JP4571866B2 - 小さな基板面の電気構成素子 - Google Patents

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Description

本発明は、基板がフリップチップ構成で電気的且つ機械的に、ソルダーバンプによって形成された各バンプ結合部を介して坦体と結合されている電気構成素子のチップレイアウトに関する。
本発明は、電気構成素子の基板の表面上に、殊に感応性構成素子構造体を有していて、フリップチップ構成で有利に加工される電気構成素子全てに関している。これは、殊に、音響波で作動する構成素子、例えば、SAW(弾性表面音響波)構成素子、BAW(バルク音響波)構成素子又はFBAR(薄膜バルク音響波共振器)、並びに、MEMS(マイクロエレクトロメカニズムシステム)及びMOEMS(マイクロオプトエレクトロメカニカルシステム)である。
SAW構成素子は、典型的には、1つ又は複数の圧電基板と、1つ又は複数の圧電基板の収容用のケーシング乃至坦体を有している。
圧電基板は、構成素子構造体として、薄膜金属層内にフォト技術により構造化されているインターディジタルコンバータ(トランスジューサ)とレフレクタを有している。インターディジタルコンバータは、電極及びバスバー領域から形成されており、レフレクタは、平行なレフレクタフィンガ及び場合によっては当該レフレクタフィンガを電気接続するバスバー領域から形成されている。
幾つかのバスバー領域は、ボンディングパッドと呼ばれる電気コンタクト個所の方に拡張され、この電気コンタクト個所には、インターディジタルコンバータ及びレフレクタの種々異なる電位が、ソルダー結合部を介して適切な坦体上に送られ、坦体を、ケーシング又はケーシングの一部分にしてもよい。
SAW構成部品のグループは、DMS(ダブルモードレゾネータフィルタ)として、又は、CRF(結合共振器フィルタ)とも呼ばれるSAWフィルタである。これらの各フィルタは、所望の伝達関数を達成するために、音響的及び電気的に結合された複数の共振領域を利用する。
典型的なDMSフィルタは、2つの音響トラックを有しており、これらの音響トラックは、各々2つのバスバーを有するまん中のインターディジタルコンバータと、ボンディングパッドから構成されており、各々の側に各々1つの別のインターディジタルコンバータと、2つのレフレクタとによって、このインターディジタルフィルタの両端で囲まれている。まん中のインターディジタルコンバータのボンディングパッドは、例えば、一方の側で、隣接レフレクタのアースボンディングパッドと結合されており、他方の側で、バスバーは、第2のコイルからなる相応のインターディジタルコンバータのバスバーと電気的に接続されている。結合のために利用される結合パッドは、まん中のインターディジタルコンバータの電位に対して電気的に「浮遊(フロート)」している。
SAW構成素子の別のグループでは、所謂ハシゴ型フィルタがある。ハシゴ型フィルタは、少なくとも1つのハシゴ基本部材から形成されており、つまり、直列に接続された第1の共振器(直列共振器)と、アースに対して並列に接続された第2の共振器(並列共振器)とから合成されている。個別共振器は、典型的には、2つのバスバーとボンディングパッドと両端に各々1つのレフレクタ構造を有するインターディジタルコンバータ構造を有している。たいてい、そのような複数の基本部材は、相互に直列に電気的に接続されており、その際、同じタイプの複数の共振器を、1つの音響トラックをなすようにまとめてもよい。2つの直列共振器を電気的に接続するために、第1の直列共振器の出力側バスバーは、第2の直列共振器の入力側バスバーと1つの線路を用いて結合されている。この結合線路から並列共振器の入力バスバーへの分岐は、それらの間にある並列共振器の電気接続部を形成する。
SAW構成素子の第3のグループは、付加的な共振器付のDMSフィルタ、つまり、DMSフィルタとハシゴ型フィルタとの混合である。たいてい、音響DMSコイルは、1つ又は複数の共振器構造体(直列及び/又は並列共振器)と組み合わされている。例えば、DMSコイルを2つの直列共振器と組み合わせると、第1の直列共振器は、まん中のトランスジューサの第1のバスバーと電気的に接続されている。第2のバスバーは、例えば、ボンディングパッドに拡張されている。外側のインターディジタルコンバータは、一方の側で、隣接レフレクタのアースボンディングパッドと接続され、他方の側で、両バスバーが一緒に案内されて、第2の直列共振器に電気的に接続されている。つまり、共振器、DMSコイル及び共振器からなる直列回路が形成されている。共振器には、更に各々ボンディングパッドが取り付けられている。
BAW共振器は、少なくとも1つの圧電層を有しており、この圧電層は、少なくとも2つの電極間に設けられており、各電極に印加される電気信号の電気音響変換のために使われる。その際、ミラー(=レフレクタ)として、両側の空気(ブリッジタイプ)か、又は、片側での各層の列(ソリッドリィ−マウンテッド−レゾネータ)又は両側での各層の列が、各々共通の坦体(例えば、シリコン)上に用いられる。
多数の技術用途で必要な、各電気構成素子を小さくするために、SAW構成素子乃至BAW構成素子でも、最近、所謂フリップチップテクノロジが、チップを坦体に端子接続するのに使用されている。その際、特に、ボンディングパッド上に設けられているソルダーボール、所謂バンプを介して、チップがケーシング乃至坦体に電気接続されている。坦体上には、チップ上のボンディングパッドと対向している坦体ボンディングパッドが設けられている。その際、チップは、さかさまにしてケーシング乃至坦体上に取り付けられており、その結果、構造化面は、ケーシング乃至坦体の方向に下向きにされている。
ケーシング乃至坦体と、音響構造体用に使用される、ソルダリングの能力のないAl乃至Al合金製の第1の金属層との間のソルダリング結合部を形成するために、以下ソルダリングメタライゼーションと呼ぶソルダリング能力のある第2の金属層が堆積されている。この第2のソルダリング能力のある金属層は、アンダーバンプメタライゼーション(UBM)と呼ばれる。本来の円形ボンディングパッド(これにより、バンプが最終的にソルダリングされる)は、そこでのみソルダリングが提供されるので、ソルダリングメタライゼーションによって定められる。バンプのソルダリングは、ソルダリングが溶融される所謂リフロープロセスで行われる。
バンプ結部合全ての十分な機械的な安定度は、構成部品の機能が電気的に劣悪なバンプ結合によって妨げられないので、非常に重要である。バンプの容積及びソルダリングメタライゼーションの大きさは、構成部品全体が顧客によって要望される最大の、熱的及び機械的な負荷に対して耐性があるように選定される。つまり、バンプ毎のソルダリングメタライゼーションの面積は、所定の品質要求下にあり、任意に小さくすることはできない。製造プロセスの周辺条件として、例えば、チップエッジと構成素子構造体との間の最小間隔、又は、ソルダリングメタライゼーションと音響活性構成素子構造体との間の安全間隔といった別の要求が課せられる。
図1には、公知のSAWフィルタが示されている。その際、音響トラックの大きさは、特にSAW構成素子の周波数及びインピーダンス状態によって決められる。図から明らかなように、音響トラックの他に、バスバー、ボンディングパッド及び空きチップ領域も、全チップの大きさに寄与する。チップの大きさは、ケーシングの大きさも決める。
電気装置を更に小さくするために、出来る限り小さなケーシングが必要である。その際、前提となるのは、構成素子の電気特性に課せられる所定の要求が更に充足されるということである。つまり、目的は、最適化されたチップレイアウトによって、チップの大きさを小さくし、それによって、フィルタパフォーマンスを同じまま、乃至、改善して、ケーシング乃至完成した構成部品を更に小さくすることにある。
この課題は、本発明によると、請求項1記載の構成素子によって解決される。本発明の有利な実施例は、従属請求項から得られる。
チップ上及び坦体乃至ケーシング上での公知のソルダリングメタライゼーションは、これまで円形に成形されている。ソルダリングメタライゼーションの2つの円形面を有するソルダリングバンプの溶融によって、例えば、部分的な2つの極を持った球のような、樽状の結合部が形成される。つまり、チップ上で、x及びy方向で、バンプ結合用に同じ所要スペースが必要である。
本発明は、第1の軸に沿った拡がりが、殊に、それに対して横方向に延びている第2の軸に沿った拡がりよりも著しく小さい、ソルダリングメタライゼーションを介して定義されるバンプ結合部が提案される。本発明の構成素子は、第1の軸に沿った拡がりよりも30%以上、例えば、30〜80%多い、第2の軸に沿った拡がりを有している。その際、ソルダリングメタライゼーションの形状乃至横断面は、相互に丁度平行部分を有している楕円形乃至扁平又は長く延ばされた円を有している。
ソルダリングメタライゼーションの、種々異なった軸に関して種々異なった拡がりで、基板表面上に構造をコンパクトに構成することができ、その結果、基板表面を僅かしか必要とせず、従って、比較的小さな基板が可能となる。
ソルダリングバンプは、そのために設けられたソルダリング能力のあるソルダリングメタライゼーション上にのみソルダリングされるので、ソルダリングバンプは、リフロープロセスで、ソルダリングメタライゼーションの形式にされる。基板上の、たいてい比較的大きな基底面とは無関係に、ソルダリングメタライゼーションの大きさ及び形だけが、バンプの形に責任がある。ソルダリングメタライゼーションは、通常の、例えば、アルミニウム製のメタライゼーション上に付加的に堆積することができ、例えば、本来のソルダリング能力のある表面として薄い金層を有する多層薄膜メタライゼーションとして堆積されている。よく適しているのは、例えば、Ti,Pt及びAu又はTi,Ni及びAuの層シーケンスである。
丸くないソルダリングメタライゼーションの形状は、機械的な安定度の要求を更に充足するために、面積がこれまでの円形ソルダリングメタライゼーションと同じであるように選定される。楕円形の長さと幅の比に応じて、円とは異なり、楕円の狭幅側の方向での拡がりを小さくすることができる。極めて有利な場合には、チップ全体乃至基板は、正確に、円の直径と、x又はy方向での楕円の狭幅側との差だけ小さくすることができる。所定の用途では、ソルダリングメタライゼーション用に、楕円とは異なる、又は、不規則な形状を選択して、基板上のスペース提供を一層良好に相応するようにしてもよい。チップ面を小さくするために、ソルダリングメタライゼーションの全て、又は、いくつかだけ、本発明によると、丸く構成しないようにすると有利である。
本発明の有利な実施例では、丸くなくて、殊に楕円に構成されたソルダリングメタライゼーションが、その長手方向軸のものが全て同じ方向に配向されていない。その際、種々異なったソルダリングメタライゼーションで、種々異なった基板軸に沿った比較的大きな拡がりが得られる。その際、ソルダリングメタライゼーションの長手側及び狭幅側の配向は、利用される空き基板表面の形に依存して行われる。
有利には、ソルダーメタライゼーションは、基板エッジと構成素子構造体との間に設けられており、その際、ソルダリングメタライゼーションの比較的長い拡がりは、有利に、各々の基板エッジに対して平行に配向されている。
丸くないソルダーメタライゼーションは、種々異なった各構成素子構造体間に設けられており、構成素子構造体の隣接エッジに対して平行な第2の比較的長い軸で整列されているようにすることもできる。
特に有利な用途では、本発明は、冒頭に記載した種々異なるタイプのSAWフィルタに用いられる。その際、別の利点が、少なくとも部分的に、付加的に得られた三角形状の空き面内に不可欠なソルダリングメタライゼーションを設けるために、レフレクタ構造を斜めにすることによって達成される。
レフレクタに対応付けられたインターディジタルコンバータから最も遠く離れた領域内で、レフレクタを斜めにすることによって、SAWフィルタの電気特性が劣化しないようにすることができる。コンパクトなチップレイアウトにすることができ、それにより、チップ面を更に小さくすることができるようになる。
対応付けられたインターディジタルコンバータの近傍に設けられた第1のグループのレフレクタフィンガは変化しない(同じ長さ)ままであり、第2のグループのレフレクタフィンガは、片側又は両側で、その長さが短くされており、その際、レフレクタフィンガの長さは、対応付けられたインターディジタルコンバータとの距離が大きくなるに連れて小さくなるようにレフレクタ構造が斜めにされている。
有利には、長さが変えられない第1のグループのレフレクタフィンガは、20〜50のレフレクタフィンガを有している。
両方の要件「楕円乃至丸くないソルダリングメタライゼーション」と「斜めにされたレフレクタ構造」とを組み合わせると、多数の用途で、チップ面積を更に小さくすることができる。
特に有利には、本発明は、音響波で作動する高周波構成素子に使用され、ここでは、相対的に小さな波長のために、音響構成素子構造体は比較的小さい。しかし、構成素子に課せられる変化なしの機械的な要求では、構成素子のバンプ結合の大きさはあまり該当せず、その結果、高周波構成素子では、バンプ結合によって要求される基板表面は、低周波で作動する構成素子に較べて比較的大きい。従って、高周波構成素子では、本発明では、基板の大きさを比較的高く低減することができる。
有利には、基板が矩形又は一般的に四角形の表面であるようにしてもよく、この表面上に、構成素子構造体が、基板の対角線に対して平行に配向されている。その際、コーナーに、ソルダリングメタライゼーションを設けるとよい。前述のコーナーに最も近い構成素子構造体を、斜めエッジが基板のコーナー角に近い斜めレフレクタにすると、この装置構成は特に有利である。理想的な場合、斜めエッジは、少なくとも1つの基板エッジに対して平行又はほぼ平行に配向されている。そのようにして、構成素子構造体を、更にコーナーにずらすことができ、更に基板表面を節約することができる。
有利には、圧電基板が使用され、殊に、LiTaO又はLiNbO製の圧電基板が使用される。BAW構成素子用には、基板として、Siを用いてもよい。
たいていの結晶圧電基板は、種々異なった結晶面に沿ってたいてい種々異なった熱膨張係数を有しているので、坦体用に基板用と同じ材料を使用しない限り(しかし、コスト上の理由からたいてい使用されない)、基板と坦体との非常に良好な熱適合は、実際上不可能である。本発明によると、坦体を、基板の所定軸に沿って膨張係数に適合することができる。本発明のバンプ結合を使用すると、ソルダリングメタライゼーションが長く延在し、例えば、楕円状に構成され、基板上に順次連続して一直線基板軸に対して平行に設け、膨張係数に坦体材料が熱的に適合されているようにすると、熱電圧を最小にすることができる。更に有利には、適合されていない軸の方向に配向されている幾つかのソルダリングメタライゼーションが、構成素子のまん中、つまり、熱膨張に関して中性の線上に設けられている。両手段を用いて、バンプ結合の熱的に小さな機械的負荷を達成し、熱負荷下でバンプ結合の機械的な安定性を損なずに、バンプの大きさを小さくすることができる。比較的小さなバンプは、比較的小さなソルダリングメタライゼーションによって構成することができ、付加的な基板面を得ることができ、乃至、基板を小さくすることができる。しかし、前述の観点下で、バンプ結合の熱−機械的な負荷に関して、所与のレイアウト、乃至、基板表面上のソルダリングメタライゼーションの装置構成に適合されている坦体材料を選択することは、逆でも可能である。
以下、本発明について図1〜24に図示の実施例を用いて詳細に説明する。図は、略図に過ぎず、尺度通りに示していない。殊に、分かり易くするためにインターディジタルコンバータ及びレフレクタフィンガの個数が減らしてある。
図1は、丸いソルダリングメタライゼーションを有する公知の2トラックDMSを示す図、
図2は、楕円のソルダリングメタライゼーションを有する本発明の2トラックDMSを示す図、
図3は、付加的に斜めにされたレフレクタを有する2トラックDMSを示す図、
図4は、各トラック間にソルダリングメタライゼーションが設けられているフィルタを示す図、
図5は、付加的なレフレクタが斜めにされた図4のフィルタを示す図、
図6は、ソルダリングメタライゼーション全てが相互に平行列に設けられているフィルタを示す図、
図7は、図6の実施例に対してソルダリングメタライゼーションの個数が減らされているフィルタを示す図、
図8は、付加的なレフレクタが斜めにされた図7のフィルタを示す図、
図9は、音響トラックが基板の対角線に対して平行に設けられたフィルタを示す図、
図10は、付加的なレフレクタが斜めにされた図9と同様のフィルタを示す図、
図11は、DMSトラックの入力側及び出力側が、レゾネータと共に直列に接続されているフィルタを示す図、
図12は、付加的なレフレクタが斜めにされた図11と同様のフィルタを示す図、
図13は、DMSトラックの入力側及び出力側がレゾネータと直列に接続されている別のフィルタを示す図、
図14は、付加的なレフレクタが斜めにされた図13と同様のフィルタを示す図、
図15は、2つの直列共振器を有するDMSフィルタを示す図、
図16は、2つの直列共振器とインピーダンス変換部を有するDMSトラック付のDMSフィルタを示す図、
図17は、2つの直列共振器付の対角線方向に配向されたDMSフィルタを示す図、
図18は、付加的なレフレクタが斜めにされた図17と同様のフィルタを示す図、
図19は、直列共振器付のDMSフィルタを示す図、
図20は、付加的なレフレクタが斜めにされた図19と同様のフィルタを示す図、
図21は、対角線方向に配向された図19と同様のフィルタを示す図、
図22は、付加的なレフレクタが斜めにされた図21と同様のフィルタを示す図、
図23は、外側に設けられた丸くないソルダリングメタライゼーションを有するハシゴ型フィルタを示す図、
図24は、坦体を有する本発明の構成素子の横断略図
である。
図2〜23には、本発明の実施例の構成素子構造体の装置構成が、基板の表面上の平面略図で示されている。
図1には、インピーダンス変換なしの対称/対称作動のための公知のDMSフィルタの同じ平面図が示されている。圧電基板S上には、2つの音響トラックAS1,AS2が設けられており、音響トラックは、まん中のインターディジタルコンバータ、2つの外側のインターディジタルコンバータ、及び、端の、各々1つのレフレクタから構成されている。各々外側を向いた、まん中の両インターディジタルコンバータのバスバーは、分割されていて、各々1つの、ここでは丸い、ソルダリングメタライゼーションと接続されている。内側に配向された、まん中のインターディジタルコンバータの極性のインターディジタルフィンガは、各々1つのバスバーに掛けられている。このバスバーは、電気的に「浮遊」状態であり、従って、ボンディングパッドの大きさに拡張されていない。外側のインターディジタルコンバータは、一方の側が、隣接レフレクタのアースボンディングパッドと接続されており、他方の側には、バスバーが第2のトラックからの相応のインターディジタルコンバータのバスバーと接続されている。この結合パッドは、同様に、電気的に「浮遊」している。入力用のソルダリングメタライゼーションは、E1及びE2で示されており、出力用のソルダリングメタライゼーションは、A1及びA2で示されている。
図には、単に、構成素子構造体のソルダリング可能な面だけが、ソルダリングメタライゼーションとして示されている。ソルダリングメタライゼーションは、ボンディングパッド上に構造化されて堆積することによって、又は、比較的大きな面積のメタライゼーションを構造化して被覆することによって得ることができ、例えば、ソルダリングストップレジストで被覆することによって得られる。こうすることによって、構成素子構造体用にソルダリング可能なメタライゼーションを用いることができるようになる。ソルダリングメタライゼーションの下側に位置しているボンディングパッドは、ソルダリングメタライゼーションを用いて部分的に面によって閉じられているが、付加的に、構成素子構造体の方に延長し、ここで相応のバスバーと接続してもよい。スペースが許す限り、ボンディングパッドを、ソルダリングメタライゼーションよりも著しく大きくしてもよい。ソルダリングメタライゼーション全ては、基板の対向する2つのエッジに、2つの平行列に設けられている。アース端子用のソルダリングメタライゼーションM1及びM2は、各々入力及び出力E1及びA1、乃至、E2及びA2間に設けられている。アース端子用のボンディングパッドは全て、導電性の薄いフレームと接続されて、熱電気的に形成される荷電坦体を損なわずにアースに導出することができるようになる。基板は、音響トラックに平行に拡がりx1を有しており、コイルに対して垂直方向に拡がりy1を有している。
図2には、SAWフィルタとして構成された構成素子の本発明の第1の実施例が示されている。DMSフィルタは、図1に示されたフィルタと同様に構成されているが、それとは異なってソルダリングメタライゼーションを有している。x方向でのチップの拡がりは、音響トラックの長さとボンディングパッドの幅によって決められる。x方向でのチップ拡がりを小さくするために、ソルダリングメタライゼーションLAは全て楕円状に構成され、x方向には、y方向よりも小さな拡がりがあるように設けられている。ソルダリングメタライゼーションの基底面は、公知のフィルタに較べて変えられないままであり、例えば、図1に示されたフィルタに相応している。例えば、125μm直径の元の丸いソルダリングメタライゼーションから、90μmx155μmの丸くない楕円面が形成される。公知のフィルタとは異なり、x方向に、2(125μm−90μm)=70μmのレイアウトのx2の拡がりが小さくなる。y方向には、レイアウトの拡がりは変わらないままである。x2<x1及びy2=y1となる。
総体的に、y軸に関するレイアウトは対称的であって、対称/対称作動中の電気特性は損なわれないままである。ソルダリングメタライゼーションLAを有する一方のアースボンディングパッドから他方のボンディングパッドへの図示のフレーム状の結合線路Rは、他方の保護手段を用いる場合なくしてもよく、その際、チップ面は付加的に小さくなる。これは、別の全ての実施例にも該当する。
図3には、インピーダンス変換なしに対称/対称作動するためにDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトを有する本発明の第2の実施例が示されている。第1の実施例の装置構成に対して付加的に、両音響トラックのレフレクタも斜めにされている。第1の実施例の場合と同じように、音響トラックと、ボンディングパッドとの所定の同じ安全間隔を維持するにも拘わらず、x方向でのチップ寸法x3が更に小さくされる。と言うのは、ボンディングパッドと、それ故ソルダリングメタライゼーションも、空き状態となる三角形状の斜めRAの領域内にはいるようにシフトすることができるからである。ここでは、レフレクタ全ての外側端が対称的に先が鋭くされているように、斜めにされている。
図4には、本発明の第3の実施例が示されている。この実施例は、インピーダンス変換を行う非対称/対称作動用の変更されたチップレイアウトを有する。DSMフィルタは、まん中のインターディジタルコンバータ、外側の両インターディジタルコンバータと、端に各々1つのレフレクタとから構成されている2つの音響トラックからなる。第1のトラックAS1のまん中のインターディジタルコンバータは、外側のバスバーで分割されており、種々異なる2つのバスバーに接続されている。つまり、対称作動が生じる。まん中のインターディジタルコンバータの、内側を向いた極性のインターディジタルフィンガは、唯一のバスバーに掛けられている。このバスバーは、電気的に「浮遊」状態であり、従って、ボンディングパッドの大きさに拡張されない。
外側のインターディジタルコンバータは、一方で、隣接レフレクタのアースボンディングパッドと接続されており、他方で、バスバーは、第2のトラックAS2からの相応のインターディジタルコンバータのバスバーと電気的に接続されている。結合パッドは、同様に電気的に「浮遊」状態である。
第2の音響トラックAS2のまん中のインターディジタルコンバータでは、電気絶縁電位(入力)は、まん中で拡張されたボンディングパッド上に印加され、丸くないソルダリングメタライゼーションLAと接続されている。他方の極性の所属のインターディジタルフィンガのバスバーは、外側のインターディジタルコンバータのバスバーと、隣接レフレクタと結合されて1つのバスバーをなしており、左側及び右側からアースボンディングパッド及び相応のソルダリングメタライゼーションLA1〜LA4の方に案内されている。
y方向に出来る限り僅かなチップ拡がりを得るために、各音響トラック間に位置しているソルダリングメタライゼーションと、それに所属のボンディングパッドとは、y方向に扁平にされ、音響トラックは、ボンディングパッドの近傍にシフトされる。残りのボンディングパッドは全て、トラックの側方に設けられている。ソルダリングメタライゼーションLA2及びLA4乃至第2の音響トラックAS2のアースボンディングパッドは、図4に示されているように、固有のボンディングパッドとして構成することができ、又は、第1のトラックと接続されている。
従って、x方向でのチップ拡がりx4は、音響トラックの長さ、及び、ボンディングパッド乃至ソルダリングメタライゼーションの、本発明によって低減された幅によって決められる。そのために、楕円形のボンディングパッドは、x方向に比較的僅かな拡がりがあるように設けられている。
総体的に、非対称/対称作動での電気特性を損なわないために、レイアウトは、y軸に関して対称的である。従来技術の円形ボンディングパッドの比較可能な実施例とは異なり、x及びy方向で、チップの大きさは小さくなる。
図5には、本発明の第4の実施例が示されている。この実施例は、インピーダンス変換しての非対称/対称作動のために、DMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトを有している。第3の実施例(図4)の装置構成に対して付加的に、図3の場合と同様に、両音響トラックのレフレクタも斜めにされている。第3の実施例の場合と同様に、音響トラックとボンディングパッドとの間の所定の同じ安全間隔を維持するにも拘わらず、x方向でのチップの大きさx5を更に小さくすることができる。ボンディングパッドと、それ故にソルダリングメタライゼーションも、そのために、空き状態となる三角形状の斜めの領域内にはいるようにシフトするとよい。
図6には、第5の本発明の実施例として、インピーダンス変換しない非対称/非対称作動、又は、非対称/対称作動のためのDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。DMSフィルタは、2つの音響トラックAS1,AS2から構成されており、この音響トラックは、まん中のインターディジタルコンバータ、両外側のインターディジタルコンバータ及び端の、各々1つのレフレクタとから構成されている。まん中のインターディジタルコンバータのボンディングパッドは、電気的に絶縁されている。外側のインターディジタルコンバータは、一方では、隣接レフレクタのアースボンディングパッドと接続されており、他方で、第2のトラックからの相応のインターディジタルコンバータのバスバーと接続されている。結合パッドは、まん中のインターディジタルコンバータの電位に対して電気的に「浮遊」状態である。
x方向での出来る限り僅かなチップ拡がりx6を得るために、全てのソルダリングメタライゼーションLA,LMは、楕円形に形成されており、x方向に、比較的僅かに拡がっているように設けられている。音響トラックは、ボンディングパッド乃至ソルダリングメタライゼーションの近傍にシフトされている。ボンディングパッドの不利な装置構成の場合には、x方向にチップが拡がることがある。
図7に示されたように、4つの外側アースパッドの個数を2つのアースパッドLA1,LA2に減らすことによって、SAWフィルタの電気特性での欠点を被らずに、この欠点を、むしろずっと補償することができる。
総体的に、図6のレイアウトは、x及びy方向に対称的(乃至、アースバンプては点対称)である。円形のソルダリングメタライゼーションの実施例とは異なり、x方向でのチップの大きさx6を小さくすることができる(乃至、y方向での拡がりy6も)。図7は、点対称である。
図8は、第6の実施例として、インピーダンス変換せずに、非対称/非対称又は非対称/対称作動のためのDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。図6の第5の実施例の装置構成に対して付加的に、両音響トラックのレフレクタも斜めにされている。外側の4つのアースボンディングパッド乃至それに所属の楕円形のソルダリングメタライゼーションLA1乃至LA4が、図6とは異なりx方向に配向されている場合、チップの大きさをy方向で更に小さくすることができる。ボンディングパッドは、空き状態となる三角形状の斜めの領域内にはいるようにシフトすることができ、その結果、それにより、x方向でのチップの拡がりは、否定的な影響を受けない。
図9には、第7の実施例として、インピーダンス変換せずに、非対称/非対称又は非対称/対称作動のためのDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。DMSフィルタは、2つの音響トラックから構成されており、2つの音響トラックは、まん中のインターディジタルコンバータ、外側の両インターディジタルコンバータ及び端の、各々1つのレフレクタから構成されている。まん中のインターディジタルコンバータのボンディングパッドは、電気的に絶縁されている。外側のインターディジタルコンバータは、一方で隣接レフレクタのアースボンディングパッドと接続されており、他方で、バスバーは、第2のトラックからの相応のインターディジタルコンバータのバスバーと電気的に接続されている。結合パッドは、まん中のインターディジタルコンバータの電位に対して電気的に「浮遊」状態である。
上述の実施例の場合とは異なり、音響トラックは、チップエッジに対して凡そ45°の角度に設けられており、つまり、基板Sの対角線方向に対して平行に配向されている。x及びy方向に出来る限り僅かなチップ拡がりを得るために、まん中のボンディングパッド乃至ソルダリングメタライゼーションLM1,LM2は、両音響トラックを一緒にシフトさせて接近することができるように扁平にされている。総体的に、レイアウトは点対称である。円形ソルダリングメタライゼーションのある実施例とは異なり、x及びy方向でのチップの大きさを小さくすることができる。
図10には、本発明の第8の実施例として、インピーダンス変換なしでの非対称/非対称又は非対称/対称作動のためのDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。第7の実施例(図9)の装置構成に対して付加的に、両音響トラックのレフレクタも、斜めにされたエッジがチップエッジ(基板エッジ)に対して平行に延びているように斜めにされている。こうすることによって、レイアウトを更にエッジの方にシフトすることができるようになる。第7の実施例の場合と同様に、音響構造とボンディングパッドとの間に所定の同じ安全間隔を維持するにも拘わらず、x及びy方向でのチップの大きさを更に低減することができる。と言うのは、音響構造の外側のエッジは、チップの外側の境界を尺度通り特定するからである。
図11には、第9の実施例として、インピーダンス変換なしでの対称/対称作動のための付加的な共振器を有するDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。SAWフィルタは、4つの直列共振器を有するDMSトラックから構成されている。各々2つの直列共振器が1つの音響トラック(マルチポート共振器)にまとめられ、その際、両インターディジタルコンバータは、音響伝搬方向に直ぐ隣接して設けられており、外側だけがレフレクタによって囲まれている。この各直列共振器の周波数が同じ、又は、少なくとも非常に近似しているので、このようにすることができる。
対称的なゲートLA1,LA2;LA3,LA4の各々のところに、マルチポート共振器が設けられており、その際、各々1つの絶縁されたボンディングパッドがマルチポート共振器の半部に電気的に接続されている。両マルチポート共振器間には、DMSトラックが設けられている。DMSトラックは、まん中のインターディジタルコンバータ、両外側インターディジタルコンバータ及び端の、各々1つのレフレクタから構成されている。まん中のインターディジタルコンバータのインターディジタルフィンガは、一方で分割されており、それらのバスバーは、第2のマルチポート共振器の各々1つのインターディジタルコンバータに電気的に接続されている。他方で、インターディジタルフィンガは、1つのバスバーに掛かっている。このバスバーは、電気的に「浮遊」状態であり、従って、ボンディングパッドの大きさに拡張されていない。
外側のインターディジタルコンバータは、一方で、隣接レフレクタのアースボンディングパッドと接続されており、他方で、バスバーは、第1のマルチポート共振器の相応のインターディジタルコンバータのバスバーと電気的に接続されている。つまり、対称的な入力ゲートLA1,LA2から対称的な出力ゲートLA3,LA4に、共振器、DMSトラック、及び、共振器の直列回路が設けられている。
y方向での出来る限り僅かなチップ拡がりy11を得るために、各音響トラックは近くに一緒にシフトされ、全てのボンディングパッドは、各トラックの側方に配設されている。従って、x方向でのチップ拡がりは、音響トラックの長さと、ボンディングパッドの幅とによって決められる。外側ボンディングパッド用の楕円形のソルダリングメタライゼーションは、x方向に僅かな拡がりしかないように設けられている。
総体的に、対称/対称作動での電気特性を損なわないようにするために、y軸に関するレイアウトは対称的である。
図12には、10番目の実施例として、インピーダンス変換なしの対称/対称作動のための付加的な共振器を有するDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。第9の実施例の装置構成に対して付加的に、付加的な共振器のレフレクタも斜めにされている。第9の実施例の場合と同様に、音響構造とボンディングパッドとの間の所定の同じ安全間隔を維持しているにも拘わらず、x方向でのチップの大きさを更に小さくすることができる。ボンディングパッドと、それに所属のソルダリングメタライゼーションは、そのために、空き状態となった三角形状の斜めの領域内にはいるようにシフトすることができる。
図13には、11番目の実施例として、インピーダンス変換を行う非対称/対称作動のための付加的な共振器を有するDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。SAWフィルタは、3つの直列共振器を有するDMSトラックから構成されている。3つの直列共振器のうちの2つは、1つの音響トラックAS1(マルチポート共振器)にまとめられ、その際、両インターディジタルコンバータは、音響伝搬方向に相互に直ぐ並んで設けられており、外側からレフレクタによって囲まれている。各直列共振器の周波数位置は、同じ又は少なくとも非常に近似しているので、このようにすることができる。
対称ゲートLA1,LA2に、マルチポート共振器が設けられており、その際、各々1つの絶縁されたボンディングパッドが電気的にマルチポート共振器の半部に接続されている。非対称ゲートには、第3の直列共振器が設けられており、絶縁されたボンディングパッドと電気的に接続されている。マルチポート共振器と第3の直列共振器との間に、DMSトラックが設けられている。
DMSトラックは、まん中のインターディジタルコンバータ、外側の両インターディジタルコンバータ及び端の、各々1つのレフレクタから構成されている。まん中のインターディジタルコンバータのインターディジタルフィンガは、対称ゲートの側で分割されており、そのバスバーは、マルチポート共振器の各々1つのインターディジタルコンバータに接続されている。他方の側では、1つのバスバーに掛かっている。このバスバーは、電気的に「浮遊」状態であり、従って、ボンディングパッドの大きさに拡張されていない。
外側のインターディジタルコンバータは、一方で、隣接レフレクタのアースボンディングパッドと接続されており、他方で、バスバーは、第3の直列共振器のバスバーと電気的に接続されている。つまり、非対称ゲートから対称ゲートLA1,LA2に、共振器、DMSトラック及び共振器からなる直列回路が設けられている。
y方向に出来る限り僅かなチップ拡がりy13を得るために、非対称ゲートでのボンディングパッド用のソルダリングメタライゼーションは、y方向に扁平にされており、各音響トラックは接近するように一緒にシフトされている。残りのソルダリングメタライゼーションは全て、同様に、扁平にされており、基板エッジに対して平行なy方向に比較的長く拡がってトラックの側方に設けられている。用途事例に応じて、2つ又は4つのアースボンディングパッドのスペースが設けられる。y軸に対して対称的な装置構成が得られる。
総体的に、y軸に関するレイアウトは、非対称/対称作動での電気特性を損なわないために、対称である。
図14には、12番目の本発明の実施例として、インピーダンス変換を行う非対称/対称作動のための付加的な共振器を有するDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。11番目の実施例の装置構成に対して付加的に、更に付加的な共振器のレフレクタも斜めにされている。11番目の実施例の場合と同様に、音響構造とボンディングパッドとの間の所定の同じ安全間隔を維持するにも拘わらず、x方向でのチップの大きさを更に小さくすることができる。ボンディングパッドとソルダリングメタライゼーションは、空き状態となる三角形状の斜めの領域内にはいるようにシフトすることができる。
図15には、13番目の本発明の実施例として、インピーダンス変換せずに非対称/非対称作動するための付加的な共振器を有するDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。SAWフィルタは、まん中の音響トラックAS2として、DMSトラックを有しており、このDMSトラックは、2つの直列共振器と共に外側の音響トラックAS1及びAS3内で接続されており、その際、各々1つの絶縁されたボンディングパッドが、直列共振器の1つのバスバーに電気的に接続されている。
DMSトラックは、まん中のインターディジタルコンバータ、外側の両インターディジタルコンバータ及び端の、各々1つのレフレクタから構成されている。まん中のインターディジタルコンバータの第1のバスバーは、第1の直列共振器に接続されており、第2のバスバーは、絶縁されたボンディングパッドの方に拡張されている。
外側のインターディジタルコンバータは、一方で、隣のレフレクタのアースボンディングパッドと接続されており、他方で、両バスバーが一緒に案内されていて、第2の直列共振器に電気的に接続されている。つまり、非対称入力ゲートから非対称出力ゲートに、共振器、DMSトラック及び共振器からなる直列共振回路が設けられている。
x方向での出来る限り僅かなチップ拡がりを得るために、楕円のソルダリングメタライゼーションがボンディングパッド上に、x方向に僅かな拡がりを有していて、各音響トラックが近くに一緒にシフトされるように設けられている。アースボンディングパッドLA1〜LA4は、絶縁ボンディングパッドLA1,LA2の横に非対称入力乃至出力ゲートのところにスペースを有している。
x軸に対して対称的に設けられた、4つののアース端子を備えた変形実施例を用いる場合、アースパッドは、用途に応じて音響トラックの長さを越えてもよい。ここでは、実施例5の変形実施例の場合のように(図7)、y方向でのチップ拡がりを小さく保持するために、有利には、2つのアースパッドに減らされている。円形ソルダリングメタライゼーションを有する相応の実施例とは異なり、x方向でのチップの大きさを小さくすることができる。
図16には、14の実施例として、インピーダンス変換を行う非対称/非対称作動のための付加的な共振器を有するDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。13番目の実施例に対して付加的に、付加的な共振器のレフレクタも斜めにされている。13番目の実施例の場合と同様に、音響構造とボンディングパッドとの間の所定の安全間隔を維持するにも拘わらず、各音響トラックの長さが、予めボンディングパッドによって越えられている場合、y方向でのチップの大きさを小さくすることができる。ソルダリングメタライゼーションLA1〜LA4は、90°回転されており、空き状態となる三角形状の斜めの領域内にはいるようにシフトされている。
図17には、15番目の実施例として、インピーダンス変換なしの非対称/非対称作動のための付加的な共振器を有するDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。
両非対称ゲートには、各々1つの直列共振器が設けられており、その際、各々1つの絶縁されたボンディングパッドLAが、各直列共振器のバスバーに電気的に接続されている。各直列共振器間には、まん中の音響トラックAS2としてDMSトラックが設けられている。
DMSトラックASW2は、まん中のインターディジタルコンバータ、外側の両インターディジタルコンバータ及び端の、各々1つのレフレクタから構成されている。まん中のインターディジタルコンバータの第1のバスバーは、第1の直列共振器に接続されている。第2のバスバーは、絶縁されたボンディングパッド乃至それに所属のソルダリングメタライゼーションLMの方に拡張されている。
外側のインターディジタルコンバータは、一方で、隣りのレフレクタのアースボンディングパッドと接続されており、他方で、両バスバーは一緒に案内されて、第2の直列共振器に電気的に接続されている。つまり、非対称の入力ゲートから非対称の出力ゲートに、共振器、DMSトラック及び共振器からなる直列回路が設けられている。
実施例13の場合とは異なり、音響トラックは、チップエッジに対して凡そ45°の角度で設けられている。入力側から出力側へのSAW構成素子の信号の流れは、入力ボンディングパッド乃至LA1から出力ボンディングパッドLA2に対角線方向である。x及びy方向での出来る限り僅かなチップ拡がりを得るために、ソルダリングメタライゼーションは、絶縁されたボンディングパッド上で、音響トラックを近くに一緒にシフトすることができるように扁平にされている。用途事例に応じて、2つ又は4つのアースボンディングパッドを使うことができ、扁平化は可能だが、たいてい必要ない。
総体的に、レイアウトは、入力側から出力側への対角線に関して軸対称である。円形ソルダリングメタライゼーションを有する相応の実施例とは異なり、x及びy方向でのチップの大きさを小さくすることができる。
図18には、16番目の実施例として、インピーダンス変換なしの非対称/非対称作動のための付加的な共振器を備えたDMSフィルタ用の変形されたチップレイアウトが示されている。15番目の実施例の装置構成に対して付加的に、付加的な両共振器のレフレクタも斜めにされている。15番目の実施例の場合と同様に、音響構造とボンディングパッドとの間の所定の同じ安全間隔を維持しているにも拘わらず、x及びy方向でのチップの大きさを更に小さくすることができる。つまり、音響構造の外側エッジは、チップの外側境界を決定的に決める。
図19には、17番目の実施例として、インピーダンス変換なしの非対称/対称作動のための付加的な共振器を有するDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。SAWフィルタは、直列共振器を有するDMSトラックから構成されている。
右側に示された非対称ゲートには、直列共振器が設けられており、その際、絶縁されたボンディングパッド乃至相応のソルダリングメタライゼーションLA1が、直列共振器のバスバーに電気的に接続されている。
DMSトラックは、まん中のインターディジタルコンバータ、外側の両インターディジタルコンバータ及び端の、各々1つの共振器から構成されている。まん中のインターディジタルコンバータの両バスバーは、各々1つの絶縁されたボンディングパッドLA2,LMに拡張されており、共に対称ゲートを構成する。外側のインターディジタルコンバータは、一方で、隣のレフレクタのアースボンディングパッドLAと接続されており、他方では、両バスバーは、一緒に案内されて、直列共振器に電気的に接続されている。つまり、非対称ゲートから対称ゲートに、共振器とDMSトラックとからなる直列回路が設けられている。
x方向での出来る限り僅かなチップ拡がりを得るために、ボンディングパッド乃至それに所属のソルダリングメタライゼーションは、x方向に扁平にされ、音響トラックは近くに一緒にシフトされている。アースボンディングパッドLA1〜LA4用のソルダリングメタライゼーションは、絶縁されたボンディングパッドLA1,LA2の側方に入力乃至出力ゲートにスペースを有している。用途事例に応じて、2つ又は4つのアースボンディングパッドがスペースを有している。
y方向でのチップ拡がりは、音響トラックの長さによって決められている。x軸に対して対称に設けられた、4つのアースバンプを備えた変形実施例を用いる際、用途に応じて、音響トラックの長さが越えられているようにしてもよい。ここでは、実施例5(図7)に対する変形実施例の場合と同様に、y方向でのチップ拡がりを小さく保持するために、2つのバンプに減らされている。円形ソルダリングメタライゼーションを有する相応の実施例とは異なり、x方向でのチップの大きさは減らされている。
図20には、18番目の実施例として、インピーダンス変換を行う非対称/対称作動のための付加的な共振器を備えたDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。17番目の実施例の装置構成に対して付加的に、DMSトラック及び直列共振器のレフレクタも斜めにされている。17番目の実施例の場合と同様に、音響トラックとボンディングパッドとの間の所定の同じ安全間隔を維持しているにも拘わらず、音響トラックの長さが予めボンディングパッドによって越えられている場合、y方向でのチップの大きさは低減されている。ボンディングパッド、乃至、アース端子LA1〜LA4の楕円状ソルダリングメタライゼーションは、90°回転されており、図示のように、空き状態となる三角形の斜めの領域内にはいるようにシフトされている。
図21には、19番目の実施例として、インピーダンス変換なしの非対称/対称作動のための付加的な共振器を備えたDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。SAWフィルタは、DMSトラック及び直列共振器を備えたトラックから構成されている。
非対称ゲートには、直列共振器が設けられており、その際、絶縁されたボンディングパッドLA1は、直列共振器のバスバーに電気的に接続されている。対称ゲートには、DMSトラックが設けられている。
DMSトラックは、まん中のインターディジタルコンバータ、外側の両インターディジタルコンバータ及び端の、各々1つのレフレクタから構成されている。まん中のインターディジタルコンバータの両バスバーは、各々1つの絶縁されたバンディングパッドLA1,LMに拡張されており、一緒に対称ゲートを構成している。
外側のインターディジタルコンバータは、一方で、隣りのレフレクタのアースボンディングパッドと接続されており、他方で、両バスバーは一緒に案内されて、直列共振器に電気的に接続されている。つまり、非対称ゲートから対称ゲートに、共振器とDMSトラックとの直列回路が得られる。
実施例17の場合とは異なり、音響トラックは、チップ対角線に対して平行に設けられている。入力側から出力側への構成素子の信号流は、入力ボンディングパッドLA1から出力ボンディングパッドLA2への対角線方向乃至出力ボンディングパッドLA2から入力ボンディングパッドLA1への対角線方向である。
x及びy方向での出来る限り僅かなチップ拡がりを得るために、絶縁ボンディングパッドLA1,LA2,LM用のソルダリングメタライゼーションは、音響トラックが近くに一緒にシフトされ得るように扁平にされている。用途事例に応じて、2つ又は4つのアースボンディングパッドMを使用することができ、アースボンディングパッドのソルダリングメタライゼーションの扁平化はもはや必要ない。
総体的に、レイアウトは、入力から出力への対角線に関して軸対称である。円形ボンディングパッドを備えた実施例とは異なり、x及びy方向でのチップの大きさは低減されている。
図22には、20番目の実施例として、インピーダンス変換せずに、非対称/対称作動のための付加的な共振器を有するDMSフィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。19番目の実施例の装置構成に対して付加的に、DMSトラック及び直列共振器のレフレクタ構造も斜めにされている。19番目の実施例の場合と同様に、音響構造とボンディングパッドとの間の所定の同じ安全距離を維持しているにも拘わらず、x及びy方向でのチップの大きさは更に低減されている。
実施例13−16とは異なり、実施例17−20は、第2の直列共振器がないだけで、それ以外の点では比較可能であるので、非対称/非対称作動用に使用してもよい。その際、両絶縁ボンディングパッドのうちの1つは、対称ゲートにおいて別のアースボンディングパッドとなる。
図23には、21番目の実施例として、インピーダンス変換なしの非対称/非対称作動のためのハシゴ型フィルタ用の変更されたチップレイアウトが示されている。SAWフィルタは、所謂基本部材で接続された多数の直列及び並列共振器から構成されている。
ハシゴ型フィルタは、入力側から出力側に直列接続された第1の共振器RS(直列共振器)、及び、アースに対して並列に接続された第2の共振器RP(並列共振器)とから構成された、少なくとも1つのハシゴ型基本部材から構成されている。個別共振器は、典型的には、2つのバスバーとボンディングパッドと両端の、各々1つのレフレクタとを含むインターディジタルコンバータ構造を有している。たいていは、そのような基本部材がいくつか、相互に直列に電気的に接続されており、その際、同じタイプの共振器は、1つの音響トラックにまとめられていることが屡々である。
本発明の実施例では、両非対称ゲートには、各々1つの直列共振器RSが接続されている。全構造は、入力側から出力側に、連続した共振器として記述することができ、この実施例では、直−並−直−直−並−直−並−直(直:直列、並:並列)である。共振器の幾つかは、同じタイプの2つの共振器を統合したものを示し、第2及び第3の直列共振器RS2、RS3は例示しない。
2つの直列共振器を電気接続するために、第1の直列共振器RS1の出力バスバーは、第2の直列共振器RS2の入力バスバーと線路を用いて接続されている。この接続線路から、並列共振器RP1の入力バスバーへの分岐は、それらの間に設けられている、この並列共振器の電気接続部を形成する。別の共振器はもはや掛かっていない、並列共振器RP及び第1及び最後の直列共振器RS1,RS5の、外側に設けられているバスバーだけが、ボンディングパッドに拡張されている。レフレクタは、アースボンディングパッドLAと電気的に接続されているか、又は、「浮遊」状態である。x及びy方向で、出来る限り僅かなチップ拡がりを得るために、絶縁ボンディングパッドLA用のソルダリングメタライゼーションは、トラックの側方に設けられており、楕円形に構成されており、従って、音響トラックは、近くに一緒にシフトすることができる。用途事例に応じて、2つ、又は、4つのアースボンディングパッドを使用することができる。
x方向でのソルダリングメタライゼーションの扁平化に基づいて、円形ソルダリングメタライゼーションの実施例とは異なり、x方向でのチップの大きさを低減することができる。
図23には、ハシゴ(ラダー)型フィルタの場合の本発明の実施例の様子が、例として示されている。使用されている基本部材の個数、及び、その装置構成は、ハシゴ(ラダー)型フィルタの場合、非常に種々異なることがあるので、多数の別の変形実施例が可能である。従って、本発明は、この特殊な実施例に限定されるものではない。
図2〜23に、チップのレイアウトだけ、つまり、基板上の構成素子構造体の装置構成が示されている。図24には、基板を坦体と結合することができる様子が横断面略図を用いて示されている。
圧電基板(チップ)S上に、例えば、SAWフィルタを構成する構成素子構造体BSが構成されている。構成素子構造体BSには、例えば、2つの軸に沿って種々異なる寸法で、本発明により扁平化された、ソルダリングメタライゼーションLAが接続されている。ケーシングの部分にすることができる単層又は多層坦体Tは、端子面AFを有しており、この端子面は、ソルダリングバンプ乃至バンプ結合部Bを介して相応のソルダリングメタライゼーションLMとソルダリングされている。その際、バンプ結合部は、殊に、基底面によって、坦体及びチップから形成された構成素子全体が相応の機械的な安定性を得るように寸法が決められている。坦体の下側には、コンタクト面KFを設けることができ、このコンタクト面を用いて、構成素子は、外側の回路環境内、例えば、プリント配線板にソルダリングすることができる。構成素子は、付加的に基板面から坦体に対して密に閉じられた箔板、又は、周囲環境からの影響に対するマスクカバーをシーリングしている。
フリップチップ装置は、電気的且つ機械的に相互に接続された基板及び坦体の装置構成であり、この際、結合個所は、基板及び坦体上であり、ここでは、相互に直接対向し合って設けられたボンディングパッドである。所与の実施例の場合のように、構成素子構造体は、基板と坦体との間に設けられており、そこで機械的に保護されている。しかし、本発明は、基板と坦体との間に構成素子構造体が設けられた構成素子に限定されない。
フリップチップ装置構成の別の利点は、封止部の突出部が極めて僅か、乃至、全く突出していないチップ(基板S)を得ることができる点にある。
従って、本発明により低減されたチップの大きさと共に、ケーシング及び完成した構成素子の寸法も低減することができる。つまり、構成素子の最小大きさは、チップの大きさによって決定的に決められるからである。
本発明の範囲は、上述の実施例に限定されない。従って、本発明の、保護範囲の技術思想は、実施例を越えている。本発明の可能な拡張及び変更の例は、ここでは以下のように挙げられる:
−各々本発明のように構成されたケーシング乃至坦体上に1つ以上のチップを用いること
−ここで説明したのとは別のフィルタ技術を用いること
−ソルダリングメタライゼーションの別の形式
−SAW又はBAWフィルタとは別の構成部品、又は
−SAW又はBAWフィルタを別の構成部品と組み合わせること
丸いソルダリングメタライゼーションを有する公知の2トラックDMSを示す図 楕円のソルダリングメタライゼーションを有する本発明の2トラックDMSを示す図 付加的に斜めにされたレフレクタを有する2トラックDMSを示す図 各トラック間にソルダリングメタライゼーションが設けられているフィルタを示す図 付加的なレフレクタが斜めにされた図4のフィルタを示す図 ソルダリングメタライゼーション全てが相互に平行列に設けられているフィルタを示す図 図6の実施例に対してソルダリングメタライゼーションの個数が減らされているフィルタを示す図 付加的なレフレクタが斜めにされた図7のフィルタを示す図 音響トラックが基板の対角線に対して平行に設けられたフィルタを示す図 付加的なレフレクタが斜めにされた図9と同様のフィルタを示す図 DMSトラックの入力側及び出力側が、レゾネータと共に直列に接続されているフィルタを示す図 付加的なレフレクタが斜めにされた図11と同様のフィルタを示す図 DMSトラックの入力側及び出力側がレゾネータと直列に接続されている別のフィルタを示す図 付加的なレフレクタが斜めにされた図13と同様のフィルタを示す図 2つの直列共振器を有するDMSフィルタを示す図 2つの直列共振器とインピーダンス変換部を有するDMSトラック付のDMSフィルタを示す図 2つの直列共振器付の対角線方向に配向されたDMSフィルタを示す図 付加的なレフレクタが斜めにされた図17と同様のフィルタを示す図 直列共振器付のDMSフィルタを示す図 付加的なレフレクタが斜めにされた図19と同様のフィルタを示す図 対角線方向に配向された図19と同様のフィルタを示す図 付加的なレフレクタが斜めにされた図21と同様のフィルタを示す図 外側に設けられた丸くないソルダリングメタライゼーションを有するハシゴ型フィルタを示す図 坦体を有する本発明の構成素子の横断略図

Claims (13)

  1. 電気構成素子において、
    構成素子構造体(BS)を有する基板(S)を有しており、
    該基板の一方の表面上に、前記構成素子構造体と電気的に接続されたソルダーメタライゼーション(LM,LA)が設けられており、
    前記基板は、フリップチップ構成で電気的且つ機械的に、ソルダーバンプ(B)によって形成された各バンプ結合部を介して坦体(T)と結合されており、
    前記ソルダーバンプは、前記基板のソルダーメタライゼーション上に載置されており、
    前記各バンプ結合部の少なくとも1つは、丸くないソルダーメタライゼーション上に載置されており、
    前記ソルダーメタライゼーションでは、第2の軸に沿った拡がりが、第1の軸に沿った拡がりよりも30%以上、大きく、
    前記第1の軸は楕円の短軸であり、前記第2の軸は楕円の長軸であ
    前記丸くないソルダーメタライゼーション(LA)は、基板エッジと前記構成素子構造体(BS)との間に設けられており、基板表面の節約のために、前記基板エッジに対して平行な第2の軸で整列されており、
    前記構成素子構造体(BS)は、少なくとも1つのインターディジタルコンバータと、当該インターディジタルコンバータに配属された、レフレクタフィンガを有するレフレクタとを有しており、
    少なくとも1つの前記レフレクタが斜めにされており、前記ソルダーメタライゼーション(LA)の少なくとも1つは、少なくとも部分的に前記レフレクタを斜めにしたことによってあけられた面積内に位置している
    ことを特徴とする電気構成素子。
  2. 前記構成素子構造体(BS)及び前記ソルダーメタライゼーション(LM,LA)は、基板(S)の同一表面上に設けられている請求項1記載の電気構成素子。
  3. 前記丸くないソルダーメタライゼーション(LM)は、各構成素子構造体間に設けられており、基板表面の節約のために、前記構成素子構造体のエッジに対して平行な前記第2の軸で整列されている請求項1または2記載の電気構成素子。
  4. 前記構成素子構造体(BS)は、前記基板(S)上に少なくとも1つのSAWフィルタを構成している請求項1から3までのいずれか1項記載の電気構成素子。
  5. 前記斜めにされたレフレクタは、各々第1及び第2のグループのレフレクタフィンガを有しており、
    前記第1のグループは、各々配属されたインターディジタルコンバータの近傍に設けられており、
    前記第2のグループのレフレクタフィンガの長手方向の一方の側又は両側の長さが短縮されており、
    前記レフレクタフィンガの長さは、配属された前記インターディジタルコンバータに対する距離が長くなるにつれて短くされている請求項1から4までのいずれか1項記載の電気構成素子。
  6. 前記第1のグループは、20〜50のレフレクタフィンガを有している請求項記載の電気構成素子。
  7. 前記基板(S)上に、少なくとも1つのDMSフィルタタイプのSAWフィルタが構成されている請求項1から6までのいずれか1項記載の電気構成素子。
  8. 前記基板(S)上に、少なくとも1つのDMSフィルタタイプのSAWフィルタと、該SAWフィルタと接続された付加的な共振器が構成されている請求項記載の電気構成素子。
  9. 前記基板(S)上には、少なくとも1つの、ハシゴ(ラダー)型フィルタタイプのSAWフィルタが構成されている請求項1から5までのいずれか1項記載の電気構成素子。
  10. 前記基板(S)として、圧電基板が使用されている請求項1から9までのいずれか1項記載の電気構成素子。
  11. 前記圧電基板(S)は、LiTaO3又はLiNbO3である請求項10記載の電気構成素子。
  12. 前記基板(S)としてSiが使用されている請求項1から5までのいずれか1項記載の電気構成素子。
  13. HFフィルタとして構成されている請求項1から12までのいずれか1項記載の電気構成素子。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10301934A1 (de) 2003-01-20 2004-07-29 Epcos Ag Elektrisches Bauelement mit verringerter Substratfläche
DE102005009358B4 (de) * 2005-03-01 2021-02-04 Snaptrack, Inc. Lötfähiger Kontakt und ein Verfahren zur Herstellung
DE102005013895B4 (de) 2005-03-24 2019-08-08 Snaptrack, Inc. Elektrisches Filter
CN102362431B (zh) * 2009-03-30 2015-07-22 株式会社村田制作所 弹性波滤波器
US20220311417A1 (en) * 2021-03-29 2022-09-29 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with busbar side edges that form angles with a perimeter of the cavity

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5162257A (en) * 1991-09-13 1992-11-10 Mcnc Solder bump fabrication method
JP3208470B2 (ja) * 1994-05-26 2001-09-10 株式会社日立製作所 Bga型半導体装置とそれを実装する基板
JP3243976B2 (ja) * 1995-08-14 2002-01-07 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
JPH09102517A (ja) * 1995-10-05 1997-04-15 Nec Corp 半導体装置
US5872493A (en) * 1997-03-13 1999-02-16 Nokia Mobile Phones, Ltd. Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror
JP3758289B2 (ja) * 1997-04-11 2006-03-22 株式会社デンソー 表面実装素子の電極構造
DE19730710C2 (de) * 1997-07-17 2002-12-05 Epcos Ag Oberflächenwellenakustikfilter mit verbesserter Flankensteilheit
JP3196693B2 (ja) * 1997-08-05 2001-08-06 日本電気株式会社 表面弾性波装置およびその製造方法
JPH11122072A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Fujitsu Ltd 弾性表面波装置
DE19758198A1 (de) * 1997-12-30 1999-08-19 Siemens Ag Oberflächenwellen-(SAW-)Bauelement auf auch pyroelektrischem Einkristall-Substrat
JP3346320B2 (ja) * 1999-02-03 2002-11-18 カシオ計算機株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE19932649A1 (de) * 1999-07-13 2001-02-08 Epcos Ag SAW-Filter des Reaktanzfiltertyps mit verbesserter Sperrbereichsunterdrückung und Verfahren zur Optimierung der Sperrbereichsunterdrückung
JP3860364B2 (ja) * 1999-08-11 2006-12-20 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置
US6315197B1 (en) * 1999-08-19 2001-11-13 Mitsubishi Electric Research Laboratories Vision-enabled vending machine
JP3321443B2 (ja) * 1999-10-26 2002-09-03 東洋通信機株式会社 1次−3次縦結合二重モードsawフィルタ
KR100788011B1 (ko) * 1999-12-21 2007-12-21 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 플립 칩 접속부를 신뢰성 있게 하기 위해 솔더를 사용한유기 패키지
JP2001267881A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置、並びにアンテナデュプレクサ
DE10013861A1 (de) * 2000-03-21 2001-09-27 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellenfilter mit verbesserter Symmetrie und erhöhter Sperrdämpfung
US6566980B2 (en) * 2000-03-30 2003-05-20 Sawtek, Inc. Die layout for SAW devices and associated methods
WO2001082480A1 (fr) * 2000-04-24 2001-11-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Filtre a ondes acoustiques de surface a couplage vertical
US6518675B2 (en) * 2000-12-29 2003-02-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer level package and method for manufacturing the same
JP3414384B2 (ja) * 2001-01-12 2003-06-09 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、およびそれを用いた通信機装置
JP2003087080A (ja) * 2001-07-06 2003-03-20 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波素子及びその製造方法
JP2003198317A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ
DE10301934A1 (de) 2003-01-20 2004-07-29 Epcos Ag Elektrisches Bauelement mit verringerter Substratfläche
DE102004037817B4 (de) * 2004-08-04 2014-08-07 Epcos Ag Elektrisches Bauelement in Flip-Chip-Bauweise

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