JP3723610B2 - 光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物 - Google Patents
光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用 触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
α-アミノアルキルホスホン酸またはそのペプチド類縁誘導体は、グラム陽性 菌およびグラム陰性菌に対して抗菌作用を有し、かつ抗生物質（例えばペニシリン、セファロスポリンおよびＤ−シクロセリン）の活性を高めること、Ｌ−アラニンおよびＬ−アミノエチルホスホン酸からのジペプチドであるアラフォスファリンが特に重要であること、一般に光学活性α-アミノアルキルホスホン酸の誘 導体および特にＬ体（Ｒ体）からの誘導体は大きな生物学的活性を示すことが知られている（特開昭６１−８８８９５号公報）。
【０００３】
酵素的不斉合成法により光学活性α-アミノアルキルホスホン酸を得る方法と しては、テトラヘドロン アシンメトリー第４巻第1965頁１９９３年、特開昭６ １-８８８９５号公報等に記載されているものが挙げられる。
【０００４】
例えば、特開昭６１-８８８９５号公報には、
１-アミノ-アルキルホスホン酸又は１-アミノ-アルキルホスホン酸のラセミ体であるＮ-アシル誘導体を酵素分割し、次いで、脱アシル化することによりその 立体異性体を製造する方法において、酵素分割をペニシリン-Ｇ-アミダーゼを用いて、
【０００５】
【化５】
【０００６】
［式中、Ｒ2は、場合により例えば、ハロゲン、ヒドロキシ、炭素原子１〜３個 のアルコキシ、フェニル及び／又はフェノキシにより置換されていてもよい炭素原子１〜６個、特に１〜４個を有する分枝鎖状か又は有利には直鎖状のアルキル基を表すか又はフェニル基を表す。］の１-アミノアルキルホスホン酸の立体異 性体を得る製造法が記載されている。
【０００７】
しかしながら、これら酵素的不斉合成では、基質が限定されてしまうとの問題点がある。
また、非酵素的不斉合成法としては、従来下記▲１▼〜▲４▼に示すような種々の方法が知られている。
【０００８】
すなわち、
▲１▼ ラセミ体のα-アミノアルキルホスホン酸を、無水ジベンゾイル-L-酒石酸に よって分割する方法＜収率７０〜８７％＞（カナディアン・ジャーナルオブ・ケミカル・エンジニアリング第６１巻第2425頁、1985年）、
▲２▼ 光学活性アミノホスホン酸エステルへの不斉アルキル化反応によって合成す る方法＜収率５０〜８６％、光学純度２５〜７６％＞（テトラヘドロン・レターズ第３３巻第6127頁、1992年）
▲３▼ 光学活性イミンへのホスホン酸エステルのジアステレオ選択的付加反応によ って合成する方法＜収率３０〜９０％、光学純度７１〜９９％＞（ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエテー第１１６巻第9377頁、1994年）
▲４▼ 不斉触媒を用いた不斉水素化反応によって合成する方法＜収率９０〜１００ ％、光学純度６４〜７６％＞（リービッヒ アナーレン デル ケミー（Liebigs Ann. Chem 第555頁、1985年）など。
【０００９】
しかしながら上記文献▲１▼および文献▲４▼に記載の方法では、工程数が多く、操作が煩雑であるとの問題点があり、また、上記文献▲２▼および文献▲３▼に記載の方法では、光学活性な原料を化学量論量必要とするなど、従来の方法は工業的に有利な方法ではない。
【００１０】
このため、従来の光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の合成法に比べて小量 の不斉化合物源を用いて大量の光学活性体を得ることが可能であり、しかも短い工程で上記光学活性体が得られるような光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の 製造方法および不斉合成用触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物の出現が求められている。
【００１１】
なお、「リービッヒ アナーレン デル ケミー第1153頁〜第1155頁、1990年」 には、不斉合成法に関するものではないが、一般式：Ｒ1ＣＨ（ＮＨＣＯＲ2）2 ［式中Ｒ1は、スチリル基などを示し、Ｒ2は、アルキリデン基を示す 。］で表 されるＮ，Ｎ’−アルキリデンビスアミドとＰＣｌ3と酢酸とを６０〜８０℃で、１時間反応させた後、加水分解して、一般式：Ｒ1ＣＨＮＨ2Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）2 ［式中Ｒ1は、スチリル基などを示す。］で表される化合物（収率３９〜９９ ％）の製造方法が記載されている。
【００１２】
また、特開平６−１５４６１８号公報には、不斉合成用触媒として下記の触媒が記載されている。
すなわち、式（ＡR）もしくは式（ＡS）：
【００１３】
【化６】
【００１４】
で表される光学活性2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルのジアルカリ金属塩 （ただし、式中、ＭはＬｉ、ＫもしくはＮａである）、ＬａＸ3（ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ3もしくはＣＨ3ＣＯ2である）で表されるランタン化合物、お よびＭＯＲもしくはＭＯＨ（ＭはＬｉ、ＫもしくはＮａであり、Ｒはイソプロピルもしくはt-ブチルである）で表されるアルカリ金属アルコキシドもしくは水酸化アルカリ金属から、含水溶媒存在下で調製された不斉合成用触媒、
または、
【００１５】
【化７】
【００１６】
で表される光学活性2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルおよびＬａ（ＯＲ）3（Ｒはイソプロピルもしくはt-ブチルである）で表されるランタンアルコキシドからエーテル系溶媒中で得られる活性種を塩化リチウム、含水溶媒の存在下で用いることを特徴とする不斉合成用触媒。
【００１７】
【発明の目的】
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決しようとするものであって、光学活性な原料を少量で用いて、少ない工程数の簡単な操作で、大量の光学活性α-アミノホスホン酸誘導体を製造しうるような光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法を提供することを目的としている。
【００１８】
本発明は、このような光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造に使用しうるような触媒の製造方法を提供することを目的としている。
本発明は、光学活性α-アミノホスホン酸誘導体を製造する際に好適に使用される新規な光学活性ホスホネート系化合物を提供することを目的としている。
【００１９】
【発明の概要】
本発明に係る光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法は、
一般式（II）：
Ｒ1−Ｎ＝ＣＨＲ2 ・・・・（II）
［式（II）中、Ｒ1は、トリチル基、ベンジル基またはジ-p-アニシルメチル基を示し、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。］で表されるイミンと、
一般式（III）：
（Ｒ3Ｏ）2Ｐ（Ｏ）Ｈ ・・・・（III）
［式（III）中、Ｒ3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。］で表されるホスホン酸エステルとを、
一般式（Ａ）：
Ｌａ−Ｘ−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ）
［式（Ａ）中、Ｘはアルカリ金属を示す。］で表される不斉合成用触媒の存在下に反応させて、
一般式（IVa）または一般式（IVb）：
【００２０】
【化８】
【００２１】
［式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、前記に同じ。］で表されるホスホネート系化合物を合成し、
次いで、得られた上記化合物（IVa）または化合物（IVb）を、酸または水素と接触させてアミノ基の脱保護とＯＲ3基の加水分解とを行うことにより、下記化合物（Ia）または（Ib）を得ることを特徴としている。
【００２２】
一般式（Ia）または一般式（Ib）：
【００２３】
【化９】
【００２４】
［式（Ia）、（Ib）中、Ｒ2は前記に同じ。］
【００２８】
本発明に係る新規なホスホネート系化合物は、例えば上記本発明に係る光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法で好適に使用され、下記一般式（IVa）または一般式（IVb）で表される。
【００２９】
【化１１】
【００３０】
［式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1は、ベンジル基またはジ-p-アニシルメチル基を示し、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示し、Ｒ3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。但し、Ｒ 1 がベンジル基、Ｒ 2 がフェニル基、Ｒ 3 がアルキル基を同時に満たす態様を除く。以下同様。］
このような新規なホスホネート系化合物としては、例えば、上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジ-p-アニシルメチル基であり、Ｒ2がイソプロピル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネート、
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジ-p-アニシルメチル基であり、Ｒ2がイソプロピル基であり、Ｒ3がエチル基である光学活性ジエチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートが挙げられる。
【００３１】
このような本発明によれば、光学活性な原料を少量用いて、少ない工程数の簡単な操作で、大量の光学活性α-アミノホスホン酸誘導体を製造できる。
【００３２】
【発明の具体的説明】
以下、本発明に係る光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物について具体的に説明する。
［光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法］
本発明では、式（Ia）または式（Ib）で表される光学活性α-アミノホスホン酸誘導体を、以下の反応経路で合成している。
【００３３】
【化１２】
【００３４】
すなわち、式（IVa）または式（IVb）で示される化合物は、好ましくは後述するような光学活性なランタン−アルカリ金属−ビナフトール錯体（Ａ）からなる不斉合成用触媒の存在下に、式（II）で表されるイミンと式（III）で表されるホスホン酸エステルとの反応により合成される。
【００３５】
ここで、式（II）、（III）、（IVa）、（IVb）、（Ia）および（Ib）中、Ｒ1は、トリチル基、ベンジル基またはジ-p-アニシルメチル基を示し、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。また、Ｒ3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。
［式（II）で表されるイミンの合成］
このような反応の出発原料となる式（II）で表される化合物（イミン）は公知化合物であり、従来より公知の方法により合成することができる。例えば、上記式(II)中のＲ1がトリチル基の場合には、シンセシス（Synthesis 第３７０頁、1988年）に示される方法によって、トリチルアミンを用いて合成すればよく、またＲ1がジ-p-アニシルメチル基、ベンジル基の場合には、特開昭６２−２８９５５８号公報などに示される方法によって、それぞれジ-p-アニシルメチルアミン、ベンジルアミンを用いて合成すればよい。
【００３６】
式（II）で表されるイミンにおいて、Ｒ2がアルキル基である場合、このようなアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が挙げられ、直鎖状または分岐状であってもよく、このようなアルキル基として具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙 げられる。
【００３７】
Ｒ2がシクロアルキル基である場合、このようなシクロアルキル基としては、 具体的には、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
Ｒ2がアリール基である場合、このようなアリール基としては、具体的には、 例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などが挙げられる。
Ｒ2がアリール基含有炭化水素基である場合、このようなアリール基含有炭化水素基としては、具体的には、ベンジル基、フェネチル基などのアリールアルキル基；スチリル基、ｐ−メチルフェニルビニル基（ＣＨ3-Ｃ6Ｈ4-ＣＨ＝ＣＨ−）などのアリールビニル基が挙げられる。
【００３８】
このようなＲ2の内では、アルキル基が好ましく、その内ではイソプロピル基 が好ましい。
このような式（II）で表されるイミンとしては、具体的には、例えば、次のものが挙げられる。
【００３９】
N-トリチルエタンイミンの他に、この化合物のトリチル基を、ジ-p-アニシルメチルあるいは、ベンジルに置換し、エタンをｎ-プロパン、ｎーブタン、イソブタン、ｎ-ペンタン、イソペンタン、ネオペンタン、ｎ-ヘキサン、イソヘキサン、ネオヘキサン、シクロペンチルメタン、２-メチルブタン、シクロヘキシルメタン、フェニルメタンあるいは、スチリルメタンにそれぞれ置換した化合物が挙げられる。
【００４０】
これらのイミンの内では、N-ジ-p-アニシルメチルイソブタンイミン、N-トリチルイソブタンイミンが好ましく用いられる。
［式（III）で表されるホスホン酸エステルの合成］
式（III）で表されるホスホン酸エステルは従来より公知の化合物であり、従来より公知の方法によって得られる。
【００４１】
式（III）で表されるホスホン酸エステルにおいて、Ｒ3がアルキル基である場合、このようなアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が挙げられ、直鎖状または分岐状であってもよく、このようなアルキル基として具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、これらの内では、メチル基、エチル基などが好ましい。
【００４２】
Ｒ3がシクロアルキル基である場合、このようなシクロアルキル基としては、具体的には、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
Ｒ3がアリール基である場合、このようなアリール基としては、具体的には、例えば、フェニル基、p-トリル基、パラクロルフェニル基などが挙げられる。
Ｒ3がアリール基含有炭化水素基である場合、このようなアリール基含有炭化水素基としては、前記Ｒ2の場合と同様に、具体的には、ベンジル基、フェネチル基などのアリールアルキル基；スチリル基、ｐ−メチルフェニルビニル基（ＣＨ3-Ｃ6Ｈ4-ＣＨ＝ＣＨ−）などのアリールビニル基が挙げられる。
【００４３】
このように式（III）で表されるホスホン酸エステル中のＲ3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基であり、中でも上記のようなアルキル基であることが好ましい。
【００４４】
このような式（III）で表されるホスホン酸エステルとしては、具体的には、例えば、次のものが挙げられる。
ジメチルホスファイト、ジエチルホスファイト、ジｎ-プロピルホスファイト、ジｎ-ブチルホスファイト、ジｎ-ペンチルホスファイト、ジフェニルホスファイト、ジベンジルホスファイト、ジ-p-トリルホスフゥイト、ジ-p-クロルフェニルホスファイト、ジシクロヘキシルホスファイト、ジアリルホスファイトなど。
【００４５】
これらのホスホン酸エステルの内では、ジメチルホスファイト、ジエチルホスファイトが好ましく用いられる。
［式（Ａ）で表される不斉合成用触媒およびその合成］
本発明で用いられる不斉合成触媒は、下記式（Ａ）で示され、好ましくは次のようにして合成される。
【００４６】
一般式（Ａ）：
Ｌａ−Ｘ−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ）
［式（Ａ）中、Ｘはアルカリ金属を示す。］
すなわち、このＬａ−アルカリ金属−ビナフトール錯体（Ａ）は、
通常、不活性ガス雰囲気下、好ましくはチッ素（ガス）雰囲気下で、
(1)下記式（ＶR）で表される（Ｒ）-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルまたは、下記式（ＶS）で表される（Ｓ）-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルと、
【００４７】
【化１３】
【００４８】
(2)一般式（VI）：
Ｌａ（ＯＲ）3 ・・・・（VI）
［式（VI）中、Ｒはアルキル基を示す。］で表されるランタンアルコキシドと、(3)下記一般式（VII）、（VIII）および（IX）の内から選ばれる１種のアルカリ金属化合物と、
を非水溶媒または含水溶媒中で反応させることにより得られる。
【００４９】
一般式（VII）：
ＬｉＡ ・・・・（VII）
［式（VII）中、Ａはアルキル基を示す。］で表される化合物、
一般式（VIII）：
［（ＣＨ3）3Ｓｉ］2ＮＫ ・・・・（VIII）
で表される化合物、
一般式（IX）：
ＺＯＲ ・・・・（IX）
［式（IX）中、Ｚはアルカリ金属を示し、Ｒはアルキル基を示す。］で表されるアルカリ金属アルコキシド。
【００５０】
上記式（ＶR）で示される（Ｒ）-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルおよび、上記式（ＶS）で示される（Ｓ）-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルは、何れも、公知物質であり、従来より公知の方法（ジャーナル オブ オーガニックケミストリー（J. Org. Chem. 第７３１７頁、1993年 参照）により合成される。
【００５１】
また式（VI）で示される化合物であるランタンアルコキシドは公知物質であり、公知の方法により合成される。
ランタンアルコキシドとしては、ランタントリイソプロポキシド、ランタントリt-ブトキシドなどが挙げられ、ランタントリイソプロポキシドが好ましく用いられる。
【００５２】
式（VII）で示されるリチウム化合物中のＡは、アルキル基を示し、このようなアルキル基としては、具体的には、例えば、メチル基、n-ブチル基、t-ブチル基などが挙げられ、n-ブチル基が好ましい。
【００５３】
このような式（VII）で示される化合物としては、具体的には、例えば、ＣＨ3Ｌｉ、ＣＨ3（ＣＨ2）3Ｌｉ、（ＣＨ3）3ＣＬｉなどが挙げられ、ＣＨ3（ＣＨ2）3Ｌｉが好ましく用いられる。
【００５４】
式（VIII）で示される化合物は、公知物質である。
また式（IX）で示されるアルカリ金属アルコキシドは公知の化合物であり、公知の方法（ジャーナル オブ アメリカン ケミカル ソサイエティ J. A. C., S 第４３６４頁、1956年）により合成できる。
【００５５】
式（IX）中、Ｚで示されるアルカリ金属としては、具体的には、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられ、Ｎａ、Ｋが好ましく用いられる。
このような式（IX）で示されるアルカリ金属アルコキシドとしては、具体的には、例えば、ＬｉＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＮａＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＫＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＲｂＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＣｓＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＬｉＯ（ＣＨ3）2ＣＨ、ＮａＯ（ＣＨ3）2ＣＨ、ＫＯ（ＣＨ3）2ＣＨ、ＲｂＯ（ＣＨ3）2ＣＨ、ＣｓＯ（ＣＨ3）2ＣＨ等が挙げられ、ＬｉＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＮａＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＫＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＲｂＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＣｓＯ（ＣＨ3）3Ｃが好ましく用いられる。
【００５６】
本発明に係る不斉合成用触媒の製造方法においては、上記式（ＶR）または（ ＶS）で示される(Ｒ)／(Ｓ)-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチル(1)と、式（VI）で示されるランタンアルコキシド(2)と、「式（VII）、式（VIII）または（IX）で示されるアルカリ金属化合物(3)」とのモル比［(1)：(2)：(3)］は通常、１：１：１〜１０：１：１０であり、好ましくは１：１：１〜３：１：３の量で用いられることが望ましい。また、このような反応は通常０〜５０℃、好ましくは０〜２０℃の温度で、通常０.１〜１００時間、好ましくは０.１〜２４時間行うことが望ましい。
【００５７】
本発明においては、このような反応の際には、非水溶媒または含水溶媒が用いられる。
溶媒としては、具体的には、例えば、テトラヒドロフラン（以下「ＴＨＦ」という）、エーテルなどが挙げられ、ＴＨＦが好ましく用いられる。不斉合成反応でＴＨＦ以外の溶媒を用いるときには、触媒調製時に用いられた溶媒（例：ＴＨＦ）を２０℃以下の温度で留去させ、前記式（II）で示されるイミンと（III）で示されるホスホン酸エステルとの不斉合成反応の際に使用される溶媒を加えて溶媒交換しておくことが好ましい。
【００５８】
含水溶媒としては、具体的には、例えば、含水ＴＨＦ、含水エーテル、含水ジオキサン、含水ジエチルエーテルなどが挙げられ、含水ＴＨＦ、含水エーテルが好ましく用いられる。
【００５９】
触媒調製時に含水溶媒を使用する場合には、水は式（VI）のランタン化合物１モルに対して、通常、０.１〜１０モルの量で、好ましくは０.１〜１モルの量で用いられる。
【００６０】
このようにして得られる式（Ａ）で示される不斉合成用触媒は、下記式（イ）または（ロ）：
【００６１】
【化１４】
【００６２】
［式（イ）および式（ロ）中、Ｘは、アルカリ金属を示す。］で表されるのであろうと推測される。
このような式（Ａ）（さらに具体的には、式（イ）または式（ロ））で表される不斉合成用触媒として、具体的には、例えば、Ｌａ−Ｌｉ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）−ＬＬＢ」という）、Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）−ＬＰＢ」という）、Ｌａ−Ｎａ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）−ＬＳＢ」という）、Ｌａ−Ｒｂ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）−ＬＲＢ」という）、Ｌａ−Ｃｓ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）−ＬＣＢ」という）などが挙げられる。また（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＬＢよりも、（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＳＢの方が活性が高く、さらに、（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＳＢよりも（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＰＢの方がより活性が高いため好ましく用いられる［（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＬＢ→（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＳＢ→（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＰＢ（高活性）］。
【００６３】
また本発明では、不斉合成用触媒として、特開平６−１５４６１８号公報に記載の方法等により調製されたものを使用することもできる。
すなわち、式（ＡR）もしくは式（ＡS）：
【００６４】
【化１５】
【００６５】
で表される光学活性2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルのジアルカリ金属塩 （ただし、式中、ＭはＬｉ、ＫもしくはＮａである）、ＬａＸ3（ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ3もしくはＣＨ3ＣＯ2である）で表されるランタン化合物、およびＭＯＲもしくはＭＯＨ（ＭはＬｉ、ＫもしくはＮａであり、Ｒはイソプロピルもしくはt-ブチルである）で表されるアルカリ金属アルコキシドもしくは水酸化アルカリ金属から、含水溶媒存在下で調製された不斉合成用触媒、
または、
【００６６】
【化１６】
【００６７】
で表される光学活性2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルおよびＬａ（ＯＲ）3（Ｒはイソプロピルもしくはt-ブチルである）で表されるランタンアルコキシドからエーテル系溶媒中で得られる活性種を塩化リチウム、含水溶媒の存在下で用いることを特徴とする不斉合成用触媒。
【００６８】
本発明においては、このような不斉合成用触媒を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
［式（ IVa ）または式（ IVb ）で示される化合物の合成］
本発明においては、上記のような式（II）で示されるイミンと、式（III）で示されるホスホン酸エステルとを、上記のような不斉合成用触媒の存在下で、好ましくは上記式（Ａ）で示される不斉合成用触媒の存在下で反応させて式（IVa）および／または式（IVb）で示される化合物を得る。
【００６９】
このような反応において、式（II）で示されるイミンと、式（III）で示されるホスホン酸エステルと、不斉合成用触媒（好ましくは不斉合成用触媒（Ａ））とは、そのモル比［イミン：ホスホン酸エステル：不斉合成用触媒］が通常、１：１：０.０１〜１：５：１であり、好ましくは１：１：０.０１〜１：５：０.２の量で用いられることが望ましい。
【００７０】
このような反応は、通常、−８０〜８０℃、好ましくは２０〜５０℃の温度で、通常、０.１〜１００時間、好ましくは６０〜８０時間行うことが望ましい。また反応の際には、通常、溶媒が用いられ、このような反応溶媒として、具体的には、例えば、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、エーテル、ジオキサン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ヘキサメチルホスホルアミド（ＨＭＰＡ）などが挙げられ、ＴＨＦ、トルエン、エーテルが好ましく用いられる。
【００７１】
また、本発明においては、これらの溶媒を１種単独で用いてもよく、また２種以上組み合わせて混合溶媒として用いてもよい。混合溶媒として、具体的には、例えば、トルエン−ＴＨＦ混合溶媒、ＴＨＦ−ジオキサン混合溶媒などが挙げられ、トルエン−ＴＨＦ混合溶媒が好ましく、特にＴＨＦ１体積に対して通常トルエンを１〜１０体積、好ましくは６〜８体積で混合してなるトルエン−ＴＨＦ混合溶媒が好ましい。
【００７２】
上記のような反応は、通常、反応溶液の１〜１０倍量の水を反応溶液に加えることにより、停止させることができる。
本発明においては、このような反応終了後に、得られた反応液（式（IVa）ま たは式（IVb）で示される化合物含有物）に通常、食塩水を加えて洗浄し、水相 と有機相とに相分離させ、次いでこのように洗浄して得られた有機層から溶媒を留去することにより粗生成物を得る。このようにして得られた粗生成物を例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、式（IVa）または式（IVb）で示される化合物が得られる。
【００７３】
式（IVa）または式（IVb）で示される化合物の具体例を次に示す。
（Ｒ）または（Ｓ）-ジメチル-α-トリチルアミノエチルホスホネートの他に、
この化合物のジメチル基をジエチル、ジｎ-プロピル、ジイソプロピル、ジｎ-ブチル、ジイソブチル、ジsec-ブチル、ジtert-ブチル、ジｎ-ペンチル、ジイソペンチル、ジネオペンチル、ジシクロペンチル、ジシクロヘキシル、ジフェニル、ジベンジル、ジp-トリルあるいはジp-クロルフェニルに置換し、
またトリチル基をジ-p-アニシルメチルあるいはベンジルに、エチル基をｎ-プロピル、ｎ-ブチル、イソブチル、ｎ-ペンチル、イソペンチル、２-メチルブチル、ネオペンチル、ｎ-ヘキシル、イソヘキシル、ネオヘキシル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、フェニルメチルあるいはスチリルメチルにそれぞれ置換した化合物等が挙げられる。
［式（Ia）または式（Ib）化合物の合成］
次に光学活性α-アミノホスホン酸誘導体［式（Ia）または式（Ib）］の合成 について述べる。
【００７４】
上記式（Ia）または式（Ib）で示される化合物は、式（IVa）または式（IVb）で示される化合物に酸を加えるか、あるいは接触水添により得られる。
このような式（IVa）または式（IVb）で示される化合物中のアミノ基の脱保護と、ＯＲ3基の加水分解反応に酸を用いる場合には、酸は、式（III）で示される化合物１モルに対して５〜１００モルの量で、好ましくは５〜１０モルの量で用いられる。このような酸としては、具体的には、例えば、５〜１０Ｍの濃塩酸あるいは濃硫酸、濃度１００％の酢酸などが挙げられ、濃塩酸、酢酸が好ましく用いられる。
【００７５】
このような反応は、溶媒の非存在下に行うこともでき（無溶媒）、また溶媒中で行うこともできる。溶媒としては、具体的には、例えば、メタノール、クロロホルム、酢酸、アセトン等が挙げられ、メタノール、酢酸が好ましく用いられる。無溶媒の条件下で反応を行う場合には、通常、２０〜１００℃、好ましくは８０〜１００℃の温度で、溶媒中で反応を行う場合には、通常２０〜１００℃、好ましくはその還流温度で行なうことが望ましい。反応時間は、無溶媒の条件下では、１〜１０時間、好ましくは８〜１０時間であり、溶媒中では１〜５０時間、好ましくは１０〜２０時間であることが望ましい。
【００７６】
また、接触水添による方法では、パラジウム黒を式（IVa）または式（IVb）で示される化合物１モルに対して通常、１〜１０モルの量で、好ましくは５〜１０モルの量で用いることが望ましい。このような接触水添の際には、反応溶媒を用いることができ、このような反応溶媒としては、具体的には、例えば、酢酸、メタノール、エタノールなどが挙げられ、酢酸が好ましく用いられる。反応温度は通常、２０〜１００℃、好ましくは２０〜５０℃であることが望ましい。反応時間は通常、１〜５０時間、好ましくは５〜１０時間であることが望ましい。
【００７７】
上記のような反応の際に酸を用いた場合には、通常、反応終了後に、反応液をＣＨ3Ｃｌにて洗浄し、水相を減圧下に留去することにより式（Ia）または式（Ib）で示される化合物が得られる。
【００７８】
また、上記のような反応を接触水添で行った場合には、通常、反応終了後に、反応液からパラジウム黒を除去し、反応液を水にて洗浄し、有機相から溶媒を留去することにより式（Ia）または式（Ib）で示される化合物が得られる。
【００７９】
このようにして得られた式（Ia）または式（Ib）で示される化合物としては、（Ｒ）または（Ｓ）-α-アミノエチルホスホン酸の他にこの化合物のエチル基をｎ-プロピル、ｎ-ブチル、イソブチル、ｎ-ペンチル、イソペンチル、２-メチルブチル、ネオペンチル、ｎ-ヘキシル、イソヘキシル、ネオヘキシル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、フェニルメチルあるいはスチリルメチルに代えた化合物が挙げられる。
【００８０】
【発明の効果】
本発明によれば、従来の光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の合成法に比べて小量の不斉化合物源を用いて大量の光学活性体を得ることが可能であり、しかも短い工程で上記光学活性体が得られるなどの利点がある。
【００８１】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、かかる実施例により何等制限されるものではない。
【００８２】
鏡像体過剰率（ｅｅ）
以下の実施例および比較例における鏡像体過剰率（ｅｅ）の測定法は、下記のとおり。
【００８３】
図１に示すように、クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により求めた（＋）体の面積（Ａ）と（−）体の面積（Ｂ）との面積比ｒ＝Ａ／Ｂ（エナンチオマー比）とするとき、
【００８４】
【数１】
【００８５】
で表される。
【００８６】
【実施例１】
（１）（Ｒ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）の調製
窒素雰囲気下、(R)-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチル４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＬａ（Ｏ（ＣＨ3）2ＣＨ）3・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶液３０ml（５×３mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨＦ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、（Ｒ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）（約０.０５mol／リットル、収率１００％）を調製した。
【００８７】
この（Ｒ）−ＬＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０℃以下の温度で減圧下（圧力：５ｍｍＨｇ）に溶媒留去し、次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｒ）−ＬＰＢ含有量：約０.０５mol／リットル）を加えた。
（２）（Ｒ）−ＬＰＢによる（Ｒ） - ジメチル - α - ジ -p- アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートの合成［式（ IVa ）化合物］
N-ジ-p-アニシルメチルイソブタンイミン０.３７ｇ（１.２５mmol）、ジメチルホスファイト０.６９ｇ（１.２５×５mmol）に、上記により得られた（Ｒ）−ＬＰＢ含有量が０.０５mol／リットル［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）混合液］の（Ｒ）−ＬＰＢ溶液５ml（１.２５×０.２mmol）を加えた。
【００８８】
得られた反応混合物を２０℃で６２時間攪拌した後、この反応混合物に１０mlの水を加えて反応を停止させた。
次いで、通常の後処理を行った後（すなわち、反応混合物を食塩水で洗浄し、水相と有機相とに相分離させ、得られる有機相から溶媒を留去した後）、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（長さ３０ｃｍ×直径２ｃｍ）を用い、酢酸エチル：ヘキサン＝１：１（体積比）の混合溶媒により精製し、４５８mgの（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートを得た。（収率９０％）
得られた（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートの鏡像体過剰率（ｅｅ）は、ＨＰＬＣ測定結果から、９５％であった。
【００８９】
［α］D−２６．４（ｃ＝１.８５、ＣＨＣｌ3）。
（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-ｐ-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートの1Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値：
δ：０．９８−１．０２（ｍ，６Ｈ），１．８１（ｂｒｓ，１Ｈ），２．１２−２．２７（ｍ，１Ｈ），２．７７（ｄｄ，Ｊ＝１４．２，３．０Ｈｚ，１Ｈ），３．７８，３．７６９，３．７６５，３．７５，３．７４，３．７０（ｓ，１２Ｈ），５．１３（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），６．２８（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），７．３３（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．３４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ）。
（３）（Ｒ） - α - アミノイソブチルホスホン酸の合成［式（ Ia ）化合物］
（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネート２.０４ｇ（５mmol）に、１０規定の塩酸５mlを加え、還流下２４時間攪拌した。
【００９０】
得られた反応液にＣＨ3Ｃｌを加えて、水相と有機相とに分離した。分取され た水相から、減圧下に溶媒留去し、粗結晶を得た。
得られた粗結晶を、メタノール５ml、プロピレンオキサイド１mlを用いることにより再結晶させて、（Ｒ）-α-アミノイソブチルホスホン酸を得た（収量６ ００mg、収率９０％）。［α］D−２．４゜（Ｃ＝２．４，Ｈ2Ｏ）；文献値［α］D−２．１゜（Ｃ＝１．９，Ｈ2Ｏ）
【００９１】
【実施例２】
（１）（Ｒ）−ＬＳＢ（Ｌａ−Ｎａ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）の調製
窒素雰囲気下、(R)-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチル４.２９ｇ（１５mmol）に、０.２ＭのＬａ（Ｏ（ＣＨ3）2ＣＨ）3・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、ＮａＯＣ（ＣＨ3）3：１.４４ｇ（１５mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨＦ：７５mlを加え、２０℃で１時間攪拌して（Ｒ）−ＬＳＢ（Ｌａ−Ｎａ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）（約０.０５mol／リットル）を調製した。（収率１００％）
（２）（Ｒ） - α - アミノイソブチルホスホン酸の合成［式（ Ia ）化合物］
N-ジ-p-アニシルメチルイソブタンイミン０.３８ｇ（１.２５mmol）、ジメチルホスファイト０.６９ｇ（１.２５×５mmol）に、上記により得られた（Ｒ）−ＬＳＢ含有量が０.０５mol／リットル［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）混合液］の（Ｒ）−ＬＳＢ溶液５ml（１.２５×０.２mmol）を加えた。
【００９２】
得られた反応混合物を５０℃で３５時間攪拌した後、１０mlの水を加えて反応を停止させた。
次いで、前記と同様の通常の後処理を行った後（すなわち、反応混合物を食塩水で洗浄し、水相と有機相とに相分離させ、得られる有機層から溶媒を留去した後）、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（長さ３０ｃｍ×直径２ｃｍ）を用い、酢酸エチル：ヘキサン＝１：１（体積比）の混合溶媒により精製し、（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネー トを得た。（収量３３０mg、収率６５％）
得られた（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホ ネートの鏡像体過剰率は、ＨＰＬＣ測定結果から、６０％であった。
【００９３】
この（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-ｐ-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートの1Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値：
δ：０．９８−１．０２（ｍ，６Ｈ），１．８１（ｂｒｓ，１Ｈ），２．１２−２．２７（ｍ，１Ｈ），２．７７（ｄｄ，Ｊ＝１４．２，３．０Ｈｚ，１Ｈ），３．７８，３．７６９，３．７６５，３．７５，３．７４，３．７０（ｓ，１２Ｈ），５．１３（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），６．２８（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），７．３３（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．３４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ）。
【００９４】
次いで、（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルに、実施例１の第（３）欄と同様の操作を施すことにより（Ｒ）α-アミノイソブチルホスホン酸を得た。
【００９５】
【実施例３】
（Ｒ） - α - アミノイソブチルホスホン酸の合成［式（ Ia ）化合物の合成］
N-ジ-p-アニシルメチルイソブタンイミン０.３８ｇ（１.２５mmol）、ジエチルホスファイト０.８６ｇ（１.２５×５mmol）に、実施例１と同様にして得られた（Ｒ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）含有量が０.０５mol／リットル［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）混合液］の（Ｒ）−ＬＰＢ溶液５ml（１.２５×０.２mmol）を加えた。
【００９６】
得られた反応混合物を２０℃で３５時間攪拌した後、１０mlの水を加えて反応を停止させた。
次いで、前記と同様の通常の後処理を行った後（すなわち、反応混合物を食塩水で洗浄し、水相と有機相とに相分離させ、得られる有機層から溶媒を留去した後）、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（長さ３０ｃｍ×直径２ｃｍ）を用い、酢酸エチル：ヘキサン＝１：１（体積比）の混合溶媒により精製し、（Ｒ）-ジエチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートを得た。（収量２１８mg、収率４０％）
この（Ｒ）-ジエチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートの鏡像体過剰率は、ＨＰＬＣ測定結果から、８０％であった。
【００９７】
この（Ｒ）-ジエチル-α-ジ-（p-アニシル）メチルアミノイソブチルホスホネートの1Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値：
δ：１．００（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ），１．３２（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ），１．３５（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ），１．８３（ｂｒｓ，１Ｈ），２．０８−２．２３（ｍ，１Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝１４．２，２．６Ｈｚ，１Ｈ），３．７６７（ｓ，３Ｈ），３．７７４（ｓ，３Ｈ），４．００−４．２１（ｍ，４Ｈ），５．１９（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），６．８２（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，４Ｈ），７．３４（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，４Ｈ）。
【００９８】
次いで、（Ｒ）-ジエチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネート２.１８ｇ（５mmol）に、１０規定の塩酸５mlを加え、還流下２４時間攪拌した。
【００９９】
得られた反応液にＣＨ3Ｃｌを加えて、水相と有機相とに分離した。分取された水相から、減圧下に溶媒留去し、粗結晶を得た。
水層を減圧下溶媒留去した。得られた粗結晶は、メタノール５ml、プロピレンオキサイド１mlを用いることにより再結晶させて、（Ｒ）-α-アミノイソブチルホスホン酸を得た（収量７０４mg、収率９２％）。
【０１００】
【実施例４】
（Ｒ） - α - アミノイソブチルホスホン酸の合成［式（ Ia ）化合物の合成］
実施例２と同様にして得られた（Ｒ）−ＬＳＢ（Ｌａ−Ｎａ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）含有量が０.０５mol／リットルの（Ｒ）−ＬＳＢ・ＴＨＦ溶液２５ml（１.２５mmol）を減圧 下溶媒留去し、これにＴＨＦ：５ml、N-トリチルイソブタンイミン０.３９ｇ（ １.２５mmol）、ジメチルホスファイト０.６９ｇ（１.２５×５mmol）を加えた 。
【０１０１】
得られた反応混合物を５０℃で２４時間攪拌した後、１０mlの水を加えて反応を停止させた。
次いで、前記実施例１と同様の通常の後処理を行った後（すなわち、反応混合物を食塩水で洗浄し、水相と有機相とに相分離させ、得られた有機層から溶媒を留去させた後）、この有機相から得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［酢酸エチル：ヘキサン＝１：１（体積比）］にて精製し、（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノイソブチルホスホネートを得た（収量１０５mg、収率２０％）。
【０１０２】
得られた（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノイソブチルホスホネートの鏡像体過剰率は、ＨＰＬＣ測定の結果から、８０％であった。
この（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノイソブチルホスホネートの1Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値：
δ：０．９５（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝２．５Ｈｚ），１．０２（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ），１．５（ｍ，１Ｈ），２．８（ｂｒｓ，１Ｈ），３．００（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２，２１．５Ｈｚ），３．７６（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ），３．７８（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ），７．４−７．６（ｍ，９Ｈ），７．７−７．９（ｍ，６Ｈ）。
【０１０３】
次いで、（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノイソブチルホスホネート２.１２ｇ（５mmol）に、パラジウム黒２.６６ｇ（２５mmol）、エタノール５０mlを加え、２５℃の温度で１３０mlの水素を吹き込み、５時間攪拌した。
【０１０４】
次いで、パラジウム黒を濾過により取り除き、得られた反応液に水を加えて、水相と有機相とに分離した。分取された有機相から、前記実施例１と同様に溶媒留去することにより、（Ｒ）-α-アミノイソブチルホスホン酸を得た（収量６８８mg、収率９０％）。
【０１０５】
【実施例５】
（Ｒ） - α - アミノｎ - プロピルホスホン酸の合成［式（ Ia ）化合物の合成］
実施例２と同様にして得られた（Ｒ）−ＬＳＢ含有量が０.０５mol／リットルの（Ｒ）−ＬＳＢ・ＴＨＦ溶液２５ml（１.２５mmol）を減圧下に溶媒留去し、これにＴＨＦ：５ml、N-トリチルｎ-プロパンイミン０.３７ｇ（１.２５mmol）、ジメチルホスファイ ト０.６９ｇ（１.２５×５mmol）を加えた。
【０１０６】
得られた反応混合物を５０℃で１５時間攪拌した後、１０mlの水を加えて反応を停止させた。
次いで、前記実施例と同様に通常の後処理を行った後、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［酢酸エチル：ヘキサン＝１：１（体積比）］にて精製し、３０７mgの（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノｎ-プロピルホスホネートを得た（収率６０％）。
【０１０７】
この（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノｎ-プロピルホスホネートの鏡像体過剰率は、ＨＰＬＣ測定の結果から、７０％であった。
次いで（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノｎ-プロピルホスホネートを実施例４と同様に接触水添を行い、（Ｒ）-α-アミノｎ-プロピルホスホン酸６３１mgを得た（収率９１％）。
実施例１〜５のまとめを表１に示す。
【０１０８】
【表１】
【表２】
【表３】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、鏡像体過剰率（ｅｅ）の測定法を示すグラフである。
【発明の技術分野】
本発明は、光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用 触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
α-アミノアルキルホスホン酸またはそのペプチド類縁誘導体は、グラム陽性 菌およびグラム陰性菌に対して抗菌作用を有し、かつ抗生物質（例えばペニシリン、セファロスポリンおよびＤ−シクロセリン）の活性を高めること、Ｌ−アラニンおよびＬ−アミノエチルホスホン酸からのジペプチドであるアラフォスファリンが特に重要であること、一般に光学活性α-アミノアルキルホスホン酸の誘 導体および特にＬ体（Ｒ体）からの誘導体は大きな生物学的活性を示すことが知られている（特開昭６１−８８８９５号公報）。
【０００３】
酵素的不斉合成法により光学活性α-アミノアルキルホスホン酸を得る方法と しては、テトラヘドロン アシンメトリー第４巻第1965頁１９９３年、特開昭６ １-８８８９５号公報等に記載されているものが挙げられる。
【０００４】
例えば、特開昭６１-８８８９５号公報には、
１-アミノ-アルキルホスホン酸又は１-アミノ-アルキルホスホン酸のラセミ体であるＮ-アシル誘導体を酵素分割し、次いで、脱アシル化することによりその 立体異性体を製造する方法において、酵素分割をペニシリン-Ｇ-アミダーゼを用いて、
【０００５】
【化５】
［式中、Ｒ2は、場合により例えば、ハロゲン、ヒドロキシ、炭素原子１〜３個 のアルコキシ、フェニル及び／又はフェノキシにより置換されていてもよい炭素原子１〜６個、特に１〜４個を有する分枝鎖状か又は有利には直鎖状のアルキル基を表すか又はフェニル基を表す。］の１-アミノアルキルホスホン酸の立体異 性体を得る製造法が記載されている。
【０００７】
しかしながら、これら酵素的不斉合成では、基質が限定されてしまうとの問題点がある。
また、非酵素的不斉合成法としては、従来下記▲１▼〜▲４▼に示すような種々の方法が知られている。
【０００８】
すなわち、
▲１▼ ラセミ体のα-アミノアルキルホスホン酸を、無水ジベンゾイル-L-酒石酸に よって分割する方法＜収率７０〜８７％＞（カナディアン・ジャーナルオブ・ケミカル・エンジニアリング第６１巻第2425頁、1985年）、
▲２▼ 光学活性アミノホスホン酸エステルへの不斉アルキル化反応によって合成す る方法＜収率５０〜８６％、光学純度２５〜７６％＞（テトラヘドロン・レターズ第３３巻第6127頁、1992年）
▲３▼ 光学活性イミンへのホスホン酸エステルのジアステレオ選択的付加反応によ って合成する方法＜収率３０〜９０％、光学純度７１〜９９％＞（ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエテー第１１６巻第9377頁、1994年）
▲４▼ 不斉触媒を用いた不斉水素化反応によって合成する方法＜収率９０〜１００ ％、光学純度６４〜７６％＞（リービッヒ アナーレン デル ケミー（Liebigs Ann. Chem 第555頁、1985年）など。
【０００９】
しかしながら上記文献▲１▼および文献▲４▼に記載の方法では、工程数が多く、操作が煩雑であるとの問題点があり、また、上記文献▲２▼および文献▲３▼に記載の方法では、光学活性な原料を化学量論量必要とするなど、従来の方法は工業的に有利な方法ではない。
【００１０】
このため、従来の光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の合成法に比べて小量 の不斉化合物源を用いて大量の光学活性体を得ることが可能であり、しかも短い工程で上記光学活性体が得られるような光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の 製造方法および不斉合成用触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物の出現が求められている。
【００１１】
なお、「リービッヒ アナーレン デル ケミー第1153頁〜第1155頁、1990年」 には、不斉合成法に関するものではないが、一般式：Ｒ1ＣＨ（ＮＨＣＯＲ2）2 ［式中Ｒ1は、スチリル基などを示し、Ｒ2は、アルキリデン基を示す 。］で表 されるＮ，Ｎ’−アルキリデンビスアミドとＰＣｌ3と酢酸とを６０〜８０℃で、１時間反応させた後、加水分解して、一般式：Ｒ1ＣＨＮＨ2Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）2 ［式中Ｒ1は、スチリル基などを示す。］で表される化合物（収率３９〜９９ ％）の製造方法が記載されている。
【００１２】
また、特開平６−１５４６１８号公報には、不斉合成用触媒として下記の触媒が記載されている。
すなわち、式（ＡR）もしくは式（ＡS）：
【００１３】
【化６】
で表される光学活性2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルのジアルカリ金属塩 （ただし、式中、ＭはＬｉ、ＫもしくはＮａである）、ＬａＸ3（ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ3もしくはＣＨ3ＣＯ2である）で表されるランタン化合物、お よびＭＯＲもしくはＭＯＨ（ＭはＬｉ、ＫもしくはＮａであり、Ｒはイソプロピルもしくはt-ブチルである）で表されるアルカリ金属アルコキシドもしくは水酸化アルカリ金属から、含水溶媒存在下で調製された不斉合成用触媒、
または、
【００１５】
【化７】
で表される光学活性2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルおよびＬａ（ＯＲ）3（Ｒはイソプロピルもしくはt-ブチルである）で表されるランタンアルコキシドからエーテル系溶媒中で得られる活性種を塩化リチウム、含水溶媒の存在下で用いることを特徴とする不斉合成用触媒。
【００１７】
【発明の目的】
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決しようとするものであって、光学活性な原料を少量で用いて、少ない工程数の簡単な操作で、大量の光学活性α-アミノホスホン酸誘導体を製造しうるような光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法を提供することを目的としている。
【００１８】
本発明は、このような光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造に使用しうるような触媒の製造方法を提供することを目的としている。
本発明は、光学活性α-アミノホスホン酸誘導体を製造する際に好適に使用される新規な光学活性ホスホネート系化合物を提供することを目的としている。
【００１９】
【発明の概要】
本発明に係る光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法は、
一般式（II）：
Ｒ1−Ｎ＝ＣＨＲ2 ・・・・（II）
［式（II）中、Ｒ1は、トリチル基、ベンジル基またはジ-p-アニシルメチル基を示し、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。］で表されるイミンと、
一般式（III）：
（Ｒ3Ｏ）2Ｐ（Ｏ）Ｈ ・・・・（III）
［式（III）中、Ｒ3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。］で表されるホスホン酸エステルとを、
一般式（Ａ）：
Ｌａ−Ｘ−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ）
［式（Ａ）中、Ｘはアルカリ金属を示す。］で表される不斉合成用触媒の存在下に反応させて、
一般式（IVa）または一般式（IVb）：
【００２０】
【化８】
［式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、前記に同じ。］で表されるホスホネート系化合物を合成し、
次いで、得られた上記化合物（IVa）または化合物（IVb）を、酸または水素と接触させてアミノ基の脱保護とＯＲ3基の加水分解とを行うことにより、下記化合物（Ia）または（Ib）を得ることを特徴としている。
【００２２】
一般式（Ia）または一般式（Ib）：
【００２３】
【化９】
［式（Ia）、（Ib）中、Ｒ2は前記に同じ。］
【００２８】
本発明に係る新規なホスホネート系化合物は、例えば上記本発明に係る光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法で好適に使用され、下記一般式（IVa）または一般式（IVb）で表される。
【００２９】
【化１１】
［式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1は、ベンジル基またはジ-p-アニシルメチル基を示し、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示し、Ｒ3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。但し、Ｒ 1 がベンジル基、Ｒ 2 がフェニル基、Ｒ 3 がアルキル基を同時に満たす態様を除く。以下同様。］
このような新規なホスホネート系化合物としては、例えば、上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジ-p-アニシルメチル基であり、Ｒ2がイソプロピル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネート、
上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジ-p-アニシルメチル基であり、Ｒ2がイソプロピル基であり、Ｒ3がエチル基である光学活性ジエチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートが挙げられる。
【００３１】
このような本発明によれば、光学活性な原料を少量用いて、少ない工程数の簡単な操作で、大量の光学活性α-アミノホスホン酸誘導体を製造できる。
【００３２】
【発明の具体的説明】
以下、本発明に係る光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法および不斉合成用触媒の製造方法並びに新規なホスホネート系化合物について具体的に説明する。
［光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の製造方法］
本発明では、式（Ia）または式（Ib）で表される光学活性α-アミノホスホン酸誘導体を、以下の反応経路で合成している。
【００３３】
【化１２】
すなわち、式（IVa）または式（IVb）で示される化合物は、好ましくは後述するような光学活性なランタン−アルカリ金属−ビナフトール錯体（Ａ）からなる不斉合成用触媒の存在下に、式（II）で表されるイミンと式（III）で表されるホスホン酸エステルとの反応により合成される。
【００３５】
ここで、式（II）、（III）、（IVa）、（IVb）、（Ia）および（Ib）中、Ｒ1は、トリチル基、ベンジル基またはジ-p-アニシルメチル基を示し、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。また、Ｒ3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。
［式（II）で表されるイミンの合成］
このような反応の出発原料となる式（II）で表される化合物（イミン）は公知化合物であり、従来より公知の方法により合成することができる。例えば、上記式(II)中のＲ1がトリチル基の場合には、シンセシス（Synthesis 第３７０頁、1988年）に示される方法によって、トリチルアミンを用いて合成すればよく、またＲ1がジ-p-アニシルメチル基、ベンジル基の場合には、特開昭６２−２８９５５８号公報などに示される方法によって、それぞれジ-p-アニシルメチルアミン、ベンジルアミンを用いて合成すればよい。
【００３６】
式（II）で表されるイミンにおいて、Ｒ2がアルキル基である場合、このようなアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が挙げられ、直鎖状または分岐状であってもよく、このようなアルキル基として具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙 げられる。
【００３７】
Ｒ2がシクロアルキル基である場合、このようなシクロアルキル基としては、 具体的には、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
Ｒ2がアリール基である場合、このようなアリール基としては、具体的には、 例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などが挙げられる。
Ｒ2がアリール基含有炭化水素基である場合、このようなアリール基含有炭化水素基としては、具体的には、ベンジル基、フェネチル基などのアリールアルキル基；スチリル基、ｐ−メチルフェニルビニル基（ＣＨ3-Ｃ6Ｈ4-ＣＨ＝ＣＨ−）などのアリールビニル基が挙げられる。
【００３８】
このようなＲ2の内では、アルキル基が好ましく、その内ではイソプロピル基 が好ましい。
このような式（II）で表されるイミンとしては、具体的には、例えば、次のものが挙げられる。
【００３９】
N-トリチルエタンイミンの他に、この化合物のトリチル基を、ジ-p-アニシルメチルあるいは、ベンジルに置換し、エタンをｎ-プロパン、ｎーブタン、イソブタン、ｎ-ペンタン、イソペンタン、ネオペンタン、ｎ-ヘキサン、イソヘキサン、ネオヘキサン、シクロペンチルメタン、２-メチルブタン、シクロヘキシルメタン、フェニルメタンあるいは、スチリルメタンにそれぞれ置換した化合物が挙げられる。
【００４０】
これらのイミンの内では、N-ジ-p-アニシルメチルイソブタンイミン、N-トリチルイソブタンイミンが好ましく用いられる。
［式（III）で表されるホスホン酸エステルの合成］
式（III）で表されるホスホン酸エステルは従来より公知の化合物であり、従来より公知の方法によって得られる。
【００４１】
式（III）で表されるホスホン酸エステルにおいて、Ｒ3がアルキル基である場合、このようなアルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が挙げられ、直鎖状または分岐状であってもよく、このようなアルキル基として具体的には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、これらの内では、メチル基、エチル基などが好ましい。
【００４２】
Ｒ3がシクロアルキル基である場合、このようなシクロアルキル基としては、具体的には、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
Ｒ3がアリール基である場合、このようなアリール基としては、具体的には、例えば、フェニル基、p-トリル基、パラクロルフェニル基などが挙げられる。
Ｒ3がアリール基含有炭化水素基である場合、このようなアリール基含有炭化水素基としては、前記Ｒ2の場合と同様に、具体的には、ベンジル基、フェネチル基などのアリールアルキル基；スチリル基、ｐ−メチルフェニルビニル基（ＣＨ3-Ｃ6Ｈ4-ＣＨ＝ＣＨ−）などのアリールビニル基が挙げられる。
【００４３】
このように式（III）で表されるホスホン酸エステル中のＲ3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基であり、中でも上記のようなアルキル基であることが好ましい。
【００４４】
このような式（III）で表されるホスホン酸エステルとしては、具体的には、例えば、次のものが挙げられる。
ジメチルホスファイト、ジエチルホスファイト、ジｎ-プロピルホスファイト、ジｎ-ブチルホスファイト、ジｎ-ペンチルホスファイト、ジフェニルホスファイト、ジベンジルホスファイト、ジ-p-トリルホスフゥイト、ジ-p-クロルフェニルホスファイト、ジシクロヘキシルホスファイト、ジアリルホスファイトなど。
【００４５】
これらのホスホン酸エステルの内では、ジメチルホスファイト、ジエチルホスファイトが好ましく用いられる。
［式（Ａ）で表される不斉合成用触媒およびその合成］
本発明で用いられる不斉合成触媒は、下記式（Ａ）で示され、好ましくは次のようにして合成される。
【００４６】
一般式（Ａ）：
Ｌａ−Ｘ−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ）
［式（Ａ）中、Ｘはアルカリ金属を示す。］
すなわち、このＬａ−アルカリ金属−ビナフトール錯体（Ａ）は、
通常、不活性ガス雰囲気下、好ましくはチッ素（ガス）雰囲気下で、
(1)下記式（ＶR）で表される（Ｒ）-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルまたは、下記式（ＶS）で表される（Ｓ）-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルと、
【００４７】
【化１３】
(2)一般式（VI）：
Ｌａ（ＯＲ）3 ・・・・（VI）
［式（VI）中、Ｒはアルキル基を示す。］で表されるランタンアルコキシドと、(3)下記一般式（VII）、（VIII）および（IX）の内から選ばれる１種のアルカリ金属化合物と、
を非水溶媒または含水溶媒中で反応させることにより得られる。
【００４９】
一般式（VII）：
ＬｉＡ ・・・・（VII）
［式（VII）中、Ａはアルキル基を示す。］で表される化合物、
一般式（VIII）：
［（ＣＨ3）3Ｓｉ］2ＮＫ ・・・・（VIII）
で表される化合物、
一般式（IX）：
ＺＯＲ ・・・・（IX）
［式（IX）中、Ｚはアルカリ金属を示し、Ｒはアルキル基を示す。］で表されるアルカリ金属アルコキシド。
【００５０】
上記式（ＶR）で示される（Ｒ）-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルおよび、上記式（ＶS）で示される（Ｓ）-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルは、何れも、公知物質であり、従来より公知の方法（ジャーナル オブ オーガニックケミストリー（J. Org. Chem. 第７３１７頁、1993年 参照）により合成される。
【００５１】
また式（VI）で示される化合物であるランタンアルコキシドは公知物質であり、公知の方法により合成される。
ランタンアルコキシドとしては、ランタントリイソプロポキシド、ランタントリt-ブトキシドなどが挙げられ、ランタントリイソプロポキシドが好ましく用いられる。
【００５２】
式（VII）で示されるリチウム化合物中のＡは、アルキル基を示し、このようなアルキル基としては、具体的には、例えば、メチル基、n-ブチル基、t-ブチル基などが挙げられ、n-ブチル基が好ましい。
【００５３】
このような式（VII）で示される化合物としては、具体的には、例えば、ＣＨ3Ｌｉ、ＣＨ3（ＣＨ2）3Ｌｉ、（ＣＨ3）3ＣＬｉなどが挙げられ、ＣＨ3（ＣＨ2）3Ｌｉが好ましく用いられる。
【００５４】
式（VIII）で示される化合物は、公知物質である。
また式（IX）で示されるアルカリ金属アルコキシドは公知の化合物であり、公知の方法（ジャーナル オブ アメリカン ケミカル ソサイエティ J. A. C., S 第４３６４頁、1956年）により合成できる。
【００５５】
式（IX）中、Ｚで示されるアルカリ金属としては、具体的には、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられ、Ｎａ、Ｋが好ましく用いられる。
このような式（IX）で示されるアルカリ金属アルコキシドとしては、具体的には、例えば、ＬｉＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＮａＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＫＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＲｂＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＣｓＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＬｉＯ（ＣＨ3）2ＣＨ、ＮａＯ（ＣＨ3）2ＣＨ、ＫＯ（ＣＨ3）2ＣＨ、ＲｂＯ（ＣＨ3）2ＣＨ、ＣｓＯ（ＣＨ3）2ＣＨ等が挙げられ、ＬｉＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＮａＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＫＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＲｂＯ（ＣＨ3）3Ｃ、ＣｓＯ（ＣＨ3）3Ｃが好ましく用いられる。
【００５６】
本発明に係る不斉合成用触媒の製造方法においては、上記式（ＶR）または（ ＶS）で示される(Ｒ)／(Ｓ)-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチル(1)と、式（VI）で示されるランタンアルコキシド(2)と、「式（VII）、式（VIII）または（IX）で示されるアルカリ金属化合物(3)」とのモル比［(1)：(2)：(3)］は通常、１：１：１〜１０：１：１０であり、好ましくは１：１：１〜３：１：３の量で用いられることが望ましい。また、このような反応は通常０〜５０℃、好ましくは０〜２０℃の温度で、通常０.１〜１００時間、好ましくは０.１〜２４時間行うことが望ましい。
【００５７】
本発明においては、このような反応の際には、非水溶媒または含水溶媒が用いられる。
溶媒としては、具体的には、例えば、テトラヒドロフラン（以下「ＴＨＦ」という）、エーテルなどが挙げられ、ＴＨＦが好ましく用いられる。不斉合成反応でＴＨＦ以外の溶媒を用いるときには、触媒調製時に用いられた溶媒（例：ＴＨＦ）を２０℃以下の温度で留去させ、前記式（II）で示されるイミンと（III）で示されるホスホン酸エステルとの不斉合成反応の際に使用される溶媒を加えて溶媒交換しておくことが好ましい。
【００５８】
含水溶媒としては、具体的には、例えば、含水ＴＨＦ、含水エーテル、含水ジオキサン、含水ジエチルエーテルなどが挙げられ、含水ＴＨＦ、含水エーテルが好ましく用いられる。
【００５９】
触媒調製時に含水溶媒を使用する場合には、水は式（VI）のランタン化合物１モルに対して、通常、０.１〜１０モルの量で、好ましくは０.１〜１モルの量で用いられる。
【００６０】
このようにして得られる式（Ａ）で示される不斉合成用触媒は、下記式（イ）または（ロ）：
【００６１】
【化１４】
［式（イ）および式（ロ）中、Ｘは、アルカリ金属を示す。］で表されるのであろうと推測される。
このような式（Ａ）（さらに具体的には、式（イ）または式（ロ））で表される不斉合成用触媒として、具体的には、例えば、Ｌａ−Ｌｉ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）−ＬＬＢ」という）、Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）−ＬＰＢ」という）、Ｌａ−Ｎａ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）−ＬＳＢ」という）、Ｌａ−Ｒｂ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）−ＬＲＢ」という）、Ｌａ−Ｃｓ−（Ｒ）−ビナフトール錯体（以下「（Ｒ）−ＬＣＢ」という）などが挙げられる。また（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＬＢよりも、（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＳＢの方が活性が高く、さらに、（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＳＢよりも（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＰＢの方がより活性が高いため好ましく用いられる［（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＬＢ→（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＳＢ→（Ｒ）又は（Ｓ）-ＬＰＢ（高活性）］。
【００６３】
また本発明では、不斉合成用触媒として、特開平６−１５４６１８号公報に記載の方法等により調製されたものを使用することもできる。
すなわち、式（ＡR）もしくは式（ＡS）：
【００６４】
【化１５】
で表される光学活性2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルのジアルカリ金属塩 （ただし、式中、ＭはＬｉ、ＫもしくはＮａである）、ＬａＸ3（ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ3もしくはＣＨ3ＣＯ2である）で表されるランタン化合物、およびＭＯＲもしくはＭＯＨ（ＭはＬｉ、ＫもしくはＮａであり、Ｒはイソプロピルもしくはt-ブチルである）で表されるアルカリ金属アルコキシドもしくは水酸化アルカリ金属から、含水溶媒存在下で調製された不斉合成用触媒、
または、
【００６６】
【化１６】
で表される光学活性2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルおよびＬａ（ＯＲ）3（Ｒはイソプロピルもしくはt-ブチルである）で表されるランタンアルコキシドからエーテル系溶媒中で得られる活性種を塩化リチウム、含水溶媒の存在下で用いることを特徴とする不斉合成用触媒。
【００６８】
本発明においては、このような不斉合成用触媒を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
［式（ IVa ）または式（ IVb ）で示される化合物の合成］
本発明においては、上記のような式（II）で示されるイミンと、式（III）で示されるホスホン酸エステルとを、上記のような不斉合成用触媒の存在下で、好ましくは上記式（Ａ）で示される不斉合成用触媒の存在下で反応させて式（IVa）および／または式（IVb）で示される化合物を得る。
【００６９】
このような反応において、式（II）で示されるイミンと、式（III）で示されるホスホン酸エステルと、不斉合成用触媒（好ましくは不斉合成用触媒（Ａ））とは、そのモル比［イミン：ホスホン酸エステル：不斉合成用触媒］が通常、１：１：０.０１〜１：５：１であり、好ましくは１：１：０.０１〜１：５：０.２の量で用いられることが望ましい。
【００７０】
このような反応は、通常、−８０〜８０℃、好ましくは２０〜５０℃の温度で、通常、０.１〜１００時間、好ましくは６０〜８０時間行うことが望ましい。また反応の際には、通常、溶媒が用いられ、このような反応溶媒として、具体的には、例えば、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、エーテル、ジオキサン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ヘキサメチルホスホルアミド（ＨＭＰＡ）などが挙げられ、ＴＨＦ、トルエン、エーテルが好ましく用いられる。
【００７１】
また、本発明においては、これらの溶媒を１種単独で用いてもよく、また２種以上組み合わせて混合溶媒として用いてもよい。混合溶媒として、具体的には、例えば、トルエン−ＴＨＦ混合溶媒、ＴＨＦ−ジオキサン混合溶媒などが挙げられ、トルエン−ＴＨＦ混合溶媒が好ましく、特にＴＨＦ１体積に対して通常トルエンを１〜１０体積、好ましくは６〜８体積で混合してなるトルエン−ＴＨＦ混合溶媒が好ましい。
【００７２】
上記のような反応は、通常、反応溶液の１〜１０倍量の水を反応溶液に加えることにより、停止させることができる。
本発明においては、このような反応終了後に、得られた反応液（式（IVa）ま たは式（IVb）で示される化合物含有物）に通常、食塩水を加えて洗浄し、水相 と有機相とに相分離させ、次いでこのように洗浄して得られた有機層から溶媒を留去することにより粗生成物を得る。このようにして得られた粗生成物を例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、式（IVa）または式（IVb）で示される化合物が得られる。
【００７３】
式（IVa）または式（IVb）で示される化合物の具体例を次に示す。
（Ｒ）または（Ｓ）-ジメチル-α-トリチルアミノエチルホスホネートの他に、
この化合物のジメチル基をジエチル、ジｎ-プロピル、ジイソプロピル、ジｎ-ブチル、ジイソブチル、ジsec-ブチル、ジtert-ブチル、ジｎ-ペンチル、ジイソペンチル、ジネオペンチル、ジシクロペンチル、ジシクロヘキシル、ジフェニル、ジベンジル、ジp-トリルあるいはジp-クロルフェニルに置換し、
またトリチル基をジ-p-アニシルメチルあるいはベンジルに、エチル基をｎ-プロピル、ｎ-ブチル、イソブチル、ｎ-ペンチル、イソペンチル、２-メチルブチル、ネオペンチル、ｎ-ヘキシル、イソヘキシル、ネオヘキシル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、フェニルメチルあるいはスチリルメチルにそれぞれ置換した化合物等が挙げられる。
［式（Ia）または式（Ib）化合物の合成］
次に光学活性α-アミノホスホン酸誘導体［式（Ia）または式（Ib）］の合成 について述べる。
【００７４】
上記式（Ia）または式（Ib）で示される化合物は、式（IVa）または式（IVb）で示される化合物に酸を加えるか、あるいは接触水添により得られる。
このような式（IVa）または式（IVb）で示される化合物中のアミノ基の脱保護と、ＯＲ3基の加水分解反応に酸を用いる場合には、酸は、式（III）で示される化合物１モルに対して５〜１００モルの量で、好ましくは５〜１０モルの量で用いられる。このような酸としては、具体的には、例えば、５〜１０Ｍの濃塩酸あるいは濃硫酸、濃度１００％の酢酸などが挙げられ、濃塩酸、酢酸が好ましく用いられる。
【００７５】
このような反応は、溶媒の非存在下に行うこともでき（無溶媒）、また溶媒中で行うこともできる。溶媒としては、具体的には、例えば、メタノール、クロロホルム、酢酸、アセトン等が挙げられ、メタノール、酢酸が好ましく用いられる。無溶媒の条件下で反応を行う場合には、通常、２０〜１００℃、好ましくは８０〜１００℃の温度で、溶媒中で反応を行う場合には、通常２０〜１００℃、好ましくはその還流温度で行なうことが望ましい。反応時間は、無溶媒の条件下では、１〜１０時間、好ましくは８〜１０時間であり、溶媒中では１〜５０時間、好ましくは１０〜２０時間であることが望ましい。
【００７６】
また、接触水添による方法では、パラジウム黒を式（IVa）または式（IVb）で示される化合物１モルに対して通常、１〜１０モルの量で、好ましくは５〜１０モルの量で用いることが望ましい。このような接触水添の際には、反応溶媒を用いることができ、このような反応溶媒としては、具体的には、例えば、酢酸、メタノール、エタノールなどが挙げられ、酢酸が好ましく用いられる。反応温度は通常、２０〜１００℃、好ましくは２０〜５０℃であることが望ましい。反応時間は通常、１〜５０時間、好ましくは５〜１０時間であることが望ましい。
【００７７】
上記のような反応の際に酸を用いた場合には、通常、反応終了後に、反応液をＣＨ3Ｃｌにて洗浄し、水相を減圧下に留去することにより式（Ia）または式（Ib）で示される化合物が得られる。
【００７８】
また、上記のような反応を接触水添で行った場合には、通常、反応終了後に、反応液からパラジウム黒を除去し、反応液を水にて洗浄し、有機相から溶媒を留去することにより式（Ia）または式（Ib）で示される化合物が得られる。
【００７９】
このようにして得られた式（Ia）または式（Ib）で示される化合物としては、（Ｒ）または（Ｓ）-α-アミノエチルホスホン酸の他にこの化合物のエチル基をｎ-プロピル、ｎ-ブチル、イソブチル、ｎ-ペンチル、イソペンチル、２-メチルブチル、ネオペンチル、ｎ-ヘキシル、イソヘキシル、ネオヘキシル、シクロペンチルメチル、シクロヘキシルメチル、フェニルメチルあるいはスチリルメチルに代えた化合物が挙げられる。
【００８０】
【発明の効果】
本発明によれば、従来の光学活性α-アミノホスホン酸誘導体の合成法に比べて小量の不斉化合物源を用いて大量の光学活性体を得ることが可能であり、しかも短い工程で上記光学活性体が得られるなどの利点がある。
【００８１】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、かかる実施例により何等制限されるものではない。
【００８２】
鏡像体過剰率（ｅｅ）
以下の実施例および比較例における鏡像体過剰率（ｅｅ）の測定法は、下記のとおり。
【００８３】
図１に示すように、クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により求めた（＋）体の面積（Ａ）と（−）体の面積（Ｂ）との面積比ｒ＝Ａ／Ｂ（エナンチオマー比）とするとき、
【００８４】
【数１】
で表される。
【００８６】
【実施例１】
（１）（Ｒ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）の調製
窒素雰囲気下、(R)-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチル４.２９ｇ（５×３mmol）に、０.２ＭのＬａ（Ｏ（ＣＨ3）2ＣＨ）3・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、０.５Ｍのビス（トリメチルシリル）カリウムアミド・トルエン溶液３０ml（５×３mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨＦ４５mlを加え、室温（２０℃）下で１時間攪拌し、（Ｒ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）（約０.０５mol／リットル、収率１００％）を調製した。
【００８７】
この（Ｒ）−ＬＰＢ・ＴＨＦ溶液を２０℃以下の温度で減圧下（圧力：５ｍｍＨｇ）に溶媒留去し、次いで、ＴＨＦ・トルエン混合溶液［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）の混合物］１００ml（（Ｒ）−ＬＰＢ含有量：約０.０５mol／リットル）を加えた。
（２）（Ｒ）−ＬＰＢによる（Ｒ） - ジメチル - α - ジ -p- アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートの合成［式（ IVa ）化合物］
N-ジ-p-アニシルメチルイソブタンイミン０.３７ｇ（１.２５mmol）、ジメチルホスファイト０.６９ｇ（１.２５×５mmol）に、上記により得られた（Ｒ）−ＬＰＢ含有量が０.０５mol／リットル［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）混合液］の（Ｒ）−ＬＰＢ溶液５ml（１.２５×０.２mmol）を加えた。
【００８８】
得られた反応混合物を２０℃で６２時間攪拌した後、この反応混合物に１０mlの水を加えて反応を停止させた。
次いで、通常の後処理を行った後（すなわち、反応混合物を食塩水で洗浄し、水相と有機相とに相分離させ、得られる有機相から溶媒を留去した後）、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（長さ３０ｃｍ×直径２ｃｍ）を用い、酢酸エチル：ヘキサン＝１：１（体積比）の混合溶媒により精製し、４５８mgの（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートを得た。（収率９０％）
得られた（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートの鏡像体過剰率（ｅｅ）は、ＨＰＬＣ測定結果から、９５％であった。
【００８９】
［α］D−２６．４（ｃ＝１.８５、ＣＨＣｌ3）。
（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-ｐ-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートの1Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値：
δ：０．９８−１．０２（ｍ，６Ｈ），１．８１（ｂｒｓ，１Ｈ），２．１２−２．２７（ｍ，１Ｈ），２．７７（ｄｄ，Ｊ＝１４．２，３．０Ｈｚ，１Ｈ），３．７８，３．７６９，３．７６５，３．７５，３．７４，３．７０（ｓ，１２Ｈ），５．１３（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），６．２８（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），７．３３（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．３４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ）。
（３）（Ｒ） - α - アミノイソブチルホスホン酸の合成［式（ Ia ）化合物］
（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネート２.０４ｇ（５mmol）に、１０規定の塩酸５mlを加え、還流下２４時間攪拌した。
【００９０】
得られた反応液にＣＨ3Ｃｌを加えて、水相と有機相とに分離した。分取され た水相から、減圧下に溶媒留去し、粗結晶を得た。
得られた粗結晶を、メタノール５ml、プロピレンオキサイド１mlを用いることにより再結晶させて、（Ｒ）-α-アミノイソブチルホスホン酸を得た（収量６ ００mg、収率９０％）。［α］D−２．４゜（Ｃ＝２．４，Ｈ2Ｏ）；文献値［α］D−２．１゜（Ｃ＝１．９，Ｈ2Ｏ）
【００９１】
【実施例２】
（１）（Ｒ）−ＬＳＢ（Ｌａ−Ｎａ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）の調製
窒素雰囲気下、(R)-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチル４.２９ｇ（１５mmol）に、０.２ＭのＬａ（Ｏ（ＣＨ3）2ＣＨ）3・ＴＨＦ溶液２５ml（５mmol）、ＮａＯＣ（ＣＨ3）3：１.４４ｇ（１５mmol）、水９０mg（５mmol）、ＴＨＦ：７５mlを加え、２０℃で１時間攪拌して（Ｒ）−ＬＳＢ（Ｌａ−Ｎａ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）（約０.０５mol／リットル）を調製した。（収率１００％）
（２）（Ｒ） - α - アミノイソブチルホスホン酸の合成［式（ Ia ）化合物］
N-ジ-p-アニシルメチルイソブタンイミン０.３８ｇ（１.２５mmol）、ジメチルホスファイト０.６９ｇ（１.２５×５mmol）に、上記により得られた（Ｒ）−ＬＳＢ含有量が０.０５mol／リットル［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）混合液］の（Ｒ）−ＬＳＢ溶液５ml（１.２５×０.２mmol）を加えた。
【００９２】
得られた反応混合物を５０℃で３５時間攪拌した後、１０mlの水を加えて反応を停止させた。
次いで、前記と同様の通常の後処理を行った後（すなわち、反応混合物を食塩水で洗浄し、水相と有機相とに相分離させ、得られる有機層から溶媒を留去した後）、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（長さ３０ｃｍ×直径２ｃｍ）を用い、酢酸エチル：ヘキサン＝１：１（体積比）の混合溶媒により精製し、（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネー トを得た。（収量３３０mg、収率６５％）
得られた（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホ ネートの鏡像体過剰率は、ＨＰＬＣ測定結果から、６０％であった。
【００９３】
この（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-ｐ-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートの1Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値：
δ：０．９８−１．０２（ｍ，６Ｈ），１．８１（ｂｒｓ，１Ｈ），２．１２−２．２７（ｍ，１Ｈ），２．７７（ｄｄ，Ｊ＝１４．２，３．０Ｈｚ，１Ｈ），３．７８，３．７６９，３．７６５，３．７５，３．７４，３．７０（ｓ，１２Ｈ），５．１３（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），６．２８（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），７．３３（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ），７．３４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ）。
【００９４】
次いで、（Ｒ）-ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルに、実施例１の第（３）欄と同様の操作を施すことにより（Ｒ）α-アミノイソブチルホスホン酸を得た。
【００９５】
【実施例３】
（Ｒ） - α - アミノイソブチルホスホン酸の合成［式（ Ia ）化合物の合成］
N-ジ-p-アニシルメチルイソブタンイミン０.３８ｇ（１.２５mmol）、ジエチルホスファイト０.８６ｇ（１.２５×５mmol）に、実施例１と同様にして得られた（Ｒ）−ＬＰＢ（Ｌａ−Ｋ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）含有量が０.０５mol／リットル［ＴＨＦ：トルエン＝１：７（体積比）混合液］の（Ｒ）−ＬＰＢ溶液５ml（１.２５×０.２mmol）を加えた。
【００９６】
得られた反応混合物を２０℃で３５時間攪拌した後、１０mlの水を加えて反応を停止させた。
次いで、前記と同様の通常の後処理を行った後（すなわち、反応混合物を食塩水で洗浄し、水相と有機相とに相分離させ、得られる有機層から溶媒を留去した後）、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（長さ３０ｃｍ×直径２ｃｍ）を用い、酢酸エチル：ヘキサン＝１：１（体積比）の混合溶媒により精製し、（Ｒ）-ジエチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートを得た。（収量２１８mg、収率４０％）
この（Ｒ）-ジエチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートの鏡像体過剰率は、ＨＰＬＣ測定結果から、８０％であった。
【００９７】
この（Ｒ）-ジエチル-α-ジ-（p-アニシル）メチルアミノイソブチルホスホネートの1Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値：
δ：１．００（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，６Ｈ），１．３２（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ），１．３５（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ），１．８３（ｂｒｓ，１Ｈ），２．０８−２．２３（ｍ，１Ｈ），２．７４（ｄｄ，Ｊ＝１４．２，２．６Ｈｚ，１Ｈ），３．７６７（ｓ，３Ｈ），３．７７４（ｓ，３Ｈ），４．００−４．２１（ｍ，４Ｈ），５．１９（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），６．８２（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，４Ｈ），７．３４（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，４Ｈ）。
【００９８】
次いで、（Ｒ）-ジエチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネート２.１８ｇ（５mmol）に、１０規定の塩酸５mlを加え、還流下２４時間攪拌した。
【００９９】
得られた反応液にＣＨ3Ｃｌを加えて、水相と有機相とに分離した。分取された水相から、減圧下に溶媒留去し、粗結晶を得た。
水層を減圧下溶媒留去した。得られた粗結晶は、メタノール５ml、プロピレンオキサイド１mlを用いることにより再結晶させて、（Ｒ）-α-アミノイソブチルホスホン酸を得た（収量７０４mg、収率９２％）。
【０１００】
【実施例４】
（Ｒ） - α - アミノイソブチルホスホン酸の合成［式（ Ia ）化合物の合成］
実施例２と同様にして得られた（Ｒ）−ＬＳＢ（Ｌａ−Ｎａ−（Ｒ）−ビナフトール錯体）含有量が０.０５mol／リットルの（Ｒ）−ＬＳＢ・ＴＨＦ溶液２５ml（１.２５mmol）を減圧 下溶媒留去し、これにＴＨＦ：５ml、N-トリチルイソブタンイミン０.３９ｇ（ １.２５mmol）、ジメチルホスファイト０.６９ｇ（１.２５×５mmol）を加えた 。
【０１０１】
得られた反応混合物を５０℃で２４時間攪拌した後、１０mlの水を加えて反応を停止させた。
次いで、前記実施例１と同様の通常の後処理を行った後（すなわち、反応混合物を食塩水で洗浄し、水相と有機相とに相分離させ、得られた有機層から溶媒を留去させた後）、この有機相から得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［酢酸エチル：ヘキサン＝１：１（体積比）］にて精製し、（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノイソブチルホスホネートを得た（収量１０５mg、収率２０％）。
【０１０２】
得られた（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノイソブチルホスホネートの鏡像体過剰率は、ＨＰＬＣ測定の結果から、８０％であった。
この（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノイソブチルホスホネートの1Ｈ-ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）のピーク値：
δ：０．９５（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝２．５Ｈｚ），１．０２（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ），１．５（ｍ，１Ｈ），２．８（ｂｒｓ，１Ｈ），３．００（ｄｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２，２１．５Ｈｚ），３．７６（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ），３．７８（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ），７．４−７．６（ｍ，９Ｈ），７．７−７．９（ｍ，６Ｈ）。
【０１０３】
次いで、（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノイソブチルホスホネート２.１２ｇ（５mmol）に、パラジウム黒２.６６ｇ（２５mmol）、エタノール５０mlを加え、２５℃の温度で１３０mlの水素を吹き込み、５時間攪拌した。
【０１０４】
次いで、パラジウム黒を濾過により取り除き、得られた反応液に水を加えて、水相と有機相とに分離した。分取された有機相から、前記実施例１と同様に溶媒留去することにより、（Ｒ）-α-アミノイソブチルホスホン酸を得た（収量６８８mg、収率９０％）。
【０１０５】
【実施例５】
（Ｒ） - α - アミノｎ - プロピルホスホン酸の合成［式（ Ia ）化合物の合成］
実施例２と同様にして得られた（Ｒ）−ＬＳＢ含有量が０.０５mol／リットルの（Ｒ）−ＬＳＢ・ＴＨＦ溶液２５ml（１.２５mmol）を減圧下に溶媒留去し、これにＴＨＦ：５ml、N-トリチルｎ-プロパンイミン０.３７ｇ（１.２５mmol）、ジメチルホスファイ ト０.６９ｇ（１.２５×５mmol）を加えた。
【０１０６】
得られた反応混合物を５０℃で１５時間攪拌した後、１０mlの水を加えて反応を停止させた。
次いで、前記実施例と同様に通常の後処理を行った後、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［酢酸エチル：ヘキサン＝１：１（体積比）］にて精製し、３０７mgの（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノｎ-プロピルホスホネートを得た（収率６０％）。
【０１０７】
この（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノｎ-プロピルホスホネートの鏡像体過剰率は、ＨＰＬＣ測定の結果から、７０％であった。
次いで（Ｒ）-ジメチル-α-トリチルアミノｎ-プロピルホスホネートを実施例４と同様に接触水添を行い、（Ｒ）-α-アミノｎ-プロピルホスホン酸６３１mgを得た（収率９１％）。
実施例１〜５のまとめを表１に示す。
【０１０８】
【表１】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、鏡像体過剰率（ｅｅ）の測定法を示すグラフである。
Claims (4)
- 一般式（II）：Ｒ1−Ｎ＝ＣＨＲ2 ・・・・（II）
［式（II）中、Ｒ1は、トリチル基、ベンジル基またはジ-p-アニシルメチル基を示し、Ｒ2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。］で表されるイミンと、
一般式（III）：（Ｒ3Ｏ）2Ｐ（Ｏ）Ｈ ・・・・（III）
［式（III）中、Ｒ3は、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基またはアリール基含有炭化水素基を示す。］で表されるホスホン酸エステルとを、
一般式（Ａ）：Ｌａ−Ｘ−ビナフトール錯体 ・・・・（Ａ）
［式（Ａ）中、Ｘはアルカリ金属を示す。］で表される不斉合成用触媒の存在下に反応させて、
一般式（IVa）または一般式（IVb）：
次いで、得られた上記化合物（IVa）または化合物（IVb）を、酸または水素と接触させて脱保護と加水分解とを行うことを特徴とする、
一般式（Ia）または一般式（Ib）：
- 一般式（IVa）または一般式（IVb）：
- 上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジ-p-アニシルメチル基であり、Ｒ2がイソプロピル基であり、Ｒ3がメチル基である光学活性ジメチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートであることを特徴とする請求項２に記載の新規なホスホネート化合物。
- 上記式（IVa）および式（IVb）中、Ｒ1がジ-p-アニシルメチル基であり、Ｒ2がイソプロピル基であり、Ｒ3がエチル基である光学活性ジエチル-α-ジ-p-アニシルメチルアミノイソブチルホスホネートであることを特徴とする請求項２に記載の新規なホスホネート化合物。
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