JP4578971B2 - フォトレジストとして有用なフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法 - Google Patents
フォトレジストとして有用なフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4578971B2 JP4578971B2 JP2004529165A JP2004529165A JP4578971B2 JP 4578971 B2 JP4578971 B2 JP 4578971B2 JP 2004529165 A JP2004529165 A JP 2004529165A JP 2004529165 A JP2004529165 A JP 2004529165A JP 4578971 B2 JP4578971 B2 JP 4578971B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluorine
- ethylenically unsaturated
- containing copolymer
- photoresist composition
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F14/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
- C08F14/18—Monomers containing fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F232/00—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F214/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
- C08F214/18—Monomers containing fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F214/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen
- C08F214/18—Monomers containing fluorine
- C08F214/26—Tetrafluoroethene
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/22—Esters containing halogen
- C08F220/24—Esters containing halogen containing perhaloalkyl radicals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F232/00—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
- C08F232/08—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having condensed rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F8/00—Chemical modification by after-treatment
- C08F8/12—Hydrolysis
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2800/00—Copolymer characterised by the proportions of the comonomers expressed
- C08F2800/20—Copolymer characterised by the proportions of the comonomers expressed as weight or mass percentages
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
(a)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位と、
(b)構造
R1〜R12は、独立して、H、ハロゲン、カルボキシル、OHまたはO2C−R13であり、ここで、R13はC1〜C20炭化水素基であり、R1〜R12の少なくとも1個はOHまたはO2C−R13である)
のエチレン性不飽和環式化合物から誘導される反復単位と
を含むことを特徴とするフッ素含有コポリマーを提供する。
フッ素含有コポリマーは、構造
R1〜R12は、独立して、H、ハロゲン、カルボキシル、OHまたはO2C−R13であり、ここで、R13はC1〜C20炭化水素基であり、R1〜R12の少なくとも1個はOHまたはO2C−R13である)のエチレン性不飽和環式化合物から誘導される反復単位を含む。
−C(Rf)(Rf’)OH
(式中、RfおよびRf’は1〜10個の炭素原子を有する、同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)n(nは2〜10である)である)を有するフルオロアルコール基を含有するエチレン性不飽和化合物から誘導することが可能である。RfおよびRf’は、部分フッ素化アルキル基または完全フッ素化アルキル基(すなわちパーフルオロアルキル基)であることが可能である。「合一して」という言葉は、分離した別個のフッ素化アルキル基ではなく、それらが一緒に5員環の場合に以下で例示するような環構造を形成することを意味する。
−XCH2C(Rf)(Rf’)OH
(式中、RfおよびRf’は上述した通りであり、Xは元素の周期律表(CAS版)の第VA族または第VIA族からの元素、例えば、酸素、硫黄、窒素およびリンである)を有することも可能である。酸素は好ましいX基である。
−C(Rf)(Rf’)O−CH2OCH2R14
を有する。
(PAC触媒による除去のための保護基)
(光活性成分(PAC))
本発明のフォトレジスト組成物は、現像プロセス中に化学線に露光すると酸または塩基のいずれかを生成させることができる少なくとも1種の光活性成分(PAC)を含有する。化学線に露光すると酸が生成する場合、PACは光酸発生剤(PAG)と呼ぶ。化学線に露光すると塩基が生成する場合、PACは光塩基発生剤(PBG)と呼ぶ。
フォトレジスト組成物中で用いるために、フッ素含有コポリマーは、≦365nmの波長を有する紫外線に像様露光した後にレリーフ画像を作るためにフォトレジストを現像可能にするのに十分な官能基を含有するべきである。幾つかの好ましい実施形態において、十分な官能基は、上述したように酸基および/または保護された酸基から選択される。こうした酸基または保護された酸基は、≦365nmの波長を有する十分な紫外線に露光すると、未露光部分が塩基性溶液に不溶でありながら、露光されたフォトレジスト部分を塩基性溶液に可溶性にすることが見出された。
種々の溶解抑制剤を本発明において用いることが可能である。理想的には、遠および極UVレジスト(例えば193nmレジスト)のための溶解抑制剤(DI)は、所定のDI添加剤を含むレジスト組成物の溶解抑制、プラズマエッチング抵抗および粘着性挙動を含む多数の材料要求を満足させるように設計/選択されるべきである。幾つかの溶解抑制化合物はレジスト組成物中で可塑剤としても役立つ。
本発明のフォトレジストは、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、2−エトキシエチルアセテート、2−メトキシエチルアセテートおよびエチル3−エトキシプロピオネートなどのエーテルエステル;シクロヘキサノン、2−ヘプタノンおよびメチルエチルケトンなどのケトン;酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸メチルおよび酢酸エチルなどのエステル;プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルおよび2−メトキシエチルエーテル(ジグリム)などのグリコールエーテル;ヘキサン、トルエンおよびシクロベンゼンなどの非置換および置換炭化水素ならびに芳香族炭化水素;およびCFC−113(1,1,2−トリクロロトリフルオロメタン、本願特許出願人)および1,2−ビス(1,1,2,2−テトラフルオロエトキシ)エタンなどのフッ素化溶媒などの適する溶媒にフォトレジストの成分を溶解させることにより塗料組成物として調製される。例えば、キシレンまたは他の非置換または置換芳香族炭化水素;ベンジルエチルエーテルおよびジヘキシルエーテルなどのエーテル;ジエチレングリコールモノメチルエーテルおよびジエチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル;アセトニルアセトンおよびイソホロンなどのケトン;1−オクタノール、1−ノナノールおよびベンジルアルコールなどのアルコール;酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレンおよび炭酸プロピレンなどのエステル;およびγ−ブチロラクトンおよびδ−バレロラクトンなどのラクトンなどの高沸点溶媒を添加することが可能である。あるいは、超臨界CO2は溶媒として有用である場合がある。これらの溶媒は、単独で、または2種以上の混合物で用いてもよい。典型的には、フォトレジストの固形物含有率は、フォトレジスト組成物の全重量の5〜50重量%の間で異なる。
本発明の組成物は任意の追加成分を含有することが可能である。添加できる追加成分の例には、塩基、界面活性剤、解像度強化剤、定着剤、残留物減少剤、塗料助剤、可塑剤およびTg(ガラス転移温度)調整剤が挙げられるが、それらに限定されない。
微細平版印刷について、フォトレジスト組成物は、半導体工業で典型的に用いられるマクロエレクトロニックウェハなどの適する基材に塗布される。その後、溶媒は蒸発によって除去される。
本発明のフォトレジスト組成物は、電磁スペクトルの紫外線領域、特に≦365nmの波長において感光性である。本発明のフォトレジスト組成物の像様露光は、365nm、248nm、193nm、157nmおよびそれ以下の波長に限定されないが、それらを含む多くの異なるUV波長で行うことが可能である。像様露光は、好ましくは、248nm、193nm、157nmまたはそれ以下の波長の紫外線で行われ、より好ましくは、193nm、157nmまたはそれ以下の波長の紫外線で行われ、なおより好ましくは、157nmまたはそれ以下の波長の紫外線で行われる。像様露光は、レーザまたは相当装置でディジタル的に、またはフォトマスクの使用で非ディジタル的に行うことが可能である。レーザによるディジタル画像形成は好ましい。本発明の組成物のディジタル画像形成のために適するレーザ装置には、UV出力が193nmであるアルゴンフッ素エキシマレーザ、UV出力が248nmであるクリプトンフッ素エキシマレーザまたは出力が157nmであるフッ素(F2)レーザが挙げられるが、それらに限定されない。上で論じたように、像様露光のためのより低い波長のUV線の使用がより高い解像度(下方解像度限界)に対応するので、より低い波長(例えば、193nmまたは157nm以下)の使用は、より高い波長(例えば、248nm以上)の使用より一般に好ましい。詳しくは、157nmでの画像形成は、193nmでの画像形成より好ましい。
本発明において用いられる基材は、ケイ素、酸化ケイ素、オキシ窒化ケイ素および窒化ケイ素または半導体製造において用いられる他の種々の材料であることが可能である。好ましい実施形態において、基材はマイクロエレクトロニックウェハの形を取ることが可能である。マイクロエレクトロニックウェハは、ケイ素、酸化ケイ素、オキシ窒化ケイ素または窒化ケイ素から作製することが可能である。
a)2〜4個のシリコンウェハを異なる速度(例えば、2000、3000、4000、6000rpm)で回転させて、異なるフィルム厚さを得る。その後、被覆されたウェハを120℃で30分にわたり焼成する。その後、乾燥させたフィルムの厚さをガエトナー・サイエンティフィック(Gaertner Scientific)(イリノイ州シカゴ)のL116A楕円偏光計(400〜1200オングストローム範囲)で測定した。その後、2つの回転速度をこのデータから選択して、分光計測定のためにCaF2基材を回転させる。
b)2つのCaF2基材(直径1インチ×厚さ0.80インチ)を選択し、632重水素源、658光電子増倍器および「ケイスレー(Keithley)」485ピコアンメータを用いる「マクファーソン(McPherson)」(マサチューセッツ州ケムスフォード)分光計、234/302モノクロメータで各々を標準データファイルとして走らせる。
c)シリコンウェハデータa)から2つの速度を選択して(例えば、2000rpmと4000rpm)、CaF2標準基材上で試料材料を回転させて、所望のフィルム厚さ達成する。その後、各々を120℃で30分にわたり焼成し、試料スペクトルを「マクファーソン(McPherson)」分光計で集める。その後、試料ファイルを標準CaF2ファイルによって分割する。
d)その後、得られた吸光率ファイルをフィルム厚さについて調節して(CaF2上の試料フィルムをCaF2ブランクで除す)、吸光率/ミクロン(abs/mic)を与え、それはGRAMS386ソフトウェアおよび「カレイダグラフ(KALEIDAGRAPH)ソフトウェアを用いて行う。
(TFEとNB−OAcのポリマー)
200mLの圧力容器に45.6gのNB−OAc、75mLの1,1,2−トリクロロフルオロエタンおよび1.2gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16Nを投入した。容器を密閉し、冷却し、排気し、窒素で数回パージし、その後、45gのTFEを投入した。容器を50℃で18時間にわたり振とうした。容器を冷却し、内容物を過剰のメタノールにゆっくり注ぎ込んだ。沈殿したポリマーをメタノールで洗浄し、真空炉内で一晩乾燥させて、13.2gのポリマーを生じさせた。13C NMRスペクトルから、ポリマー組成は、TFE43%およびNB−OAc57%であることが判明した。DSC:Tg=185℃、GPC:Mn=6000、Mw=9100、Mw/Mn=1.50、分析検出:C55.50%、H5.96%、F25.17%。
(TFE、NB−FOH、NB−F−OMOMおよびNB−OAcのポリマー)
200mLの圧力容器に34.8gのNB−F−OH、20.0gのNB−F−OMOM、9.12gのNB−OAc、75mLの1,1,2−トリクロロフルオロエタンおよび1.0gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16Nを投入した。容器を密閉し、冷却し、排気し、窒素で数回パージし、その後、36gのTFEを投入した。容器を50℃で18時間にわたり振とうした。容器を冷却し、内容物を過剰のヘキサンにゆっくり注ぎ込んだ。沈殿したポリマーをヘキサンで洗浄し、真空炉内で一晩乾燥させて、8.8gのポリマーを生じさせた。DSC:Tg=143℃、GPC:Mn=4500、Mw=6300、Mw/Mn=1.40、分析検出:C44.58%、H4.11%、F40.55%。
(TFE、NB−FOH、NB−F−OMOMおよびNB−OHのポリマー)
実施例2で調製されたポリマーの7.2g部分を室温で100mLのTHFに溶解させた。6mLのメタノールおよび6mLの水中の水酸化ナトリウム1.2gの溶液を添加した。得られた溶液を室温で一晩攪拌した。1Lの氷水および10mLの濃塩酸に溶液をゆっくり注ぎ込むことによりポリマーを沈殿させた。ポリマーを水で洗浄し、真空炉内で85℃で一晩乾燥させ、5.8gの製品を生じさせた。13C NMRスペクトルから、ポリマー組成は、TFE46%、NB−FOH28%、NB−F−OMOM13%およびNB−OH13%であることが判明した。DSC:Tg=137℃、GPC:Mn=4600、Mw=6300、Mw/Mn=1.38、分析検出:C43.70%、H3.89%、F37.44%。157nmでのポリマー吸光率は1.49μm−1であることが判明した。
(TFE、NB−FOH、NB−F−OMOMおよびNB−OAcのポリマー)
200mLの圧力容器に17.4gのNB−FOH、20.0gのNB−F−OMOM、9.12gのNB−OAc、75mLの1,1,2−トリクロロフルオロエタンおよび1.0gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16Nを投入した。容器を密閉し、冷却し、排気し、窒素で数回パージし、その後、42gのTFEを投入した。容器を50℃で18時間にわたり振とうした。容器を冷却し、内容物を過剰のヘキサンにゆっくり注ぎ込んだ。沈殿したポリマーをヘキサンで洗浄し、真空炉内で一晩乾燥させて、13.5gのポリマーを生じさせた。DSC:Tg=141℃、GPC:Mn=5900、Mw=8600、Mw/Mn=1.45、分析検出:C44.53%、H4.03%、F40.63%。
(TFE、NB−FOH、NB−F−OMOMおよびNB−OHのポリマー)
実施例4のポリマーの12g部分を室温で100mLのTHFに溶解させた。10mLのメタノールおよび10mLの水中の水酸化ナトリウム2gの溶液を添加した。得られた溶液を室温で一晩攪拌した。1Lの氷水および10mLの濃塩酸に溶液をゆっくり注ぎ込むことによりポリマーを沈殿させた。ポリマーを水で洗浄し、真空炉内で85℃で一晩乾燥させ、10.4gの製品を生じさせた。13C NMRスペクトルから、ポリマー組成は、TFE48%、NB−F−OH19%、NB−F−OMOM15%およびNB−OH18%であることが判明した。DSC:Tg=137℃、GPC:Mn=5900、Mw=8700、Mw/Mn=1.47、分析検出:C44.11%、H4.02%、F39.75%。
(TFE、NB−FOH、NB−F−OMOMおよびNB−OAcのポリマー)
200mLの圧力容器に34.8gのNB−FOH、10.0gのNB−F−OMOM、13.7gのNB−OAc、75mLの1,1,2−トリクロロフルオロエタンおよび1.0gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16Nを投入した。容器を密閉し、冷却し、排気し、窒素で数回パージし、その後、36gのTFEを投入した。容器を50℃で18時間にわたり振とうした。容器を冷却し、内容物を過剰のヘキサンにゆっくり注ぎ込んだ。沈殿したポリマーをヘキサンで洗浄し、真空炉内で一晩乾燥させて、10.7gのポリマーを生じさせた。DSC:Tg=151℃、GPC:Mn=4800、Mw=6800、Mw/Mn=1.42、分析検出:C45.32%、H4.05%、F39.32%。
(TFE、NB−FOH、NB−F−OMOMおよびNB−OHのポリマー)
実施例6のポリマーの9.6g部分を室温で120mLのTHFに溶解させた。8mLのメタノールおよび8mLの水中の水酸化ナトリウム1.6gの溶液を添加した。得られた溶液を室温で一晩攪拌した。1Lの氷水および10mLの濃塩酸に溶液をゆっくり注ぎ込むことによりポリマーを沈殿させた。ポリマーを水で洗浄し、真空炉内で85℃で一晩乾燥させ、7.85gの製品を生じさせた。13C NMRスペクトルから、ポリマー組成は、TFE49%、NB−F−OH27%、NB−F−OMOM7%およびNB−OH18%であることが判明した。DSC:Tg=147℃、GPC:Mn=4600、Mw=6600、Mw/Mn=1.44、分析検出:C44.86%、H4.10%、F37.15%。157nmでのポリマー吸光率は1.25μm−1であることが判明した。
(TFE、NB−OAcおよびt−BuAcのポリマー)
容量約270mLの金属圧力容器に36.1gのNB−OAc、1.6gのt−ブチルアクリレートおよび50mLのソルカン(Solkane)365を投入した。容器を密閉し、約−15℃に冷却し、窒素で400psiに加圧し、数回ベントした。反応器内容物を50℃に加熱した。TFEを330psiの圧力に添加し、必要に応じてTFEを添加することにより、重合全体を通して圧力を330psiで維持するように圧力調節器を設定した。ソルカン(Solkane)365mfcで100mLに希釈された39.6gのNB−F−OAcおよび11.1gのt−ブチルアクリレートの溶液を0.10mL/分の速度で12時間にわたり反応器にポンプで送った。モノマー原料溶液と同時に、ソルカン(Solkane)365mfcで100mLに希釈された7.3gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16Nおよび60mLの酢酸メチルの溶液を2.0mL/分の速度で6分にわたり、その後、0.1mL/分の速度で8時間にわたり反応器にポンプで送った。16時間の反応時間後に、容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。回収されたポリマー溶液を攪拌しつつ過剰のヘキサンにゆっくり添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、空気乾燥させた。得られた固形物をTHFとソルカン(Solkane)365mfcの混合物に溶解させ、過剰のヘキサンにゆっくり添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、真空炉内一晩乾燥させて32.3gの白色ポリマーを生じさせた。13C NMRスペクトルから、ポリマー組成は、TFE32%、NB−OAc43%およびt−BuAc25%であることが判明した。DSC:Tg=157℃、GPC:Mn=6100、Mw=9800、Mw/Mn=1.62、分析検出:C58.77%、H6.41%、F17.76%。
(TFE、NB−OHおよびt−BuAcのポリマー)
実施例8のポリマーの30.64g部分を200mLのTHFに溶解させた。25mL水および25mLのメタノール中の水酸化ナトリウム8.0gの溶液を滴下した。得られた混合物を室温で一晩攪拌した。溶液を過剰の水性1%塩酸に注ぎ込んだ。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。ポリマーを200mLのアセトンに溶解させ、4mLの36%水性塩酸で処理した。溶液を濾過し、過剰の水に注ぎ込んだ。沈殿物を濾過し、水で洗浄し、乾燥させて、25.8gのポリマーを生じさせた。DSC:Tg=127℃、GPC:Mn=5600、Mw=8700、Mw/Mn=1.75、分析検出:C58.51%、H6.29%、F19.65%。
(TFE、NB−FOH、NB−OAcおよびt−BuAcのポリマー)
容量約270mLの金属圧力容器に32.6gのNB−FOH、19.0gのNB−OAc、1.6gのt−ブチルアクリレートおよび40mLのソルカン(Solkane)365を投入した。容器を密閉し、約−15℃に冷却し、窒素で400psiに加圧し、数回ベントした。反応器内容物を50℃に加熱した。TFEを330psiの圧力に添加し、必要に応じてTFEを添加することにより、重合全体を通して圧力を330psiで維持するように圧力調節器を設定した。ソルカン(Solkane)365mfcで100mLに希釈された35.24gのNB−FOH、21.11gのNB−OAcおよび11.1gのt−ブチルアクリレートの溶液を0.10mL/分の速度で12時間にわたり反応器にポンプで送った。モノマー原料溶液と同時に、ソルカン(Solkane)365mfcで100mLに希釈された7.3gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16Nおよび60mLの酢酸メチルの溶液を2.0mL/分の速度で6分にわたり、その後、0.1mL/分の速度で8時間にわたり反応器にポンプで送った。16時間の反応時間後に、容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。回収されたポリマー溶液を攪拌しつつ過剰のヘキサンにゆっくり添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、空気乾燥させた。得られた固形物をTHFとソルカン(Solkane)365mfcの混合物に溶解させ、過剰のヘキサンにゆっくり添加した。沈殿物を濾過し、ヘキサンで洗浄し、真空炉内一晩乾燥させて42.8gの白色ポリマーを生じさせた。13C NMRスペクトルから、ポリマー組成は、TFE31%、NB−FOH20%、NB−OAc23%およびt−BuAc25%であることが判明した。DSC:Tg=151℃、GPC:Mn=5600、Mw=8700、Mw/Mn=1.56、分析検出:C51.95%、H4.94%、F27.67%。
(TFE、NB−FOH、NB−OHおよびt−BuAcのポリマー)
実施例10のポリマーの40.0g部分を200mLのTHFに溶解させた。25mLの水および25mLのメタノール中の水酸化ナトリウム8.8gの溶液を滴下した。得られた混合物を室温で一晩攪拌した。溶液を過剰の水性1%塩酸に注ぎ込んだ。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。ポリマーを200mLのアセトンに溶解させ、4mLの36%水性塩酸で処理した。溶液を濾過し、過剰の水に注ぎ込んだ。沈殿物を濾過し、水で洗浄し、乾燥させて、35.0gのポリマーを生じさせた。13C NMRスペクトルから、ポリマー組成は、TFE32%、NB−FOH26%、NB−OH18%およびt−BuAc26%であることが判明した。DSC:Tg=166℃、GPC:Mn=4000、Mw=7800、Mw/Mn=1.95、分析検出:C51.51%、H5.20%、F29.67%。
(TFE、NB−OAcおよびMAdAのポリマー)
容量約270mLの金属圧力容器に41.045gのNB−OAc、6.60gのMAdAおよび25mLのソルカン(Solkane)365を投入した。容器を密閉し、約−15℃に冷却し、窒素で400psiに加圧し、数回ベントした。反応器内容物を50℃に加熱した。TFEを280psiの圧力に添加し、必要に応じてTFEを添加することにより、重合全体を通して圧力を280psiで維持するように圧力調節器を設定した。ソルカン(Solkane)365mfcで100mLに希釈された31.67gのNB−OAcおよび45.83gのMAdAの溶液を0.10mL/分の速度で12時間にわたり反応器にポンプで送った。モノマー原料溶液と同時に、ソルカン(Solkane)365mfcで100mLに希釈された7.3gの「パーカドックス(Perkadox)」(登録商標)16Nおよび60mLの酢酸メチルの溶液を2.0mL/分の速度で6分にわたり、その後、0.1mL/分の速度で8時間にわたり反応器にポンプで送った。16時間の反応時間後に、容器を室温に冷却し、1気圧にベントした。反応器内容物は固体と液体の混合物であった。液体を放置して蒸発させ、残留物をTHFに溶解させ、過剰のヘキサン中に沈殿させた。沈殿物をTHFに再溶解させ、ヘキサン中に沈殿させ、ヘキサンで洗浄し、真空炉内一晩乾燥させて31.8gの白色ポリマーを生じさせた。13C NMRスペクトルから、ポリマー組成は、TFE12%、NB−OAc36%およびMAdA52%であることが判明した。DSC:Tg=171℃、GPC:Mn=6100、Mw=21000、Mw/Mn=3.46、分析検出:C71.34%、H8.33%、F4.91%。
(TFE、NB−OH、NB−OAcおよびMAdAのポリマー)
実施例12のポリマーの30g部分を200mLのTHFおよび25mLのメタノールに溶解させた。水酸化テトラメチルアンモニウム(44g、水中の25%溶液)を添加した。得られた混合物を室温で一晩攪拌した。反応混合物を2相に分離した。最上相を3.6Lの1%水性塩酸にゆっくり添加した。ポリマーを濾過し、THFに溶解させ、2mLの濃塩酸で処理し、3.6Lの水に注ぎ込んだ。沈殿物を濾過し、真空炉内で乾燥させて、27.7gの製品を生じさせた。DSC:Tg=169℃、GPC:Mn=5400、Mw=19800、Mw/Mn=3.70、13C NMR分析によると、ポリマー組成が、TFE12%、NB−OH23%、NB−OAc10%およびMAdA56%であることが示された。分析によると、NB−OAcの一部がNB−OHに転化されたことが示された。
以下の溶液を調製し、磁気的に一晩攪拌した。
ブリューワー・サイエンス(Brewer Science Inc.)モデル100CBコンビネーションスピンコータ/ホットプレートを用いて回転被覆を直径4インチのタイプ「P」<100>配向シリコンウェハ上で行った。リソウ・テク・ジャパン(Litho Tech Japan Co.)のレジスト現像分析装置(モデル790)で現像を行った。
実施例7で調製されたTFE/NB−FOH/NB−F−OMOM/NB−OHポリマーを用いたことを除き、実施例14のように溶液を調製した。露光後に100℃の焼成温度を用いたことを除き、実施例14のように溶液を回転被覆し処理した。ポジティブ画像が形成された。
以下の溶液を調製し、磁気的に一晩攪拌した。
以下の溶液を調製し、磁気的に一晩攪拌した。
以下の溶液を調製し、磁気的に一晩攪拌した。
以下の溶液を調製し、磁気的に一晩攪拌した。
本出願は、特許請求の範囲に記載の発明を含め、以下の発明を包含する。
(1) (a)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位と、
(b)構造
R1〜R12は、独立して、H、ハロゲン、カルボキシル、OHまたはO2C−R13であり、ここで、R13はC1〜C20炭化水素基であり、R1〜R12の少なくとも1個はOHまたはO2C−R13である)
のエチレン性不飽和環式化合物から誘導される反復単位と
を含むことを特徴とするフッ素含有コポリマー。
(2) R1〜R11がそれぞれ水素であり、mは0であり、R12がOHまたはO2C−R13(式中、R13はC1〜C20炭化水素基である)であることを特徴とする(1)に記載のフッ素含有コポリマー。
(3) R13が1〜10個の炭素原子を有する直鎖または分枝アルキル基であることを特徴とする(2)に記載のフッ素含有コポリマー。
(4) R13がメチル、エチルまたはプロピルであることを特徴とする(3)に記載のフッ素含有コポリマー。
(5) 前記ハロゲンが塩素、フッ素または臭素であることを特徴とする(1)に記載のフッ素含有コポリマー。
(6) 反復単位(a)が、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、弗化ビニル、弗化ビニリデン、パーフルオロ−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソール)、パーフルオロ−(2−メチレン−4−メチル−1,3−ジオキソラン)、CF2=CFO(CF2)tCF=CF2(式中、tは1または2である)またはRfOCF=CF2(式中、Rfは1〜10個の炭素原子を有する飽和フルオロアルキル基である)から誘導されることを特徴とする(1)に記載のフッ素含有コポリマー。
(7) 反復単位(a)がテトラフルオロエチレンから誘導されることを特徴とする(6)に記載のフッ素含有コポリマー。
(8) t−ブチルアクリレートまたはメチルアダマンチルアクリレートから誘導される反復単位を更に含むことを特徴とする(1)に記載のフッ素含有コポリマー。
(9) ノルボルニルフルオロアルコールまたは保護されたノルボルニルフルオロアルコールである反復単位を更に含むことを特徴とする(1)に記載のフッ素含有コポリマー。
(10) 構造
−C(Rf)(Rf’)OH
(式中、RfおよびRf’は1〜10個の炭素原子を有する、同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)n(nは2〜10である)である)を有するフルオロアルコール基を含有するエチレン性不飽和化合物から誘導されるフルオロアルコール基を更に含むことを特徴とする(1)に記載のフッ素含有コポリマー。
(11) 酸含有構造単位または保護された酸含有構造単位
を更に含むことを特徴とする(1)に記載のフッ素含有コポリマー。
(12) 前記ヘテロ原子がS、OまたはNであることを特徴とする(11)に記載のフッ素含有コポリマー。
(13) (a)
(i)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位と、
(ii)構造
R1〜R12は、独立して、H、ハロゲン、カルボキシル、OHまたはO2C−R13であり、ここで、R13はC1〜C20炭化水素基であり、R1〜R12の少なくとも1個はOHまたはO2C−R13である)
のエチレン性不飽和環式化合物から誘導される反復単位と
を含むフッ素含有コポリマー、および
(b)光活性成分
を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。
(14) R1〜R11がそれぞれ水素であり、mは0であり、R12がOHまたはO2C−R13(式中、R13はC1〜C20炭化水素基である)であることを特徴とする(13)に記載のフォトレジスト組成物。
(15) R13が1〜10個の炭素原子を有する直鎖または分枝アルキル基であることを特徴とする(14)に記載のフォトレジスト組成物。
(16) R13がメチル、エチルまたはプロピルであることを特徴とする(15)に記載のフォトレジスト組成物。
(17) 前記ハロゲンが塩素、フッ素または臭素であることを特徴とする(13)に記載のフォトレジスト組成物。
(18) 反復単位(i)が、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、弗化ビニル、弗化ビニリデン、パーフルオロ−(2,2−ジメチル−1,3−ジオキソール)、パーフルオロ−(2−メチレン−4−メチル−1,3−ジオキソラン)、CF2=CFO(CF2)tCF=CF2(式中、tは1または2である)またはRfOCF=CF2(式中、Rfは1〜10個の炭素原子を有する飽和フルオロアルキル基である)から誘導されることを特徴とする(13)記載のフォトレジスト組成物。
(19) 前記フッ素含有コポリマーが構造
−C(Rf)(Rf’)OH
(式中、RfおよびRf’は1〜10個の炭素原子を有する、同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)n(nは2〜10である)である)を有するフルオロアルコール基を含有するエチレン性不飽和化合物から誘導されるフルオロアルコール基を更に含むことを特徴とする(13)に記載のフォトレジスト組成物。
(20) 前記フッ素含有コポリマーが、酸含有構造単位または保護された酸含有構造単位
を更に含むことを特徴とする(13)に記載のフォトレジスト組成物。
(21) 前記ヘテロ原子がS、OまたはNであることを特徴とする(20)に記載のフォトレジスト組成物。
(22) 前記光活性成分が光酸発生剤であることを特徴とする(13)に記載のフォトレジスト組成物。
(23) 溶解抑制剤を更に含むことを特徴とする(13)に記載のフォトレジスト組成物。
(24) 溶媒を更に含むことを特徴とする(13)に記載のフォトレジスト組成物。
(25) (a)基材および
(b)(i)
(a’)エチレン性不飽和炭素原子に共有結合された少なくとも1個のフッ素原子を有するエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位と、
(b’)構造
R1〜R12は、独立して、H、ハロゲン、カルボキシル、OHまたはO2C−R13であり、ここで、R13はC1〜C20炭化水素基であり、R1〜R12の少なくとも1個はOHまたはO2C−R13である)
のエチレン性不飽和環式化合物から誘導される反復単位と
を含むフッ素含有コポリマーおよび
(ii)光活性成分
を含むフォトレジスト組成物
を含むことを特徴とする被覆された基材。
(26) 前記基材がSiONを含むことを特徴とする(25)に記載の被覆された基材。
(27) 前記基材がケイ素を含むことを特徴とする(25)に記載の被覆された基材。
(28) 基材上にフォトレジスト画像を作製する方法であって、
(A)
(1.)(1)に記載のフッ素含有コポリマー
(2.)光活性成分および
(3.)溶媒
を含むフォトレジスト組成物を基材上に塗布する工程と、
(B)前記フォトレジスト組成物を乾燥させて前記溶媒を実質的に除去して、前記基材上にフォトレジスト層を形成する工程と、
(C)前記フォトレジスト層を像様露光して、画像形成領域と非画像形成領域を形成する工程と、
(D)前記画像形成領域と非画像形成領域を有する露光されたフォトレジスト層を現像して、前記基材上にレリーフ画像を形成する工程と
を順に含むことを特徴とする方法。
Claims (14)
- R1〜R11がそれぞれ水素であり、mは0であり、R12がOHまたはO2C−R13(式中、R13はC1〜C20炭化水素基である)であることを特徴とする請求項1に記載のフッ素含有コポリマー。
- t−ブチルアクリレートまたはメチルアダマンチルアクリレートから誘導される反復単位を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のフッ素含有コポリマー。
- ノルボルニルフルオロアルコールまたは保護されたノルボルニルフルオロアルコールである反復単位を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のフッ素含有コポリマー。
- R1〜R11がそれぞれ水素であり、mは0であり、R12がOHまたはO2C−R13(式中、R13はC1〜C20炭化水素基である)であることを特徴とする請求項6に記載のフォトレジスト組成物。
- 前記フッ素含有コポリマーが構造
−C(Rf)(Rf’)OH
(式中、RfおよびRf’は1〜10個の炭素原子を有する、同じかまたは異なるフルオロアルキル基であるか、あるいは合一して(CF2)n(nは2〜10である)である)を有するフルオロアルコール基を含有するエチレン性不飽和化合物から誘導されるフルオロアルコール基を更に含むことを特徴とする請求項6に記載のフォトレジスト組成物。 - 前記光活性成分が光酸発生剤であることを特徴とする請求項6に記載のフォトレジスト組成物。
- 溶解抑制剤を更に含むことを特徴とする請求項6に記載のフォトレジスト組成物。
- 溶媒を更に含むことを特徴とする請求項6に記載のフォトレジスト組成物。
- 基材上にフォトレジスト画像を作製する方法であって、
(A)
(1.)請求項1に記載のフッ素含有コポリマー
(2.)光活性成分および
(3.)溶媒
を含むフォトレジスト組成物を基材上に塗布する工程と、
(B)前記フォトレジスト組成物を乾燥させて前記溶媒を実質的に除去して、前記基材上にフォトレジスト層を形成する工程と、
(C)前記フォトレジスト層を像様露光して、画像形成領域と非画像形成領域を形成する工程と、
