置，其特征在于，还包括将碳纳米管探针阵列模板(10)与待测晶圆(20)需要检测的芯片单元或曝光单元对准的对准控制系统。
5.根据权利要求4所述的检测晶圆通孔缺陷的装置，其特征在于，所述的对准控制系统包括待测晶圆检测时所放置的可进行四维运动的载台(60)以及探针阵列模板承载移动系统(70)。
6.根据权利要求5所述的检测晶圆通孔缺陷的装置，其特征在于，所述的对准控制系统还包括探针阵列模板的对准标记(14)，用于探针阵列模板与晶圆中各个芯片单元或曝光单元对准。
7.根据权利要求3所述的检测晶圆通孔缺陷的装置，其特征在于，所述电极(13)提供探针检测时需要的电压大小根据各产品工艺需求进行加载。
8.根据权利要求3所述的检测晶圆通孔缺陷的装置，其特征在于，金属纤维(12)为导电性能好且可以做成直径在微米级的金属材料。
9.根据权利要求3-8之一所述的检测晶圆通孔缺陷的装置，其特征在于，所述碳纳米管探针(11)直径随着工艺节点可变。
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