JP4590862B2 - 磁気メモリ装置及びその製造方法 - Google Patents
磁気メモリ装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4590862B2 JP4590862B2 JP2003416601A JP2003416601A JP4590862B2 JP 4590862 B2 JP4590862 B2 JP 4590862B2 JP 2003416601 A JP2003416601 A JP 2003416601A JP 2003416601 A JP2003416601 A JP 2003416601A JP 4590862 B2 JP4590862 B2 JP 4590862B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wiring
- magnetic
- film
- connection hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 52
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 84
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 66
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 17
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 14
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 363
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 39
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 27
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 21
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 18
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 17
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHMWNGFNWYELHA-UHFFFAOYSA-N iridium manganese Chemical compound [Mn].[Ir] SHMWNGFNWYELHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N iron manganese Chemical compound [Mn].[Fe] DALUDRGQOYMVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N manganese nickel Chemical compound [Mn].[Ni] ZAUUZASCMSWKGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGOJMROYPFZEOR-UHFFFAOYSA-N manganese platinum Chemical compound [Mn].[Pt] IGOJMROYPFZEOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
- H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
- H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
前記接続孔が、前記第1の導電層を埋め込んでいる絶縁層を厚さ方向に貫通した深さ 位置まで延設され、
この深さ位置まで、前記読み出し用配線に連設された膜状の配線が少なくとも前記接 続孔の側壁面に形成され、この膜状の配線を介して、前記読み出し用配線が前記第1の 導電層よりも深い位置に存在する下部配線に接続されている、
磁気メモリ装置(以下、本発明の磁気メモリ装置と称する。)に係るものである。
前記第1の導電層よりも深い位置に形成した第1の絶縁層に、前記読み出し用配線と 接続される下部配線を埋め込む工程と、
前記第1の導電層を埋め込んだ第2の絶縁層を厚さ方向に貫通した深さ位置まで前記 接続孔を延設して形成する工程と、
前記深さ位置まで、前記読み出し用配線に連設された膜状の配線を少なくとも前記接 続孔の側壁面に形成し、この膜状の配線を介して、前記読み出し用配線を前記第1の導 電層よりも深い位置に存在する前記下部配線に接続する工程と
を有する、磁気メモリ装置の製造方法(以下、本発明の製造方法と称する。)に係るものである。
そして、前記局所配線が、前記下部配線上の接続孔において前記第1の導電層よりも深い位置に被着された導電性プラグに接続され、この導電性プラグによって前記下部配線に接続されているか、或いは、前記局所配線が、前記下部配線上の接続孔の側壁面から前記下部配線に達するように形成されていてもよい。
図1(a)は本実施の形態のMRAMの概略構成図、同図(b)はその概略平面図を示す。図示の如く、ワード線12と同層レベルにはランディングパッドは存在しない構造になっており、読み出し用配線22と不図示の下層配線とは接続孔42内を介して接続される。従って、接続孔42をワード線12にF/2だけ近づけて形成できることになり、ビット線11に沿う方向のサイズを3.5Fに縮小することができる。
図8は本実施の形態のMRAMの概略構成図を示す。図示の如く、実施の形態1と同様にワード線12と同層レベルにはランディングパッドは存在しない構造であり、読み出し用配線22と不図示の下層配線とは接続孔42内を介して接続される。そしてこの場合は、ワード線12の上面及び側面をエッチング選択性のある耐圧性の材料で覆うことにより、ワード線12と接続孔42との間隔を実施の形態1よりも更に縮小でき、ビット線11に沿う方向のMRAMのサイズを3.2F(図39における4Fに対応)に縮小したものである。
図15は本実施の形態のMRAMの概略構成図を示す。図示の如く、上記の各実施の形態と同様にワード線12と同層レベルにはランディングパッドは存在せず、読み出し用配線と下層配線31との接続は、TMR素子10下部の導電性層70に接続された局所配線22Aによりなされる構造である。従って、局所配線22Aの形成領域は少なくてよいため、ワード線12との距離を実施の形態1と同様に3.5F(図39における4Fに対応)に縮小したものである。
図16〜図19によりその製造プロセスを説明する。
図20〜図23によりその製造プロセスを説明する。
