JP5514942B1 - 化合物、及びその製造方法、並びに光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法 - Google Patents

化合物、及びその製造方法、並びに光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】新規な光学活性α−アミノホスホン酸誘導体及びその効率的な製造方法の提供。
【解決手段】チオノホスホノイルケチミンと亜リン酸ジエステルとを銅−光学活性ホスフィン錯体である不斉配位子を含有する触媒を用いて反応させ一般式(1)化合物を得る。
〔R、R、Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれか(但し、RとRは異なる基)、Rは、置換基を有していてもよい芳香族基〕
【選択図】なし

Description

本発明は、薬剤候補物質の原材料として有用な光学活性α−アミノホスホン酸誘導体を効率的に合成する方法に関する。詳しくは、本発明は、新規化合物、及び前記新規化合物を効率的に合成する方法、並びに前記新規化合物を用い、前記光学活性α−アミノホスホン酸誘導体を合成する方法、及び新規光学活性α−アミノホスホン酸誘導体に関する。
光学活性α−アミノホスホン酸誘導体は、抗菌剤、抗HIV薬、酵素阻害剤などの薬剤の候補物質の合成に有用である(例えば、非特許文献1〜5参照)。
光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法としては、例えば、立体選択性を高めるために、キラル補助基を用いる方法が一般的に行われている(例えば、非特許文献6〜9参照)。
しかし、これらの技術では、高価なキラル補助基を大量(等モル以上)に用い、かつキラル補助基は使用後に回収できないため、経済的ではないという問題がある。
他の製造方法としては、例えば、キニーネなどのキナ皮アルカロイド(Cinchona Alkaloid)を触媒として用いて、特定のケチミンにジフェニルホスフェートを付加させて付加体を得て、その付加体から光学活性α−アミノホスホン酸誘導体を合成する方法が提案されている(例えば、非特許文献10参照)。
しかし、この技術では、ケチミンのC=N結合の炭素に結合する2つの置換基のうち、少なくとも1つが芳香族炭化水素基でないと立体選択性が低く、合成される光学活性α−アミノホスホン酸誘導体に制限があるという問題がある。
したがって、種々の光学活性α−アミノホスホン酸誘導体を、キラル化合物を大量に用いることなく合成可能な新規の製造方法の提供が求められているのが現状である。
Frank R. Atherton, et al., J. Med. Chem., 1986, 29, 29. J. G. ALLEN, et al., Nature, 1978, 272, 56 Whitney W Smith, et al., J. Am. Chem. Soc., 1998, 120, 4622 Jun Hiratake, et al.,Biosci., Biotechnol., Biochem. 1997, 61, 211 Ralph Hirschmann, et al., Science, 1994, 265, 234 Edyta Kuliszewska, et al., Chem. Eur. J., 2008, 14, 8603 Franklin A. Davis, et al., Org. Lett., 1999, 1, 1053 Franklin A. Davis, et al., Org. Lett., 2001, 3, 1757 Qianyi Chen, et al., Synthesis, 2007, 24, 3779 Shuichi Nakamura, et al., J. AM. CHEM. SOC., 2009, 131, 18240
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、種々の光学活性α−アミノホスホン酸誘導体を、キラル化合物を大量に用いることなく合成可能な新規の製造方法、及び前記製造方法により得られる新規化合物、並びに、前記新規化合物を用いた光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法、及び新規光学活性α−アミノホスホン酸誘導体を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> 下記一般式(1)で表される化合物を、下記一般式(2)で表される光学活性α−アミノホスホン酸誘導体へ変換する変換工程を含むことを特徴とする光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法である。
ただし、前記一般式(1)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
ただし、前記一般式(2)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
<2> 下記一般式(2)で表されることを特徴とする光学活性α−アミノホスホン酸誘導体である。
ただし、前記一般式(2)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、前記Rが、置換基を有していてもよい芳香族基の場合には、前記Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基である)。
<3> 下記一般式(1)で表されることを特徴とする化合物である。
ただし、前記一般式(1)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
<4> 前記<3>に記載の一般式(1)で表される化合物の製造方法であって、
下記一般式(3)で表される化合物と、下記一般式(4)で表される化合物とを反応させる反応工程を含むことを特徴とする化合物の製造方法である。
ただし、前記一般式(3)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
ただし、前記一般式(4)中、Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、種々の光学活性α−アミノホスホン酸誘導体を、キラル化合物を大量に用いることなく合成可能な新規の製造方法、及び前記製造方法により得られる新規化合物、並びに、前記新規化合物を用いた光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法、及び新規光学活性α−アミノホスホン酸誘導体を提供することができる。
本明細書、及び特許請求の範囲に記載された化学式及び一般式における立体配置は特に言及しない場合には、絶対配置を表す。
(一般式(1)で表される化合物)
本発明の化合物は、下記一般式(1)で表される。
ただし、前記一般式(1)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
<置換基を有していてもよい脂肪族基>
前記R、前記R、及び前記Rの前記置換基を有していてもよい脂肪族基における脂肪族基は、直鎖状、分岐鎖状、及び環状(脂肪族環式基)のいずれでもよい。
前記R、前記R、及び前記Rの前記置換基を有していてもよい脂肪族基における脂肪族基は、飽和脂肪族基、及び不飽和脂肪族基のいずれでもよい。
前記脂肪族基としては、脂肪族炭化水素基が好ましい。
前記置換基を有していてもよい脂肪族基の炭素数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、1〜20が好ましく、1〜10がより好ましい。なお、ここで、前記置換基を有していてもよい脂肪族基の炭素数は、これらが置換基を有する場合、該置換基の炭素数も含む合計の炭素数を意味する。
前記飽和脂肪族基における炭化水素基としては、例えば、アルキル基などが挙げられる。
前記飽和脂肪族基における鎖状又は分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10であることが特に好ましい。
前記飽和脂肪族基における環状のアルキル基は、単環構造及び多環構造のいずれでもよく、炭素数が3〜10であることが好ましい。
前記鎖状又は分岐鎖状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、1−メチルブチル基、n−ヘキシル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、2,2−ジメチルブチル基、2,3−ジメチルブチル基、n−ヘプチル基、2−メチルヘキシル基、3−メチルヘキシル基、2,2−ジメチルペンチル基、2,3−ジメチルペンチル基、2,4−ジメチルペンチル基、3,3−ジメチルペンチル基、3−エチルペンチル基、2,2,3−トリメチルブチル基、n−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基などが挙げられる。
前記環状のアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、トリシクロデシル基などが挙げられる。
前記不飽和脂肪族基としては、前記飽和脂肪族基における隣接する炭素原子間の単結合(C−C)の一つ以上が二重結合(C=C)又は三重結合(C≡C)に置換されたものが挙げられる。前記不飽和脂肪族基における二重結合(C=C)及び三重結合(C≡C)の総数は少ないほど好ましく、1〜3であることが好ましい。
前記不飽和脂肪族基は、不飽和炭化水素基であることが好ましい。前記不飽和炭化水素基としては、例えば、アルケニル基、アルキニル基などが挙げられる。より具体的には、飽和脂肪族基における直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基における炭素原子間の一つの単結合が、不飽和結合(炭素原子間の二重結合又は三重結合)に置換されたものが挙げられる。
前記不飽和脂肪族基におけるアルケニル基又はアルキニル基が、直鎖状又は分岐鎖状である場合には、その炭素数は2〜20であることが好ましく、2〜15であることがより好ましく、2〜10であることが特に好ましい。また、環状である場合には、その炭素数は5〜10であることが好ましい。
前記置換基を有していてもよい脂肪族基の置換基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、フェニルオキシ基、ベンジルオキシ基、置換基を有していてもよい芳香族基などが挙げられる。前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。前記アルコキシ基としては、例えば、炭素数1〜6のアルコキシ基などが挙げられる。前記置換基を有していてもよい芳香族基としては、例えば、フェニル基などが挙げられる。
<置換基を有していてもよい芳香族基>
前記R、前記R、前記R及び前記Rの前記置換基を有していてもよい芳香族基における芳香族基は、単環構造及び多環構造のいずれでもよい。なかでも、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基が好ましい。
前記置換基を有していてもよい芳香族基の炭素数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、6〜15が好ましい。
前記芳香族基としては、芳香族炭化水素基が好ましい。
なお、ここで、前記置換基を有していてもよい芳香族基の炭素数は、これらが置換基を有する場合、該置換基の炭素数も含む合計の炭素数を意味する。
前記置換基を有していてもよい芳香族基の置換基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ハロゲン原子、アルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキル基などが挙げられる。前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。前記アルコキシ基としては、例えば、炭素数1〜6のアルコキシ基などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えば、炭素数1〜6のアルキル基などが挙げられる。前記置換基を有していてもよいアルキル基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子などが挙げられる。前記置換基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基などが挙げられる。
前記芳香族基における前記置換基の数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記置換基の数としては、例えば、1つ〜4つなどが挙げられる。
前記芳香族基における前記置換基の位置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、オルト位、パラ位、及びメタ位のいずれでもよい。
複数の前記置換基が、前記芳香族基に結合する場合、それらの置換基は、同じ置換基であってもよいし、異なる置換基であってもよい。
前記Rと前記Rとの組合せとしては、例えば、以下の組合せなどが挙げられる。
(1)前記Rが、置換基を有していてもよい芳香族基で、前記Rが、置換基を有していてもよい脂肪族基である組合せ。この場合、前記Rは、炭素数1〜6のアルキル基であることが好ましい。
(2)前記Rが、置換基を有していてもよい芳香族基で、前記Rが、置換基を有していてもよい芳香族基である組合せ。
(3)前記Rが、置換基を有していてもよい脂肪族基で、前記Rが、置換基を有していてもよい芳香族基である組合せ。
(4)前記Rが、置換基を有していてもよい脂肪族基で、前記Rが、置換基を有していてもよい脂肪族基である組合せ。この場合、前記Rは、炭素数1〜6のアルキル基であることが好ましい。
これらの中でも、(1)、(4)の組合せが好ましい。
前記一般式(1)で表される化合物は、通常、鏡像異性体との混合物として得られる。その際の鏡像体過剰率(enantiomeric excess)としては、80%ee以上が好ましく、90%ee以上が好ましい。
前記一般式(1)で表される化合物の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、本発明の下記製造方法が好ましい。
(一般式(1)で表される化合物の製造方法)
本発明の化合物の製造方法は、下記一般式(1)で表される化合物の製造方法であって、反応工程を少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
ただし、前記一般式(1)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
前記一般式(1)における前記R、前記R、前記R、及び前記Rの詳細は、前述の本発明の前記一般式(1)で表される化合物の説明に記載したとおりである。
<反応工程>
前記反応工程は、下記一般式(3)で表される化合物と、下記一般式(4)で表される化合物とを反応させる工程である。
ただし、前記一般式(3)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
ただし、前記一般式(4)中、Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
前記一般式(3)及び前記一般式(4)における前記R、前記R、前記R、及び前記Rは、前記一般式(1)における前記R、前記R、前記R、及び前記Rとそれぞれ同じである。
−不斉配位子を含有する触媒−
前記反応工程は、不斉配位子を含有する触媒を用いて行われることが好ましい。
前記不斉配位子を含有する触媒としては、不斉配位子を含有する銅錯体が好ましい。
前記反応工程において、前記不斉配位子を含有する触媒を用いることにより、高価なキラル化合物を大量に用いることなく触媒量のキラル化合物で前記反応工程を行い、光学活性化合物を得ることができる。また、前記反応工程に、前記不斉配位子を含有する銅錯体を触媒として用いることにより、安価な銅を触媒源に用い、高いエナンチオ選択性で前記一般式(1)で表される化合物を製造することができる。また、前記反応工程終了後には、前記不斉配位子を回収することができる。
前記不斉配位子を含有する銅錯体における不斉配位子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、エナンチオ選択性が優れる点で、光学活性ホスフィン配位子が好ましい。即ち前記不斉配位子を含有する銅錯体としては、銅−光学活性ホスフィン錯体が好ましい。前記銅−光学活性ホスフィン錯体は、銅と光学活性ホスフィン配位子の錯体である。
前記光学活性ホスフィン配位子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シクロヘキシルアニシルメチルホスフィン(CAMP)、1,2−ビス(アニシルフェニルホスフィノ)エタン(DIPAMP)、1,2−ビス(アルキルメチルホスフィノ)エタン(BisP*)、2,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン(CHIRAPHOS)、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン(PROPHOS)、2,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)−5−ノルボルネン(NORPHOS)、2,3−O−イソプロピリデン−2,3−ジヒドロキシ−1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン(DIOP)、1−シクロヘキシル−1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン(CYCPHOS)、1−置換−3,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ピロリジン(DEGPHOS)、2,4−ビス−(ジフェニルホスフィノ)ペンタン(SKEWPHOS)、1,2−ビス(置換ホスホラノ)ベンゼン(DuPHOS)、1,2−ビス(置換ホスホラノ)エタン(BPE)、1−(置換ホスホラノ)−2−(ジフェニルホスフィノ)ベンゼン(UCAP−Ph)、1−(ビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィノ)−2−(置換ホスホラノ)ベンゼン(UCAP−DM)、1−(置換ホスホラノ)−2−(ビス(3,5−ジ(tert−ブチル)−4−メトキシフェニル)ホスフィノ)ベンゼン(UCAP−DTBM)、1−(置換ホスホラノ)−2−(ジ−ナフタレン−1−イル−ホスフィノ)ベンゼン(UCAP−(1−Nap))、1−[1’,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセニル]エチルアミン(BPPFA)、1−[1’,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセニル]エチルアルコール(BPPFOH)、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ジシクロペンタン(BICP)、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル(BINAP)、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−(5,5’,6,6’,7,7’,8,8’,−オクタヒドロビナフチル)(H−BINAP)、2,2’−ビス(ジ−p−トリルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル(TOL−BINAP)、2,2’−ビス(ジ(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィノ)−1,1’−ビナフチル(DM−BINAP)、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−6,6’−ジメチル−1,1’−ビフェニル(BICHEP)、((5,6),(5’,6’)−ビス(メチレンジオキシ)ビフェニル−2,2’−ジイル)(ビスジフェニルホスフィン)(SEGPHOS)、((5,6),(5’,6’)−ビス(メチレンジオキシ)ビフェニル−2,2’−ジイル)(ビス(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィン)(DM−SEGPHOS)、((5,6),(5’,6’)−ビス(メチレンジオキシ)ビフェニル−2,2’−ジイル)(ビス(3,5−ジ(tert−ブチル)−4−メトキシフェニル)ホスフィン)(DTBM−SEGPHOS)などが挙げられる。
これらの中でも、前記光学活性ホスフィン配位子は、エナンチオ選択性がより優れる点から、(R,R)−2,5置換−BPEが好ましく、(R,R)−Ph−BPEがより好ましい。
なお、(R,R)−Ph−BPEは、以下の構造式で表される化合物である。
ただし、「Ph」はフェニル基を表す。
前記反応工程における前記不斉配位子を含有する触媒の使用量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記一般式(3)で表される化合物に対して、0.1mol%〜5mol%が好ましく、0.3mol%〜3mol%がより好ましく、0.5mol%〜1mol%が特に好ましい。
前記反応工程においては、前記不斉配位子を含有する触媒とともに、塩基を使用することが好ましい。前記塩基は、有機塩基であってもよいし、無機塩基であってもよいが、安価、かつ取扱が容易な点で、無機塩基が好ましい。前記有機塩基としては、例えば、トリエチルアミンなどが挙げられる。前記無機塩基としては、例えば、炭酸カリウムなどが挙げられる。
前記塩基の使用量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記反応工程における前記一般式(3)で表される化合物と前記一般式(4)で表される化合物との割合としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記一般式(3)で表される化合物に対して、前記一般式(4)で表される化合物が1.0当量〜3.0当量であることが好ましい。
前記反応工程において使用される溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、THF(テトラヒドロフラン)、DMF(N,N−ジメチルホルムアミド)などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
前記反応工程は、溶媒コストの削減ができる点、及び反応容器の容量を減じることができる点で、無溶媒で行うことが好ましい。
前記反応工程は、穏和な条件で反応が進行するため、反応温度を制御せずに行うことができる。そのため、例えば、常温で行うことができる。前記常温としては、例えば、20℃〜30℃などが挙げられる。
前記反応工程における反応時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、24時間〜100時間が好ましく、48時間〜96時間が好ましい。
本発明の前記一般式(1)で表される化合物の製造方法は、前記一般式(3)で表される化合物と前記一般式(4)で表される化合物とを反応させて得られる生成物として、前記一般式(1)で表される化合物以外に、副生成物を生じないため、反応に用いた溶媒の再利用なども容易であり、グリーンケミストリーとしても非常に優れている。
(光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法)
本発明の光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法は、変換工程を少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
<変換工程>
前記変換工程は、下記一般式(1)で表される化合物を、下記一般式(2)で表される光学活性α−アミノホスホン酸誘導体へ変換する工程である。
ただし、前記一般式(1)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
前記一般式(1)における前記R、前記R、前記R、及び前記Rの詳細は、前述の本発明の前記一般式(1)で表される化合物の説明に記載したとおりである。
ただし、前記一般式(2)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
前記一般式(2)における前記R、前記R、及び前記Rは、前記一般式(1)における前記R、前記R、及び前記Rとそれぞれ同じである。
前記変換工程は、例えば、前記一般式(1)で表される化合物を酸性条件下で加熱することで、前記一般式(1)で表される化合物において、窒素原子に結合する−P(=S)(R基を水素原子に変換する工程などが挙げられる。
反応系を酸性条件にする試薬としては、例えば、過塩素酸、塩酸などが挙げられる。
前記変換工程は、溶媒の存在下で行うことができる。前記溶媒としては、例えば、アルコールなどが挙げられる。前記アルコールとしては、例えば、エタノール、イソプロピルアルコールなどが挙げられる。
前記変換工程における加熱温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、50℃〜90℃などが挙げられる。
前記変換工程における反応時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、1時間〜5時間などが挙げられる。
(光学活性α−アミノホスホン酸誘導体)
本発明の光学活性α−アミノホスホン酸誘導体は、下記一般式(2)で表される。
ただし、前記一般式(2)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、前記Rが、置換基を有していてもよい芳香族基の場合には、前記Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基である)。
前記一般式(2)における前記R、前記R、及び前記Rの詳細は、前述の本発明の前記一般式(1)で表される化合物の説明に記載したとおりである。
前記一般式(2)で表される光学活性α−アミノホスホン酸誘導体は、そのエナンチオ過剰率(光学純度)が、80%ee以上であることが好ましく、85%ee以上であることが好ましく、90%ee以上であることが更に好ましく、95%ee以上であることが特に好ましい。前記一般式(2)で表される光学活性α−アミノホスホン酸誘導体を、高いエナンチオ過剰率で得る方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、本発明の前記一般式(1)で表される化合物の製造方法と、本発明の前記一般式(2)で表される光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法とを組合せる方法が好ましい。
前記エナンチオ過剰率(光学純度)は、例えば、HPLC(高速液体クロマトグラフィー)により測定することができる。
以下に本発明の実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
なお、以下の実施例において、「Me」は「メチル基」を表す。「Et」は、「エチル基」を表す。「Ph」は「フェニル基」を表す。「Bn」は「ベンジル基」を表す。「THF」は「テトラヒドロフラン」を表す。
(合成例1)
<不斉配位子を含有する銅錯体(銅−光学活性ホスフィン錯体)の合成>
磁気撹拌子を入れて加熱乾燥した20mLの試験管に[Cu(CHCN)]PF(3.7mg,0.01mmol,シグマアルドリッチ社製)、及び(R,R)−Ph−BPE(5.1mg,0.01mmol,シグマアルドリッチ社製)をAr雰囲気下に封入し、乾燥THF(2.0mL)を入れて1時間室温にて撹拌した。EtN(70μL,0.50mmol)を加え、無色透明の触媒溶液(銅錯体 0.005M;EtN 0.25M)を得た。
(合成例2)
<チオフォスフィノイルケチミンの合成>
下記実施例1〜18で使用した各チオフォスフィノイルケチミン(前記一般式(3)で表される化合物)は、Xinyuan Xu, et al.,Heteroatom Chemistry, Volume 19, Number 3, 2008に従って合成した。
(実施例1)
磁気撹拌子を入れて加熱乾燥した20mLの試験管にチオフォスフィノイルケチミン(前記一般式(3)において、Rがフェニル基、Rがメチル基、Rがフェニル基;67.0mg,0.2mmol)を入れ、Ar雰囲気下にしたのち、合成例1で得た触媒溶液を0.2mL(銅錯体 0.001mmol,EtN 0.05mmol)室温にて加えた。亜リン酸ジエチル(51.6μL,0.4mmol)を加えて室温で72時間撹拌し、反応液を分取薄層クロマトグラフィーで精製(シリカゲルプレート、ヘキサン/酢酸エチル=1/1(体積比))し、下記構造式で表される生成物(entry1)を得た(85.2mg,90%yield,96%ee)。
光学純度は、HPLCにより決定した。HPLCの詳細は以下のとおりである。
カラム:CHIRALPAK IA (直径0.46cm×25cm)
溶媒:イソプロピルアルコール/ヘキサン=1/9(体積比)
流速:1.0mL/min
検出波長:254nm,
保持時間:8.9min(minor), 11.2min(major)
得られた生成物のH−NMRスペクトルを以下に示した。
<entry1>
H NMR (CDCl): δ8.19−8.14(m, 2H), 7.83−7.77(m, 2H), 7.56−7.40(m, 6H), 7.38−7.27(m, 5H), 4.13−4.03(m, 2H), 3.92(t, J=7.6Hz, 1H), 3.83−3.77(m, 1H), 3.53−3.47(m, 1H), 1.96(d, J=17.4Hz, 3H), 1.30(t, J=7.1Hz, 3H), 1.08(t, J=7.1Hz, 3H).
(実施例2〜18)
実施例1において、チオフォスフィノイルケチミンの種類、亜リン酸ジエステルの種類及び銅錯体の量を、下記表1に記載のチオフォスフィノイルケチミンの種類、亜リン酸ジエステルの種類及び銅錯体の量に変えた以外は、実施例1と同様にして、合成を行った。
得られた生成物については、実施例1と同様にして、収率(%)、エナンチオ過剰率(%ee)を求めた。結果を表1に示した。また、得られた生成物のH−NMR測定を行った。結果を以下に示した。
上記表1及び反応式において、「x」は、チオフォスフィノイルケチミン(前記一般式(3)で表される化合物)1molに対する銅錯体のmol%を表す。「y」は、チオフォスフィノイルケチミン(前記一般式(3)で表される化合物)1molに対する亜リン酸ジエステルの当量を表す。
実施例1〜18で得られた化合物の構造を下記に示した。下記構造式の下欄の数値は、化合物の収率(%)、及びエナンチオ過剰率(%ee)を示す。
<entry2>
H NMR (CDCl): δ8.19−8.13(m, 2H), 7.82−7.77(m, 2H), 7.69(dd, J=2.1, 8.2Hz, 2H), 7.58(d, J=8.7Hz, 2H), 7.50−7.42(m, 4H), 7.40−7.36(m, 2H), 4.12−4.04(m, 2H), 3.94−3.83(m, 2H), 3.69−3.59(m, 1H), 1.98(d, J=17.2Hz, 3H), 1.29(t, J=7.1Hz, 3H), 1.12(t, J=7.1Hz, 3H).
<entry3>
H NMR (CDCl): δ8.11(dd, J=8.0, 13.7Hz, 2H), 7.75(dd, J=8.0, 13.7Hz, 2H), 7.49−7.29(m, 8H), 6.96(t, J=8.4Hz, 2H), 4.06−4.00(m, 2H), 3.83−3.76(m, 2H), 3.56−3.49(m, 1H), 1.89(d, J=17.1Hz, 3H), 1.25(t, J=7.1Hz, 3H), 1.06(t, J=7.1Hz, 3H).
<entry4>
H NMR (CDCl): δ8.18−8.12(m, 2H), 7.82−7.76(m, 2H), 7.50−7.37(m, 8H), 7.29(d, J=8.7Hz, 2H), 4.12−4.04(m, 2H), 3.90−3.81(m, 2H), 3.63−3.57(m, 1H), 1.93(d, J=17.2Hz, 3H), 1.30(t, J=7.1Hz, 3H), 1.12(t, J=7.1Hz, 3H).
<entry5>
H NMR (CDCl): δ8.16(dd, J=8.0, 13.7Hz, 2H), 7.80(dd, J=8.0, 13.7Hz, 2H), 7.51−7.35(m, 10H), 4.12−4.04(m, 2H), 3.89−3.81(m, 2H), 3.64−3.58(m, 1H), 1.93(d, J=17.4Hz, 3H), 1.30(t, J=7.1Hz, 3H), 1.12(t, J=7.1Hz, 3H).
<entry6>
H NMR (CDCl): δ8.27−8.14(m, 2H), 7.84−7.79(m, 2H), 7.67(d, J=1.6Hz, 1H), 7.54−7.40(m, 8H), 7.27−7.22(m, 1H), 4.16−4.09(m, 2H), 3.92−3.86(m, 2H), 3.68−3.62(m, 1H), 1.97(d, J=17.2Hz, 3H), 1.34(t, J=7.1Hz, 3H), 1.16(t, J=7.1Hz, 3H).
<entry7>
H NMR (CDCl): δ8.19−8.12(m, 2H), 7.75−7.70(m, 2H), 7.46−7.23(m, 8H), 7.09−6.97(m, 2H), 4.23(q, J=12.2,1H), 4.14−4.02(m, 2H), 3.91−3.81(m, 1H), 3.69−3.62(m, 1H), 1.93(d, J=16.9Hz, 3H), 1.26(t, J=7.1Hz, 3H), 1.07(t, J=7.1Hz, 3H).
<entry8>
H NMR (CDCl): δ8.20−8.14(m, 2H), 7.83−7.78(m, 2H), 7.52−7.40(m, 6H), 7.38−7.35(m, 2H), 7.13(d, J=8.5Hz, 2H), 4.14−4.00(m, 2H), 3.89−3.76(m, 2H), 3.58−3.48(m, 1H), 2.32(d, J=1.8Hz, 3H), 1.94(d, J=17.4Hz, 3H), 1.30(t, J=7.2Hz, 3H), 1.10(t, J=7.1Hz, 3H).
<entry9>
H NMR (CDCl): δ8.18−8.12(m, 2H), 7.82−7.77(m, 2H), 7.48−7.42(m, 4H), 7.36−7.31(m, 4H), 7.22(t, J=7.8Hz, 1H), 7.08(d, J=7.3Hz, 1H), 4.11−4.02(m, 2H), 3.89−3.78(m, 2H), 3.54−3.50(m, 1H), 2.32(s, 3H), 1.95(d, J=17.4Hz, 3H), 1.30(t, J=7.1Hz, 3H), 1.09(t, J= 7.1Hz, 3H).
<entry10>
H NMR (CDCl): δ 8.18−8.13(m, 2H), 7.82−7.77(m, 2H), 7.46−7.34(m, 8H), 6.87−6.83(m, 2H), 4.11−4.01(m, 2H), 3.86−3.79(m, 2H), 3.78(s, 3H), 3.56−3.50(m, 1H), 1.93(d, J=17.4Hz, 3H), 1.30(t, J=7.1Hz, 3H), 1.10(t, J=7.1Hz, 3H).
<entry11>
H NMR (CDCl): δ8.18−8.13(m, 2H), 7.84−7.78(m, 2H), 7.47−7.34(m, 6H), 7.24(t, J=8.0Hz, 1H), 7.16−7.10(m, 2H), 6.83−6.80(m, 1H), 4.10−4.04(m, 2H), 3.87−3.81(m, 2H), 3.77(s, 3H), 3.60−3.54(m, 1H), 1.94(d, J=17.2Hz, 3H), 1.29(t, J=7.1Hz, 3H), 1.10(t, J=7.1Hz, 3H).
<entry12>
H NMR (CDCl): δ8.22−8.17(m, 2H), 7.91−7.86(m, 2H), 7.45−7.40(m, 6H), 4.16−4.04(m, 4H), 3.21(t, J=5.7Hz, 1H), 2.31−2.18(m, 1H), 1.96−1.61(m, 5H), 1.49(d, J=17.6Hz, 3H), 1.42−1.10(m, 11H).
<entry13>
H NMR (CDCl): δ8.23−8.18(m, 2H), 7.95−7.90(m, 2H), 7.47−7.39(m, 6H), 7.26−7.24(m, 4H), 7.15−7.12(m, 1H), 4.27−4.14(m, 4H), 3.12−3.10(m, 1H), 2.94−2.85(m, 2H), 2.69−2.53(m, 1H), 2.22−2.11(m, 1H), 1.53(d, J=17.2Hz, 3H), 1.39−1.32(m, 6H).
<entry14>
H NMR (CDCl): δ8.21−8.16(m, 2H), 7.95−7.89(m, 2H), 7.44−7.36(m, 6H), 4.21−4.07(m, 4H), 2.99(t, J=5.0Hz, 1H), 2.14−2.03(m, 2H), 1.93−1.86(m, 1H), 1.53(d, J=17.6Hz, 3H), 1.35−1.29(m, 6H), 0.98(d, J=6.4Hz, 3H), 0.93(d, J=6.4Hz, 3H).
<entry15>
H NMR (CDCl): δ8.21−8.15(m, 2H), 7.95−7.89(m, 2H), 7.45−7.38(m, 6H), 5.12−5.09(m, 1H), 4.20−4.11(m, 4H), 3.06(t, J=4.8Hz, 1H), 2.31−2.14(m, 3H), 1.95−1.84(m, 1H), 1.58(d, J=8.7Hz, 6H), 1.50(d, J=7.2Hz, 3H), 1.34(d, J=7.1Hz, 3H), 1.32(t, J=7.1Hz, 3H).
<entry16>
H NMR (CDCl): δ8.17−8.11(m, 2H), 7.83−7.78(m, 2H), 7.57−7.54(m, 2H), 7.49−7.40(m, 4H), 7.37−7.26(m, 5H), 3.90(t, J=7.6Hz, 1H), 3.74(d, J=10.3Hz, 3H), 3.36(d, J=10.3Hz, 3H), 1.96(d, J=17.6Hz, 3H).
<entry17>
H NMR (CDCl): δ8.02(dd, J=7.4, 13.8Hz, 2H), 7.76(dd, J=7.4, 13.8Hz, 2H), 7.57(dd, J=2.0, 7.6Hz, 2H), 7.43−7.22(m, 17H), 7.13−7.09(m, 2H), 5.01(dd, J=8.7, 11.7Hz, 1H), 4.91(dd, J=6.7, 11.7Hz, 1H), 4.70(dd, J=6.7, 11.7Hz, 1H), 4.36(dd, J=8.5, 11.7Hz, 1H), 3.93(t, J=7.3Hz, 1H), 1.98(d, J=17.6Hz, 3H).
<entry18>
H NMR (CDCl): δ8.14−8.09(m, 2H), 7.92−7.87(m, 2H), 7.70−7.68(m, 2H), 7.45−7.35(m, 6H), 7.28−7.21(m, 3H), 3.99−3.91(m, 2H), 3.88−3.83(m, 2H), 3.66(q, J=8.9Hz, 1H), 2.80−2.69(m, 1H), 2.50−2.40(m, 1H), 1.21−1.14(m, 6H), 0.92(t, J=7.3Hz, 3H).
(実施例19)
20mLの試験管に、実施例1で得られたentry1の化合物(47.3mg,0.1mmol)、エタノール(0.5mL)、及びHClO(60質量%水溶液、0.1mL)を入れ、80℃で2時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて酢酸エチルで抽出し、有機層を無水炭酸水素ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮して得られる残渣を分取薄層クロマトグラフィーで精製(ethyl acetate/MeOH/EtN=10/1/0.1(体積比))し下記構造式で表されるアミン体(粘性油状物、19.3mg,収率75%)を得た。
得られた生成物のH−NMR測定を行った。結果を以下に示した。
H NMR (CDCl): δ 7.60(dd, J=2.2, 7.8Hz, 2H); 7.33(t, J=7.6Hz, 2H); 7.27−7.22(m, 1H); 4.03−3.85(m, 3H); 3.81−3.72(m, 1H), 1.92(br, 2H); 1.70(d, J=15.8Hz,3H), 1.23(t, J=7.1Hz, 3H); 1.12(t, J=7.1Hz, 3H)
(実施例20)
20mLの試験管に、実施例4で得られたentry4の化合物(65mg,0.128mmol)、エタノール(1.0mL)、及びHClO(60質量%水溶液、0.2mL)を入れ、80℃で1晩撹拌した。反応液を室温まで冷却し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて酢酸エチルで抽出し、有機層を無水炭酸水素ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮して得られる残渣を分取薄層クロマトグラフィーで精製(CHCl→CHCl/MeOH=20/1(体積比))し下記構造式で表されるアミン体(油状物、30.2mg,収率81%)を得た。
得られた生成物のH−NMR測定を行った。結果を以下に示した。
H NMR (CDCl): δ7.56−7.53(m, 2 H), 7.30(d, J=7.8Hz, 2H), 4.10−3.98(m, 2H), 3.96−3.88(m, 1H), 3.85−3.75(m, 1H), 1.86(br, 2H), 1.66(d, J=15.8Hz, 3H), 1.25(td, J=7.1, 1.6Hz, 3H), 1.15(td, J=7.1, 1.4Hz, 3H)
(実施例21)
20mLの試験管に、実施例13で得られたentry13の化合物(42mg,0.084mmol)、エタノール(1.0mL)、及びHClO(60質量%水溶液、0.2mL)を入れ、80℃で1晩撹拌した。反応液を室温まで冷却し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて酢酸エチルで抽出し、有機層を無水炭酸水素ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮して得られる残渣を分取薄層クロマトグラフィーで精製(CHCl→CHCl/MeOH=20/1(体積比))し下記構造式で表されるアミン体(油状物、21.2mg,収率89%)を得た。
得られた生成物のH−NMR測定を行った。結果を以下に示した。
H NMR (CDCl): δ7.28−7.24(m, 2H), 7.19−7.14(m, 3H), 4.18−4.10(m, 4H), 2.86−2.78(m, 1H), 2.73−2.66(m, 1H), 1.93−1.85(m, 2H), 1.66(br, 2H), 1.35−1.30(m, 9H)
(実施例22)
<触媒の回収再利用>
磁気撹拌子を入れて加熱乾燥した50mLのナスフラスコに[Cu(CHCN)]PF(11.2mg,0.03mmol,シグマアルドリッチ社製)、及び(R,R)−Ph−BPE(15.2mg,0.03mmol,シグマアルドリッチ社製)をAr雰囲気下に封入し、乾燥THF(6.0mL)を入れて1時間室温にて撹拌した。チオフォスフィノイルケチミン(前記一般式(3)において、Rがフェニル基、Rがメチル基、Rがフェニル基;1.0g,3mmol)、及びEtN(104μL,0.75mmol)を加えて室温にて10分撹拌した後、亜リン酸ジエチル(774μL,6mmol)を加えてAr雰囲気下室温で72時間撹拌した。その後、反応液に中性シリカゲル(4mL)を加え、溶媒を減圧留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製(中性シリカゲル、ヘキサン/酢酸エチル=4/1〜1/1(体積比))し、下記構造式で表される生成物を得た(1.29g,91%yield,91%ee)。
光学純度は、HPLCにより決定した。HPLCの詳細は以下のとおりである。
カラム:CHIRALPAK IA (直径0.46cm×25cm)
溶媒:イソプロピルアルコール/ヘキサン=1/9(体積比)
流速:1.0mL/min
検出波長:254nm,
保持時間:8.9min(minor), 11.2min(major)
シリカゲルカラムの溶出溶媒をCHCl/CHCN=3/1(体積比)にしてCu/(R,R)−Ph−BPE(錯体)を溶出し、白色粉末として得た。得られた錯体を6mLのTHFに溶解し、そのうち600μLをチオフォスフィノイルケチミン(前記一般式(3)において、Rがフェニル基、Rがメチル基、Rがフェニル基;100mg,0.3mmol)が入った20mLの乾燥した試験管に加え、続いてEtN(10.4μL,0.075mmol)を加えて室温にて10分撹拌した。亜リン酸ジエチル(77.4μmL,0.6mmol)を加えてAr雰囲気下室温で72時間撹拌した後、反応液を分取薄層クロマトグラフィーで精製(シリカゲルプレート、ヘキサン/酢酸エチル=1/1(体積比))し、下記構造式で表される生成物を得た(126mg,89%yield,95%ee)。光学純度は前述のHPLCと同じ条件により決定した。
以上より、触媒を回収再利用可能なことが確認できた。
(実施例23)
<無溶媒での反応>
磁気撹拌子を入れて加熱乾燥した20mLの試験管にチオフォスフィノイルケチミン(前記一般式(3)において、Rがフェニル基、Rがメチル基、Rがフェニル基;89.3mg,0.25mmol)、[Cu(CHCN)]PF(0.9mg,0.0025mmol,シグマアルドリッチ社製)、(R,R)−Ph−BPE(1.3mg,0.0025mmol,シグマアルドリッチ社製)、亜リン酸ジエチル(51.6μL,0.4mmol)を加えてAr雰囲気下にて30分撹拌したのち、EtN(8.7μL,0.0625mmol)を加えた。室温で5日間撹拌し、反応液を分取薄層クロマトグラフィーで精製(シリカゲルプレート、ヘキサン/酢酸エチル=1/1(体積比))し、下記構造式で表される生成物を得た(106.5mg,90%yield,93%ee)。
(実施例24)
<無機塩基を用いた反応>
磁気撹拌子を入れて加熱乾燥した20mLの試験管にチオフォスフィノイルケチミン(前記一般式(3)において、Rがフェニル基、Rがメチル基、Rがフェニル基;33.5mg,0.1mmol)、[Cu(CHCN)]PF(1.8mg,0.005mmol,シグマアルドリッチ社製)、(R,R)−Ph−BPE(2.6mg,0.005mmol,シグマアルドリッチ社製)、及びTHF(0.2mL)を入れた。炭酸カリウム(6.9mg,0.05mmol)、及び亜リン酸ジエチル(25.8μL,0.2mmol)を加えて室温で12日間撹拌し、反応液を分取薄層クロマトグラフィーで精製(シリカゲルプレート、ヘキサン/酢酸エチル=1/1(体積比))し、下記構造式で表される生成物を得た(46.9mg,99%yield,96%ee)。
本発明の態様は、例えば、以下のとおりである。
<1> 下記一般式(1)で表される化合物を、下記一般式(2)で表される光学活性α−アミノホスホン酸誘導体へ変換する変換工程を含むことを特徴とする光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法である。
ただし、前記一般式(1)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
ただし、前記一般式(2)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
<2> 下記一般式(2)で表されることを特徴とする光学活性α−アミノホスホン酸誘導体である。
ただし、前記一般式(2)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、前記Rが、置換基を有していてもよい芳香族基の場合には、前記Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基である)。
<3> 下記一般式(1)で表されることを特徴とする化合物である。
ただし、前記一般式(1)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
<4> 前記<3>に記載の一般式(1)で表される化合物の製造方法であって、
下記一般式(3)で表される化合物と、下記一般式(4)で表される化合物とを反応させる反応工程を含むことを特徴とする化合物の製造方法である。
ただし、前記一般式(3)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
ただし、前記一般式(4)中、Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
<5> 反応工程が、不斉配位子を含有する触媒を用いて行われる前記<4>に記載の化合物の製造方法である。
<6> 不斉配位子を含有する触媒が、銅−光学活性ホスフィン錯体である前記<5>に記載の化合物の製造方法である。
本発明の新規化合物の製造方法は、種々の光学活性α−アミノホスホン酸誘導体を、キラル化合物を大量に用いることなく合成可能であることから、光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造に好適に用いることができる。
本発明の前記一般式(1)で表される新規化合物は、光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の合成に好適に用いることができる。

Claims (5)

  1. 下記一般式(2)で表される光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法であって、
    下記一般式(1)で表される化合物の窒素原子に結合する−P(=S)(R 基を水素原子に変換することで、前記一般式(1)で表される化合物を、前記一般式(2)で表される光学活性α−アミノホスホン酸誘導体へ変換する変換工程を含むことを特徴とする光学活性α−アミノホスホン酸誘導体の製造方法。
    ただし、前記一般式(1)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
    ただし、前記一般式(2)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
  2. 下記一般式(2)で表されることを特徴とする光学活性α−アミノホスホン酸誘導体。
    ただし、前記一般式(2)中、R は、p−クロロフェニル基、及びフェニルエチル基のいずれかを表す。は、メチル基を表すは、エチル基を表す。
  3. 下記一般式(1)で表されることを特徴とする化合物。
    ただし、前記一般式(1)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
  4. 請求項3に記載の一般式(1)で表される化合物の製造方法であって、
    下記一般式(3)で表される化合物と、下記一般式(4)で表される化合物とを反応させる反応工程を含み、
    前記反応工程が、不斉配位子を含有する触媒を用いて行われることを特徴とする化合物の製造方法。
    ただし、前記一般式(3)中、R及びRは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す(ただし、R及びRは、異なる基である)。Rは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
    ただし、前記一般式(4)中、Rは、置換基を有していてもよい脂肪族基、及び置換基を有していてもよい芳香族基のいずれかを表す。
  5. 不斉配位子を含有する触媒が、銅−光学活性ホスフィン錯体である請求項4に記載の化合物の製造方法。
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