(D)前記画像形成領域と非画像形成領域を有する露光されたフォトレジスト層を現像して、前記基材上にレリーフ画像を形成する工程と
を順に含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US40437402P | 2002-08-19 | 2002-08-19 | |
PCT/US2003/026088 WO2004016664A1 (en) | 2002-08-19 | 2003-08-19 | Fluorinated polymers useful as photoresists, and processes for microlithography |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005536589A JP2005536589A (ja) | 2005-12-02 |
JP2005536589A5 JP2005536589A5 (ja) | 2006-09-21 |
JP4578971B2 true JP4578971B2 (ja) | 2010-11-10 |
Family
ID=31888358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004529165A Expired - Fee Related JP4578971B2 (ja) | 2002-08-19 | 2003-08-19 | フォトレジストとして有用なフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7312287B2 (ja) |
EP (1) | EP1551886B1 (ja) |
JP (1) | JP4578971B2 (ja) |
KR (1) | KR20050062540A (ja) |
CN (1) | CN1675262A (ja) |
AT (1) | ATE408173T1 (ja) |
AU (1) | AU2003259951A1 (ja) |
DE (1) | DE60323521D1 (ja) |
TW (1) | TW200403257A (ja) |
WO (1) | WO2004016664A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4578971B2 (ja) * | 2002-08-19 | 2010-11-10 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | フォトレジストとして有用なフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法 |
JP5560854B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-07-30 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物およびそれに用いる重合体 |
WO2012070401A1 (ja) * | 2010-11-24 | 2012-05-31 | 旭硝子株式会社 | シート状記録材剥離用摺動部材、自動車用シールリング、並びに、産業ガス圧縮機用シールリング及び摺動部材 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5229473A (en) * | 1989-07-07 | 1993-07-20 | Daikin Industries Ltd. | Fluorine-containing copolymer and method of preparing the same |
JP4034896B2 (ja) * | 1997-11-19 | 2008-01-16 | 松下電器産業株式会社 | レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JPH11265067A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-09-28 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
CN1253759C (zh) * | 1998-09-23 | 2006-04-26 | 纳幕尔杜邦公司 | 微石印用光致抗蚀剂、聚合物和工艺 |
WO2000067072A1 (en) * | 1999-05-04 | 2000-11-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography |
KR100535149B1 (ko) * | 1999-08-17 | 2005-12-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물 |
JP4240786B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2009-03-18 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2003532765A (ja) * | 2000-05-05 | 2003-11-05 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | フォトレジスト用コポリマーおよびそのための方法 |
EP1246013A3 (en) * | 2001-03-30 | 2003-11-19 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
US6737215B2 (en) * | 2001-05-11 | 2004-05-18 | Clariant Finance (Bvi) Ltd | Photoresist composition for deep ultraviolet lithography |
JP4578971B2 (ja) * | 2002-08-19 | 2010-11-10 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | フォトレジストとして有用なフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法 |
-
2003
- 2003-08-19 JP JP2004529165A patent/JP4578971B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-19 KR KR1020057002754A patent/KR20050062540A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-08-19 TW TW092122760A patent/TW200403257A/zh unknown
- 2003-08-19 CN CNA038189178A patent/CN1675262A/zh active Pending
- 2003-08-19 AU AU2003259951A patent/AU2003259951A1/en not_active Abandoned
- 2003-08-19 US US10/523,490 patent/US7312287B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-19 EP EP03788676A patent/EP1551886B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-19 AT AT03788676T patent/ATE408173T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-08-19 DE DE60323521T patent/DE60323521D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-19 WO PCT/US2003/026088 patent/WO2004016664A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005536589A (ja) | 2005-12-02 |
WO2004016664A1 (en) | 2004-02-26 |
EP1551886A1 (en) | 2005-07-13 |
KR20050062540A (ko) | 2005-06-23 |
ATE408173T1 (de) | 2008-09-15 |
EP1551886A4 (en) | 2007-11-14 |
AU2003259951A1 (en) | 2004-03-03 |
EP1551886B1 (en) | 2008-09-10 |
TW200403257A (en) | 2004-03-01 |
CN1675262A (zh) | 2005-09-28 |
US20060166129A1 (en) | 2006-07-27 |
DE60323521D1 (de) | 2008-10-23 |
US7312287B2 (en) | 2007-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4402304B2 (ja) | フッ素化ポリマー、フォトレジストおよびミクロリソグラフィーのための方法 | |
US6790587B1 (en) | Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography | |
JP4327360B2 (ja) | ホトレジスト、ポリマーおよびマイクロリソグラフィの方法 | |
JP5573595B2 (ja) | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 | |
JP4303202B2 (ja) | 弗素化ポリマー、フォトレジストおよびミクロ平版印刷のための方法 | |
JP2010237662A (ja) | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 | |
JP2005532413A (ja) | エステル基を有するフッ素化ポリマー、およびマイクロリソグラフィー用フォトレジスト | |
EP1383812B1 (en) | Polycyclic fluorine-containing polymers and photoresists for microlithography | |
JP4610335B2 (ja) | フォトレジストとして有用な縮合4員環状炭素を有する多環式基を有するフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法 | |
JP4261303B2 (ja) | 水酸化され、光酸で切断可能な基を有するフォトレジスト | |
JP4578971B2 (ja) | フォトレジストとして有用なフッ素化ポリマーおよび微細平版印刷のための方法 | |
JP2005535709A (ja) | フォトレジストとして有用な縮合4員複素環を有する多環式基を有するフッ素化モノマー、フッ素化ポリマー、および微細平版印刷のための方法 | |
JP2005535780A (ja) | フォトレジスト、フルオロポリマーおよび157nm微細平版印刷のための方法 | |
JP2005519167A (ja) | ミクロ平版印刷法のための弗素化コポリマー | |
US20040092686A1 (en) | Polycyclic fluorine-containing polymers and photoresists for microlithography |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060802 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060802 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091211 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100309 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100316 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100820 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100825 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |