JP4589334B2 - 向上した量子効率を有する発光デバイス - Google Patents
向上した量子効率を有する発光デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP4589334B2 JP4589334B2 JP2006537499A JP2006537499A JP4589334B2 JP 4589334 B2 JP4589334 B2 JP 4589334B2 JP 2006537499 A JP2006537499 A JP 2006537499A JP 2006537499 A JP2006537499 A JP 2006537499A JP 4589334 B2 JP4589334 B2 JP 4589334B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting device
- hole blocking
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 46
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NIJISGDYKBSXFI-UHFFFAOYSA-N 5-(4-tert-butylphenyl)-2-(4-phenylphenyl)-3h-1,2,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NCN(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 NIJISGDYKBSXFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 101500028161 Homo sapiens Tumor necrosis factor-binding protein 1 Proteins 0.000 claims description 2
- 102400000089 Tumor necrosis factor-binding protein 1 Human genes 0.000 claims description 2
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- PFBLRDXPNUJYJM-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-methylpropaneperoxoate Chemical compound CC(C)C(=O)OOC(C)(C)C PFBLRDXPNUJYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 121
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical group [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229940031993 lithium benzoate Drugs 0.000 description 2
- LDJNSLOKTFFLSL-UHFFFAOYSA-M lithium;benzoate Chemical compound [Li+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 LDJNSLOKTFFLSL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJXNABNMUQXOHX-UHFFFAOYSA-N 4-(9h-carbazol-1-yl)-n,n-bis[4-(9h-carbazol-1-yl)phenyl]aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=2NC3=CC=CC=C3C=2C=CC=1)C(C=C1)=CC=C1C1=C2NC3=CC=CC=C3C2=CC=C1 FJXNABNMUQXOHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 125000005266 diarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/611—Charge transfer complexes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
本発明は、少なくとも基板と、アノードと、第１の正孔輸送層と、発光層と、カソードとを有する発光デバイスに関する。
電子制御されるディスプレイシステムは、知られており、種々の原理に基づいて種々の実施例において広く使われている。
１つの原理は、光源として有機発光ダイオード（いわゆるＯＬＥＤ）を用いる。有機発光ダイオードは、複数の機能層から成る。ＯＬＥＤの典型的な構造は、「Philips Journal of Research, 1998, 51, 467」に説明されている。典型的な構造は、透明電極（アノード）としてのＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）の層、導電性高分子層、エレクトロルミネセント層（即ち発光材料を有する層及び金属（好適には低い仕事関数を有する金属）からなる電極（カソード））を有する。このような構造は、通常は基板（通常ガラス）に適用される。発生される光は、基板を通じて観察者に到達する。
用いられる発光材料は、例えば発光ポリマーであってよい。エレクトロルミネセント層中に発光ポリマーを有するＯＬＥＤは、ｐｏｌｙＬＥＤ又はＰＬＥＤとも呼ばれる。
しかし、ＯＬＥＤはエレクトロルミネセント層の発光材料として、小さい発光分子を更に有することができる。エレクトロルミネセント層中に小さい発光分子を有するＯＬＥＤは、ＳＭＯＬＥＤ（小分子有機発光ダイオード）とも呼ばれる。この実施例において、発光材料は、正孔又は電子伝導材料からなるマトリクスに埋め込まれる。
エレクトロルミネセント層において、正孔と電子とは衝突し、再結合する。その結果、発光材料は、直接、又は、エネルギー移動を介して、励起される。励起された発光材料は、光の放出を伴って基本状態に戻る。
電荷担体の成功した再結合は、中でも電荷担体の量に依存する。均衡のとれた正孔及び電子流密度は、効率的なエレクトロルミネセンスの必要条件である。ほとんどの有機材料において、正孔移動度は、電子移動度より約２桁大きい（１０−５ｃｍ２／Ｖｓと比較して１０−３ｃｍ２／Ｖｓ）。従って、ほとんどの場合、正孔が、多数電荷キャリアであり、エキシトンを形成すること無しに発光層を通過することができる。なぜなら、正孔は、電子に出会って再結合しないからである。これらの正孔がカソードへと流れることを防止するために、エレクトロルミネセント層とカソードとの間に正孔ブロッキング層が挿入される。正孔ブロッキング層は、正孔が容易に注入されることができない及び／又は正孔の可動性が低い材料を有する。従って、正孔ブロッキング層の材料は、比較的難度を伴ってしか酸化することができない。正孔ブロッキング層のため、正孔はエレクトロルミネセント層に集まる。
しかし、フリーな電荷担体、正孔及び電子は、既に励起されている分子（エキシトン）と化学反応することができ、ここで、励起された分子はいかなる発光も無しに基本状態に戻る。従って、励起された分子は消失し、ＯＬＥＤの量子効率は低減される。これらの反応は、ＯＬＥＤにおける大きな損失源を表す。なぜなら、過剰な正孔が、励起された分子が発生する領域において、即ちエレクトロルミネセント層において集まるからである。
従って、本発明の目的は、増加された量子効率を有する発光デバイスを提供することである。
この目的は、少なくとも基板と、アノードと、第１の正孔輸送層と、発光層と、カソードとを有する発光デバイスであって、前記第１の正孔輸送層と前記発光層との間に第１の正孔ブロッキング層が構成される、発光デバイスによって達成される。
正孔輸送層と発光層との間への正孔ブロッキング層の挿入によって、発光層の正孔の数は、低減され、発光層に到達する電子の数に適応することができる。多数の正孔が正孔輸送層に集まり、励起された発光分子と化学反応することができない。
請求項２に記載の発光デバイスの有利な実施例は、正孔がカソードに到達して光生成の目的から失われることを防止する。
請求項３及び４に記載の有利な実施例によって、発光層への正孔の流れは、より正確に調整されることができる。
請求項５及び６に記載の有利に選択された材料によって、効率的な正孔ブロッキング層が得られる。
請求項７に記載の有利な実施例によって、カソードを通じた発光の消失は低減され、発光デバイスへの電子の注入が改善される。
本発明は、図面に示される実施例を参照して更に説明されるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
発光デバイスの全ての実施例は、基板１を持ち、これに、少なくともアノード２、第１の正孔輸送層３、発光層５及びカソード６が適用される。
図１に示すように、発光デバイスは基板１、好適には透明ガラス板又は透明プラスチック板を持つ。プラスチック板は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を有することができる。基板１には、少なくともアノード２、正孔輸送層３、第１の正孔ブロッキング層４、発光層５及びカソード６を有する層本体が隣接する。
アノード２は、好適には、透明であり、例えばｐ添加シリコン、インジウム添加スズ酸化物（ＩＴＯ）又はアンチモン添加スズ酸化物（ＡＴＯ）を有することができる。アノード２は、好適にはＩＴＯを有する。アノード２は、組織化されて（structured）おらず、平面として設計される。カソード６は、例えばアルミニウム、銅、銀又は金等の金属、合金又はｎ添加シリコンを有することができる。カソード６が２つ以上の伝導層を持つことは、好ましい可能性がある。カソード６が、アルカリ土類金属（例えばカルシウム若しくはバリウム）又はアルカリ金属ハロゲン化物（例えばＬｉＦ）若しくはリチウム安息香酸塩の第１層及びアルミニウムの第２の層を有することが特に好ましい可能性がある。カソード６は、組織化されることができ、例えば１つ又は複数の導電材料の多数の平行ストリップを有することができる。代替的に、カソード６は組織化されず平面として設計されることができる。
発光層５は、発光材料として発光ポリマー又は小さい発光分子を有することができる。用いられる発光ポリマーは、例えば、ポリ（ｐ−フェニルビニレン）（ＰＰＶ）又は例えばジアルコキシ置換ＰＰＶ等の置換されたＰＰＶであってよい。発光層５が小さい発光分子を有する場合、これらは、好適には正孔又は電子輸送材料からなるマトリクスに埋め込まれる。マトリクス材料の選択は、小さい発光分子の要件に依存する。一例として、発光層は、４，４’，４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）のマトリクスに埋め込まれたトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）又は２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）のマトリクスに埋め込まれたＩｒ（ｐｐｙ）３を有してよい。
アノード２には第１の正孔輸送層３が隣接し、これは装置への正孔の注入及び輸送を容易にする。
正孔輸送層３と発光層５との間に位置する第１の正孔ブロッキング層４は、酸化することが比較的困難であり、従って、単位時間あたり発光層５に到達する正孔の数は低減される。
第１の正孔ブロッキング層４は、隣接した正孔輸送層３より酸化することがより困難である材料を有する。好適には、正孔ブロッキング層４の材料のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）エネルギーレベルは、隣接している正孔輸送層３の材料のＨＯＭＯエネルギーレベルより低い。ＨＯＭＯエネルギーレベル間のエネルギー差が大きいほど、第１の正孔ブロッキング層４のブロッキング特性は大きい。本実施例において、正孔は、正孔輸送層３において、即ち第１の正孔ブロッキング層４に隣接する領域において集まる。
正孔輸送層３の材料は、低い電子親和力を有する低いイオン化電位を持つべきである。しかし、ＨＯＭＯエネルギーレベルは、エネルギーバリアを克服すること無しにアノード２からの正孔の注入が可能であるほどに高いべきである。正孔輸送層３のための適切な材料は、例えば、トリアリールアミン、ジアリールアミン、トリスチルベンアミン、又は、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＤＯＴ）及びポリスチレンスルホン酸塩の混合物である。
第１の正孔ブロッキング層４及び正孔輸送層３については、２つの層のそれぞれの材料のＨＯＭＯとＬＵＭＯ（最低空分子軌道）との間の距離は、発光層５で発生される光が吸収されないためには、発光層５の発光材料のＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ距離より大きくなければならない。
図２は、本発明による発光デバイスの他の好適な実施例を示す。この発光デバイスは、加えて、正孔が発光層５からカソード６に通過することを防止する、他の第２の正孔ブロッキング層７を持つ。第２の正孔ブロッキング層７の材料も、酸化することが比較的困難である。好適には、第２の正孔ブロッキング層７の材料のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）エネルギーレベルは、隣接した発光層５の発光材料のＨＯＭＯエネルギーレベルより低い。ここでも、ＨＯＭＯエネルギーレベル間のエネルギー差が大きいほど、第２の正孔ブロッキング層７のブロッキング特性は大きくなる。
図３は、本発明による発光デバイスの更に他の好適な実施例を示す。この発光デバイスは、アノード２と第１の正孔輸送層３との間に多数の層を有する層状構造を持つ。層状構造は、少なくとも１つの他の正孔ブロッキング層及び１つの他の正孔輸送層を持つ。図３に示される実施例において、第１の正孔輸送層３とアノード２との間の層状構造は、２つの他の正孔輸送層８、１０及び２つの他の正孔ブロッキング層９、１１を持つ。正孔輸送層８、１０は、これらの層が層状構造の正孔ブロッキング層９、１１と交互になるように構成される。
全ての実施例において、正孔輸送層３、８、１０は常にアノード２に隣接する。
この実施例の有利な機能は、発光層５に到達する正孔の濃度が、発光層５に入る電子密度に正確に適応することができるということである。
個々の正孔ブロッキング層４、７、９、１１は、同じ材料又は異なった材料を有することができる。同じことは、正孔輸送層３、８、１０に関して当てはまる。
正孔ブロッキング層４、７、９、１１のための適切な材料は、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン（ＢＣＰ））、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、２−（４−ビフェニル）−５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、１，３，５−トリス−（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＢＰＩ）又はペルフルオロ化側鎖を有するオリゴフェニルである。
正孔ブロッキング層４、７、９、１１の層厚は、層において用いられる材料の種類及びその材料の正孔ブロッキング特性に依存する。全ての正孔ブロッキング層４、７、９、１１において同じ材料が用いられると、第１、第３及び第４の正孔ブロッキング層４、９、１１のそれぞれの層厚さは、第２の正孔ブロッキング層７の層厚さより通常小さい。好適には、第１、第３及び第４の正孔ブロッキング層４、９、１１の層厚さは、それぞれ、０．１〜１０ｎｍである。層厚さがそれぞれ０．１〜５ｎｍであることは特に好ましい。より好適には、層厚さは、それぞれ０．１〜２ｎｍである。最も好適には、層厚さは、それぞれ０．１〜０．５ｎｍである。
全ての実施例において、電子輸送層１２が、カソード６と発光層４との間又はカソード６と第２の正孔ブロッキング層７との間に位置することができる。このような電子輸送層の材料は、高い電子親和力によって特徴付けられる。適切な材料は、例えば、トリス−（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム（tris-(8-hydroxyquinolato)aluminum）（Ａｌｑ３）又は１，３，４−オキサジアゾール若しくは１，２，４−トリアゾール等の電子不足複素環である。図４は、カソード６と第２の正孔ブロッキング層７との間に電子輸送層１２を持つ発光デバイスを示す。
アノード２として働く厚さ１５０ｎｍのＩＴＯの層が、ガラスでできた透明基板１に適用された。厚さ３０ｎｍのα−ＮＰＤの層が、第１の正孔輸送層３として、スピンコーティングによってアノード２に適用された。１ｎｍの層厚さを持つＢＣＰの第１の正孔ブロッキング層４が、正孔輸送層３に適用された。ＴＣＴＡに埋め込まれたＩｒ（ｐｐｙ）３の発光層５が、第１の正孔ブロッキング層４に適用された。発光層５の層厚さは、３０ｎｍであった。厚さ１０ｎｍのＢＣＰの第２の正孔ブロッキング層７が、発光層５に適用された。厚さ４０ｎｍのＡｌｑ３の層が、電子輸送層１２として第２の正孔ブロッキング層７に適用された。厚さ１．５ｎｍのリチウム安息香酸塩の第１の層及び厚さ１５０ｎｍのアルミニウムの第２の層からなる厚さ１５１．５ｎｍのカソード６が、電子輸送層１２に適用された。本発明による発光デバイスは、第１の正孔ブロッキング層４の無い発光デバイスと比較して１５％増加された量子効率を持っていた。
Claims (6)
- 少なくとも基板と、アノードと、第１の正孔輸送層と、発光層と、カソードとを有する発光デバイスであって、前記第１の正孔輸送層と前記発光層との間に第１の正孔ブロッキング層が構成され、前記第１の正孔輸送層と前記アノードとの間に、少なくとも１つの他の正孔ブロッキング層及び１つの他の正孔輸送層からなる層状構造が構成される、発光デバイス。
- 請求項１に記載の発光デバイスにおいて、前記カソードと前記発光層との間に第２の正孔ブロッキング層が構成されることを特徴とする発光デバイス。
- 請求項１に記載の発光デバイスにおいて、前記他の正孔ブロッキング層及び正孔輸送層は交互に構成されることを特徴とする発光デバイス。
- 請求項１乃至３の何れか１項に記載の発光デバイスにおいて、正孔ブロッキング層の材料の酸化電位は、隣接する正孔輸送層の酸化電位より高いことを特徴とする発光デバイス。
- 請求項１乃至３の何れか１項に記載の発光デバイスにおいて、正孔ブロッキング層の材料は、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン（ＢＣＰ））、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、２−（４−ビフェニル）−５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、１，３，５−トリス−（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＢＰＩ）及びペルフルオロ化側鎖を有するオリゴフェニルからなる群から選択されることを特徴とする発光デバイス。
- 請求項１乃至５の何れか１項に記載の発光デバイスにおいて、カソードと発光層との間に電子輸送層が構成されることを特徴とする発光デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP03104018 | 2003-10-29 | ||
| PCT/IB2004/052135 WO2005043581A2 (en) | 2003-10-29 | 2004-10-19 | Light-emitting device with increased quantum efficiency |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007510303A JP2007510303A (ja) | 2007-04-19 |
| JP4589334B2 true JP4589334B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=34530772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006537499A Expired - Fee Related JP4589334B2 (ja) | 2003-10-29 | 2004-10-19 | 向上した量子効率を有する発光デバイス |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070132370A1 (ja) |
| EP (1) | EP1683211B1 (ja) |
| JP (1) | JP4589334B2 (ja) |
| KR (1) | KR101112061B1 (ja) |
| CN (1) | CN100555703C (ja) |
| AT (1) | ATE454719T1 (ja) |
| DE (1) | DE602004025026D1 (ja) |
| TW (1) | TWI349377B (ja) |
| WO (1) | WO2005043581A2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4300176B2 (ja) * | 2003-11-13 | 2009-07-22 | ローム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JP4629715B2 (ja) * | 2006-12-06 | 2011-02-09 | 韓國電子通信研究院 | Ｏｌｅｄ素子 |
| TWI481308B (zh) * | 2007-09-27 | 2015-04-11 | Semiconductor Energy Lab | 發光元件，發光裝置，與電子設備 |
| US8178682B2 (en) | 2009-06-26 | 2012-05-15 | General Electric Company | Process for making organic compounds and the organic compounds made therefrom |
| KR101097339B1 (ko) | 2010-03-08 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| CN103000816B (zh) * | 2012-09-07 | 2017-12-26 | 天津工业大学 | 一种基于柔性碳纳米管薄膜的有机发光器件 |
| KR102350510B1 (ko) * | 2015-11-12 | 2022-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| CN105514292A (zh) * | 2016-01-05 | 2016-04-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种oled器件及其制作方法、oled显示器 |
| CN110246973A (zh) | 2018-03-09 | 2019-09-17 | 三星电子株式会社 | 量子点器件和电子设备 |
| US20210013437A1 (en) * | 2018-09-29 | 2021-01-14 | Tcl Technology Group Corporation | Quantum dot light-emitting diode |
| US11063231B2 (en) | 2018-10-05 | 2021-07-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device and display device including the same |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451415B1 (en) * | 1998-08-19 | 2002-09-17 | The Trustees Of Princeton University | Organic photosensitive optoelectronic device with an exciton blocking layer |
| DE10058578C2 (de) * | 2000-11-20 | 2002-11-28 | Univ Dresden Tech | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
| DE10135513B4 (de) * | 2001-07-20 | 2005-02-24 | Novaled Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
| EP2256838B1 (en) * | 2001-08-29 | 2018-12-12 | The Trustees of Princeton University | Organic light emitting devices having charge carrier blocking layers comprising metalcomplexes |
| DE10215210B4 (de) * | 2002-03-28 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
| CA2480518C (en) * | 2002-03-29 | 2016-07-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device including semiconductor nanocrystals |
| EP1353388B1 (en) * | 2002-04-12 | 2010-03-17 | Konica Corporation | Organic electroluminescence element |
| US7180089B2 (en) * | 2003-08-19 | 2007-02-20 | National Taiwan University | Reconfigurable organic light-emitting device and display apparatus employing the same |
-
2004
- 2004-10-19 EP EP04770282A patent/EP1683211B1/en active Active
- 2004-10-19 WO PCT/IB2004/052135 patent/WO2005043581A2/en active Application Filing
- 2004-10-19 KR KR1020067008029A patent/KR101112061B1/ko active IP Right Grant
- 2004-10-19 CN CNB2004800314766A patent/CN100555703C/zh active Active
- 2004-10-19 DE DE602004025026T patent/DE602004025026D1/de active Active
- 2004-10-19 AT AT04770282T patent/ATE454719T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-10-19 JP JP2006537499A patent/JP4589334B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-19 US US10/577,104 patent/US20070132370A1/en not_active Abandoned
- 2004-10-26 TW TW093132431A patent/TWI349377B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI349377B (en) | 2011-09-21 |
| CN1871723A (zh) | 2006-11-29 |
| US20070132370A1 (en) | 2007-06-14 |
| ATE454719T1 (de) | 2010-01-15 |
| KR20060131744A (ko) | 2006-12-20 |
| KR101112061B1 (ko) | 2012-03-08 |
| CN100555703C (zh) | 2009-10-28 |
| TW200527713A (en) | 2005-08-16 |
| WO2005043581A2 (en) | 2005-05-12 |
| WO2005043581A3 (en) | 2005-08-25 |
| JP2007510303A (ja) | 2007-04-19 |
| DE602004025026D1 (de) | 2010-02-25 |
| EP1683211B1 (en) | 2010-01-06 |
| EP1683211A2 (en) | 2006-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3695714B2 (ja) | 有機層を持つ発光素子 | |
| JP4368638B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
| JP5322075B2 (ja) | 有機りん光発光デバイスおよびその製造方法 | |
| JP2005533349A (ja) | ２次元のアレイを有するエレクトロルミネセント装置 | |
| KR20080086994A (ko) | 서로 적층된 다수의 유기 전계발광 유닛을 구비한 유기발광 소자 | |
| JP2001507167A (ja) | 有機発光ダイオード用のアノード改質 | |
| JP2006319070A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4589334B2 (ja) | 向上した量子効率を有する発光デバイス | |
| KR101386657B1 (ko) | 발광 구성요소 | |
| Rhee et al. | Heavily doped, charge-balanced fluorescent organic light-emitting diodes from direct charge trapping of dopants in emission layer | |
| US6963081B2 (en) | Interfacial trap layer to improve carrier injection | |
| Park et al. | Efficient multiple triplet quantum well structures in organic light-emitting devices | |
| Jou et al. | Efficient fluorescent white organic light-emitting diodes using co-host/emitter dual-role possessed di (triphenyl-amine)-1, 4-divinyl-naphthalene | |
| JP2004063363A (ja) | 電界発光素子用材料、およびそれを用いた電界発光素子 | |
| KR101201926B1 (ko) | 도핑된 유기물 층을 포함하는 유기 발광 다이오드 | |
| JP2007059783A (ja) | 有機ｅｌ素子、その製造方法およびその用途 | |
| JP2000286060A (ja) | 有機発光素子およびその製造方法 | |
| JPWO2004052057A1 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP5441404B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス用のマトリックス材料 | |
| JP2005078896A (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
| JP2009182288A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| TWI236174B (en) | Organic-inorganic light emitting diode structure | |
| Chen et al. | The Investigation on Color Purity of Blue Organic Light‐Emitting Diodes (BOLED) by Hole‐Blocking Layer | |
| US7321195B2 (en) | Organic electro-luminescent device having polymer emission layer | |
| JP2023113230A (ja) | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子を備える有機ｅｌ表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071019 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20100531 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100709 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100810 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100909 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4589334 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130917 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |