JP4572374B2 - アミノホスホン酸誘導体の製法 - Google Patents
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Description
本発明者らはこれまで様々な金属や配位子、或いは反応基質をを利用した不斉触媒反応を検討してきたが、近年、キラルな銅触媒を用いてN−アシルイミノエステルからα−アミノ酸誘導体を効率的に製造する方法を見いだした(特許文献1,非特許文献6)。
しかし、α−アミノホスホン酸エステルは、N−アシルイミノエステルに比べてルイス塩基性が強いため、上記と同様の反応系では反応生成物からのルイス酸触媒の活性中心である銅原子の解離が遅くなり、反応速度やエナンチオ選択性の低下が予想された。
R2はアミノ基の保護基を表す。このアミノ保護基として、例えば、Troc(トリクロロエトキシカルボニル、Cl3CCH2OCO-)、Boc(t-ブトキシカルボニル)、Teoc(トリメチルシリルエトキシカルボニル、Me3SiCH2CH2OCO-)、Ac(アセチル基)、CH3(CH2)nCO-等のアシル基等が挙げられるが、ウレタン型アミノ保護基が好ましく、特にTroc(基)が好ましい。
合成原料としてのα−イミノホスホン酸ジエステルは、N−保護−α−アミノブロモメチルホスホン酸ジエステルより高分子固定化ピペリジンを用いてイミンとし、濾過によりポリマー成分を除去した溶液をそのまま使用することができる。
R7はアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はスルフィド基(−SR9;R9はアルキル基又はアリール基、好ましくは炭素数が1〜10のアルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を表す。)を表す。
R5〜R7において、アリール基としてはフェニル基及びナフチル基が挙げられ、アラルキル基としてはベンジル基が挙げられる。これら芳香環はハロゲン原子、短鎖アルキル基、水酸基、アミノ基、ニトロ基等の置換基を有していてもよい。
R8は、それぞれ同一であっても異なってもよく、アルキル基又はフェニル基を表し、Si(R8)3は好ましくは、SiMe3、SiEt3、Si(i−C3H7)3、Si(Ph)2(t−C4H9)又はSi(Me)2(t−C4H9)である。
キラル銅触媒(化2)を用いて、この添加剤のシリルエノールエーテルのα−イミノホスホン酸エステルへの付加反応における効果を検討した。この際、シリルエノールエーテルとしてはベンズアルデヒド由来のトリメチルシリルエノールエーテルを、α−イミノホスホン酸エステルとしてはN−(2,2,2−トリクロロエトキシカルボニル)イミノメチルホスホン酸ジエチルエステルを用いた。
各種の添加剤を検討した結果、表1に示すように、ヘキサフルオロイソプロピルアルコール(HFIP)(Tetrahedron 1997, 53, 17015;J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 4480)が本反応系の添加剤として有効であることを見いだした。
有機溶媒中で銅(II)トリフラートとキラルジアミンを混合したのち適宜攪拌する。ここで用いられる有機溶媒は、炭化水素又はハロゲン化炭化水素などを用いることができる。中でも、塩化メチレンやトルエンあるいはそれらの混合溶媒が好適であり、溶媒の量は、反応基質の濃度が0.01〜0.2Mの範囲が好適である。触媒系の調整温度に特に制約はないが、混合する際は室温付近で行うのが簡便である。触媒の熟成時間は適宜に考慮され、通常30分から24時間、好ましくは3時間から6時間の範囲である。銅(II)トリフラートとキラルジアミンの比率は1:1〜1:2、好ましくは1:1.0〜1:1.2である。触媒の使用量は、反応基質に対して0.1%〜30%、好ましくは5%〜20%である。
最後に、このようにして調整された触媒系にシリルエノールエーテル化合物溶液、続いてα−イミノホスホン酸ジエステルの溶液を加えるが、この添加速度は反応に大きな影響を与える。通常は2時間〜20時間程度で添加するが、一般的にはゆっくり添加した方が好結果を与えることが多いため、必要に応じて時間を延長することもある。
以下の実施例において、各種の物性は以下の機器及び方法で測定した。
(1) NMRスペクトル:JEOL-LA300、JEOL-LA400又はJEOL-LA500(日本電子(株)製)
(2) IRスペクトル:JASCO FT/IR-610(日本分光(株)製)
(3) 旋光度:JASCO P-1010(日本分光(株)製)
シリルエノールエーテルは下記文献(1)、イミノホスホン酸エステルの合成原料は下記文献(2)記載の方法に従い合成した。他の試薬はすべて市販品を購入し、必要に応じて精製して使用した。反応はすべてアルゴン雰囲気下で実施した。
(1) a) Colvin, E. W. Silicon Reagents in Organic Synthesis; Academic: New York, 1988; Chapter 15.1. b) Gennari, C; Beretta, M. G.; Bernarde, A.; Moro, G.; Scolastico, C.; Todeschini, R. Tetrahedron 1986, 42, 893. c) Walshe, N. D. A.; Goodwin, G. B. T.; Smith, G. C.; Woodward, F. E. Org. Synth. 1987, 65. 1.
(2) a) Schrader, T.; Kober, R.; Steglich, W. Synthesis 1986, 372. b) Kobayashi, S.; Matsubara, R.; Nakamura, Y.; Kitagawa, H.; Sugiura, M. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 2507.
ブロモ−(2,2,2−トリクロロエトキシカルボニルアミノ)メチルホスホン酸ジエチル(0.3mmol)の塩化メチレン(3.0ml)溶液にピペリジノメチルポリスチレン(3.7mmol/g,2243mg,0.9mmol)とモレキュラーシーブ4A(30mg)を加えた。反応液を室温で20分間攪拌した後、メンブランフィルター(Whatman 0.15μm)を通して濾過し、濾液をそのまま以下の反応に使用した。
銅(II)トリフラート(20μmol)とキラルジアミン(22μmol)に塩化メチレン(1.5ml)を加え、室温で6時間攪拌した。モレキュラーシーブ3A(10mg)を加えた後、0℃に冷却し、表2に示す求核剤(シリルエノールエーテル、0.1mmol)の塩化メチレン(0.5ml)溶液とHFIP(0.4mmol)の塩化メチレン(0.5ml)溶液を加えた。続いて製造例1で得たN−保護−α−イミノホスホン酸ジエステルの塩化メチレン溶液(0.1M,2ml)と、再度、シリルエノールエーテル(0.2mmol)の塩化メチレン(2ml)溶液をゆっくり(通常8時間)滴下し、さらに1時間攪拌した。反応液を炭酸水素ナトリウムの飽和水溶液に注ぎ、有機層が青くなるまで激しく攪拌し、有機層を塩化メチレンで抽出した。有機層を併せて飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し、目的とするN−保護−α−アミノ−γ−オキソホスホン酸ジエステル誘導体を得た。
(1S)-[3-Oxo-3-phenyl-1-(2,2,2-trichloro-ethoxycarbonylamino)-propyl]-phosphonic acid diethyl ester (4a): [α]27 D -6.34 (92% ee, c 0.99, CHCl3); 1H NMR (CDCl3) δ = 7.96 (2H, m), 7.59 (1H, m), 7.47 (2H, m), 4.81 (1H, d, J = 12.0 Hz), 4.66 (1H, d, J = 12.2 Hz), 4.9-4.7 (1H, m), 4.2-4.1 (4H, m), 3.6-3.35 (2H, m), 1.32 (3H, t, J = 7.0Hz), 1.29 (3H, t, J = 7.4 Hz); 13C NMR (CDCl3) δ = 196.0 (d, J = 10.7 Hz), 154.0 (d, J = 5.7 Hz), 136.2 (s), 133.5 (s), 128.7 (s), 128.1 (s), 95.3 (s), 74.7 (s), 63.2 (J = 6.5 Hz), 62.8 (J = 6.3 Hz), 44.4 (d, J = 160.0 Hz), 38.2 (d, J = 4.2 Hz), 16.3 (J = 5.8 Hz), 16.3 (J = 5.8 Hz); IR 3743, 3239, 3053, 2982, 2360, 1739, 1691, 1598, 1579, 1544, 1449, 1393, 1367, 1229, 1146, 1031,972, 819, 757, 737 cm-1, ; Chiral HPLC, Daicel Chiralcel AD, hexane/iPrOH = 9/1, flow rate = 1.0 mL/min; tR = 18.4 min (R), tR = 23.0 min (S)
銅(II)トリフラート(20μmol)とキラルジアミン(22μmol)に塩化メチレン(1.5ml)を加え、室温で6時間攪拌した。モレキュラーシーブ3A(10mg)を加えた後、0℃に冷却し、シリルエノールエーテル(2a、0.1mmol)の塩化メチレン(1ml)溶液を加えた。続いて製造例1で得たN−保護−α−イミノホスホン酸ジエステルの塩化メチレン溶液(0.1M,2ml)と、再度、シリルエノールエーテル(0.2mmol)の塩化メチレン(2ml)溶液をゆっくり(通常8時間)滴下し、さらに1時間攪拌した。反応液を炭酸水素ナトリウムの飽和水溶液に注ぎ、有機層が青くなるまで激しく攪拌し、有機層を塩化メチレンで抽出した。有機層を併せて飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。溶媒を減圧留去し、残渣を塩化メチレン(2ml)に溶解し、HF−ピリジン(数滴)を加えた。炭酸水素ナトリウムの飽和水溶液を加え、塩化メチレンで数回抽出、有機層を併せて飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した。溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し、目的とするN−保護−α−アミノ−γ−オキソホスホン酸ジエステル誘導体を得た。結果は表1に示す(Entry1)。
Claims (4)
- 下式
- 反応系に活性プロトンを持つ化合物を添加剤として加える請求項1に記載の製法。
- 前記添加剤がヘキサフルオロイソプロピルアルコール(HFIP)である請求項2に記載の製法。
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