JPH09151191A - 光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物 - Google Patents
光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物Info
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- JPH09151191A JPH09151191A JP8255195A JP25519596A JPH09151191A JP H09151191 A JPH09151191 A JP H09151191A JP 8255195 A JP8255195 A JP 8255195A JP 25519596 A JP25519596 A JP 25519596A JP H09151191 A JPH09151191 A JP H09151191A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】特定の式で示されるイミンと、特定の式で
示されるホスホン酸エステルとを、希土類元素−アルカ
リ金属−ビナフトール錯体の存在下に反応させて、特定
の式で示されるホスホネート系化合物を合成し、次い
で、得られた上記化合物を、酸と接触させて該化合物の
アミノ基の脱保護とＯＲ3基の加水分解を行うか、また
は該化合物を水素と接触させて上記化合物のアミノ基の
脱保護を行い、次いで酸でＯＲ3基の加水分解を行うこ
とを特徴とする、下記式（Ia）または（Ib）で表される
光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法。 【効果】光学活性な原料を少量で用いて、少ない工程数
の簡単な操作で、大量の光学活性α-アミノホスホン酸
誘導体を製造しうるような活性α-アミノホスホン酸誘
導体の製造方法が提供される。 【化１】
示されるホスホン酸エステルとを、希土類元素−アルカ
リ金属−ビナフトール錯体の存在下に反応させて、特定
の式で示されるホスホネート系化合物を合成し、次い
で、得られた上記化合物を、酸と接触させて該化合物の
アミノ基の脱保護とＯＲ3基の加水分解を行うか、また
は該化合物を水素と接触させて上記化合物のアミノ基の
脱保護を行い、次いで酸でＯＲ3基の加水分解を行うこ
とを特徴とする、下記式（Ia）または（Ib）で表される
光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法。 【効果】光学活性な原料を少量で用いて、少ない工程数
の簡単な操作で、大量の光学活性α-アミノホスホン酸
誘導体を製造しうるような活性α-アミノホスホン酸誘
導体の製造方法が提供される。 【化１】
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、光学活性１-アミノホス
ホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用触媒の製造方
法並びに新規なホスホネート系化合物に関する。
ホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用触媒の製造方
法並びに新規なホスホネート系化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】１-アミノアルキルホスホン酸またはそ
のペプチド類縁誘導体は、グラム陽性菌およびグラム陰
性菌に対して抗菌作用を有し、かつ抗生物質（例えば、
ペニシリン、セファロスポリンおよびＤ−シクロセリ
ン）の活性を高めること、Ｌ−アラニンおよびＬ−アミ
ノエチルホスホン酸からのジペプチドであるアラフォス
ファリンが特に重要であること、一般に光学活性１-ア
ミノアルキルホスホン酸の誘 導体および特にＬ体（Ｒ
体）からの誘導体は大きな生物学的活性を示すことが知
られている（特開昭６１−８８８９５号公報）。
のペプチド類縁誘導体は、グラム陽性菌およびグラム陰
性菌に対して抗菌作用を有し、かつ抗生物質（例えば、
ペニシリン、セファロスポリンおよびＤ−シクロセリ
ン）の活性を高めること、Ｌ−アラニンおよびＬ−アミ
ノエチルホスホン酸からのジペプチドであるアラフォス
ファリンが特に重要であること、一般に光学活性１-ア
ミノアルキルホスホン酸の誘 導体および特にＬ体（Ｒ
体）からの誘導体は大きな生物学的活性を示すことが知
られている（特開昭６１−８８８９５号公報）。
【０００３】酵素的不斉合成法により光学活性１-アミ
ノアルキルホスホン酸を得る方法としては、テトラヘド
ロン アシンメトリー第４巻第1965頁１９９３年、特開
昭６１-８８８９５号公報等に記載されているものが挙
げられる。
ノアルキルホスホン酸を得る方法としては、テトラヘド
ロン アシンメトリー第４巻第1965頁１９９３年、特開
昭６１-８８８９５号公報等に記載されているものが挙
げられる。
【０００４】例えば、特開昭６１-８８８９５号公報に
は、１-アミノ-アルキルホスホン酸または１-アミノ-ア
ルキルホスホン酸のラセミ体であるＮ-アシル誘導体を
酵素分割し、次いで、脱アシル化することによりその
立体異性体を製造する方法において、酵素分割をペニシ
リン-Ｇ-アミダーゼを用いて、
は、１-アミノ-アルキルホスホン酸または１-アミノ-ア
ルキルホスホン酸のラセミ体であるＮ-アシル誘導体を
酵素分割し、次いで、脱アシル化することによりその
立体異性体を製造する方法において、酵素分割をペニシ
リン-Ｇ-アミダーゼを用いて、
【０００５】
【化５】
【０００６】［式中、Ｒ2は、場合により例えば、ハロ
ゲン原子、ヒドロキシ基、炭素原子１〜３個 のアルコ
キシ基、フェニル基および／またはフェノキシ基により
置換されていてもよい炭素原子１〜６個、特に１〜４個
を有する分枝鎖状か、または有利には直鎖状のアルキル
基を表すか、またはフェニル基を表す。］の１-アミノ
アルキルホスホン酸の立体異 性体を得る製造法が記載
されている。
ゲン原子、ヒドロキシ基、炭素原子１〜３個 のアルコ
キシ基、フェニル基および／またはフェノキシ基により
置換されていてもよい炭素原子１〜６個、特に１〜４個
を有する分枝鎖状か、または有利には直鎖状のアルキル
基を表すか、またはフェニル基を表す。］の１-アミノ
アルキルホスホン酸の立体異 性体を得る製造法が記載
されている。
【０００７】しかしながら、これら酵素的不斉合成で
は、基質が限定されてしまうとの問題点がある。また、
非酵素的不斉合成法としては、従来下記〜に示すよ
うな種々の方法が知られている。
は、基質が限定されてしまうとの問題点がある。また、
非酵素的不斉合成法としては、従来下記〜に示すよ
うな種々の方法が知られている。
【０００８】すなわち、 ラセミ体の１-アミノアルキルホスホン酸を、無水ジ
ベンゾイル-L-酒石酸によって分割する方法＜収率７０
〜８７％＞（カナディアン・ジャーナル・オブ・ケミカ
ル・エンジニアリング第６１巻第2425頁、1983年）、 光学活性アミノホスホン酸エステルへの不斉アルキ
ル化反応によって合成する方法＜収率５０〜８６％、光
学純度２５〜７６％＞（テトラヘドロン・レターズ第３
３巻第6127頁、1992年） 光学活性イミンへのホスホン酸エステルのジアステ
レオ選択的付加反応によって合成する方法＜収率３０〜
９０％、光学純度７１〜９９％＞（ジャーナル・オブ・
アメリカン・ケミカル・ソサエテー第１１６巻第9377
頁、1994年） 不斉触媒を用いたオレフィンの不斉水素化反応によ
って合成する方法＜収率９２％、光学純度６３〜９６％
＞（シンセティック・コミュニケーションズ第26巻 第7
77頁、1996年）など。
ベンゾイル-L-酒石酸によって分割する方法＜収率７０
〜８７％＞（カナディアン・ジャーナル・オブ・ケミカ
ル・エンジニアリング第６１巻第2425頁、1983年）、 光学活性アミノホスホン酸エステルへの不斉アルキ
ル化反応によって合成する方法＜収率５０〜８６％、光
学純度２５〜７６％＞（テトラヘドロン・レターズ第３
３巻第6127頁、1992年） 光学活性イミンへのホスホン酸エステルのジアステ
レオ選択的付加反応によって合成する方法＜収率３０〜
９０％、光学純度７１〜９９％＞（ジャーナル・オブ・
アメリカン・ケミカル・ソサエテー第１１６巻第9377
頁、1994年） 不斉触媒を用いたオレフィンの不斉水素化反応によ
って合成する方法＜収率９２％、光学純度６３〜９６％
＞（シンセティック・コミュニケーションズ第26巻 第7
77頁、1996年）など。
【０００９】しかしながら上記文献に記載の方法で
は、工程数が多く、操作が煩雑であるとの問題点があ
り、上記文献および文献に記載の方法では、光学活
性な原料を化学量論量必要とするなどの問題点があり、
また、上記文献に記載の方法では、原料であるオレフ
ィン体を合成するのに工程数が多く、また原料も限定さ
れてしまうなど、従来の方法は工業的に有利な方法では
ない。
は、工程数が多く、操作が煩雑であるとの問題点があ
り、上記文献および文献に記載の方法では、光学活
性な原料を化学量論量必要とするなどの問題点があり、
また、上記文献に記載の方法では、原料であるオレフ
ィン体を合成するのに工程数が多く、また原料も限定さ
れてしまうなど、従来の方法は工業的に有利な方法では
ない。
【００１０】このため、従来の光学活性１-アミノホス
ホン酸誘導体の合成法に比べて小量の不斉化合物源を用
いて大量の光学活性体を得ることが可能であり、しかも
短い工程で上記光学活性体が得られるような光学活性１
-アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用
触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物の出
現が求められている。
ホン酸誘導体の合成法に比べて小量の不斉化合物源を用
いて大量の光学活性体を得ることが可能であり、しかも
短い工程で上記光学活性体が得られるような光学活性１
-アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用
触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物の出
現が求められている。
【００１１】なお、「リービッヒ アナーレン デル ケ
ミー第1153頁〜第1155頁、1990年」には、不斉合成法に
関するものではないが、一般式：Ｒ1ＣＨ（ＮＨＣＯ
Ｒ2）2［式中、Ｒ1は、スチリル基などを示し、Ｒ2は、
アルキリデン基を示す 。］で表 されるＮ，Ｎ’−アル
キリデンビスアミドとＰＣｌ3と酢酸とを６０〜８０℃
で、１時間反応させた後、加水分解して、一般式：Ｒ1
ＣＨＮＨ2Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）2 ［式中、Ｒ1は、スチリル
基などを示す。］で表される化合物（収率３９〜９９
％）の製造方法が記載されている。
ミー第1153頁〜第1155頁、1990年」には、不斉合成法に
関するものではないが、一般式：Ｒ1ＣＨ（ＮＨＣＯ
Ｒ2）2［式中、Ｒ1は、スチリル基などを示し、Ｒ2は、
アルキリデン基を示す 。］で表 されるＮ，Ｎ’−アル
キリデンビスアミドとＰＣｌ3と酢酸とを６０〜８０℃
で、１時間反応させた後、加水分解して、一般式：Ｒ1
ＣＨＮＨ2Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）2 ［式中、Ｒ1は、スチリル
基などを示す。］で表される化合物（収率３９〜９９
％）の製造方法が記載されている。
【００１２】また、特開平６−１５４６１８号公報に
は、不斉合成用触媒として下記の触媒が記載されてい
る。すなわち、式（ＡR）もしくは式（ＡS）：
は、不斉合成用触媒として下記の触媒が記載されてい
る。すなわち、式（ＡR）もしくは式（ＡS）：
【００１３】
【化６】
【００１４】で表される光学活性1,1'-ビ-2-ナフトール
のジアルカリ金属塩（ただし、式中、ＭはＬｉ、Ｋもし
くはＮａである）、ＬａＸ3（ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、
Ｉ、ＮＯ3もしくはＣＨ3ＣＯ2である）で表されるラン
タン化合物、およびＭＯＲもしくはＭＯＨ（ＭはＬｉ、
ＫもしくはＮａであり、Ｒはイソプロピルもしくはt-ブ
チルである）で表されるアルカリ金属アルコキシドもし
くは水酸化アルカリ金属から、含水溶媒存在下で調製さ
れた不斉合成用触媒、または、
のジアルカリ金属塩（ただし、式中、ＭはＬｉ、Ｋもし
くはＮａである）、ＬａＸ3（ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、
Ｉ、ＮＯ3もしくはＣＨ3ＣＯ2である）で表されるラン
タン化合物、およびＭＯＲもしくはＭＯＨ（ＭはＬｉ、
ＫもしくはＮａであり、Ｒはイソプロピルもしくはt-ブ
チルである）で表されるアルカリ金属アルコキシドもし
くは水酸化アルカリ金属から、含水溶媒存在下で調製さ
れた不斉合成用触媒、または、
【００１５】
【化７】
【００１６】で表される光学活性1,1'-ビ-2-ナフトール
およびＬａ（ＯＲ）3（Ｒはイソプロピル基もしくはt-
ブチル基である）で表されるランタンアルコキシドから
エーテル系溶媒中で得られる活性種を塩化リチウム、含
水溶媒の存在下で用いることを特徴とする不斉合成用触
媒。
およびＬａ（ＯＲ）3（Ｒはイソプロピル基もしくはt-
ブチル基である）で表されるランタンアルコキシドから
エーテル系溶媒中で得られる活性種を塩化リチウム、含
水溶媒の存在下で用いることを特徴とする不斉合成用触
媒。
【００１７】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に伴う
問題点を解決しようとするものであって、光学活性な原
料を少量で用いて、少ない工程数の簡単な操作で、大量
の光学活性１-アミノホスホン酸誘導体を製造しうるよ
うな光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造方法を
提供することを目的としている。
問題点を解決しようとするものであって、光学活性な原
料を少量で用いて、少ない工程数の簡単な操作で、大量
の光学活性１-アミノホスホン酸誘導体を製造しうるよ
うな光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造方法を
提供することを目的としている。
【００１８】本発明は、このような光学活性１-アミノ
ホスホン酸誘導体の製造に使用しうるような触媒の製造
方法を提供することを目的としている。本発明は、光学
活性１-アミノホスホン酸誘導体を製造する際に好適に
使用される新規な光学活性ホスホネート系化合物を提供
することを目的としている。
ホスホン酸誘導体の製造に使用しうるような触媒の製造
方法を提供することを目的としている。本発明は、光学
活性１-アミノホスホン酸誘導体を製造する際に好適に
使用される新規な光学活性ホスホネート系化合物を提供
することを目的としている。
【００１９】
【発明の概要】本発明に係る光学活性１-アミノホスホ
ン酸誘導体の製造方法は、一般式（II）： Ｒ1−Ｎ＝ＣＨＲ2 ・・・・（II） ［式（II）中、Ｒ1は、ジフェニルメチル基またはアル
コキシフェニル基を示し、Ｒ2は、アルキル基、シクロ
アルキル基またはアリール基含有炭化水素基を示すか、
またはハロゲン原子またはアルコキシ基で置換されても
よいアリール基を示す。］で表されるイミンと、一般式
（III）： （Ｒ3Ｏ）2Ｐ（Ｏ）Ｈ ・・・・（III） ［式（III）中、Ｒ3は、アルキル基、シクロアルキル
基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水
素基を示す。］で表されるホスホン酸エステルとを、一
般式（Ａ）： Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ） ［式（Ａ）中、Ｌｎは、希土類元素を示し、Ｘは、アル
カリ金属を示す。］で表される不斉合成用触媒の存在下
に反応させて、一般式（IVa）または一般式（IVb）：
ン酸誘導体の製造方法は、一般式（II）： Ｒ1−Ｎ＝ＣＨＲ2 ・・・・（II） ［式（II）中、Ｒ1は、ジフェニルメチル基またはアル
コキシフェニル基を示し、Ｒ2は、アルキル基、シクロ
アルキル基またはアリール基含有炭化水素基を示すか、
またはハロゲン原子またはアルコキシ基で置換されても
よいアリール基を示す。］で表されるイミンと、一般式
（III）： （Ｒ3Ｏ）2Ｐ（Ｏ）Ｈ ・・・・（III） ［式（III）中、Ｒ3は、アルキル基、シクロアルキル
基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水
素基を示す。］で表されるホスホン酸エステルとを、一
般式（Ａ）： Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ） ［式（Ａ）中、Ｌｎは、希土類元素を示し、Ｘは、アル
カリ金属を示す。］で表される不斉合成用触媒の存在下
に反応させて、一般式（IVa）または一般式（IVb）：
【００２０】
【化８】
【００２１】［式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1、Ｒ2
およびＲ3は、前記に同じ。］で表されるホスホネート
系化合物を合成し、次いで、得られた上記化合物（IV
a）または化合物（IVb）を、水素と接触させて化合物
（IVa）または化合物（IVb）のアミノ基の脱保護を行
い、次いで酸でＯＲ3基の加水分解とを行うことによ
り、下記化合物（Ia）または（Ib）を得ることを特徴と
している。
およびＲ3は、前記に同じ。］で表されるホスホネート
系化合物を合成し、次いで、得られた上記化合物（IV
a）または化合物（IVb）を、水素と接触させて化合物
（IVa）または化合物（IVb）のアミノ基の脱保護を行
い、次いで酸でＯＲ3基の加水分解とを行うことによ
り、下記化合物（Ia）または（Ib）を得ることを特徴と
している。
【００２２】一般式（Ia）または一般式（Ib）：
【００２３】
【化９】
【００２４】［式（Ia）、（Ib）中、Ｒ2は、前記に同
じ。］ 本発明に係る不斉合成用触媒の製造方法は、一般式
（Ａ）： Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ） ［式中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｘはアルカリ金属を
示す。］で表される不斉合成用触媒を得るのに、チッ素
雰囲気下、(1)下記式（ＶR）で表される（Ｒ）-（＋）-
1,1'-ビ-2-ナフトールまたは、下記式（ＶS）で表され
る（Ｓ）-（−）-1,1'-ビ-2-ナフトールと、
じ。］ 本発明に係る不斉合成用触媒の製造方法は、一般式
（Ａ）： Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ） ［式中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｘはアルカリ金属を
示す。］で表される不斉合成用触媒を得るのに、チッ素
雰囲気下、(1)下記式（ＶR）で表される（Ｒ）-（＋）-
1,1'-ビ-2-ナフトールまたは、下記式（ＶS）で表され
る（Ｓ）-（−）-1,1'-ビ-2-ナフトールと、
【００２５】
【化１０】
【００２６】(2)一般式（VI）： Ｌｎ（ＯＲ）3 ・・・・（VI） ［式（VI）中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｒはアルキル
基を示す。］で表される希土類金属アルコキシドと、
(3)下記一般式（VII）、（VIII）および（IX）の内から
選ばれる１種のアルカリ金属化合物と、を非水溶媒また
は含水溶媒中で反応させることを特徴としている。
基を示す。］で表される希土類金属アルコキシドと、
(3)下記一般式（VII）、（VIII）および（IX）の内から
選ばれる１種のアルカリ金属化合物と、を非水溶媒また
は含水溶媒中で反応させることを特徴としている。
【００２７】一般式（VII）： ＬｉＡ ・・・・（VII） ［式（VII）中、Ａはアルキル基を示す。］で表される
化合物、一般式（VIII）： ［（ＣＨ3）3Ｓｉ］2ＮＫ ・・・・（VIII） で表される化合物、一般式（IX）： ＺＯＲ ・・・・（IX） ［式（IX）中、Ｚはアルカリ金属を示し、Ｒはアルキル
基を示す。］で表されるアルカリ金属アルコキシド。
化合物、一般式（VIII）： ［（ＣＨ3）3Ｓｉ］2ＮＫ ・・・・（VIII） で表される化合物、一般式（IX）： ＺＯＲ ・・・・（IX） ［式（IX）中、Ｚはアルカリ金属を示し、Ｒはアルキル
基を示す。］で表されるアルカリ金属アルコキシド。
【００２８】本発明に係る新規なホスホネート系化合物
は、例えば上記本発明に係る光学活性１-アミノホスホ
ン酸誘導体の製造方法で原料として好適に使用され、下
記一般式（IVa）または一般式（IVb）で表される。
は、例えば上記本発明に係る光学活性１-アミノホスホ
ン酸誘導体の製造方法で原料として好適に使用され、下
記一般式（IVa）または一般式（IVb）で表される。
【００２９】
【化１１】
【００３０】［式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1は、
ジフェニルメチル基またはアルコキシフェニル基を示
し、Ｒ2は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリ
ール基含有炭化水素基を示すか、またはハロゲン原子ま
たはアルコキシ基で置換されてもよいアリール基を示
し、Ｒ3は、アルキル基を示す。］ このような新規なホスホネート系化合物としては、例え
ば、上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニ
ルメチル基であり、Ｒ2がイソプロピル基であり、Ｒ3が
メチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノ-２
-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルに加え
て、このＲ2がエチル基に置換された光学活性１-ジフェ
ニルメチルアミノプロピルホスホン酸ジメチルエステ
ル、このＲ2がｎ-ペンチル基に置換された光学活性１-
ジフェニルメチルアミノヘキシルホスホン酸ジメチルエ
ステル、このＲ2が（Ｅ）-スチリル基に置換された光学
活性（Ｅ）-１-ジフェニルメチルアミノ-３-フェニル-
２-プロペニルホスホン酸ジメチルエステル、このＲ2が
メチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルア
ミノエチルホスホン酸ジメチルエステル、このＲ2がｎ-
プロピル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチル
アミノブチルホスホン酸ジメチルエステル、このＲ2が
ｎ-ブチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチル
アミノペンチルホスホン酸ジメチルエステル、このＲ2
がドデシル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチ
ルアミノトリデシルホスホン酸ジメチルエステル、この
Ｒ2がイソブチル基に置換された光学活性１-ジフェニル
メチルアミノ-３-メチルブチルホスホン酸ジメチルエス
テル、このＲ2がフェニル基に置換された光学活性ジフ
ェニルメチルアミノフェニルメチルホスホン酸ジメチル
エステル、このＲ2がｐ-クロロフェニル基に置換された
光学活性ジフェニルメチルアミノ-ｐ-クロロフェニルメ
チルホスホン酸ジメチルエステル、このＲ2がｐ-フルオ
ロフェニル基に置換された光学活性ジフェニルメチルア
ミノ-ｐ-フルオロフェニルメチルホスホン酸ジメチルエ
ステル、このＲ2がｐ-メトキシフェニル基に置換された
光学活性ジフェニルメチルアミノ-ｐ-メトキシフェニル
メチルホスホン酸ジメチルエステル、このＲ2がベンジ
ル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノ-
２-フェニルエチルホスホン酸ジメチルエステルの他
に、上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がp-メトキ
シフェニル基であり、Ｒ2がシクロヘキシル基であり、
Ｒ3がメチル基である光学活性１-ｐ-メトキシフェニル
アミノシクロヘキシルメチルホスホン酸ジメチルエステ
ルが挙げられる。
ジフェニルメチル基またはアルコキシフェニル基を示
し、Ｒ2は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリ
ール基含有炭化水素基を示すか、またはハロゲン原子ま
たはアルコキシ基で置換されてもよいアリール基を示
し、Ｒ3は、アルキル基を示す。］ このような新規なホスホネート系化合物としては、例え
ば、上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジフェニ
ルメチル基であり、Ｒ2がイソプロピル基であり、Ｒ3が
メチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノ-２
-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルに加え
て、このＲ2がエチル基に置換された光学活性１-ジフェ
ニルメチルアミノプロピルホスホン酸ジメチルエステ
ル、このＲ2がｎ-ペンチル基に置換された光学活性１-
ジフェニルメチルアミノヘキシルホスホン酸ジメチルエ
ステル、このＲ2が（Ｅ）-スチリル基に置換された光学
活性（Ｅ）-１-ジフェニルメチルアミノ-３-フェニル-
２-プロペニルホスホン酸ジメチルエステル、このＲ2が
メチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルア
ミノエチルホスホン酸ジメチルエステル、このＲ2がｎ-
プロピル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチル
アミノブチルホスホン酸ジメチルエステル、このＲ2が
ｎ-ブチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチル
アミノペンチルホスホン酸ジメチルエステル、このＲ2
がドデシル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチ
ルアミノトリデシルホスホン酸ジメチルエステル、この
Ｒ2がイソブチル基に置換された光学活性１-ジフェニル
メチルアミノ-３-メチルブチルホスホン酸ジメチルエス
テル、このＲ2がフェニル基に置換された光学活性ジフ
ェニルメチルアミノフェニルメチルホスホン酸ジメチル
エステル、このＲ2がｐ-クロロフェニル基に置換された
光学活性ジフェニルメチルアミノ-ｐ-クロロフェニルメ
チルホスホン酸ジメチルエステル、このＲ2がｐ-フルオ
ロフェニル基に置換された光学活性ジフェニルメチルア
ミノ-ｐ-フルオロフェニルメチルホスホン酸ジメチルエ
ステル、このＲ2がｐ-メトキシフェニル基に置換された
光学活性ジフェニルメチルアミノ-ｐ-メトキシフェニル
メチルホスホン酸ジメチルエステル、このＲ2がベンジ
ル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノ-
２-フェニルエチルホスホン酸ジメチルエステルの他
に、上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がp-メトキ
シフェニル基であり、Ｒ2がシクロヘキシル基であり、
Ｒ3がメチル基である光学活性１-ｐ-メトキシフェニル
アミノシクロヘキシルメチルホスホン酸ジメチルエステ
ルが挙げられる。
【００３１】このような本発明によれば、光学活性な原
料を少量用いて、少ない工程数の簡単な操作で、大量の
光学活性１-アミノホスホン酸誘導体を製造できる。
料を少量用いて、少ない工程数の簡単な操作で、大量の
光学活性１-アミノホスホン酸誘導体を製造できる。
【００３２】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係る光学活性１-
アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用触
媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物につい
て具体的に説明する。 ［光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造方法］本
発明では、式（Ia）または式（Ib）で表される光学活性
１-アミノホスホン酸誘導体を、以下の反応経路で合成
している。
アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用触
媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物につい
て具体的に説明する。 ［光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造方法］本
発明では、式（Ia）または式（Ib）で表される光学活性
１-アミノホスホン酸誘導体を、以下の反応経路で合成
している。
【００３３】
【化１２】
【００３４】すなわち、式（IVa）または式（IVb）で示
される化合物は、好ましくは後述するような光学活性な
希土類元素−アルカリ金属−ビナフトール錯体（Ａ）か
らなる不斉合成用触媒の存在下に、式（II）で表される
イミンと式（III）で表されるホスホン酸エステルとの
反応により合成される。
される化合物は、好ましくは後述するような光学活性な
希土類元素−アルカリ金属−ビナフトール錯体（Ａ）か
らなる不斉合成用触媒の存在下に、式（II）で表される
イミンと式（III）で表されるホスホン酸エステルとの
反応により合成される。
【００３５】ここで、式（II）、（III）、（IVa）、
（IVb）、（Ia'）、（Ib'）、（Ia）および（Ib）中、
Ｒ1は、ジフェニルメチル基、アルコキシフェニル基を
示し、Ｒ2はアルキル基、 シクロアルキル基またはアリ
ール基含有炭化水素基を示すか、ハロゲン原子またはア
ルコキシ基で置換されてもよいアリール基を示す。ま
た、Ｒ3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル
基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示
す。 ［式（II）で表されるイミンの合成］このような反応の
出発原料となる式（II）で表される化合物（イミン）は
公知化合物であり、従来より公知の方法により合成する
ことができる。例えばジフェニルメチル基、アルコキシ
フェニル基の場合には、特開昭６２−２８９５５８号公
報などに示される方法によって、それぞれジフェニルメ
チルアミン、アルコキシフェニルアミンを用いて合成す
ればよい。
（IVb）、（Ia'）、（Ib'）、（Ia）および（Ib）中、
Ｒ1は、ジフェニルメチル基、アルコキシフェニル基を
示し、Ｒ2はアルキル基、 シクロアルキル基またはアリ
ール基含有炭化水素基を示すか、ハロゲン原子またはア
ルコキシ基で置換されてもよいアリール基を示す。ま
た、Ｒ3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル
基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示
す。 ［式（II）で表されるイミンの合成］このような反応の
出発原料となる式（II）で表される化合物（イミン）は
公知化合物であり、従来より公知の方法により合成する
ことができる。例えばジフェニルメチル基、アルコキシ
フェニル基の場合には、特開昭６２−２８９５５８号公
報などに示される方法によって、それぞれジフェニルメ
チルアミン、アルコキシフェニルアミンを用いて合成す
ればよい。
【００３６】式（II）で表されるイミンにおいて、Ｒ1
がアルコキシフェニル基の場合、この基のベンゼン環に
置換基として結合しているアルコキシ基の例としては、
メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポ
キシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ
基、イソブトキシ基、イソヘキシルオキシ基などが挙げ
られる。
がアルコキシフェニル基の場合、この基のベンゼン環に
置換基として結合しているアルコキシ基の例としては、
メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポ
キシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ
基、イソブトキシ基、イソヘキシルオキシ基などが挙げ
られる。
【００３７】式（II）で表されるイミンにおいて、Ｒ2
がアルキル基である場合、このようなアルキル基として
は、炭素数１〜１３のアルキル基が挙げられ、直鎖状ま
たは分岐状であってもよく、このようなアルキル基とし
て具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ-プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル
基、tert-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、
ネオペンチル基、ドデシル基、トリデシル基等が挙げら
れる。
がアルキル基である場合、このようなアルキル基として
は、炭素数１〜１３のアルキル基が挙げられ、直鎖状ま
たは分岐状であってもよく、このようなアルキル基とし
て具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ-プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル
基、tert-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、
ネオペンチル基、ドデシル基、トリデシル基等が挙げら
れる。
【００３８】Ｒ2がシクロアルキル基である場合、この
ようなシクロアルキル基としては、具体的には、例え
ば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げら
れる。Ｒ2がアリール基である場合、アリール基の芳香
環に結合する水素は、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハ
ロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ｎ-ブトキシ基、ｓｅｃ-ブトキ
シ基、ｔ-ブトキシ基、イソヘキシルオキシ基などのア
ルコキシ基で置換されていてもよい。
ようなシクロアルキル基としては、具体的には、例え
ば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げら
れる。Ｒ2がアリール基である場合、アリール基の芳香
環に結合する水素は、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハ
ロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ｎ-ブトキシ基、ｓｅｃ-ブトキ
シ基、ｔ-ブトキシ基、イソヘキシルオキシ基などのア
ルコキシ基で置換されていてもよい。
【００３９】このようなアリール基としては、具体的に
は、 例えば、フェニル基、ｐ-クロロフェニル基、ｐ-
フルオロフェニル基、ｐ-メトキシフェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基などが挙げられる。
は、 例えば、フェニル基、ｐ-クロロフェニル基、ｐ-
フルオロフェニル基、ｐ-メトキシフェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基などが挙げられる。
【００４０】Ｒ2がアリール基含有炭化水素基である場
合、上記と同様にアリール基は、置換されていてもよ
く、このようなアリール基含有炭化 水素基としては、
具体的には、ベンジル基、フェネチル基などのアリール
アルキル基；（Ｅ）-スチリル基、ｐ−メチルフェニル
ビニル基（ＣＨ3-Ｃ6Ｈ4-ＣＨ＝ＣＨ−）などのアリー
ルビニル基が挙げられる。
合、上記と同様にアリール基は、置換されていてもよ
く、このようなアリール基含有炭化 水素基としては、
具体的には、ベンジル基、フェネチル基などのアリール
アルキル基；（Ｅ）-スチリル基、ｐ−メチルフェニル
ビニル基（ＣＨ3-Ｃ6Ｈ4-ＣＨ＝ＣＨ−）などのアリー
ルビニル基が挙げられる。
【００４１】このようなＲ2の内では、アルキル基が好
ましく、その内ではエチル基、ｎ-プロピル基、ｎ-ブチ
ル基、イソプロピル基が好ましい。このような式（II）
で表されるイミンとしては、具体的には、例えば、次の
ものが挙げられる。
ましく、その内ではエチル基、ｎ-プロピル基、ｎ-ブチ
ル基、イソプロピル基が好ましい。このような式（II）
で表されるイミンとしては、具体的には、例えば、次の
ものが挙げられる。
【００４２】N-エチリデンジフェニルメチルアミンの他
にエチリデンをプロピリデン、ブチリデン、２-メチル
プロピリデン、ペンチリデン、３-メチルブチリデン、
ネオペンチリデン、ヘキシリデン、４-メチルペンチリ
デン、ネオヘキシリデン、トリデシリデン、テトラデシ
リデン、シクロペンチルメチリデン、シクロヘキシルメ
チリデン、フェニルメチリデン、ｐ-クロロフェニルメ
チリデン、ｐ-フルオロフェニルメチリデン、ｐ-メトキ
シフェニルメチリデン、２-フェニルエチリデンあるい
は（Ｅ）-３-フェニル-２-プロペニリデンにそれぞれ置
換した化合物が挙げられる。
にエチリデンをプロピリデン、ブチリデン、２-メチル
プロピリデン、ペンチリデン、３-メチルブチリデン、
ネオペンチリデン、ヘキシリデン、４-メチルペンチリ
デン、ネオヘキシリデン、トリデシリデン、テトラデシ
リデン、シクロペンチルメチリデン、シクロヘキシルメ
チリデン、フェニルメチリデン、ｐ-クロロフェニルメ
チリデン、ｐ-フルオロフェニルメチリデン、ｐ-メトキ
シフェニルメチリデン、２-フェニルエチリデンあるい
は（Ｅ）-３-フェニル-２-プロペニリデンにそれぞれ置
換した化合物が挙げられる。
【００４３】またＮ-エチリデンジフェニルメチルアミ
ンのジフェニルメチルをｐ-メトキシベンゼンに置換
し、エチリデンをプロピリデン、ブチリデン、２-メチ
ルプロピリデン、ペンチリデン、３-メチルブチリデ
ン、ネオペンチリデン、ヘキシリデン、４-メチルペン
チリデン、ネオヘキシリデン、トリデシリデン、テトラ
デシリデン、シクロペンチルメチリデン、シクロヘキシ
ルメチリデン、フェニルメチリデン、ｐ-クロロフェニ
ルメチリデン、ｐ-フルオロフェニルメチリデン、ｐ-メ
トキシフェニルメチリデン、２-フェニルエチリデンあ
るいは（Ｅ）-３-フェニル-２-プロペニリデンにそれぞ
れ置換した化合物が挙げられる。
ンのジフェニルメチルをｐ-メトキシベンゼンに置換
し、エチリデンをプロピリデン、ブチリデン、２-メチ
ルプロピリデン、ペンチリデン、３-メチルブチリデ
ン、ネオペンチリデン、ヘキシリデン、４-メチルペン
チリデン、ネオヘキシリデン、トリデシリデン、テトラ
デシリデン、シクロペンチルメチリデン、シクロヘキシ
ルメチリデン、フェニルメチリデン、ｐ-クロロフェニ
ルメチリデン、ｐ-フルオロフェニルメチリデン、ｐ-メ
トキシフェニルメチリデン、２-フェニルエチリデンあ
るいは（Ｅ）-３-フェニル-２-プロペニリデンにそれぞ
れ置換した化合物が挙げられる。
【００４４】これらのイミンのうちでは、Ｎ-エチリデ
ンジフェニルメチルアミン、Ｎ-プロピリデンジフェニ
ルメチルアミン、Ｎ-ブチリデンジフェニルメチルアミ
ン、Ｎ-２-メチルプロピリデンジフェニルメチルアミン
が好ましく用いられる。 ［式（III）で表されるホスホン酸エステルの合成］式
（III）で表されるホスホン酸エステルは従来より公知
の化合物であり、従来より公知の方法によって得られ
る。
ンジフェニルメチルアミン、Ｎ-プロピリデンジフェニ
ルメチルアミン、Ｎ-ブチリデンジフェニルメチルアミ
ン、Ｎ-２-メチルプロピリデンジフェニルメチルアミン
が好ましく用いられる。 ［式（III）で表されるホスホン酸エステルの合成］式
（III）で表されるホスホン酸エステルは従来より公知
の化合物であり、従来より公知の方法によって得られ
る。
【００４５】式（III）で表されるホスホン酸エステル
において、Ｒ3のアルキル基としては、炭素数１〜５の
アルキル基が挙げられ、直鎖状または分岐状であっても
よく、このようなアルキル基として具体的には、例え
ば、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ter
t-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペ
ンチル基等が挙げられ、これらの内では、メチル基が好
ましい。
において、Ｒ3のアルキル基としては、炭素数１〜５の
アルキル基が挙げられ、直鎖状または分岐状であっても
よく、このようなアルキル基として具体的には、例え
ば、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、ter
t-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペ
ンチル基等が挙げられ、これらの内では、メチル基が好
ましい。
【００４６】Ｒ3がシクロアルキル基である場合、この
ようなシクロアルキル基としては、具体的には、例え
ば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げら
れる。Ｒ3がアリール基である場合、このようなアリー
ル基としては、具体的には、例えば、フェニル基、ｐ-
トリル基、パラクロルフェニル基などが挙げられる。
ようなシクロアルキル基としては、具体的には、例え
ば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げら
れる。Ｒ3がアリール基である場合、このようなアリー
ル基としては、具体的には、例えば、フェニル基、ｐ-
トリル基、パラクロルフェニル基などが挙げられる。
【００４７】Ｒ3がアリール基含有炭化水素基である場
合、このようなアリール基含有炭化水素基としては、前
記Ｒ2の場合と同様に、具体的には、例えば、ベンジル
基、フェネチル基などのアリールアルキル基；スチリル
基、ｐ-メチルフェニルビニル基（ＣＨ3−Ｃ5Ｈ4−ＣＨ
＝ＣＨ−）などのアリールビニル基が挙げられる。
合、このようなアリール基含有炭化水素基としては、前
記Ｒ2の場合と同様に、具体的には、例えば、ベンジル
基、フェネチル基などのアリールアルキル基；スチリル
基、ｐ-メチルフェニルビニル基（ＣＨ3−Ｃ5Ｈ4−ＣＨ
＝ＣＨ−）などのアリールビニル基が挙げられる。
【００４８】このような式（III）で表されるホスホン
酸エステルとしては、具体的には、例えば、次のものが
挙げられる。ジメチルホスファイト、ジエチルホスファ
イト、ジ-ｎ-プロピルホスファイト、ジ-ｎ-ブチルホス
ファイト、ジ-ｎ-ペンチルホスファイト、ジフェニルホ
スファイト、ジベンジルホスファイト、ジ-ｐ-トリルホ
スファイト、ジ-ｐ-クロルフェニルホスファイト、ジシ
クロヘキシルホスファイト、ジアリルホスファイトな
ど。
酸エステルとしては、具体的には、例えば、次のものが
挙げられる。ジメチルホスファイト、ジエチルホスファ
イト、ジ-ｎ-プロピルホスファイト、ジ-ｎ-ブチルホス
ファイト、ジ-ｎ-ペンチルホスファイト、ジフェニルホ
スファイト、ジベンジルホスファイト、ジ-ｐ-トリルホ
スファイト、ジ-ｐ-クロルフェニルホスファイト、ジシ
クロヘキシルホスファイト、ジアリルホスファイトな
ど。
【００４９】これらのホスホン酸エステルの内では、ジ
メチルホスファイトが好ましく用いられる。 ［式（Ａ）で表される不斉合成用触媒およびその合成］
本発明で用いられる不斉合成触媒は、下記式（Ａ）で示
され、好ましくは次のようにして合成される。
メチルホスファイトが好ましく用いられる。 ［式（Ａ）で表される不斉合成用触媒およびその合成］
本発明で用いられる不斉合成触媒は、下記式（Ａ）で示
され、好ましくは次のようにして合成される。
【００５０】一般式（Ａ）： Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ） ［式（Ａ）中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｘはアルカリ
金属を示す。］ すなわち、この希土類元素−アルカリ金属−（Ｒ）／
（Ｓ）ビナフトール錯体（Ａ）は、通常、不活性ガス雰
囲気下、好ましくはチッ素（ガス）雰囲気下で、(1)下
記式（ＶR）で表される（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフ
トールまたは、下記式（ＶS）で表される（Ｓ）-（−）
-1,1'-ビ-2-ナフトールと、
金属を示す。］ すなわち、この希土類元素−アルカリ金属−（Ｒ）／
（Ｓ）ビナフトール錯体（Ａ）は、通常、不活性ガス雰
囲気下、好ましくはチッ素（ガス）雰囲気下で、(1)下
記式（ＶR）で表される（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフ
トールまたは、下記式（ＶS）で表される（Ｓ）-（−）
-1,1'-ビ-2-ナフトールと、
【００５１】
【化１３】
【００５２】(2)一般式（VI）： Ｌｎ（ＯＲ）3 ・・・・（VI） ［式（VI）中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｒはアルキル
基を示す。］で表される希土類金属アルコキシドと、
(3)下記一般式（VII）、（VIII）および（IX）の内から
選ばれる１種のアルカリ金属化合物と、を非水溶媒また
は含水溶媒中で反応させることにより得られる。
基を示す。］で表される希土類金属アルコキシドと、
(3)下記一般式（VII）、（VIII）および（IX）の内から
選ばれる１種のアルカリ金属化合物と、を非水溶媒また
は含水溶媒中で反応させることにより得られる。
【００５３】一般式（VII）： ＬｉＡ ・・・・（VII） ［式（VII）中、Ａはアルキル基を示す。］で表される
化合物、一般式（VIII）： ［（ＣＨ3）3Ｓｉ］2ＮＫ ・・・・（VIII） で表される化合物、一般式（IX）： ＺＯＲ ・・・・（IX） ［式（IX）中、Ｚはアルカリ金属を示し、Ｒはアルキル
基を示す。］で表されるアルカリ金属アルコキシド。
化合物、一般式（VIII）： ［（ＣＨ3）3Ｓｉ］2ＮＫ ・・・・（VIII） で表される化合物、一般式（IX）： ＺＯＲ ・・・・（IX） ［式（IX）中、Ｚはアルカリ金属を示し、Ｒはアルキル
基を示す。］で表されるアルカリ金属アルコキシド。
【００５４】上記式（ＶR）で示される（Ｒ）-（＋）-
1,1'-ビ-2-ナフトールおよび、上記式（ＶS）で示され
る（Ｓ）-（−）-1,1'-ビ-2-ナフトールは、何れも、公
知物質であり、従来より公知の方法（ジャーナル オブ
オーガニック ケミストリー（J. Org. Chem. 第７３
１７頁、1993年 参照）により合成される。
1,1'-ビ-2-ナフトールおよび、上記式（ＶS）で示され
る（Ｓ）-（−）-1,1'-ビ-2-ナフトールは、何れも、公
知物質であり、従来より公知の方法（ジャーナル オブ
オーガニック ケミストリー（J. Org. Chem. 第７３
１７頁、1993年 参照）により合成される。
【００５５】また式（VI）で示される化合物である希土
類金属アルコキシドは公知物質であり、公知の方法によ
り合成される。希土類元素としては、スカンジウム、イ
ットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオ
ジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガド
リニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、
エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムが
挙げられる。
類金属アルコキシドは公知物質であり、公知の方法によ
り合成される。希土類元素としては、スカンジウム、イ
ットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオ
ジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガド
リニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、
エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムが
挙げられる。
【００５６】希土類金属アルコキシドとしては、ランタ
ントリイソプロポキシド、ランタントリt-ブトキシド、
ガドリニウムトリイソプロポキシドなどが挙げられ、ラ
ンタントリイソプロポキシド、ガドリニウムトリイソプ
ロポキシドが好ましく用いられる。
ントリイソプロポキシド、ランタントリt-ブトキシド、
ガドリニウムトリイソプロポキシドなどが挙げられ、ラ
ンタントリイソプロポキシド、ガドリニウムトリイソプ
ロポキシドが好ましく用いられる。
【００５７】式（VII）で示されるリチウム化合物中の
Ａは、アルキル基を示し、このようなアルキル基として
は、具体的には、例えば、メチル基、n-ブチル基、t-ブ
チル基などが挙げられ、n-ブチル基が好ましい。
Ａは、アルキル基を示し、このようなアルキル基として
は、具体的には、例えば、メチル基、n-ブチル基、t-ブ
チル基などが挙げられ、n-ブチル基が好ましい。
【００５８】このような式（VII）で示される化合物と
しては、具体的には、例えば、ＣＨ3Ｌｉ、ＣＨ3（ＣＨ
2）3Ｌｉ、（ＣＨ3）3ＣＬｉなどが挙げられ、ＣＨ
3（ＣＨ2）3Ｌｉが好ましく用いられる。
しては、具体的には、例えば、ＣＨ3Ｌｉ、ＣＨ3（ＣＨ
2）3Ｌｉ、（ＣＨ3）3ＣＬｉなどが挙げられ、ＣＨ
3（ＣＨ2）3Ｌｉが好ましく用いられる。
【００５９】式（VIII）で示される化合物は、公知物質
である。また式（IX）で示されるアルカリ金属アルコキ
シドは公知の化合物であり、公知の方法（ジャーナル
オブ アメリカン ケミカル ソサイエティ J. A.
C., S 第４３６４頁、1956年）により合成できる。
である。また式（IX）で示されるアルカリ金属アルコキ
シドは公知の化合物であり、公知の方法（ジャーナル
オブ アメリカン ケミカル ソサイエティ J. A.
C., S 第４３６４頁、1956年）により合成できる。
【００６０】式（IX）中、Ｚで示されるアルカリ金属と
しては、具体的には、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、
Ｃｓが挙げられ、Ｎａ、Ｋが好ましく用いられる。この
ような式（IX）で示されるアルカリ金属アルコキシドと
しては、具体的には、例えば、ＬｉＯ（ＣＨ3）3Ｃ、Ｎ
ａＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＫＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＲｂＯ（Ｃ
Ｈ3）3Ｃ、ＣｓＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＬｉＯ（ＣＨ3）2Ｃ
Ｈ、ＮａＯ（ＣＨ 3）2ＣＨ、ＫＯ（ＣＨ3）2ＣＨ、Ｒｂ
Ｏ（ＣＨ3）2ＣＨ、ＣｓＯ（ＣＨ3）2ＣＨ等が挙げら
れ、ＬｉＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＮａＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＫＯ
（ＣＨ3）3Ｃ、ＲｂＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＣｓＯ（ＣＨ3）3
Ｃが好ましく用いられる。
しては、具体的には、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、
Ｃｓが挙げられ、Ｎａ、Ｋが好ましく用いられる。この
ような式（IX）で示されるアルカリ金属アルコキシドと
しては、具体的には、例えば、ＬｉＯ（ＣＨ3）3Ｃ、Ｎ
ａＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＫＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＲｂＯ（Ｃ
Ｈ3）3Ｃ、ＣｓＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＬｉＯ（ＣＨ3）2Ｃ
Ｈ、ＮａＯ（ＣＨ 3）2ＣＨ、ＫＯ（ＣＨ3）2ＣＨ、Ｒｂ
Ｏ（ＣＨ3）2ＣＨ、ＣｓＯ（ＣＨ3）2ＣＨ等が挙げら
れ、ＬｉＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＮａＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＫＯ
（ＣＨ3）3Ｃ、ＲｂＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＣｓＯ（ＣＨ3）3
Ｃが好ましく用いられる。
【００６１】本発明に係る不斉合成用触媒の製造方法に
おいては、上記式（ＶR）または（ＶS）で示される(Ｒ)
／(Ｓ)-1,1'-ビ-2-ナフトール(1)と、式（VI）で示され
る希土類金属アルコキシド(2)と、「式（VII）、式（VI
II）または（IX）で示されるアルカリ金属化合物(3)」
とのモル比［(1)：(2)：(3)］は通常、１：１：１〜１
０：１：１０であり、好ましくは１：１：１〜３：１：
３の量で用いられることが望ましい。また、このような
反応は通常０〜５０℃、好ましくは０〜２０℃の温度
で、通常０.１〜１００時間、好ましくは０.１〜２４時
間行うことが望ましい。
おいては、上記式（ＶR）または（ＶS）で示される(Ｒ)
／(Ｓ)-1,1'-ビ-2-ナフトール(1)と、式（VI）で示され
る希土類金属アルコキシド(2)と、「式（VII）、式（VI
II）または（IX）で示されるアルカリ金属化合物(3)」
とのモル比［(1)：(2)：(3)］は通常、１：１：１〜１
０：１：１０であり、好ましくは１：１：１〜３：１：
３の量で用いられることが望ましい。また、このような
反応は通常０〜５０℃、好ましくは０〜２０℃の温度
で、通常０.１〜１００時間、好ましくは０.１〜２４時
間行うことが望ましい。
【００６２】本発明においては、このような反応の際に
は、非水溶媒または含水溶媒が用いられる。溶媒として
は、具体的には、例えば、テトラヒドロフラン（以下
「ＴＨＦ」という）、エーテルなどが挙げられ、ＴＨＦ
が好ましく用いられる。不斉合成反応でＴＨＦ以外の溶
媒を用いるときには、触媒調製時に用いられた溶媒
（例：ＴＨＦ）を２０℃以下の温度で留去させ、前記式
（II）で示されるイミンと（III）で示されるホスホン
酸エステルとの不斉合成反応の際に使用される溶媒を加
えて溶媒交換しておくことが好ましい。
は、非水溶媒または含水溶媒が用いられる。溶媒として
は、具体的には、例えば、テトラヒドロフラン（以下
「ＴＨＦ」という）、エーテルなどが挙げられ、ＴＨＦ
が好ましく用いられる。不斉合成反応でＴＨＦ以外の溶
媒を用いるときには、触媒調製時に用いられた溶媒
（例：ＴＨＦ）を２０℃以下の温度で留去させ、前記式
（II）で示されるイミンと（III）で示されるホスホン
酸エステルとの不斉合成反応の際に使用される溶媒を加
えて溶媒交換しておくことが好ましい。
【００６３】含水溶媒としては、具体的には、例えば、
含水ＴＨＦ、含水エーテル、含水ジオキサン、含水ジエ
チルエーテルなどが挙げられ、含水ＴＨＦ、含水エーテ
ルが好ましく用いられる。
含水ＴＨＦ、含水エーテル、含水ジオキサン、含水ジエ
チルエーテルなどが挙げられ、含水ＴＨＦ、含水エーテ
ルが好ましく用いられる。
【００６４】触媒調製時に含水溶媒を使用する場合に
は、水は式（VI）のランタン化合物１モルに対して、通
常、０.１〜１０モルの量で、好ましくは０.１〜１モル
の量で用いられる。
は、水は式（VI）のランタン化合物１モルに対して、通
常、０.１〜１０モルの量で、好ましくは０.１〜１モル
の量で用いられる。
【００６５】このようにして得られる式（Ａ）で示され
る不斉合成用触媒は、下記式（イ）または（ロ）：
る不斉合成用触媒は、下記式（イ）または（ロ）：
【００６６】
【化１４】
【００６７】［式（イ）および式（ロ）中、Ｌｎは希土
類元素を示し、Ｘはアルカリ金属を示す。］で表され
る。このような式（Ａ）（さらに具体的には、式（イ）
または式（ロ））で表される不斉合成用触媒として、具
体的には、例えば、Ｌａ−Ｌｉ−（Ｒ）−ビナフトール
錯体（以下「（Ｒ）-ＬＬＢ」という）、Ｌａ−Ｋ−
（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）-ＬＰＢ」と
いう）、Ｌａ−Ｎａ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下
「（Ｒ）-ＬＳＢ」という）、Ｌａ−Ｒｂ−（Ｒ）−ビ
ナフトール錯体（以下「（Ｒ）-ＬＲＢ」という）、Ｌ
ａ−Ｃｓ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）-
ＬＣＢ」という）の他に、これらの化合物のＬａをＳ
ｃ，Ｙ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，
Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，あるいはＬｕに
置換し、（Ｒ）-ビナフトールを（Ｓ）-ビナフトールに
それぞれ置換した化合物等が挙げられる。また、本発明
の反応に用いられる不斉合成用触媒は、（Ｒ）または
（Ｓ）-ＬＬＢ、（Ｒ） または（Ｓ）-ＬＲＢ、（Ｒ）
または（Ｓ）-ＬＣＢよりも、（Ｒ）または（Ｓ）-ＬＳ
Ｂの方が活性が高く、さらに、（Ｒ）または（Ｓ）-Ｌ
ＳＢよりも（Ｒ）または（Ｓ）-ＬＰＢの方がより活性
が高いため好ましく用いられる［（Ｒ）または（Ｓ）-
ＬＬＢ→（Ｒ）または（Ｓ）-ＬＳＢ→（Ｒ）または
（Ｓ）-ＬＰＢ（高活性）］。
類元素を示し、Ｘはアルカリ金属を示す。］で表され
る。このような式（Ａ）（さらに具体的には、式（イ）
または式（ロ））で表される不斉合成用触媒として、具
体的には、例えば、Ｌａ−Ｌｉ−（Ｒ）−ビナフトール
錯体（以下「（Ｒ）-ＬＬＢ」という）、Ｌａ−Ｋ−
（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）-ＬＰＢ」と
いう）、Ｌａ−Ｎａ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下
「（Ｒ）-ＬＳＢ」という）、Ｌａ−Ｒｂ−（Ｒ）−ビ
ナフトール錯体（以下「（Ｒ）-ＬＲＢ」という）、Ｌ
ａ−Ｃｓ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）-
ＬＣＢ」という）の他に、これらの化合物のＬａをＳ
ｃ，Ｙ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，
Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，あるいはＬｕに
置換し、（Ｒ）-ビナフトールを（Ｓ）-ビナフトールに
それぞれ置換した化合物等が挙げられる。また、本発明
の反応に用いられる不斉合成用触媒は、（Ｒ）または
（Ｓ）-ＬＬＢ、（Ｒ） または（Ｓ）-ＬＲＢ、（Ｒ）
または（Ｓ）-ＬＣＢよりも、（Ｒ）または（Ｓ）-ＬＳ
Ｂの方が活性が高く、さらに、（Ｒ）または（Ｓ）-Ｌ
ＳＢよりも（Ｒ）または（Ｓ）-ＬＰＢの方がより活性
が高いため好ましく用いられる［（Ｒ）または（Ｓ）-
ＬＬＢ→（Ｒ）または（Ｓ）-ＬＳＢ→（Ｒ）または
（Ｓ）-ＬＰＢ（高活性）］。
【００６８】［式（IVa）または式（IVb）で示される化
合物の合成］本発明においては、上記のような式（II）
で示されるイミンと、式（III）で示されるホスホン酸
エステルとを、上記式（Ａ）で示される不斉合成用触媒
の存在下で反応させて式（IVa）および／または式（IV
b）で示される化合物を得る。
合物の合成］本発明においては、上記のような式（II）
で示されるイミンと、式（III）で示されるホスホン酸
エステルとを、上記式（Ａ）で示される不斉合成用触媒
の存在下で反応させて式（IVa）および／または式（IV
b）で示される化合物を得る。
【００６９】このような反応において、式（II）で示さ
れるイミンと、式（III）で示されるホスホン酸エステ
ルと、不斉合成用触媒（Ａ）とは、そのモル比［イミ
ン：ホスホン酸エステル：不斉合成用触媒］が通常、
１：１：０.０１〜１：５：１であり、好ましくは１：
１：０.０１〜１：５：０. ２の 量で用いられることが
望ましい。
れるイミンと、式（III）で示されるホスホン酸エステ
ルと、不斉合成用触媒（Ａ）とは、そのモル比［イミ
ン：ホスホン酸エステル：不斉合成用触媒］が通常、
１：１：０.０１〜１：５：１であり、好ましくは１：
１：０.０１〜１：５：０. ２の 量で用いられることが
望ましい。
【００７０】このような反応は、通常、−８０〜８０
℃、好ましくは２０〜５０℃の温度で、通常、０.１〜
１００時間、好ましくは６０〜８０時間行うことが望ま
しい。また反応の際には、通常、溶媒が用いられ、この
ような反応溶媒として、具体的には、例えば、テトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、エーテル、ジオキサ
ン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）、ヘキサメチルホスホルアミド（Ｈ
ＭＰＡ）などが挙げられ、ＴＨＦ、トルエン、エーテル
が好ましく用いられる。
℃、好ましくは２０〜５０℃の温度で、通常、０.１〜
１００時間、好ましくは６０〜８０時間行うことが望ま
しい。また反応の際には、通常、溶媒が用いられ、この
ような反応溶媒として、具体的には、例えば、テトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、エーテル、ジオキサ
ン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）、ヘキサメチルホスホルアミド（Ｈ
ＭＰＡ）などが挙げられ、ＴＨＦ、トルエン、エーテル
が好ましく用いられる。
【００７１】また、本発明においては、これらの溶媒を
１種単独で用いてもよく、また２種以上組み合わせて混
合溶媒として用いてもよい。混合溶媒として、具体的に
は、例えば、トルエン−ＴＨＦ混合溶媒、ＴＨＦ−ジオ
キサン混合溶媒などが挙げられ、トルエン−ＴＨＦ混合
溶媒が好ましく、特にＴＨＦ１体積に対して通常トルエ
ンを１〜１０体積、好ましくは６〜８体積で混合してな
るトルエン−ＴＨＦ混合溶媒が好ましい。
１種単独で用いてもよく、また２種以上組み合わせて混
合溶媒として用いてもよい。混合溶媒として、具体的に
は、例えば、トルエン−ＴＨＦ混合溶媒、ＴＨＦ−ジオ
キサン混合溶媒などが挙げられ、トルエン−ＴＨＦ混合
溶媒が好ましく、特にＴＨＦ１体積に対して通常トルエ
ンを１〜１０体積、好ましくは６〜８体積で混合してな
るトルエン−ＴＨＦ混合溶媒が好ましい。
【００７２】上記のような反応は、通常、反応溶液の１
〜１０倍量の水を反応溶液に加えることにより、停止さ
せることができる。本発明においては、このような反応
終了後に、得られた反応液（式（IVa）または式（IVb）
で示される化合物含有物）に通常、食塩水を加えて洗浄
し、水層と有機層とに層分離させ、次いでこのように洗
浄して得られた有機層から溶媒を留去することにより粗
生成物を得る。このようにして得られた粗生成物を例え
ば、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製する
ことにより、式（IVa）または式（IVb）で示される化合
物が得られる。
〜１０倍量の水を反応溶液に加えることにより、停止さ
せることができる。本発明においては、このような反応
終了後に、得られた反応液（式（IVa）または式（IVb）
で示される化合物含有物）に通常、食塩水を加えて洗浄
し、水層と有機層とに層分離させ、次いでこのように洗
浄して得られた有機層から溶媒を留去することにより粗
生成物を得る。このようにして得られた粗生成物を例え
ば、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製する
ことにより、式（IVa）または式（IVb）で示される化合
物が得られる。
【００７３】式（IVa）または式（IVb）で示される化合
物の具体例を次に示す。（Ｒ）または（Ｓ）-１-ジフェ
ニルメチルアミノエチルホスホン酸ジメチルエステルの
他に、この化合物のジフェニルメチル基をp-メトキシフ
ェニル基に、エチル基をプロピル、ブチル、２-メチル
プロピル、ペンチル、３-メチルブチル、ネオペンチ
ル、ヘキシル、４-メチルペンチル、ネオヘキシル、ト
リデシル、テトラデシル、シクロペンチルメチル、シク
ロヘキシルメチル、フェニルメチル、ｐ-クロロフェニ
ルメチル、ｐ-フルオロフェニルメチル、ｐ-メトキシフ
ェニルメチル、２-フェニルエチルあるいは、（Ｅ）-３
-フェニル-２-プロペニルの何れかの基に置換し、ジメ
チル基をジエチル、ジ−ｎ−プロピル、ジイソプロピ
ル、ジ−ｎ−ブチル、ジイソブチル、ジ−ｓｅｃ−ブチ
ル、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル、ジ−ｎ−ペンチル、ジイソ
ペンチル、ジネオペンチル、ジシクロペンチル、ジシク
ロヘキシル、ジフェニル、ジベンジル、ジ−ｐ−トリル
またはジ−ｐ−クロルフェニルの何れかの基にそれぞれ
置換した化合物が挙げられる。 ［式（Ia）または式（Ib）化合物の合成］次に光学活性
１-アミノホスホン酸誘導体［式（Ia）または式（I
b）］の合成について述べる。
物の具体例を次に示す。（Ｒ）または（Ｓ）-１-ジフェ
ニルメチルアミノエチルホスホン酸ジメチルエステルの
他に、この化合物のジフェニルメチル基をp-メトキシフ
ェニル基に、エチル基をプロピル、ブチル、２-メチル
プロピル、ペンチル、３-メチルブチル、ネオペンチ
ル、ヘキシル、４-メチルペンチル、ネオヘキシル、ト
リデシル、テトラデシル、シクロペンチルメチル、シク
ロヘキシルメチル、フェニルメチル、ｐ-クロロフェニ
ルメチル、ｐ-フルオロフェニルメチル、ｐ-メトキシフ
ェニルメチル、２-フェニルエチルあるいは、（Ｅ）-３
-フェニル-２-プロペニルの何れかの基に置換し、ジメ
チル基をジエチル、ジ−ｎ−プロピル、ジイソプロピ
ル、ジ−ｎ−ブチル、ジイソブチル、ジ−ｓｅｃ−ブチ
ル、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル、ジ−ｎ−ペンチル、ジイソ
ペンチル、ジネオペンチル、ジシクロペンチル、ジシク
ロヘキシル、ジフェニル、ジベンジル、ジ−ｐ−トリル
またはジ−ｐ−クロルフェニルの何れかの基にそれぞれ
置換した化合物が挙げられる。 ［式（Ia）または式（Ib）化合物の合成］次に光学活性
１-アミノホスホン酸誘導体［式（Ia）または式（I
b）］の合成について述べる。
【００７４】上記式（Ia）または式（Ib）で示される化
合物は、式（IVa）または式（IVb）で示される化合物に
水素を接触させてアミノ基の脱保護反応を行うことによ
り上記式（Ia'）または式（Ib'）で示される化合物を
得、引き続き式（Ia'）または式（Ib'）で示される化合
物に酸を加えてＯＲ3基の加水分解反応を行うことによ
り得られる。
合物は、式（IVa）または式（IVb）で示される化合物に
水素を接触させてアミノ基の脱保護反応を行うことによ
り上記式（Ia'）または式（Ib'）で示される化合物を
得、引き続き式（Ia'）または式（Ib'）で示される化合
物に酸を加えてＯＲ3基の加水分解反応を行うことによ
り得られる。
【００７５】アミノ基の脱保護反応は、接触水添による
方法で行い、水酸化パラジウムオンカーボンもしくはパ
ラジウム黒を式（IVa）または式（IVb）で示される化合
物の重量に対して通常、０．１〜１０倍量で、好ましく
は０．１〜１倍量で用いることが望ましい。このような
接触水添の際には、反応溶媒を用いることができ、この
ような反応溶媒としては、具体的には、例えば、酢酸、
メタノール、エタノールなどが挙げられ、メタノールが
好ましく用いられる。反応温度は通常、２０〜１００
℃、好ましくは２０〜５０℃であることが望ましい。反
応時間は通常、１〜５０時間、好ましくは３〜１０時間
であることが望ましい。通常、反応終了後に、反応液か
ら水酸化パラジウムオンカーボンもしくはパラジウム黒
を除去し、溶媒留去後に水を加えて目的物を溶解させ、
これにヘキサンを加えて洗浄し、水層を減圧下に留去す
ることにより式（Ia'）または式（Ib'）で示される化合
物が得られる。
方法で行い、水酸化パラジウムオンカーボンもしくはパ
ラジウム黒を式（IVa）または式（IVb）で示される化合
物の重量に対して通常、０．１〜１０倍量で、好ましく
は０．１〜１倍量で用いることが望ましい。このような
接触水添の際には、反応溶媒を用いることができ、この
ような反応溶媒としては、具体的には、例えば、酢酸、
メタノール、エタノールなどが挙げられ、メタノールが
好ましく用いられる。反応温度は通常、２０〜１００
℃、好ましくは２０〜５０℃であることが望ましい。反
応時間は通常、１〜５０時間、好ましくは３〜１０時間
であることが望ましい。通常、反応終了後に、反応液か
ら水酸化パラジウムオンカーボンもしくはパラジウム黒
を除去し、溶媒留去後に水を加えて目的物を溶解させ、
これにヘキサンを加えて洗浄し、水層を減圧下に留去す
ることにより式（Ia'）または式（Ib'）で示される化合
物が得られる。
【００７６】また、ＯＲ3基の加水分解反応には酸が用
いられる。酸は、式（Ia'）または式（Ib'）で示される
化合物１モルに対して５〜１００モルの量で、好ましく
は５〜１０モルの量で用いられる。このような酸として
は、具体的には、例えば、濃度３５％の濃塩酸あるいは
濃硫酸、濃度１００％の酢酸などが挙げられ、濃塩酸、
酢酸が好ましく用いられる。
いられる。酸は、式（Ia'）または式（Ib'）で示される
化合物１モルに対して５〜１００モルの量で、好ましく
は５〜１０モルの量で用いられる。このような酸として
は、具体的には、例えば、濃度３５％の濃塩酸あるいは
濃硫酸、濃度１００％の酢酸などが挙げられ、濃塩酸、
酢酸が好ましく用いられる。
【００７７】このような反応は、溶媒の非存在下に行う
こともでき（無溶媒）、また溶媒中で行うこともでき
る。溶媒としては、具体的には、例えば、メタノール、
クロロホルム、酢酸、アセトンなどが挙げられ、メタノ
ール、酢酸が好ましく用いられる。無溶媒の条件下で反
応を行う場合には、通常、２０〜１００℃、好ましくは
６０〜１００℃で、溶媒中で反応を行う場合には、通常
２０〜１００℃、好ましくはその還流温度で行うことが
望ましい。反応時間は、無溶媒の条件下では、１〜１０
時間、好ましくは８〜１０時間であり、溶媒中では１〜
５０時間、好ましくは１０〜２０時間であることが望ま
しい。通常、反応終了後に、反応液を減圧下に溶媒留去
することにより、式（Ia）または式（Ib）で示される化
合物が得られる。
こともでき（無溶媒）、また溶媒中で行うこともでき
る。溶媒としては、具体的には、例えば、メタノール、
クロロホルム、酢酸、アセトンなどが挙げられ、メタノ
ール、酢酸が好ましく用いられる。無溶媒の条件下で反
応を行う場合には、通常、２０〜１００℃、好ましくは
６０〜１００℃で、溶媒中で反応を行う場合には、通常
２０〜１００℃、好ましくはその還流温度で行うことが
望ましい。反応時間は、無溶媒の条件下では、１〜１０
時間、好ましくは８〜１０時間であり、溶媒中では１〜
５０時間、好ましくは１０〜２０時間であることが望ま
しい。通常、反応終了後に、反応液を減圧下に溶媒留去
することにより、式（Ia）または式（Ib）で示される化
合物が得られる。
【００７８】また、（IVa）または（IVb）の化合物に酸
を接触させて（IVa）または（IVb）の化合物のアミノ基
の脱保護とＯＲ3基の加水分解を行い、（Ia）または（I
b）の化合物が得られる。この反応条件は（Ia'）または
（Ib'）の化合物を（IVa）または（IVb）の化合物に代
えた以外は上記の（Ia'）または（Ib'）の化合物のＯＲ
3基の加水分解反応と同様である。
を接触させて（IVa）または（IVb）の化合物のアミノ基
の脱保護とＯＲ3基の加水分解を行い、（Ia）または（I
b）の化合物が得られる。この反応条件は（Ia'）または
（Ib'）の化合物を（IVa）または（IVb）の化合物に代
えた以外は上記の（Ia'）または（Ib'）の化合物のＯＲ
3基の加水分解反応と同様である。
【００７９】このようにして得られた式（Ia）または式
（Ib）で示される化合物としては、（Ｒ）または（Ｓ）
-１-アミノエチルホスホン酸の他にこの化合物のエチル
基をプロピル基、ブチル基、２-メチルプロピル基、ペ
ンチル基、３-メチルブチル基、ネオペンチル基、ヘキ
シル基、４-メチルペンチル基、ネオヘキシル基、トリ
デシル基、テトラデシル基、シクロペンチルメチル基、
シクロヘキシルメチル基、フェニルメチル基、ｐ-クロ
ロフェニルメチル基、ｐ-フルオロフェニルメチル基、
ｐ-メトキシフェニルメチル基、２-フェニルエチル基あ
るいは（Ｅ）-３-フェニル-２-プロペニル基に代えた化
合物が挙げられる。
（Ib）で示される化合物としては、（Ｒ）または（Ｓ）
-１-アミノエチルホスホン酸の他にこの化合物のエチル
基をプロピル基、ブチル基、２-メチルプロピル基、ペ
ンチル基、３-メチルブチル基、ネオペンチル基、ヘキ
シル基、４-メチルペンチル基、ネオヘキシル基、トリ
デシル基、テトラデシル基、シクロペンチルメチル基、
シクロヘキシルメチル基、フェニルメチル基、ｐ-クロ
ロフェニルメチル基、ｐ-フルオロフェニルメチル基、
ｐ-メトキシフェニルメチル基、２-フェニルエチル基あ
るいは（Ｅ）-３-フェニル-２-プロペニル基に代えた化
合物が挙げられる。
【００８０】
【発明の効果】本発明によれば、従来の光学活性１-ア
ミノホスホン酸誘導体の合成法に比べて小量の不斉化合
物の原料を用いて大量の光学活性体を得ることが可能で
あり、しかも短い工程で上記光学活性体が得られるなど
の利点がある。
ミノホスホン酸誘導体の合成法に比べて小量の不斉化合
物の原料を用いて大量の光学活性体を得ることが可能で
あり、しかも短い工程で上記光学活性体が得られるなど
の利点がある。
【００８１】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体
的に説明するが、本発明は、かかる実施例により何等制
限されるものではない。
的に説明するが、本発明は、かかる実施例により何等制
限されるものではない。
【００８２】鏡像体過剰率（ｅｅ） 以下の実施例および比較例における鏡像体過剰率（ｅ
ｅ）の算出法は、下記のとおり。
ｅ）の算出法は、下記のとおり。
【００８３】図１に示すように、クロマトグラフィー
（ＨＰＬＣ）により求めた（Ｒ）体の面積（Ａ）と
（Ｓ）体の面積（Ｂ）との面積比ｒ＝Ａ／Ｂ（エナンチ
オマー比）とするとき、
（ＨＰＬＣ）により求めた（Ｒ）体の面積（Ａ）と
（Ｓ）体の面積（Ｂ）との面積比ｒ＝Ａ／Ｂ（エナンチ
オマー比）とするとき、
【００８４】
【数１】
【００８５】で表される。
【００８６】
【実施例１】（１）（Ｒ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトー
ル錯体）の調製 窒素雰囲気下、（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフトール
４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＬａ（Ｏ（ＣＨ
3）2ＣＨ）3・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍの
ビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶
液３０ml（５ ×３mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨ
Ｆ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、
（Ｒ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯
体）（約０. ０５mol／リットル、収率１００％）を調
製した。
ル錯体）の調製 窒素雰囲気下、（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフトール
４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＬａ（Ｏ（ＣＨ
3）2ＣＨ）3・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍの
ビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶
液３０ml（５ ×３mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨ
Ｆ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、
（Ｒ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯
体）（約０. ０５mol／リットル、収率１００％）を調
製した。
【００８７】この（Ｒ）−ＬＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０℃
以下の温度で減圧下（圧力：５ｍｍＨｇ）に溶媒留去
し、次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トル
エン＝１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｒ）−
ＬＰＢ含有量：約０.０５mol／リットル）を加えた。（２）（Ｒ）−ＬＰＢによる（Ｒ）-１-ジフェニルメチ
ルアミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステ
ルの合成［式（IVa）化合物］ N-２-メチルプロピリデンジフェニルメチルアミン０.３
０ｇ（１.２５mmol）、ジメチルホスファイト０.２１ｇ
（１.２５×１.５mmol）に、上記により得られた（Ｒ）
− ＬＰＢ含有量が０.０５mol／リットル［ＴＨＦ：ト
ルエン＝１：７（体積比）混合液］の（Ｒ）−ＬＰＢ溶
液５ml（１.２５×０.２mmol、２０mol％）を加えた。
以下の温度で減圧下（圧力：５ｍｍＨｇ）に溶媒留去
し、次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トル
エン＝１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｒ）−
ＬＰＢ含有量：約０.０５mol／リットル）を加えた。（２）（Ｒ）−ＬＰＢによる（Ｒ）-１-ジフェニルメチ
ルアミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステ
ルの合成［式（IVa）化合物］ N-２-メチルプロピリデンジフェニルメチルアミン０.３
０ｇ（１.２５mmol）、ジメチルホスファイト０.２１ｇ
（１.２５×１.５mmol）に、上記により得られた（Ｒ）
− ＬＰＢ含有量が０.０５mol／リットル［ＴＨＦ：ト
ルエン＝１：７（体積比）混合液］の（Ｒ）−ＬＰＢ溶
液５ml（１.２５×０.２mmol、２０mol％）を加えた。
【００８８】得られた反応混合物を２０℃で５６時間攪
拌した後、この反応混合物に１０mlの水を加えて反応を
停止させた。次いで、通常の後処理を行った後（すなわ
ち、反応混合物を食塩水で洗浄し、水層と有機層とに層
分離させ、得られる有機層から溶媒を留去した後）、得
られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（長さ３０ｃｍ×直径２ｃｍ）を用い、酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１（体積比）の混合溶媒により精製し、４
００mgの（Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチル
プロピルホスホン酸ジメチルエステルを得た。（収率９
２％） 得られた（Ｒ）−１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチ
ルプロピルホスホン酸ジメチルエステルの鏡像体過剰率
（ｅｅ）は、ＨＰＬＣ測定結果から、９７％であった。
［測定条件はカラム：DAICEL CHIRALPAK AD ダイセル化
学工業（株）製、移動層：イソプロピルアルコール−ヘ
キサン（１：９）］
拌した後、この反応混合物に１０mlの水を加えて反応を
停止させた。次いで、通常の後処理を行った後（すなわ
ち、反応混合物を食塩水で洗浄し、水層と有機層とに層
分離させ、得られる有機層から溶媒を留去した後）、得
られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（長さ３０ｃｍ×直径２ｃｍ）を用い、酢酸エチル：ヘ
キサン＝１：１（体積比）の混合溶媒により精製し、４
００mgの（Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチル
プロピルホスホン酸ジメチルエステルを得た。（収率９
２％） 得られた（Ｒ）−１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチ
ルプロピルホスホン酸ジメチルエステルの鏡像体過剰率
（ｅｅ）は、ＨＰＬＣ測定結果から、９７％であった。
［測定条件はカラム：DAICEL CHIRALPAK AD ダイセル化
学工業（株）製、移動層：イソプロピルアルコール−ヘ
キサン（１：９）］
【００８９】［α］D−５９．８゜（ｃ＝１．４、ＣＨ
Ｃｌ3）。 （Ｒ）−１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチルプロピ
ルホスホン酸ジメチルエステルの1Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ
3）のピーク値： δ：７．３８−７．４５（ｍ，４Ｈ），７．１７−７．
３４（ｍ，６Ｈ），５．２２（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１
Ｈ），３．７７（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），３．
７２（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），２．７８（ｂｒ
ｄ，Ｊ＝１３．５Ｈｚ，１Ｈ），２．０８−２．１３
（ｍ，１Ｈ），１．８８（ｂｒｓ，１Ｈ），１．００−
１．０５（ｍ，６Ｈ）。（３）（Ｒ）−１-アミノ-２-メチルプロピルホスホン
酸の合成［式（Ia）化合物］ （Ｒ）−１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチルプロピ
ルホスホン酸ジメチルエステル１.７４ｇ（５mmol）
に、水酸化パラジウムオンカーボン１７４ｍｇメタノー
ル１０ｍｌを加え、２０℃で水素を吹き込み４時間撹拌
した。得られた反応液をメンブランフィルターにより濾
過を行い、濾液を溶媒留去した。この溶媒留去品に水１
０ｍｌを加え、ヘキサン１０ｍｌにより洗浄した後、分
離された水層から、減圧下に水を留去し、（Ｒ）-１-ア
ミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルを
得た。（収量９０６ｍｇ、収率１００％） （Ｒ）-１-アミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチ
ルエステルを９０６ｍｇ（５ｍｍｏｌ）に３５％塩酸２
０ｍｌを加え、１００℃８時間撹拌した後減圧下に水を
留去し、粗結晶を得た。得られた粗結晶を水１０ｍｌを
用いることにより再結晶させて、（Ｒ）-１-アミノ-２-
メチルプロピルホスホン酸を得た。（収量６８９ｍｇ、
収率９０％） 得られた（Ｒ）-１-アミノ-２-メチルプロピルホスホン
酸の鏡像体過剰率（ｅｅ）は、ＨＰＬＣ測定結果から９
９％以上であった。［測定条件はカラム：SUMICHIRAL O
A-5000(（株）住化分析センター製)、移動相：２ｍＭ c
opper(II)sulfate in water/CH3CN(9:1)］ ［α］D−２．４゜（ｃ＝２．４、Ｈ2Ｏ）；文献値
［α］D−２．１゜（ｃ＝１．９、Ｈ2Ｏ）。
Ｃｌ3）。 （Ｒ）−１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチルプロピ
ルホスホン酸ジメチルエステルの1Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ
3）のピーク値： δ：７．３８−７．４５（ｍ，４Ｈ），７．１７−７．
３４（ｍ，６Ｈ），５．２２（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１
Ｈ），３．７７（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），３．
７２（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），２．７８（ｂｒ
ｄ，Ｊ＝１３．５Ｈｚ，１Ｈ），２．０８−２．１３
（ｍ，１Ｈ），１．８８（ｂｒｓ，１Ｈ），１．００−
１．０５（ｍ，６Ｈ）。（３）（Ｒ）−１-アミノ-２-メチルプロピルホスホン
酸の合成［式（Ia）化合物］ （Ｒ）−１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチルプロピ
ルホスホン酸ジメチルエステル１.７４ｇ（５mmol）
に、水酸化パラジウムオンカーボン１７４ｍｇメタノー
ル１０ｍｌを加え、２０℃で水素を吹き込み４時間撹拌
した。得られた反応液をメンブランフィルターにより濾
過を行い、濾液を溶媒留去した。この溶媒留去品に水１
０ｍｌを加え、ヘキサン１０ｍｌにより洗浄した後、分
離された水層から、減圧下に水を留去し、（Ｒ）-１-ア
ミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルを
得た。（収量９０６ｍｇ、収率１００％） （Ｒ）-１-アミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチ
ルエステルを９０６ｍｇ（５ｍｍｏｌ）に３５％塩酸２
０ｍｌを加え、１００℃８時間撹拌した後減圧下に水を
留去し、粗結晶を得た。得られた粗結晶を水１０ｍｌを
用いることにより再結晶させて、（Ｒ）-１-アミノ-２-
メチルプロピルホスホン酸を得た。（収量６８９ｍｇ、
収率９０％） 得られた（Ｒ）-１-アミノ-２-メチルプロピルホスホン
酸の鏡像体過剰率（ｅｅ）は、ＨＰＬＣ測定結果から９
９％以上であった。［測定条件はカラム：SUMICHIRAL O
A-5000(（株）住化分析センター製)、移動相：２ｍＭ c
opper(II)sulfate in water/CH3CN(9:1)］ ［α］D−２．４゜（ｃ＝２．４、Ｈ2Ｏ）；文献値
［α］D−２．１゜（ｃ＝１．９、Ｈ2Ｏ）。
【００９０】
【実施例２】実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉ
ｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の
製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と
同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合
物を合成した。
ｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の
製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と
同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合
物を合成した。
【００９１】なお、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）中のＲ2
は、表中の（ＩＩ）欄のＲ2に同じであり、記載を省略
する（以下同様）。
は、表中の（ＩＩ）欄のＲ2に同じであり、記載を省略
する（以下同様）。
【００９２】
【実施例３】実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉ
ｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の
製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と
同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合
物を合成した。
ｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の
製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と
同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合
物を合成した。
【００９３】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネー
ト系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示
す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノヘキシルホスホン酸
ジメチルエステルの物性値： ［α］D−１６８．６゜（ｃ＝０．７、ＣＨＣｌ3）1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１７−７．４５（ｍ，１０Ｈ），５．２３
（ｓ，１Ｈ），３．７９（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３
Ｈ），３．７４（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），２．
８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），１．１３−１．８７
（ｍ，９Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ）
製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネー
ト系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示
す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノヘキシルホスホン酸
ジメチルエステルの物性値： ［α］D−１６８．６゜（ｃ＝０．７、ＣＨＣｌ3）1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１７−７．４５（ｍ，１０Ｈ），５．２３
（ｓ，１Ｈ），３．７９（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３
Ｈ），３．７４（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），２．
８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），１．１３−１．８７
（ｍ，９Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ）
【００９４】
【実施例４】実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉ
ｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の
製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と
同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合
物を合成した。
ｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の
製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と
同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合
物を合成した。
【００９５】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネー
ト系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示
す。（Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノプロピルホスホン酸
ジメチルエステルの物性 値： ［α］D−３４．８゜（ｃ＝１．７、ＣＨＣｌ3）1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．３８−７．５０（ｍ，４Ｈ），７．１４−７．
３６（ｍ，６Ｈ），５．２０（ｂｒｓ，１Ｈ），３．８
０（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），３．７４（ｄ，Ｊ
＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），２．８４（ｄｔ，Ｊ＝１３．
９，６．９Ｈｚ，１Ｈ），１．７２−１．９９（ｍ，２
Ｈ），１．６０（ｂｒｓ，１Ｈ），１．０２（ｔ，Ｊ＝
６．９Ｈｚ，３Ｈ）
製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネー
ト系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示
す。（Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノプロピルホスホン酸
ジメチルエステルの物性 値： ［α］D−３４．８゜（ｃ＝１．７、ＣＨＣｌ3）1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．３８−７．５０（ｍ，４Ｈ），７．１４−７．
３６（ｍ，６Ｈ），５．２０（ｂｒｓ，１Ｈ），３．８
０（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），３．７４（ｄ，Ｊ
＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），２．８４（ｄｔ，Ｊ＝１３．
９，６．９Ｈｚ，１Ｈ），１．７２−１．９９（ｍ，２
Ｈ），１．６０（ｂｒｓ，１Ｈ），１．０２（ｔ，Ｊ＝
６．９Ｈｚ，３Ｈ）
【００９６】
【実施例５】実施例１において、触媒を下記のようにし
て得られる「（Ｓ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｓ）−ビナ
フトール錯体）」に変え、また式（Ｉａ）または（Ｉ
ｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の
製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と
同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合
物を合成した。
て得られる「（Ｓ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｓ）−ビナ
フトール錯体）」に変え、また式（Ｉａ）または（Ｉ
ｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の
製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と
同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合
物を合成した。
【００９７】実施例５の（Ｓ）−ＬＰＢで示す不斉合成
触媒は次のとおり調製した。（１）（Ｓ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｓ）−ビナフトー
ル錯体）の調製 窒素雰囲気下、（Ｓ）-（−）-1,1'-ビ-2-ナフトール
４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＬａ（Ｏ（ＣＨ
3）2ＣＨ）3・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍの
ビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶
液３０ml（５ ×３mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨ
Ｆ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、
（Ｓ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｓ）−ビナフトール錯
体）（約０. ０５mol／リットル、収率１００％）を調
製した。
触媒は次のとおり調製した。（１）（Ｓ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｓ）−ビナフトー
ル錯体）の調製 窒素雰囲気下、（Ｓ）-（−）-1,1'-ビ-2-ナフトール
４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＬａ（Ｏ（ＣＨ
3）2ＣＨ）3・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍの
ビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶
液３０ml（５ ×３mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨ
Ｆ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、
（Ｓ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｓ）−ビナフトール錯
体）（約０. ０５mol／リットル、収率１００％）を調
製した。
【００９８】この（Ｓ）−ＬＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０℃
以下の温度で減圧下（圧力：５mmHg）に溶媒留去し、次
いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン＝
１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｓ）−ＬＰＢ
含有量：約０．０５mol／リットル）を加えた。
以下の温度で減圧下（圧力：５mmHg）に溶媒留去し、次
いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン＝
１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｓ）−ＬＰＢ
含有量：約０．０５mol／リットル）を加えた。
【００９９】
【実施例６〜７】実施例１において、触媒を下記のよう
にして得られる「（Ｒ）−ＧｄＰＢ（Ｇｄ−Ｋ−（Ｒ）
−ビナフトール錯体）」に変え、また式（Ｉａ）または
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される
化合物を合成した。
にして得られる「（Ｒ）−ＧｄＰＢ（Ｇｄ−Ｋ−（Ｒ）
−ビナフトール錯体）」に変え、また式（Ｉａ）または
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される
化合物を合成した。
【０１００】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネー
ト系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示
す。（Ｒ）-（Ｅ）-１-ジフェニルメチルアミノ-３-フェニ
ル-２-プロペニルホスホン酸ジメチルエステルの物性
値： 1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１２−７．４８（ｍ，１５Ｈ），６．５１（ｄ
ｄ，Ｊ＝１５．８，４．０Ｈｚ，１Ｈ），６．１５（ｄ
ｄｄ，Ｊ＝１５．８，９．０，５．９Ｈｚ，１Ｈ），
５．０３（ｓ，１Ｈ），３．８９（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈ
ｚ，３Ｈ），３．７６（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３
Ｈ），３．６４（ｄｄ，Ｊ＝２１．０，９．０Ｈｚ，１
Ｈ），２．１７（ｂｒｓ，１Ｈ） 実施例６〜７の（Ｒ）−ＧｄＰＢで示す不斉合成触媒は
次のとおり調製した。 （１）（Ｒ）−ＧｄＰＢ（Ｇｄ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフト
ール錯体）の調製 窒素雰囲気下、（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフトール
４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＧｄ（Ｏ（ＣＨ
3）2ＣＨ）3・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍの
ビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶
液３０ml（５ ×３mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨ
Ｆ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、
（Ｒ）−ＧｄＰＢ（Ｇｄ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯
体）（約０.０５mol／リットル、収率１００％）を調製
した。
製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネー
ト系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示
す。（Ｒ）-（Ｅ）-１-ジフェニルメチルアミノ-３-フェニ
ル-２-プロペニルホスホン酸ジメチルエステルの物性
値： 1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１２−７．４８（ｍ，１５Ｈ），６．５１（ｄ
ｄ，Ｊ＝１５．８，４．０Ｈｚ，１Ｈ），６．１５（ｄ
ｄｄ，Ｊ＝１５．８，９．０，５．９Ｈｚ，１Ｈ），
５．０３（ｓ，１Ｈ），３．８９（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈ
ｚ，３Ｈ），３．７６（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３
Ｈ），３．６４（ｄｄ，Ｊ＝２１．０，９．０Ｈｚ，１
Ｈ），２．１７（ｂｒｓ，１Ｈ） 実施例６〜７の（Ｒ）−ＧｄＰＢで示す不斉合成触媒は
次のとおり調製した。 （１）（Ｒ）−ＧｄＰＢ（Ｇｄ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフト
ール錯体）の調製 窒素雰囲気下、（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフトール
４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＧｄ（Ｏ（ＣＨ
3）2ＣＨ）3・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍの
ビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶
液３０ml（５ ×３mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨ
Ｆ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、
（Ｒ）−ＧｄＰＢ（Ｇｄ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯
体）（約０.０５mol／リットル、収率１００％）を調製
した。
【０１０１】この（Ｒ）−ＧｄＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０
℃以下の温度で減圧下（圧力：５mmHg）に溶媒留去し、
次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン
＝１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｒ）−Ｇｄ
ＰＢ含有量：約０．０５mol／リットル）を加えた。
℃以下の温度で減圧下（圧力：５mmHg）に溶媒留去し、
次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン
＝１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｒ）−Ｇｄ
ＰＢ含有量：約０．０５mol／リットル）を加えた。
【０１０２】
【実施例８】実施例１において、触媒を下記のようにし
て得られる「（Ｒ）−ＰｒＰＢ（Ｐｒ−Ｋ−（Ｒ）−ビ
ナフトール錯体）」に代え、また式（Ｉａ）または（Ｉ
ｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の
製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と
同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合
物を合成した。
て得られる「（Ｒ）−ＰｒＰＢ（Ｐｒ−Ｋ−（Ｒ）−ビ
ナフトール錯体）」に代え、また式（Ｉａ）または（Ｉ
ｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の
製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と
同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合
物を合成した。
【０１０３】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネー
ト系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示
す。（Ｒ）-１-ｐ-メトキシフェニルアミノシクロヘキシル
メチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値： ［α］D＋１４．９゜（ｃ＝２．０、ＣＨＣｌ3）1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：６．７６（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ），６．６１
（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ），３．７４（ｓ，３
Ｈ），３．７１（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），３．
６７（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），３．５３（ｄ
ｄ，Ｊ＝１８．８，３．６Ｈｚ，１Ｈ），１．０９−
２．０２（ｍ，１２Ｈ） また、実施例８の（Ｒ）−ＰｒＰＢで示す不斉合成触媒
は次のとおり調製した。（１）（Ｒ）−ＰｒＰＢ（Ｐｒ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフト
ール錯体）の調製 窒素雰囲気下、（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフトール
４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＰｒ（Ｏ（ＣＨ
3）2ＣＨ）3・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍの
ビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶
液３０ml（５ ×３mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨ
Ｆ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、
（Ｒ）−ＰｒＰＢ（Ｐｒ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯
体）（約０.０５mol／リットル、収率１００％）を調製
した。
製造過程で得られる式（ＩＶａ）で示されるホスホネー
ト系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示
す。（Ｒ）-１-ｐ-メトキシフェニルアミノシクロヘキシル
メチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値： ［α］D＋１４．９゜（ｃ＝２．０、ＣＨＣｌ3）1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：６．７６（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ），６．６１
（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ），３．７４（ｓ，３
Ｈ），３．７１（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），３．
６７（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），３．５３（ｄ
ｄ，Ｊ＝１８．８，３．６Ｈｚ，１Ｈ），１．０９−
２．０２（ｍ，１２Ｈ） また、実施例８の（Ｒ）−ＰｒＰＢで示す不斉合成触媒
は次のとおり調製した。（１）（Ｒ）−ＰｒＰＢ（Ｐｒ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフト
ール錯体）の調製 窒素雰囲気下、（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフトール
４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＰｒ（Ｏ（ＣＨ
3）2ＣＨ）3・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍの
ビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶
液３０ml（５ ×３mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨ
Ｆ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、
（Ｒ）−ＰｒＰＢ（Ｐｒ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯
体）（約０.０５mol／リットル、収率１００％）を調製
した。
【０１０４】この（Ｒ）−ＰｒＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０
℃以下の温度で減圧下（圧力：５mmHg）に溶媒留去し、
次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン
＝１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｒ）−Ｐｒ
ＰＢ含有量：約０．０５mol／リットル）を加えた。
℃以下の温度で減圧下（圧力：５mmHg）に溶媒留去し、
次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン
＝１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｒ）−Ｐｒ
ＰＢ含有量：約０．０５mol／リットル）を加えた。
【０１０５】
【実施例９】実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉ
ｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の
製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と
同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物
を合成した。
ｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の
製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と
同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物
を合成した。
【０１０６】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノエチルホスホン酸ジ
メチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１６−７．４５（ｍ，１０Ｈ），５．２３
（ｄ，１Ｈ），３．７９（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，
３Ｈ），２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），１．０２−
１．４０（ｑ，３Ｈ）
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノエチルホスホン酸ジ
メチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１６−７．４５（ｍ，１０Ｈ），５．２３
（ｄ，１Ｈ），３．７９（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，
３Ｈ），２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），１．０２−
１．４０（ｑ，３Ｈ）
【０１０７】
【実施例１０】実施例１において、式（Ｉａ）または
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
【０１０８】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノブチルホスホン酸ジ
メチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１０−７．４６（ｍ，１０Ｈ），５．２２
（ｄ，１Ｈ），３．７８（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，
３Ｈ），３．００−３．２０（ｍ，１Ｈ），１．４０−
２．００（ｍ，４Ｈ），０．９５（ｔ，３Ｈ）
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノブチルホスホン酸ジ
メチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１０−７．４６（ｍ，１０Ｈ），５．２２
（ｄ，１Ｈ），３．７８（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，
３Ｈ），３．００−３．２０（ｍ，１Ｈ），１．４０−
２．００（ｍ，４Ｈ），０．９５（ｔ，３Ｈ）
【０１０９】
【実施例１１】実施例１において、式（Ｉａ）または
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
【０１１０】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノペンチルホスホン酸
ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１０−７．５３（ｍ，１０Ｈ），５．２０
（ｄ，１Ｈ），３．７９（ｄ，３Ｈ），３．７２（ｄ，
３Ｈ），２．９２−３．０５（ｍ，１Ｈ），１．１０−
１．９０（ｍ，６Ｈ），０．９０（ｔ，３Ｈ）
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノペンチルホスホン酸
ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１０−７．５３（ｍ，１０Ｈ），５．２０
（ｄ，１Ｈ），３．７９（ｄ，３Ｈ），３．７２（ｄ，
３Ｈ），２．９２−３．０５（ｍ，１Ｈ），１．１０−
１．９０（ｍ，６Ｈ），０．９０（ｔ，３Ｈ）
【０１１１】
【実施例１２】実施例１において、式（Ｉａ）または
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
【０１１２】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノトリデシルホスホン
酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．０５−７．５０（ｍ，１０Ｈ），５．２０
（ｄ，１Ｈ），３．８０（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，
３Ｈ）、２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），１．１０−
２．１０（ｍ，２２Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ）
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノトリデシルホスホン
酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．０５−７．５０（ｍ，１０Ｈ），５．２０
（ｄ，１Ｈ），３．８０（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，
３Ｈ）、２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），１．１０−
２．１０（ｍ，２２Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ）
【０１１３】
【実施例１３】実施例１において、式（Ｉａ）または
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
【０１１４】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノ-３-メチルブチルホ
スホン酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１７−７．４５（ｍ，１０Ｈ），５．２４
（ｄ，１Ｈ），３．７８（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，
３Ｈ），２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），２．０５−
２．４０（ｍ，１Ｈ），１．５２−１．７０（ｍ，２
Ｈ），１．００−１．０５（ｄ，６Ｈ）
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノ-３-メチルブチルホ
スホン酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１７−７．４５（ｍ，１０Ｈ），５．２４
（ｄ，１Ｈ），３．７８（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，
３Ｈ），２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），２．０５−
２．４０（ｍ，１Ｈ），１．５２−１．７０（ｍ，２
Ｈ），１．００−１．０５（ｄ，６Ｈ）
【０１１５】
【実施例１４】実施例１において、式（Ｉａ）または
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
【０１１６】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-ジフェニルメチルアミノフェニルメチルホスホ
ン酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１０−７．６０（ｍ，１５Ｈ），５．２０
（ｄ，１Ｈ），４．５０（ｓ，１Ｈ），３．７９（ｄ，
３Ｈ），３．７４（ｄ，３Ｈ）
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-ジフェニルメチルアミノフェニルメチルホスホ
ン酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１０−７．６０（ｍ，１５Ｈ），５．２０
（ｄ，１Ｈ），４．５０（ｓ，１Ｈ），３．７９（ｄ，
３Ｈ），３．７４（ｄ，３Ｈ）
【０１１７】
【実施例１５】実施例１において、式（Ｉａ）または
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
【０１１８】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-ジフェニルメチルアミノ-ｐ-クロロフェニルメ
チルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１０−７．７５（ｍ，１４Ｈ），５．２５
（ｄ，１Ｈ），４．３０（ｓ，１Ｈ）、３．７５（ｄ，
３Ｈ），３．７０（ｄ，３Ｈ）
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-ジフェニルメチルアミノ-ｐ-クロロフェニルメ
チルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１０−７．７５（ｍ，１４Ｈ），５．２５
（ｄ，１Ｈ），４．３０（ｓ，１Ｈ）、３．７５（ｄ，
３Ｈ），３．７０（ｄ，３Ｈ）
【０１１９】
【実施例１６】実施例１において、式（Ｉａ）または
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
【０１２０】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-ジフェニルメチルアミノ-ｐ-フルオロフェニル
メチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．０５−７．６０（ｍ，１４Ｈ），５．２３
（ｄ，１Ｈ），４．５０（ｓ，１Ｈ），３．７５（ｄ，
３Ｈ）、３．７０（ｄ，３Ｈ）
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-ジフェニルメチルアミノ-ｐ-フルオロフェニル
メチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．０５−７．６０（ｍ，１４Ｈ），５．２３
（ｄ，１Ｈ），４．５０（ｓ，１Ｈ），３．７５（ｄ，
３Ｈ）、３．７０（ｄ，３Ｈ）
【０１２１】
【実施例１７】実施例１において、式（Ｉａ）または
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
【０１２２】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-ジフェニルメチルアミノ-ｐ-メトキシフェニル
メチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１０−７．７０（ｍ，１４Ｈ），５．２０
（ｄ，１Ｈ），４．５０（ｓ，１Ｈ），３．８５（ｓ，
３Ｈ），３．７５（ｄ，３Ｈ），３．６８（ｄ，３Ｈ）
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-ジフェニルメチルアミノ-ｐ-メトキシフェニル
メチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１０−７．７０（ｍ，１４Ｈ），５．２０
（ｄ，１Ｈ），４．５０（ｓ，１Ｈ），３．８５（ｓ，
３Ｈ），３．７５（ｄ，３Ｈ），３．６８（ｄ，３Ｈ）
【０１２３】
【実施例１８】実施例１において、式（Ｉａ）または
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導
体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例
１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化
合物を合成した。
【０１２４】この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノ-２-フェニルエチル
ホスホン酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１１−７．５５（ｍ，１５Ｈ），５．２０
（ｄ，１Ｈ），３．８０（ｄ，３Ｈ），３．７５（ｄ，
３Ｈ），３．１５−３．３７（ｍ，２Ｈ），２．８０−
２．９２（ｍ，１Ｈ）注）＊条件 Ｘ：水酸化パラジウムオンカーボン（１０
ｗｔ％）／Ｈ2（１３０ｍｌ）２０℃、４時間／３５％
塩酸（２０ｍｌ）１００℃、８時間。
製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホスホネート
系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。 （Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノ-２-フェニルエチル
ホスホン酸ジメチルエステルの物性値：1 Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値 δ：７．１１−７．５５（ｍ，１５Ｈ），５．２０
（ｄ，１Ｈ），３．８０（ｄ，３Ｈ），３．７５（ｄ，
３Ｈ），３．１５−３．３７（ｍ，２Ｈ），２．８０−
２．９２（ｍ，１Ｈ）注）＊条件 Ｘ：水酸化パラジウムオンカーボン（１０
ｗｔ％）／Ｈ2（１３０ｍｌ）２０℃、４時間／３５％
塩酸（２０ｍｌ）１００℃、８時間。
【０１２５】
【表１】
【０１２６】
【表２】
【０１２７】
【表３】
【図１】図１は、鏡像体過剰率（ｅｅ）の測定法を示す
ＨＰＬＣチャートである。
ＨＰＬＣチャートである。
Claims (18)
- 【請求項１】一般式（II）： Ｒ1−Ｎ＝ＣＨＲ2 ・・・・（II） ［式（II）中、Ｒ1は、ジフェニルメチル基またはアル
コキシフェニル基を示 し、Ｒ2はアルキル基、シクロア
ルキル基またはアリール基含有炭化水素基を示すか、ハ
ロゲン原子またはアルコキシ基で置換されてもよいアリ
ール基を示す。］で表されるイミンと、 一般式（III）： （Ｒ3Ｏ）2Ｐ（Ｏ）Ｈ ・・・・（III） ［式（III）中、Ｒ3は、アルキル基、シクロアルキル
基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水
素基を示す。］で表されるホスホン酸エステルとを、 一般式（Ａ）： Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ） ［式（Ａ）中、Ｌｎは、希土類元素を示し、Ｘは、アル
カリ金属を示す。］で表される不斉合成用触媒の存在下
に反応させて、 一般式（IVa）または一般式（IVb）： 【化１】 ［式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ
3は、前記に同じ。］で表されるホスホネート系化合物
を合成し、 次いで、得られた上記化合物（IVa）もしくは化合物（I
Vb）を、酸と接触させて化合物（IVa）もしくは化合物
（IVb）のアミノ基の脱保護とＯＲ3基の加水分解を行う
か、 または化合物（IVa）もしくは化合物（IVb）を水素と接
触させて化合物（IVa）もしくは化合物（IVb）のアミノ
基の脱保護を行い、次いで酸でＯＲ3基の加水分解を行
うことを特徴とする、 一般式（Ia）または一般式（Ib）： 【化２】 ［式（Ia）、（Ib）中、Ｒ2は、前記に同じ。］で表さ
れる光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造方法。 - 【請求項２】チッ素雰囲気下、 下記式（ＶR）で表される（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナ
フトールまたは、下記式（ＶS）で表される（Ｓ）-
（−）-1,1'-ビ-2-ナフトールと、 【化３】 一般式（VI）： Ｌｎ（ＯＲ）3 ・・・・（VI） ［式（VI）中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｒはアルキル
基を示す。］で表される希土類金属アルコキシドと、 下記一般式（VII）、（VIII）および（IX）の内から選
ばれる１種のアルカリ金属化合物と、 を非水溶媒または含水溶媒中で反応させることを特徴と
する、一般式（Ａ）： Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ） ［式中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｘはアルカリ金属を
示す。］で表される不斉合成用触媒の製造方法： 一般式（VII）： ＬｉＡ ・・・・（VII） ［式（VII）中、Ａはアルキル基を示す。］で表される
化合物、 一般式（VIII）： ［（ＣＨ3）3Ｓｉ］2ＮＫ ・・・・（VIII） で表される化合物、 一般式（IX）： ＺＯＲ ・・・・（IX） ［式（IX）中、Ｚはアルカリ金属を示し、Ｒはアルキル
基を示す。］で表されるアルカリ金属アルコキシド。 - 【請求項３】一般式（IVa）または一般式（IVb）： 【化４】 ［式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1は、ジフェニルメ
チル基またはアルコキシフェニル基を示し、Ｒ2は、ア
ルキル基、シクロアルキル基またはアリール基含有炭化
水素基を示すか、またはハロゲン原子またはアルコキシ
基で置換されてもよいアリール基を示し、Ｒ3は、アル
キル基を示す。］で表される新規なホスホネート系化合
物。 - 【請求項４】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1が
ジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がイソプロピル基であ
り、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチル
アミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステ
ル。 - 【請求項５】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1が
ジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がｎ-ペンチル基であ
り、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチル
アミノヘキシルホスホン酸ジメチルエステル。 - 【請求項６】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1が
ジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がエチル基であり、Ｒ
3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノ
プロピルホスホン酸ジメチルエステル。 - 【請求項７】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1が
ジフェニルメチル基であり、Ｒ2 が（Ｅ）-スチリル基
であり、Ｒ3がメチル基である光学活性（Ｅ）-１-ジフ
ェニルメチルアミノ-３-フェニル-２-プロペニルホスホ
ン酸ジメチルエステル。 - 【請求項８】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がp
-メトキシフェニル基であり、Ｒ2がシクロヘキシル基で
あり、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ｐ-メトキシフ
ェニルアミノシクロヘキシルメチルホスホン酸ジメチル
エステル。 - 【請求項９】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1が
ジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がメチル基であり、Ｒ
3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノ
エチルホスホン酸ジメチルエステル。 - 【請求項１０】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1
がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がｎ-プロピル基で
あり、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチ
ルアミノブチルホスホン酸ジメチルエステル。 - 【請求項１１】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1
がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がｎ-ブチル基であ
り、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチル
アミノペンチルホスホン酸ジメチルエステル。 - 【請求項１２】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1
がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がドデシル基であ
り、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチル
アミノトリデシルホスホン酸ジメチルエステル。 - 【請求項１３】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1
がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がイソブチル基であ
り、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチル
アミノ-３-メチルブチルホスホン酸ジメチルエステル。 - 【請求項１４】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1
がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がフェニル基であ
り、Ｒ3がメチル基である光学活性ジフェニルメチルア
ミノフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステル。 - 【請求項１５】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1
がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がｐ-クロロフェニ
ル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性ジフェニル
メチルアミノ-ｐ-クロロフェニルメチルホスホン酸ジメ
チルエステル。 - 【請求項１６】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1
がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がｐ-フルオロフェ
ニル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性ジフェニ
ルメチルアミノ-ｐ-フルオロフェニルメチルホスホン酸
ジメチルエステル。 - 【請求項１７】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1
がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がｐ-メトキシフェ
ニル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性ジフェニ
ルメチルアミノ-ｐ-メトキシフェニルメチルホスホン酸
ジメチルエステル。 - 【請求項１８】上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1
がジフェニルメチル基であり、Ｒ2 がベンジル基であ
り、Ｒ3がメチル基である光学活性１-ジフェニルメチル
アミノ-２-フェニルエチルホスホン酸ジメチルエステ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25519596A JP3574715B2 (ja) | 1995-09-26 | 1996-09-26 | 光学活性１−アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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