図24は本実施の形態のMRAMの概略構成図を示す。図示の如く、上記の各実施の形態と同様に、ワード線12と同層レベルにはランディングパッドは存在せず、読み出し用配線と下層配線31との接続は、TMR素子10の下部導電性層70接続された局所配線22Aによってなされ、更に、ワード線12の上面及び側面がエッチング選択性のある材料で被覆される構造にすることにより、接続孔42をワード線12に更に近接して形成できるためワード線12と局所配線22Aとの距離を更に縮小し、ビット線に沿う方向のMRAMのサイズを3F(図39における4Fに対応)に縮小したものである。
図25〜図28によりその製造プロセスを説明する。
図29〜図32によりその製造プロセスを説明する。
22A…局所配線、30、31…下層配線、32…HDP膜、
33、35、38…P−TEOS膜、34、40…コンタクトプラグ、36…多層膜、
37、46…P−SiN膜、41、43、44…フォトレジスト膜、42…接続孔、
45、48…SiO2膜、39、47…サイドウォール、49…Cu膜、
50…フリー層、51…バリア層、52…反強磁性体層、53…強磁性体層、
54…トンネル絶縁膜、55…記憶層、56…キャップ層、60…ピン層、
70…TMR素子の下部導電性層、C…境界
Claims (12)
- 磁化方向が固定された磁化固定層と、トンネルバリア層と、磁化方向の変化が可能な磁性層とが積層されてなるトンネル磁気抵抗効果素子によってメモリ素子が構成され、このメモリ素子の前記磁性層とは反対の面側に絶縁層を介して設けられた第1の導電層と、前記メモリ素子の前記磁性層側に設けられた第2の導電層とに流す電流によって前記メモリ素子に情報を書き込み、前記絶縁層に設けられた接続孔を介し前記メモリ素子の読み出し用配線から前記書き込み情報を読み出すように構成され、
前記読み出し用配線が、前記磁化固定層の構成材料のパターニングによって、前記磁 性層の下部から延設して形成され、
前記接続孔が、前記第1の導電層を埋め込んでいる絶縁層を厚さ方向に貫通した深さ 位置まで延設され、
この深さ位置まで、前記磁化固定層構成材料からなる膜状の前記読み出し用配線が前 記接続孔の内壁面に延設され、この延設された膜状の読み出し用配線が前記第1の導電 層よりも深い位置に存在する下部配線に接続されている、
磁気メモリ装置。 - 前記読み出し用配線が、前記下部配線上の接続孔に被着した導電性プラグの位置まで前記膜状の配線として延設され、この導電性プラグに接続され、この導電性プラグによって前記下部配線に接続されている、請求項1に記載した磁気メモリ装置。
- 前記導電性プラグが前記第1の導電層よりも深い位置に形成されている、請求項2に記載した磁気メモリ装置。
- 前記第1の導電層の少なくとも側面が、前記第1の導電層を埋め込んだ絶縁層に対してエッチング選択性のある材料で被覆されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載した磁気メモリ装置。
- 前記メモリ素子の前記磁化固定層より上部の構成層がパターニングされ、このパターンの少なくとも側面が、前記上部の構成層より下部の構成層と、少なくとも前記第1の導電層を埋め込んだ絶縁層とに対してエッチング選択性のある材料で被覆されている、請求項4に記載した磁気メモリ装置。
- 前記磁化固定層と前記磁性層との間に絶縁体層が挟持され、前記メモリ素子の上部及び下部に設けられたビットライン及びワードラインにそれぞれ電流を流すことによって誘起される磁界で前記磁性層を所定方向に磁化して情報を書き込み、この書き込み情報を前記トンネルバリア層としての前記絶縁体層を介してのトンネル磁気抵抗効果によって読み出すように構成された、請求項1に記載した磁気メモリ装置。
- 磁化方向が固定された磁化固定層と、トンネルバリア層と、磁化方向の変化が可能な磁性層とが積層されてなるトンネル磁気抵抗効果素子によってメモリ素子が構成され、このメモリ素子の前記磁性層とは反対の面側に絶縁層を介して設けられた第1の導電層と、前記メモリ素子の前記磁性層側に設けられた第2の導電層とに流す電流によって前記メモリ素子に情報を書き込み、前記絶縁層に設けられた接続孔を介し前記メモリ素子の読み出し用配線から前記書き込み情報を読み出すように構成された磁気メモリ装置の製造方法であって、
前記第1の導電層よりも深い位置に形成した第1の絶縁層に、前記読み出し用配線と 接続される下部配線を埋め込む工程と、
前記第1の絶縁層上に形成した第2の絶縁層に、前記第1の導電層を埋め込む工程と 、
前記第2の絶縁層を厚さ方向に貫通した深さ位置まで前記接続孔を延設して形成する 工程と、
この接続孔の内壁面を含む表面上に、前記トンネル磁気抵抗効果素子の各構成層を堆 積させる工程と、
これらの各構成層のうち磁性層構成材料をパターニングして前記磁性層を形成する工 程と、
前記各構成層のうち磁化固定層構成材料をパターニングして、前記磁化固定層を形成 すると共に、前記深さ位置まで前記磁性層の下部から前記接続孔の内壁面に延設された 膜状の前記読み出し用配線を形成し、この読み出し用配線を前記第1の導電層よりも深 い位置に存在する前記下部配線に接続する工程と
を有する、磁気メモリ装置の製造方法。 - 前記読み出し用配線を、前記下部配線上の接続孔に被着した導電性プラグの位置まで前記膜状の配線として延設し、この導電性プラグに接続し、この導電性プラグによって前記下部配線に接続する、請求項7に記載した磁気メモリ装置の製造方法。
- 前記導電性プラグを前記第1の導電層よりも深い位置に形成する、請求項8に記載した磁気メモリ装置の製造方法。
- 前記第1の導電層の少なくとも側面を、前記第1の導電層を埋め込んだ絶縁層に対してエッチング選択性のある材料で被覆し、この被覆材料によって少なくとも前記第2の絶縁層を選択的にエッチングして前記接続孔を形成する、請求項7〜9のいずれか1項に記載した磁気メモリ装置の製造方法。
- 前記メモリ素子の前記磁化固定層より上部の構成層がパターニングされ、このパターンの少なくとも側面が、前記上部の構成層より下部の構成層と、少なくとも前記第1の導電層を埋め込んだ絶縁層とに対してエッチング選択性のある材料で被覆し、この被覆材料をマスクとして用い、前記下部の構成層及び少なくとも前記第2の絶縁層を選択的にエッチングして前記接続孔を形成する、請求項10に記載した磁気メモリ装置の製造方法。
- 前記磁化固定層と前記磁性層との間に絶縁体層が挟持され、前記メモリ素子の上部及び下部に設けられたビットライン及びワードラインにそれぞれ電流を流すことによって誘起される磁界で前記磁性層を所定方向に磁化して情報を書き込み、この書き込み情報を前記トンネルバリア層としての前記絶縁体層を介してのトンネル磁気抵抗効果によって読み出すように構成された前記磁気メモリ装置を製造する、請求項7に記載した磁気メモリ装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003416601A JP4590862B2 (ja) | 2003-12-15 | 2003-12-15 | 磁気メモリ装置及びその製造方法 |
US11/007,381 US7095650B2 (en) | 2003-12-15 | 2004-12-08 | Magnetic memory device and method for production thereof |
US11/495,090 US7321508B2 (en) | 2003-12-15 | 2006-07-28 | Magnetic memory device and method for production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003416601A JP4590862B2 (ja) | 2003-12-15 | 2003-12-15 | 磁気メモリ装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005175375A JP2005175375A (ja) | 2005-06-30 |
JP4590862B2 true JP4590862B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=34650631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003416601A Expired - Fee Related JP4590862B2 (ja) | 2003-12-15 | 2003-12-15 | 磁気メモリ装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7095650B2 (ja) |
JP (1) | JP4590862B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009224477A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2009295694A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
US7939188B2 (en) * | 2008-10-27 | 2011-05-10 | Seagate Technology Llc | Magnetic stack design |
JP2013021108A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
KR101919040B1 (ko) | 2012-08-13 | 2018-11-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기억 소자 |
US9240546B2 (en) | 2013-03-26 | 2016-01-19 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive devices and methods for manufacturing magnetoresistive devices |
KR102266709B1 (ko) | 2014-09-22 | 2021-06-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
KR102641744B1 (ko) | 2017-01-20 | 2024-03-04 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 소자 |
TWI712035B (zh) * | 2018-08-03 | 2020-12-01 | 聯華電子股份有限公司 | 形成磁阻式隨機存取記憶體單元的方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086775A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Canon Inc | 磁気メモリ装置およびその製造方法 |
JP2003209225A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Toshiba Corp | 磁気記憶装置 |
JP2003243621A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003243630A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Sony Corp | 磁気メモリ装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3125922B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2001-01-22 | ソニー株式会社 | 誘電体メモリおよびその製造方法 |
US5946227A (en) * | 1998-07-20 | 1999-08-31 | Motorola, Inc. | Magnetoresistive random access memory with shared word and digit lines |
US5940319A (en) * | 1998-08-31 | 1999-08-17 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory and fabricating method thereof |
JP2002208682A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Hitachi Ltd | 磁気半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP3677455B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2005-08-03 | Necエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性磁気記憶装置およびその製造方法 |
JP4405103B2 (ja) * | 2001-04-20 | 2010-01-27 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
KR100457159B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2004-11-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 마그네틱 램 |
JP4157707B2 (ja) * | 2002-01-16 | 2008-10-01 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
TWI266443B (en) * | 2002-01-16 | 2006-11-11 | Toshiba Corp | Magnetic memory |
US6498747B1 (en) * | 2002-02-08 | 2002-12-24 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistive random access memory (MRAM) cross-point array with reduced parasitic effects |
US6834008B2 (en) * | 2002-08-02 | 2004-12-21 | Unity Semiconductor Corporation | Cross point memory array using multiple modes of operation |
-
2003
- 2003-12-15 JP JP2003416601A patent/JP4590862B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-12-08 US US11/007,381 patent/US7095650B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-28 US US11/495,090 patent/US7321508B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003086775A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Canon Inc | 磁気メモリ装置およびその製造方法 |
JP2003209225A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-25 | Toshiba Corp | 磁気記憶装置 |
JP2003243621A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003243630A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Sony Corp | 磁気メモリ装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050128802A1 (en) | 2005-06-16 |
JP2005175375A (ja) | 2005-06-30 |
US7095650B2 (en) | 2006-08-22 |
US7321508B2 (en) | 2008-01-22 |
US20060262597A1 (en) | 2006-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4186046B2 (ja) | Mram電極用保護構造 | |
JP4149647B2 (ja) | 半導体記憶装置及びその製造方法 | |
US7271010B2 (en) | Nonvolatile magnetic memory device and manufacturing method thereof | |
US7005715B2 (en) | Magnetic storage device and method of fabricating the same | |
US7321508B2 (en) | Magnetic memory device and method for production thereof | |
KR101154468B1 (ko) | 고체 메모리 장치와 고체 메모리 셀의 배열 방법 | |
US20050270828A1 (en) | Magnetic memory device and manufacturing method thereof | |
JP4483231B2 (ja) | 磁気メモリ装置の製造方法 | |
JP2003324187A (ja) | 磁気メモリ装置の製造方法および磁気メモリ装置 | |
US6958503B2 (en) | Nonvolatile magnetic memory device | |
JP2006278645A (ja) | 磁気メモリ装置 | |
KR20040108575A (ko) | 자기기억장치 및 자기기억장치의 제조방법 | |
JP4341355B2 (ja) | 磁気記憶装置、磁気記憶装置の書き込み方法および磁気記憶装置の製造方法 | |
US7345367B2 (en) | Magnetic memory device and producing method thereof | |
JP2003282837A (ja) | 磁気メモリ装置およびその製造方法 | |
JP2003218324A (ja) | 磁気記憶装置およびその製造方法 | |
JP2003133527A (ja) | 磁気メモリ装置、その書き込み方法およびその製造方法 | |
JP2005303231A (ja) | 磁気メモリ装置 | |
JP2008021816A (ja) | 不揮発性磁気記憶装置の製造方法 | |
JP2005056976A (ja) | 磁気メモリ装置及びその製造方法 | |
JP2005175374A (ja) | 磁気メモリ装置及びその製造方法 | |
JP2006059869A (ja) | トグルモード書込型不揮発性磁気メモリ装置 | |
JP2005303156A (ja) | 磁気メモリ装置 | |
JP2005340715A (ja) | 磁気メモリ装置及びその製造方法 | |
JP2005056975A (ja) | 磁気メモリ装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20070125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080925 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081107 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100817 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100830 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |