JP2004337855A - 不斉合成用触媒の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】α−アミノホスホン酸誘導体の製造で使用される不斉合成用触媒の製造。
【解決手段】チッ素雰囲気下、下記式（Ｖ_R）または式（Ｖ_S）で表されるナフトールと、式（VI）：Ｌｎ（ＯＲ）₃ ［Ｌｎは希土類元素、Ｒはアルキル基。］で表される希土類金属アルコキシドと、アルカリ 金属化合物と、を非水溶媒または含水溶媒中で反応させる、式（Ａ）：「Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）ビナフトール錯体」［Ｌｎは希土類元素、Ｘはアルカリ金属。］で表される不斉合成用触媒の製造方法。

【選択図】 なし

Description

本発明は、不斉合成用触媒の製造方法に関する。

１-アミノアルキルホスホン酸またはそのペプチド類縁誘導体は、グラム陽性 菌およびグラム陰性菌に対して抗菌作用を有し、かつ抗生物質（例えば、ペニシリン、セファロスポリンおよびＤ−シクロセリン）の活性を高めること、Ｌ−アラニンおよびＬ−アミノエチルホスホン酸からのジペプチドであるアラフォスファリンが特に重要であること、一般に光学活性１-アミノアルキルホスホン酸の誘 導体および特にＬ体（Ｒ体）からの誘導体は大きな生物学的活性を示すことが知られている（特開昭６１−８８８９５号公報：特許文献１）。

酵素的不斉合成法により光学活性１-アミノアルキルホスホン酸を得る方法としては、
テトラヘドロン アシンメトリー第４巻第1965頁１９９３年：非特許文献１、特開昭６１-８８８９５号公報(特許文献１)等に記載されているものが挙げられる。

例えば、特開昭６１-８８８９５号公報（特許文献１）には、
１-アミノ-アルキルホスホン酸または１-アミノ-アルキルホスホン酸のラセミ体であるＮ-アシル誘導体を酵素分割し、次いで、脱アシル化することによりその 立体異性体を製造する方法において、酵素分割をペニシリン-Ｇ-アミダーゼを用いて、

［式中、Ｒ²は、場合により例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素原子１〜３個 のアルコキシ基、フェニル基および／またはフェノキシ基により置換されていてもよい炭素原子１〜６個、特に１〜４個を有する分枝鎖状か、または有利には直鎖状のアルキル基を表すか、またはフェニル基を表す。］の１-アミノアルキルホスホン酸の立体異性体を得
る製造法が記載されている。

しかしながら、これら酵素的不斉合成では、基質が限定されてしまうとの問題点がある。
また、非酵素的不斉合成法としては、従来、下記（１）〜（４）に示すような種々の方法が知られている。

すなわち、
（１） ラセミ体の１-アミノアルキルホスホン酸を、無水ジベンゾイル-L-酒石酸に よって分割する方法＜収率７０〜８７％＞（カナディアン・ジャーナル・オブ・ケミカル・エンジニアリング第６１巻第2425頁、1983年：非特許文献２）、
（２） 光学活性アミノホスホン酸エステルへの不斉アルキル化反応によって合成す る方法＜収率５０〜８６％、光学純度２５〜７６％＞（テトラヘドロン・レターズ第３３巻第6127頁、1992年：非特許文献３）
（３） 光学活性イミンへのホスホン酸エステルのジアステレオ選択的付加反応によ って合成する方法＜収率３０〜９０％、光学純度７１〜９９％＞（ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエテー第１１６巻第9377頁、1994年：非特許文献４）
（４） 不斉触媒を用いたオレフィンの不斉水素化反応によって合成する方法＜収率９２
％、光学純度６３〜９６％＞（シンセティック・コミュニケーションズ第26巻 第777頁、1996年：非特許文献５）など。

しかしながら上記非特許文献２に記載の方法では、工程数が多く、操作が煩雑であるとの問題点があり、上記非特許文献３および非特許文献４に記載の方法では、光学活性な原料を化学量論量必要とするなどの問題点があり、また、上記非特許文献５に記載の方法では、原料であるオレフィン体を合成するのに工程数が多く、また原料も限定されてしまうなど、従来の方法は工業的に有利な方法ではない。

このため、従来の光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の合成法に比べて小量 の不斉化合物源を用いて大量の光学活性体を得ることが可能であり、しかも短い工程で上記光学活性体が得られるような光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の 製造方法および不斉合成用触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物の出現が求められている。

なお、「リービッヒ アナーレン デル ケミー第1153頁〜第1155頁、1990年」（非特許
文献６）には、不斉合成法に関するものではないが、一般式：Ｒ¹ＣＨ（ＮＨＣＯＲ²）₂ ［式中、Ｒ¹は、スチリル基などを示し、Ｒ²は、アルキリデン基を示す 。］で表 されるＮ，Ｎ'−アルキリデンビスアミドとＰＣｌ₃と酢酸とを６０〜８０℃で、１時間反応させた後、加水分解して、一般式：Ｒ¹ＣＨＮＨ₂Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）₂ ［式中、Ｒ¹は、スチリ
ル基などを示す。］で表される化合物（収率３９〜９９ ％）の製造方法が記載されてい
る。

また、特開平６−１５４６１８号公報(特許文献２)には、不斉合成用触媒として下記の触媒が記載されている。
すなわち、式（Ａ_R）もしくは式（Ａ_S）：

で表される光学活性1,1'-ビ-2-ナフトールのジアルカリ金属塩（ただし、式中、ＭはＬｉ、ＫもしくはＮａである）、ＬａＸ₃（ＸはＦ、Ｃｌ
、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ₃もしくはＣＨ₃ＣＯ₂である）で表されるランタン化合物、お よびＭＯＲもしくはＭＯＨ（ＭはＬｉ、ＫもしくはＮａであり、Ｒはイソプロピルもしくはt-ブチルである）で表されるアルカリ金属アルコキシドもしくは水酸化アルカリ金属から、含水溶媒存在下で調製された不斉合成用触媒、
または、

で表される光学活性1,1'-ビ-2-ナフトールおよびＬａ（ＯＲ）₃（Ｒはイソプロピル基
もしくはt-ブチル基である）で表されるランタンアルコキシドからエーテル系溶媒中で得られる活性種を塩化リチウム、含水溶媒の存在下で用いることを特徴とする不斉合成用触媒。
特開昭６１−８８８９５号公報 特開平６−１５４６１８号公報 テトラヘドロン アシンメトリー第４巻第1965頁１９９３年 カナディアン・ジャーナル・オブ・ケミカル・エンジニアリング第６１巻第2425頁、1983年 テトラヘドロン・レターズ第３３巻第6127頁、1992年 ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエテー第１１６巻第9377頁、1994年 シンセティック・コミュニケーションズ第26巻 第777頁、1996年 リービッヒ アナーレン デル ケミー第1153頁〜第1155頁、1990年

本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決しようとするものであって、光学活性な原料を少量で用いて、少ない工程数の簡単な操作で、大量の光学活性１-アミノホ
スホン酸誘導体を製造しうるような光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造方法を提
供することを目的としている。

本発明は、このような光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造に使用しう るような触媒の製造方法を提供することを目的としている。
本発明は、光学活性１-アミノホスホン酸誘導体を製造する際に好適に使用さ れる新規な光学活性ホスホネート系化合物を提供することを目的としている。

本発明に係る光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造方法は、
一般式（II）：
Ｒ¹−Ｎ＝ＣＨＲ² ・・・・（II）
［式（II）中、Ｒ¹は、ジフェニルメチル基またはアルコキシフェニル基を示し、Ｒ²は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基含有炭化水素基を示すか、またはハロゲン原子またはアルコキシ基で置換されてもよいアリール基を示す。］で表されるイミンと、
一般式（III）：
（Ｒ³Ｏ）₂Ｐ（Ｏ）Ｈ ・・・・（III）
［式（III）中、Ｒ³は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。］で表されるホスホン酸エステルとを、
一般式（Ａ）：
Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ）
［式（Ａ）中、Ｌｎは、希土類元素を示し、Ｘは、アルカリ金属を示す。］で表される不斉合成用触媒の存在下に反応させて、
一般式（IVa）または一般式（IVb）：

［式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、前記に同じ。］で表さ れるホスホネート系化合物を合成し、
次いで、得られた上記化合物（IVa）または化合物（IVb）を、水素と接触させて化合物（IVa）または化合物（IVb）のアミノ基の脱保護を行い、次いで酸でＯＲ³基の加水分解
とを行うことにより、下記化合物（Ia）または（Ib）を得ることを特徴としている。

一般式（Ia）または一般式（Ib）：

［式（Ia）、（Ib）中、Ｒ²は、前記に同じ。］
本発明に係る不斉合成用触媒の製造方法は、
一般式（Ａ）：
Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ）
［式中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｘはアルカリ金属を示す。］で表される不斉合成用触媒を得るのに、
チッ素雰囲気下、
(1)下記式（Ｖ_R）で表される（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフトールまたは、下記式（Ｖ_S
）で表される（Ｓ）-（−）-1,1'-ビ-2-ナフトールと、

(2)一般式（VI）：
Ｌｎ（ＯＲ）₃ ・・・・（VI）
［式（VI）中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｒはアルキル基を示す。］
で表される希土類金属アルコキシドと、
(3)下記一般式（VII）、（VIII）および（IX）の内から選ばれる１種のアルカリ金属化合物と、
を非水溶媒または含水溶媒中で反応させることを特徴としている。

一般式（VII）：
ＬｉＡ ・・・・（VII）
［式（VII）中、Ａはアルキル基を示す。］
で表される化合物、
一般式（VIII）：
［（ＣＨ₃）₃Ｓｉ］₂ＮＫ ・・・・（VIII）
で表される化合物、
一般式（IX）：
ＺＯＲ ・・・・（IX）
［式（IX）中、Ｚはアルカリ金属を示し、Ｒはアルキル基を示す。］
で表されるアルカリ金属アルコキシド。

本発明に係る新規なホスホネート系化合物は、例えば上記本発明に係る光学活性１-ア
ミノホスホン酸誘導体の製造方法で原料として好適に使用され、下記一般式（IVa）また
は一般式（IVb）で表される。

［式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ¹は、ジフェニルメチル基またはアルコキシフェニル
基を示し、Ｒ²は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基含有炭化水素基を示
すか、またはハロゲン原子またはアルコキシ基で置換されてもよいアリール基を示し、Ｒ³は、アルキル基を示す。］
このような新規なホスホネート系化合物としては、例えば、上記式（IVa）お よび式（
IVb）中、Ｒ¹がジフェニルメチル基であり、Ｒ²がイソプロピル基であ り、Ｒ³がメチル
基である光学活性１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエ
ステルに加えて、
このＲ²がエチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノプロピルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ²がｎ-ペンチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノヘキシルホ
スホン酸ジメチルエステル、
このＲ²が（Ｅ）-スチリル基に置換された光学活性（Ｅ）-１-ジフェニルメチルアミノ-３-フェニル-２-プロペニルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ²がメチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノエチルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ²がｎ-プロピル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノブチルホス
ホン酸ジメチルエステル、
このＲ²がｎ-ブチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノペンチルホス
ホン酸ジメチルエステル、
このＲ²がドデシル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノトリデシルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ²がイソブチル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノ-３-メチルブチルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ²がフェニル基に置換された光学活性ジフェニルメチルアミノフェニルメチルホ
スホン酸ジメチルエステル、
このＲ²がｐ-クロロフェニル基に置換された光学活性ジフェニルメチルアミノ-ｐ-クロロフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ²がｐ-フルオロフェニル基に置換された光学活性ジフェニルメチルアミノ-ｐ-フルオロフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ²がｐ-メトキシフェニル基に置換された光学活性ジフェニルメチルアミノ-ｐ-メトキシフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステル、
このＲ²がベンジル基に置換された光学活性１-ジフェニルメチルアミノ-２-フェニルエチルホスホン酸ジメチルエステルの他に、
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ¹がp-メトキシフェニル基であり、Ｒ²がシクロヘキシル基であり、Ｒ³がメチル基である光学活性１-ｐ-メトキシフェニルアミノシクロヘ
キシルメチルホスホン酸ジメチルエステルが挙げられる。

このような本発明によれば、光学活性な原料を少量用いて、少ない工程数の簡単な操作で、大量の光学活性１-アミノホスホン酸誘導体を製造できる。

以下、本発明に係る光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不 斉合成用触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物について具体的に説明する。
［光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造方法］
本発明では、式（Ia）または式（Ib）で表される光学活性１-アミノホスホン 酸誘導体を、以下の反応経路で合成している。

すなわち、式（IVa）または式（IVb）で示される化合物は、好ましくは後述するような光学活性な希土類元素−アルカリ金属−ビナフトール錯体（Ａ）からなる不斉合成用触媒の存在下に、式（II）で表されるイミンと式（III）で表され るホスホン酸エステルとの反応により合成される。

ここで、式（II）、（III）、（IVa）、（IVb）、（Ia'）、（Ib'）、（Ia）および（Ib）中、Ｒ¹は、ジフェニルメチル基、アルコキシフェニル基を示し、Ｒ²はアルキル基、 シクロアルキル基またはアリール基含有炭化水素基を示すか、ハロゲン原子またはアルコキシ基で置換されてもよいアリール基を示す。また、Ｒ³は、アルキル基、シクロアルキ
ル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。
［式（II）で表されるイミンの合成］
このような反応の出発原料となる式（II）で表される化合物（イミン）は公知化合物であり、従来より公知の方法により合成することができる。例えばジフェニルメチル基、アルコキシフェニル基の場合には、特開昭６２−２８９５５８号公報などに示される方法によって、それぞれジフェニルメチルアミン、アルコキシフェニルアミンを用いて合成すればよい。

式（II）で表されるイミンにおいて、Ｒ¹がアルコキシフェニル基の場合、この基のベ
ンゼン環に置換基として結合しているアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、イソブトキシ基、イソヘキシルオキシ基などが挙げられる。

式（II）で表されるイミンにおいて、Ｒ²がアルキル基である場合、このよう なアルキル基としては、炭素数１〜１３のアルキル基が挙げられ、直鎖状または分岐状であってもよく、このようなアルキル基として具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ-プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ｎ-ペンチル基
、イソペンチル基、ネオペンチル基、ドデシル基、トリデシル基等が挙げられる。

Ｒ²がシクロアルキル基である場合、このようなシクロアルキル基としては、 具体的には、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。 Ｒ²がアリール
基である場合、アリール基の芳香環に結合する水素は、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メトキシ基、エトキシ基、ｎ-プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ-ブトキシ基、ｓｅｃ-ブトキシ基、ｔ-ブトキシ基、イソヘキシルオキシ基などのアルコキシ基で置換されていてもよい。

このようなアリール基としては、具体的には、 例えば、フェニル基、ｐ-クロロフェニル基、ｐ-フルオロフェニル基、ｐ-メトキシフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などが挙げられる。

Ｒ²がアリール基含有炭化水素基である場合、上記と同様にアリール基は、置換されて
いてもよく、このようなアリール基含有炭化 水素基としては、具体的には、ベンジル基
、フェネチル基などのアリールアルキル基；（Ｅ）-スチリル基、ｐ−メチルフェニルビ
ニル基（ＣＨ₃-Ｃ₆Ｈ₄-ＣＨ＝ＣＨ−）などのアリールビニル基が挙げられる。

このようなＲ²の内では、アルキル基が好ましく、その内ではエチル基、ｎ-プロピル基、ｎ-ブチル基、イソプロピル基が好ましい。
このような式（II）で表されるイミンとしては、具体的には、例えば、次のものが挙げられる。

N-エチリデンジフェニルメチルアミンの他にエチリデンをプロピリデン、ブチリデン、２-メチルプロピリデン、ペンチリデン、３-メチルブチリデン、ネオペンチリデン、ヘキシリデン、４-メチルペンチリデン、ネオヘキシリデン、トリデシリデン、テトラデシリ
デン、シクロペンチルメチリデン、シクロヘキシルメチリデン、フェニルメチリデン、ｐ-クロロフェニルメチリデン、ｐ-フルオロフェニルメチリデン、ｐ-メトキシフェニルメ
チリデン、２-フェニルエチリデンあるいは（Ｅ）-３-フェニル-２-プロペニリデンにそ
れぞれ置換した化合物が挙げられる。

またＮ-エチリデンジフェニルメチルアミンのジフェニルメチルをｐ-メトキシベンゼンに置換し、エチリデンをプロピリデン、ブチリデン、２-メチルプロピリデン、ペンチリ
デン、３-メチルブチリデン、ネオペンチリデン、ヘキシリデン、４-メチルペンチリデン、ネオヘキシリデン、トリデシリデン、テトラデシリデン、シクロペンチルメチリデン、シクロヘキシルメチリデン、フェニルメチリデン、ｐ-クロロフェニルメチリデン、ｐ-フルオロフェニルメチリデン、ｐ-メトキシフェニルメチリデン、２-フェニルエチリデンあるいは（Ｅ）-３-フェニル-２-プロペニリデンにそれぞれ置換した化合物が挙げられる。

これらのイミンのうちでは、Ｎ-エチリデンジフェニルメチルアミン、Ｎ-プロピリデン
ジフェニルメチルアミン、Ｎ-ブチリデンジフェニルメチルアミン、Ｎ-２-メチルプロピ
リデンジフェニルメチルアミンが好ましく用いられる。
［式（III）で表されるホスホン酸エステルの合成］
式（III）で表されるホスホン酸エステルは従来より公知の化合物であり、従 来より公知の方法によって得られる。

式（III）で表されるホスホン酸エステルにおいて、Ｒ³のアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が挙げられ、直鎖状または分岐状であってもよく、このようなアルキル基として具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ-プ ロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペ
ンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、これらの内では、メチル基が好ましい。

Ｒ³がシクロアルキル基である場合、このようなシクロアルキル基としては、具体的に
は、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。 Ｒ³がアリール
基である場合、このようなアリール基としては、具体的には、例えば、フェニル基、ｐ-
トリル基、パラクロルフェニル基などが挙げられる。

Ｒ³がアリール基含有炭化水素基である場合、このようなアリール基含有炭化水素基と
しては、前記Ｒ²の場合と同様に、具体的には、例えば、ベンジル基、フェネチル基など
のアリールアルキル基；スチリル基、ｐ-メチルフェニルビニル基（ＣＨ₃−Ｃ₅Ｈ₄−ＣＨ＝ＣＨ−）などのアリールビニル基が挙げられる。

このような式（III）で表されるホスホン酸エステルとしては、具体的には、 例えば、次のものが挙げられる。
ジメチルホスファイト、ジエチルホスファイト、ジ-ｎ-プロピルホスファイト、ジ-ｎ-ブチルホスファイト、ジ-ｎ-ペンチルホスファイト、ジフェニルホスファイト、ジベンジルホスファイト、ジ-ｐ-トリルホスファイト、ジ-ｐ-クロルフェニルホスファイト、ジシクロヘキシルホスファイト、ジアリルホスファイトなど。

これらのホスホン酸エステルの内では、ジメチルホスファイトが好ましく用いられる。［式（Ａ）で表される不斉合成用触媒およびその合成］
本発明で用いられる不斉合成触媒は、下記式（Ａ）で示され、好ましくは次のようにして合成される。

一般式（Ａ）：
Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ）
［式（Ａ）中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｘはアルカリ金属を示す。］
すなわち、この希土類元素−アルカリ金属−（Ｒ）／（Ｓ）ビナフトール錯体（Ａ）は、
通常、不活性ガス雰囲気下、好ましくはチッ素（ガス）雰囲気下で、
(1)下記式（Ｖ_R）で表される（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフトールまたは、下記式（Ｖ_S
）で表される（Ｓ）-（−）-1,1'-ビ-2-ナフトールと、

(2)一般式（VI）：
Ｌｎ（ＯＲ）₃ ・・・・（VI）
［式（VI）中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｒはアルキル基を示す。］で表される希土類金属アルコキシドと、(3)下記一般式（VII）、（VIII）および（IX）の内から選ばれる１種のアルカリ金属化合物と、
を非水溶媒または含水溶媒中で反応させることにより得られる。

一般式（VII）：
ＬｉＡ ・・・・（VII）
［式（VII）中、Ａはアルキル基を示す。］で表される化合物、
一般式（VIII）：
［（ＣＨ₃）₃Ｓｉ］₂ＮＫ ・・・・（VIII）
で表される化合物、
一般式（IX）：
ＺＯＲ ・・・・（IX）
［式（IX）中、Ｚはアルカリ金属を示し、Ｒはアルキル基を示す。］で表されるアルカリ金属アルコキシド。

上記式（Ｖ_R）で示される（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフトールおよび、上記式（Ｖ_S）で示される（Ｓ）-（−）-1,1'-ビ-2-ナフトールは、何れも、公知物質であり、従来より公知の方法（ジャーナル オブ オーガニック ケミストリー（J. Org. Chem. 第７３１７頁、1993年 参照）により合成される。

また式（VI）で示される化合物である希土類金属アルコキシドは公知物質であり、公知の方法により合成される。希土類元素としては、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムが挙げられる。

希土類金属アルコキシドとしては、ランタントリイソプロポキシド、ランタントリt-ブトキシド、ガドリニウムトリイソプロポキシドなどが挙げられ、ランタントリイソプロポキシド、ガドリニウムトリイソプロポキシドが好ましく用いられる。

式（VII）で示されるリチウム化合物中のＡは、アルキル基を示し、このよう なアルキル基としては、具体的には、例えば、メチル基、n-ブチル基、t-ブチル基などが挙げられ、n-ブチル基が好ましい。

このような式（VII）で示される化合物としては、具体的には、例えば、ＣＨ₃Ｌｉ、ＣＨ₃（ＣＨ₂）₃Ｌｉ、（ＣＨ₃）₃ＣＬｉなどが挙げられ、ＣＨ₃（ＣＨ₂ ）₃Ｌｉが好まし
く用いられる。

式（VIII）で示される化合物は、公知物質である。
また式（IX）で示されるアルカリ金属アルコキシドは公知の化合物であり、公知の方法（ジャーナル オブ アメリカン ケミカル ソサイエティ J. A. C., S 第４３６４頁、1956年）により合成できる。

式（IX）中、Ｚで示されるアルカリ金属としては、具体的には、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられ、Ｎａ、Ｋが好ましく用いられる。
このような式（IX）で示されるアルカリ金属アルコキシドとしては、具体的には、例えば、ＬｉＯ（ＣＨ₃）₃Ｃ、ＮａＯ（ＣＨ₃）₃Ｃ、ＫＯ（ＣＨ₃）₃Ｃ、ＲｂＯ（ＣＨ₃）₃Ｃ、ＣｓＯ（ＣＨ₃）₃Ｃ、ＬｉＯ（ＣＨ₃）₂ＣＨ、ＮａＯ（ＣＨ₃）₂ＣＨ、ＫＯ（ＣＨ₃）₂ＣＨ、ＲｂＯ（ＣＨ₃）₂ＣＨ、ＣｓＯ（ＣＨ₃）₂ＣＨ等が挙げられ、ＬｉＯ（ＣＨ₃）₃Ｃ、ＮａＯ（ＣＨ₃）₃Ｃ、ＫＯ（ＣＨ₃）₃Ｃ、ＲｂＯ（ＣＨ₃）₃Ｃ、ＣｓＯ（ＣＨ₃）₃Ｃが好ましく用いられる。

本発明に係る不斉合成用触媒の製造方法においては、上記式（Ｖ_R）または（Ｖ_S）で示される(Ｒ)／(Ｓ)-1,1'-ビ-2-ナフトール(1)と、式（VI）で示される希土類金属アルコキシド(2)と、「式（VII）、式（VIII）または（IX）で示されるアルカリ金属化合物(3)」
とのモル比［(1)：(2)：(3)］は通常、１：１：１〜１０：１：１０であり、好ましくは
１：１：１〜３：１：３の量で用いられることが望ましい。また、このような反応は通常０〜５０℃、好ましくは０〜２０℃の温度で、通常０.１〜１００時間、好ましくは０.１〜２４時間行うことが望ましい。

本発明においては、このような反応の際には、非水溶媒または含水溶媒が用いられる。
溶媒としては、具体的には、例えば、テトラヒドロフラン（以下「ＴＨＦ」という）、エーテルなどが挙げられ、ＴＨＦが好ましく用いられる。不斉合成反応でＴＨＦ以外の溶媒を用いるときには、触媒調製時に用いられた溶媒（例：ＴＨＦ）を２０℃以下の温度で留去させ、前記式（II）で示されるイミンと（III） で示されるホスホン酸エステルとの不斉合成反応の際に使用される溶媒を加えて溶媒交換しておくことが好ましい。

含水溶媒としては、具体的には、例えば、含水ＴＨＦ、含水エーテル、含水ジオキサン、含水ジエチルエーテルなどが挙げられ、含水ＴＨＦ、含水エーテルが好ましく用いられる。

触媒調製時に含水溶媒を使用する場合には、水は式（VI）のランタン化合物１モルに対して、通常、０.１〜１０モルの量で、好ましくは０.１〜１モルの量で用いられる。
このように
して得られる式（Ａ）で示される不斉合成用触媒は、下記式（イ）または（ロ）：

［式（イ）および式（ロ）中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｘはアルカリ金属を示す。］で表される。
このような式（Ａ）（さらに具体的には、式（イ）または式（ロ））で表される不斉合成用触媒として、具体的には、例えば、Ｌａ−Ｌｉ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）-ＬＬＢ」という）、Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール 錯体（以下「（Ｒ）-ＬＰ
Ｂ」という）、Ｌａ−Ｎａ−（Ｒ）−ビナフトール錯 体（以下「（Ｒ）-ＬＳＢ」という）、Ｌａ−Ｒｂ−（Ｒ）−ビナフトール錯体 （以下「（Ｒ）-ＬＲＢ」という）、Ｌａ−Ｃｓ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（ 以下「（Ｒ）-ＬＣＢ」という）の他に、これらの化合物のＬａをＳｃ，Ｙ，Ｃ ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，あるいはＬｕに置換し、（Ｒ）-ビナフトールを（Ｓ）-ビナフトールにそれぞれ置換した化合物等が挙げられる。また、本発明の反応に用いられる不斉合成用触媒は、（Ｒ）または（Ｓ）-ＬＬＢ、（Ｒ） または（Ｓ）-ＬＲＢ、（Ｒ）または
（Ｓ）-ＬＣＢよりも、（Ｒ）または（Ｓ）-ＬＳ Ｂの方が活性が高く、さらに、（Ｒ）
または（Ｓ）-ＬＳＢよりも（Ｒ）または（Ｓ）-ＬＰＢの方がより活性が高いため好ましく用いられる［（Ｒ）または（Ｓ）-ＬＬＢ→（Ｒ）または（Ｓ）-ＬＳＢ→（Ｒ）または（Ｓ）-ＬＰＢ（高活性）］。
［式（IVa）または式（IVb）で示される化合物の合成］
本発明においては、上記のような式（II）で示されるイミンと、式（III）で 示されるホスホン酸エステルとを、上記式（Ａ）で示される不斉合成用触媒の存在下で反応させて式（IVa）および／または式（IVb）で示される化合物を得る。

このような反応において、式（II）で示されるイミンと、式（III）で示され るホスホン酸エステルと、不斉合成用触媒（Ａ）とは、そのモル比［イミン：ホスホン酸エステル：不斉合成用触媒］が通常、１：１：０.０１〜１：５：１であり、好ましくは１：１：
０.０１〜１：５：０. ２の 量で用いられることが望ましい。

このような反応は、通常、−８０〜８０℃、好ましくは２０〜５０℃の温度で、通常、０.１〜１００時間、好ましくは６０〜８０時間行うことが望ましい。
また反応の際には、通常、溶媒が用いられ、このような反応溶媒として、具体的には、例えば、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、エーテル、ジオキサン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ヘキサメチルホスホルアミド（ＨＭＰＡ）などが挙げられ、ＴＨＦ、トルエン、エーテルが好ましく用いられる。

また、本発明においては、これらの溶媒を１種単独で用いてもよく、また２種以上組み合わせて混合溶媒として用いてもよい。混合溶媒として、具体的には、例えば、トルエン
−ＴＨＦ混合溶媒、ＴＨＦ−ジオキサン混合溶媒などが挙げられ、トルエン−ＴＨＦ混合溶媒が好ましく、特にＴＨＦ１体積に対して通常トルエンを１〜１０体積、好ましくは６〜８体積で混合してなるトルエン−ＴＨＦ混合溶媒が好ましい。

上記のような反応は、通常、反応溶液の１〜１０倍量の水を反応溶液に加えることにより、停止させることができる。
本発明においては、このような反応終了後に、得られた反応液（式（IVa）ま たは式（IVb）で示される化合物含有物）に通常、食塩水を加えて洗浄し、水層と有機層とに層分
離させ、次いでこのように洗浄して得られた有機層から溶媒を留去することにより粗生成物を得る。このようにして得られた粗生成物を例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、式（IVa）または式（IVb）で示される化合物が得られる。

式（IVa）または式（IVb）で示される化合物の具体例を次に示す。
（Ｒ）または（Ｓ）-１-ジフェニルメチルアミノエチルホスホン酸ジメチルエステルの他に、
この化合物のジフェニルメチル基をp-メトキシフェニル基に、
エチル基をプロピル、ブチル、２-メチルプロピル、ペンチル、３-メチルブチル、ネオペンチル、ヘキシル、４-メチルペンチル、ネオヘキシル、トリデシル、テトラデシル、
シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、フェニルメチル、ｐ-クロロフェニルメ
チル、ｐ-フルオロフェニルメチル、ｐ-メトキシフェニルメチル、２-フェニルエチルあ
るいは、（Ｅ）-３-フェニル-２-プロペニルの何れかの基に置換し、
ジメチル基をジエチル、ジ−ｎ−プロピル、ジイソプロピル、ジ−ｎ−ブチル、ジイソブチル、ジ−ｓｅｃ−ブチル、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル、ジ−ｎ−ペンチル、ジイソペンチル、ジネオペンチル、ジシクロペンチル、ジシクロヘキシル、ジフェニル、ジベンジル、ジ−ｐ−トリルまたはジ−ｐ−クロルフェニルの何れかの基にそれぞれ置換した化合物が挙げられる。
［式（Ia）または式（Ib）化合物の合成］
次に光学活性１-アミノホスホン酸誘導体［式（Ia）または式（Ib）］の合成 について述べる。

上記式（Ia）または式（Ib）で示される化合物は、式（IVa）または式（IVb）で示される化合物に水素を接触させてアミノ基の脱保護反応を行うことにより上記式（Ia'）また
は式（Ib'）で示される化合物を得、引き続き式（Ia'）または式（Ib'）で示される化合
物に酸を加えてＯＲ³基の加水分解反応を行うことにより得られる。

アミノ基の脱保護反応は、接触水添による方法で行い、水酸化パラジウムオンカーボンもしくはパラジウム黒を式（IVa）または式（IVb）で示される化合物の重量に対して通常、０．１〜１０倍量で、好ましくは０．１〜１倍量で用いることが望ましい。このような接触水添の際には、反応溶媒を用いることができ、このような反応溶媒としては、具体的には、例えば、酢酸、メタノール、エタノールなどが挙げられ、メタノールが好ましく用いられる。反応温度は通常、２０〜１００℃、好ましくは２０〜５０℃であることが望ましい。反応時間は通常、１〜５０時間、好ましくは３〜１０時間であることが望ましい。通常、反応終了後に、反応液から水酸化パラジウムオンカーボンもしくはパラジウム黒を除去し、溶媒留去後に水を加えて目的物を溶解させ、これにヘキサンを加えて洗浄し、水層を減圧下に留去することにより式（Ia'）または式（Ib'）で示される化合物が得られる。

また、ＯＲ³基の加水分解反応には酸が用いられる。酸は、式（Ia'）または式（Ib'）
で示される化合物１モルに対して５〜１００モルの量で、好ましくは５〜１０モルの量で用いられる。このような酸としては、具体的には、例えば、濃度３５％の濃塩酸あるいは
濃硫酸、濃度１００％の酢酸などが挙げられ、濃塩酸、酢酸が好ましく用いられる。

このような反応は、溶媒の非存在下に行うこともでき（無溶媒）、また溶媒中で行うこともできる。溶媒としては、具体的には、例えば、メタノール、クロロホルム、酢酸、アセトンなどが挙げられ、メタノール、酢酸が好ましく用いられる。無溶媒の条件下で反応を行う場合には、通常、２０〜１００℃、好ましくは６０〜１００℃で、溶媒中で反応を行う場合には、通常２０〜１００℃、好ましくはその還流温度で行うことが望ましい。反応時間は、無溶媒の条件下では、１〜１０時間、好ましくは８〜１０時間であり、溶媒中では１〜５０時間、好ましくは１０〜２０時間であることが望ましい。通常、反応終了後に、反応液を減圧下に溶媒留去することにより、式（Ia）または式（Ib）で示される化合物が得られる。

また、（IVa）または（IVb）の化合物に酸を接触させて（IVa）または（IVb）の化合物のアミノ基の脱保護とＯＲ³基の加水分解を行い、（Ia）または（Ib）の化合物が得られ
る。この反応条件は（Ia'）または（Ib'）の化合物を（IVa）または（IVb）の化合物に代えた以外は上記の（Ia'）または（Ib'）の化合物のＯＲ³基の加水分解反応と同様である
。

このようにして得られた式（Ia）または式（Ib）で示される化合物としては、（Ｒ）または（Ｓ）-１-アミノエチルホスホン酸の他にこの化合物のエチル基をプロピル基、ブチル基、２-メチルプロピル基、ペンチル基、３-メチルブチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、４-メチルペンチル基、ネオヘキシル基、トリデシル基、テトラデシル基、シクロ
ペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、フェニルメチル基、ｐ-クロロフェニルメ
チル基、ｐ-フルオロフェニルメチル基、ｐ-メトキシフェニルメチル基、２-フェニルエ
チル基あるいは（Ｅ）-３-フェニル-２-プロペニル基に代えた化合物が挙げられる。
［発明の効果］
本発明によれば、従来の光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の合成法に比べ て小量の不斉化合物の原料を用いて大量の光学活性体を得ることが可能であり、しかも短い工程で上記光学活性体が得られるなどの利点がある。
［実施例］
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、かかる実施例により何等制限されるものではない。

鏡像体過剰率（ｅｅ）
以下の実施例および比較例における鏡像体過剰率（ｅｅ）の算出法は、下記のとおり。
図１に示すように、クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により求めた（Ｒ）体の面積（Ａ）と（Ｓ）体の面積（Ｂ）との面積比ｒ＝Ａ／Ｂ（エナンチオマー比）とするとき、

で表される。
［実施例１］
（１）（Ｒ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）の調製
窒素雰囲気下、（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフトール４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＬａ（Ｏ（ＣＨ₃）₂ＣＨ）₃・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶液３０ml（５ ×３mmol）、水９０mg（５mmo
l）、ＴＨＦ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、（Ｒ）−ＬＰＢ（Ｌａ−
Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）（約０. ０５mol／リットル、収率１００％）を調製し
た。

この（Ｒ）−ＬＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０℃以下の温度で減圧下（圧力：５ｍｍＨｇ）に溶媒留去し、次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｒ）−ＬＰＢ含有量：約０.０５mol／リットル）を加えた。
（２）（Ｒ）−ＬＰＢによる（Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルの合成［式（IVa）化合物］
N-２-メチルプロピリデンジフェニルメチルアミン０.３０ｇ（１.２５mmol）、ジメチ
ルホスファイト０.２１ｇ（１.２５×１.５mmol）に、上記により得られた（Ｒ）− ＬＰＢ含有量が０.０５mol／リットル［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）混合液］の（Ｒ）−ＬＰＢ溶液５ml（１.２５×０.２mmol、２０mol％）を加えた。

得られた反応混合物を２０℃で５６時間攪拌した後、この反応混合物に１０mlの水を加えて反応を停止させた。
次いで、通常の後処理を行った後（すなわち、反応混合物を食塩水で洗浄し、水層と有機層とに層分離させ、得られる有機層から溶媒を留去した後）、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（長さ３０ｃｍ×直径２ｃｍ）を用い、酢酸エチル：ヘキサン＝１：１（体積比）の混合溶媒により精製し、４００mgの（Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルを得た。（収率９２％）
得られた（Ｒ）−１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチル
エステルの鏡像体過剰率（ｅｅ）は、ＨＰＬＣ測定結果から、９７％であった。
［測定条件はカラム：DAICEL CHIRALPAK AD ダイセル化学工業（株）製、
移動層：イソプロピルアルコール−ヘキサン（１：９）］
［α］_D−５９．８゜（ｃ＝１．４、ＣＨＣｌ₃）。

（Ｒ）−１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステル
の¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値：
δ：７．３８−７．４５（ｍ，４Ｈ），７．１７−７．３４（ｍ，６Ｈ），５．２２（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），３．７７（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），３．７２（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），２．７８（ｂｒｄ，Ｊ＝１３．５Ｈｚ，１Ｈ），２．０８−２．１３（ｍ，１Ｈ），１．８８（ｂｒｓ，１Ｈ），１．００−１．０５（ｍ，６Ｈ）。
（３）（Ｒ）−１-アミノ-２-メチルプロピルホスホン酸の合成［式（Ia）化合物］
（Ｒ）−１-ジフェニルメチルアミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステル
１.７４ｇ（５mmol）に、水酸化パラジウムオンカーボン１７４ｍｇメタノール１０ｍｌ
を加え、２０℃で水素を吹き込み４時間撹拌した。得られた反応液をメンブランフィルターにより濾過を行い、濾液を溶媒留去した。この溶媒留去品に水１０ｍｌを加え、ヘキサン１０ｍｌにより洗浄した後、分離された水層から、減圧下に水を留去し、（Ｒ）-１-アミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルを得た。（収量９０６ｍｇ、収率１００％）
（Ｒ）-１-アミノ-２-メチルプロピルホスホン酸ジメチルエステルを９０６ｍｇ（５ｍｍｏｌ）に３５％塩酸２０ｍｌを加え、１００℃８時間撹拌した後減圧下に水を留去し、粗結晶を得た。得られた粗結晶を水１０ｍｌを用いることにより再結晶させて、（Ｒ）-
１-アミノ-２-メチルプロピルホスホン酸を得た。（収量６８９ｍｇ、収率９０％）
得られた（Ｒ）-１-アミノ-２-メチルプロピルホスホン酸の鏡像体過剰率（ｅｅ）は、ＨＰＬＣ測定結果から９９％以上であった。［測定条件はカラム：SUMICHIRAL OA-5000(
（株）住化分析センター製)、移動相：２ｍＭ copper(II)sulfate in water/CH₃CN(9:1)
］
［α］_D−２．４゜（ｃ＝２．４、Ｈ₂Ｏ）；文献値［α］_D−２．１゜（ｃ＝１．９、
Ｈ₂Ｏ）。
［実施例２］
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノ ホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

なお、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）中のＲ²は、表中の（ＩＩ）欄のＲ²に同じであり、記載を省略する（以下同様）。
［実施例３］
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノ ホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で 示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノヘキシルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
［α］_D−１６８．６゜（ｃ＝０．７、ＣＨＣｌ₃）
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：７．１７−７．４５（ｍ，１０Ｈ），５．２３（ｓ，１Ｈ），３．７９（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），３．７４（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），１．１３−１．８７（ｍ，９Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ）
［実施例４］
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノ ホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で 示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノプロピルホスホン酸ジメチルエステルの物性 値：
［α］_D−３４．８゜（ｃ＝１．７、ＣＨＣｌ₃）
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：７．３８−７．５０（ｍ，４Ｈ），７．１４−７．３６（ｍ，６Ｈ），５．２０（ｂｒｓ，１Ｈ），３．８０（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），３．７４（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，３Ｈ），２．８４（ｄｔ，Ｊ＝１３．９，６．９Ｈｚ，１Ｈ），１．７２−１．９９（ｍ，２Ｈ），１．６０（ｂｒｓ，１Ｈ），１．０２（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ）
［実施例５］
実施例１において、触媒を下記のようにして得られる「（Ｓ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｓ）−ビナフトール錯体）」に変え、また式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように変 えた以外は、実施例１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

実施例５の（Ｓ）−ＬＰＢで示す不斉合成触媒は次のとおり調製した。
（１）（Ｓ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｓ）−ビナフトール錯体）の調製
窒素雰囲気下、（Ｓ）-（−）-1,1'-ビ-2-ナフトール４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＬａ（Ｏ（ＣＨ₃）₂ＣＨ）₃・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶液３０ml（５ ×３mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨＦ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、（Ｓ）−ＬＰＢ（Ｌａ−
Ｋ−（Ｓ）−ビナフトール錯体）（約０. ０５mol／リットル、収率１００％）を調製し
た。

この（Ｓ）−ＬＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０℃以下の温度で減圧下（圧力：５mmHg）に溶媒留去し、次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｓ）−ＬＰＢ含有量：約０．０５mol／リ ットル）を加えた。
［実施例６〜７］
実施例１において、触媒を下記のようにして得られる「（Ｒ）−ＧｄＰＢ（Ｇｄ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）」に変え、また式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように 変えた以外は、実施例１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で 示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）-（Ｅ）-１-ジフェニルメチルアミノ-３-フェニル-２-プロペニルホスホン酸ジメ
チルエステルの物性値：
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：７．１２−７．４８（ｍ，１５Ｈ），６．５１（ｄｄ，Ｊ＝１５．８，４．０Ｈｚ，１Ｈ），６．１５（ｄｄｄ，Ｊ＝１５．８，９．０，５．９Ｈｚ，１Ｈ），５．０３（ｓ，１Ｈ），３．８９（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），３．７６（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），３．６４（ｄｄ，Ｊ＝２１．０，９．０Ｈｚ，１Ｈ），２．１７（ｂｒｓ，１Ｈ）
実施例６〜７の（Ｒ）−ＧｄＰＢで示す不斉合成触媒は次のとおり調製した。（１）（Ｒ）−ＧｄＰＢ（Ｇｄ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）の調製
窒素雰囲気下、（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフトール４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＧｄ（Ｏ（ＣＨ₃）₂ＣＨ）₃・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶液３０ml（５ ×３mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨＦ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、（Ｒ）−ＧｄＰＢ（Ｇｄ
−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）（約０.０５mol／リットル、収率１００％）を調製した。

この（Ｒ）−ＧｄＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０℃以下の温度で減圧下（圧力：５mmHg）に溶媒留去し、次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｒ）−ＧｄＰＢ含有量：約０．０５m ol ／リットル）を加えた。
［実施例８］
実施例１において、触媒を下記のようにして得られる「（Ｒ）−ＰｒＰＢ（Ｐｒ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）」に代え、また式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン酸誘導体の製造条件を表１に示すように 変えた以外は、実施例１と同様にして、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（ＩＶａ）で 示されるホスホネート系化合物［化合物（ＩＶａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）-１-ｐ-メトキシフェニルアミノシクロヘキシルメチルホスホン酸ジメチルエステ
ルの物性値：
［α］_D＋１４．９゜（ｃ＝２．０、ＣＨＣｌ₃）
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：６．７６（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ），６．６１（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ），３．７４（ｓ，３Ｈ），３．７１（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），３．６７（ｄ，Ｊ＝１０．６Ｈｚ，３Ｈ），３．５３（ｄｄ，Ｊ＝１８．８，３．６Ｈｚ，１Ｈ），１．０９−２．０２（ｍ，１２Ｈ）
また、実施例８の（Ｒ）−ＰｒＰＢで示す不斉合成触媒は次のとおり調製した。
（１）（Ｒ）−ＰｒＰＢ（Ｐｒ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）の調製
窒素雰囲気下、（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフトール４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＰｒ（Ｏ（ＣＨ₃）₂ＣＨ）₃・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶液３０ml（５ ×３mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨＦ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、（Ｒ）−ＰｒＰＢ（Ｐｒ
−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）（約０.０５mol／リットル、収率１００％）を調製した。

この（Ｒ）−ＰｒＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０℃以下の温度で減圧下（圧力：５mmHg）に溶媒留去し、次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｒ）−ＰｒＰＢ含有量：約０．０５mol ／リットル）を加えた。
［実施例９］
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン
酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホ
スホネート系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノエチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：７．１６−７．４５（ｍ，１０Ｈ），５．２３（ｄ，１Ｈ），３．７９（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，３Ｈ），２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），１．０２−１．４０（ｑ，３Ｈ）
［実施例１０］
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン
酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホ
スホネート系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノブチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：７．１０−７．４６（ｍ，１０Ｈ），５．２２（ｄ，１Ｈ），３．７８（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，３Ｈ），３．００−３．２０（ｍ，１Ｈ），１．４０−２．００（ｍ，４Ｈ），０．９５（ｔ，３Ｈ）
［実施例１１］
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン
酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホ
スホネート系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）--+１-ジフェニルメチルアミノペンチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：７．１０−７．５３（ｍ，１０Ｈ），５．２０（ｄ，１Ｈ），３．７９（ｄ，３Ｈ），３．７２（ｄ，３Ｈ），２．９２−３．０５（ｍ，１Ｈ），１．１０−１．９０（ｍ，６Ｈ），０．９０（ｔ，３Ｈ）
［実施例１２］
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン
酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホ
スホネート系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノトリデシルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：７．０５−７．５０（ｍ，１０Ｈ），５．２０（ｄ，１Ｈ），３．８０（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，３Ｈ）、２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），１．１０−２．１０（ｍ，２２Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ）
［実施例１３］
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン
酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホ
スホネート系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノ-３-メチルブチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：７．１７−７．４５（ｍ，１０Ｈ），５．２４（ｄ，１Ｈ），３．７８（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，３Ｈ），２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ），２．０５−２．４０（ｍ，１Ｈ），１．５２−１．７０（ｍ，２Ｈ），１．００−１．０５（ｄ，６Ｈ）
［実施例１４］
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン
酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホ
スホネート系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）-ジフェニルメチルアミノフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値
：
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：７．１０−７．６０（ｍ，１５Ｈ），５．２０（ｄ，１Ｈ），４．５０（ｓ，１Ｈ），３．７９（ｄ，３Ｈ），３．７４（ｄ，３Ｈ）
［実施例１５］
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン
酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホ
スホネート系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）-ジフェニルメチルアミノ-ｐ-クロロフェニルメチルホスホン酸ジメチルエステ
ルの物性値：
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：７．１０−７．７５（ｍ，１４Ｈ），５．２５（ｄ，１Ｈ），４．３０（ｓ，１Ｈ）、３．７５（ｄ，３Ｈ），３．７０（ｄ，３Ｈ）
［実施例１６］
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン
酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）
または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホ
スホネート系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）-ジフェニルメチルアミノ-ｐ-フルオロフェニルメチルホスホン酸ジメチルエス
テルの物性値：
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：７．０５−７．６０（ｍ，１４Ｈ），５．２３（ｄ，１Ｈ），４．５０（ｓ，１Ｈ），３．７５（ｄ，３Ｈ）、３．７０（ｄ，３Ｈ）
［実施例１７］
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン
酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホ
スホネート系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）-ジフェニルメチルアミノ-ｐ-メトキシフェニルメチルホスホン酸ジメチルエス
テルの物性値：
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：７．１０−７．７０（ｍ，１４Ｈ），５．２０（ｄ，１Ｈ），４．５０（ｓ，１Ｈ），３．８５（ｓ，３Ｈ），３．７５（ｄ，３Ｈ），３．６８（ｄ，３Ｈ）
［実施例１８］
実施例１において、式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される光学活性１-アミノホスホン
酸誘導体の製造条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして式（Ｉａ）または（Ｉｂ）で示される化合物を合成した。

この光学活性１-アミノホスホン酸誘導体製造過程で得られる式（IVａ）で示されるホ
スホネート系化合物［化合物（IVａ）］の物性値を以下に示す。
（Ｒ）-１-ジフェニルメチルアミノ-２-フェニルエチルホスホン酸ジメチルエステルの物性値：
¹Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）のピーク値
δ：７．１１−７．５５（ｍ，１５Ｈ），５．２０（ｄ，１Ｈ），３．８０（ｄ，３Ｈ），３．７５（ｄ，３Ｈ），３．１５−３．３７（ｍ，２Ｈ），２．８０−２．９２（ｍ，１Ｈ）
注）＊条件 Ｘ：水酸化パラジウムオンカーボン（１０ｗｔ％）／Ｈ₂（１３０ｍｌ）
２０℃、４時間／３５％塩酸（２０ｍｌ）１００℃、８時間。

図１は、鏡像体過剰率（ｅｅ）の測定法を示すＨＰＬＣチャートである。

Claims (1)

1. チッ素雰囲気下、
   下記式（Ｖ_R）で表される（Ｒ）-（＋）-1,1'-ビ-2-ナフトールまたは、下記式（Ｖ_S）で表される（Ｓ）-（−）-1,1'-ビ-2-ナフトールと、
   

   

   一般式（VI）：
   Ｌｎ（ＯＲ）₃ ・・・・（VI）
   ［式（VI）中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｒはアルキル基を示す。］
   で表される希土類金属アルコキシドと、
   下記一般式（VII）、（VIII）および（IX）の内から選ばれる１種のアルカリ 金属化合物と、
   を非水溶媒または含水溶媒中で反応させることを特徴とする、
   一般式（Ａ）：
   Ｌｎ−Ｘ−（Ｒ）／（Ｓ）ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ）
   ［式中、Ｌｎは希土類元素を示し、Ｘはアルカリ金属を示す。］で表される不斉合成用触媒の製造方法：
   一般式（VII）：
   ＬｉＡ ・・・・（VII）
   ［式（VII）中、Ａはアルキル基を示す。］
   で表される化合物、
   一般式（VIII）：
   ［（ＣＨ₃）₃Ｓｉ］₂ＮＫ ・・・・（VIII）
   で表される化合物、
   一般式（IX）：
   ＺＯＲ ・・・・（IX）
   ［式（IX）中、Ｚはアルカリ金属を示し、Ｒはアルキル基を示す。］
   で表されるアルカリ金属アルコキシド。
   
   

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