CN215300596U - 声表面波滤波器 - Google Patents

Abstract

提供一种声表面波滤波器，能够在抑制特性劣化的同时实现小型化。声表面波滤波器具有：基板；至少一个以上的谐振器，其设置于基板，具有在第一方向上相邻设置的一对第一反射器和设置在一对第一反射器之间的多个IDT(叉指换能器)电极；与至少一个以上的谐振器连接的纵向耦合型滤波器，其设置于基板，具有在第一方向上相邻设置的一对第二反射器和设置在一对第二反射器之间的多个纵向耦合型谐振子；以及多个凸块安装端子，其与纵向耦合型滤波器及至少一个以上的谐振器电连接，分别安装有凸块，多个凸块安装端子为两个以上且四个以下，在第一方向上相邻的两个凸块安装端子之间设置有纵向耦合型滤波器或谐振器。

Description

声表面波滤波器

技术领域

本实用新型涉及声表面波滤波器。

背景技术

以往，已知有一种具备纵向耦合型滤波器和与纵向耦合型滤波器连接的谐振器的声表面波滤波器。在声表面波滤波器中还设置有与纵向耦合型滤波器及谐振器连接的多个布线、以及与多个布线连接的多个端子。

实用新型内容

实用新型要解决的课题

在声表面波滤波器中要求在抑制特性劣化的同时实现小型化。

本实用新型的目的在于，提供一种能够在抑制特性劣化的同时实现小型化的声表面波滤波器。

用于解决课题的手段

本实用新型的一方面的声表面波滤波器具有：基板；至少一个以上的谐振器，其设置于所述基板，具有在第一方向上相邻设置的一对第一反射器和设置在一对所述第一反射器之间的多个IDT电极，其中，IDT是叉指换能器；与至少一个以上的所述谐振器连接的纵向耦合型滤波器，其设置于所述基板，具有在所述第一方向上相邻设置的一对第二反射器和设置在一对所述第二反射器之间的多个纵向耦合型谐振子；以及多个凸块安装端子，其与所述纵向耦合型滤波器及至少一个以上的所述谐振器电连接，分别安装有凸块，多个所述凸块安装端子为两个以上且四个以下，在所述第一方向上相邻的两个所述凸块安装端子之间设置有所述纵向耦合型滤波器或所述谐振器。

在本实用新型的一方面的声表面波滤波器中，所述凸块安装端子包括：基准电位端子，其与基准电位连接；以及输出端子，其在所述第一方向上与所述基准电位端子相邻配置，输出端子从所述纵向耦合型滤波器及所述谐振器输出输出信号，在所述基准电位端子与所述输出端子之间设置有所述谐振器。

本实用新型的一方面的声表面波滤波器具有：多个布线，其将多个所述凸块安装端子与所述纵向耦合型滤波器及所述谐振器连接；以及金属膜，其覆盖多个凸块安装端子及多个所述布线。

在本实用新型的一方面的声表面波滤波器中，所述纵向耦合型滤波器的多个所述纵向耦合型谐振子分别具有输入侧的IDT电极和输出侧的IDT电极，将所述输入侧的IDT电极与基准电位连接的布线以及将所述输出侧的IDT电极与基准电位连接的布线分别连接到沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的共用的基准电位连接布线，所述谐振器具有的一对所述第一反射器的至少一个与所述基准电位连接布线连接。

实用新型效果

根据本实用新型的声表面波滤波器，能够在抑制特性劣化的同时实现小型化。

附图说明

图1是示意性示出第一实施方式的声表面波滤波器的俯视图。

图2是示出第一实施方式的声表面波滤波器的电路图。

图3是示意性示出第一实施方式的声表面波滤波器的剖视图。

图4是示出谐振器的一例的俯视图。

图5是示出纵向耦合型滤波器的一例的俯视图。

图6是将图1的区域A放大示出的俯视图。

图7是图6的VII-VII’剖视图。

图8是图6的VIII-VIII’剖视图。

图9是示意性示出第二实施方式的声表面波滤波器的俯视图。

图10是示意性示出第二实施方式的声表面波滤波器的一部分的俯视图。

图11是示意性示出第二实施方式的声表面波滤波器的剖视图。

图12是示意性示出第三实施方式的声表面波滤波器的俯视图。

图13是示意性示出第三实施方式的变形例的声表面波滤波器的俯视图。

附图标记说明

1、1A、1B、1C 声表面波滤波器；

10 基板；

11、12、13、14 凸块；

20、20A、20B、40、41 谐振器；

21、22 IDT电极；

21a、22a、23a、23c、24a、24c 汇流条；

21b、22b、23b、24b 电极指；

23、24 第一反射器；

30 纵向耦合型滤波器；

30a、30b、30c、30d、30e 纵向耦合型谐振子；

31、32 IDT电极；

33、34 第二反射器；

51 输入端子；

52 输出端子；

53、54 基准电位端子；

61、62、63、64、65、66、67、68 布线；

71 绝缘膜；

80 安装基板；

81 电介质层；

82、83、84 电极；

85 通孔；

87 密封件；

90、91、92、93、94 金属膜。

具体实施方式

以下，基于附图对本实用新型的声表面波滤波器的实施方式详细进行说明。需要说明的是，并不通过该实施方式来限定本实用新型。各实施方式是例示，当然能够进行不同实施方式所示的结构的部分置换或组合。在第二实施方式以后，省略针对与第一实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。尤其是针对由同样的结构带来的同样的作用效果，不在每个实施方式中依次提及。

(第一实施方式)

图1是示意性示出第一实施方式的声表面波滤波器的俯视图。图2是示出第一实施方式的声表面波滤波器的电路图。如图1及图2所示，声表面波滤波器1具有基板10、多个谐振器20、40、纵向耦合型滤波器30、输入端子51、输出端子52、基准电位端子53、54、以及多个布线61、62、63、64、65、66、67、68、72。

基板10例如是压电基板，在俯视下呈矩形。需要说明的是，在以下的说明中，第一方向Dx及第二方向Dy是与基板10的表面平行的方向，第二方向Dy与第一方向Dx正交。第三方向Dz与第一方向Dx及第二方向Dy正交。第三方向Dz是基板10的表面的法线方向。另外，在本公开中，“俯视”表示从第三方向Dz观察时的配置关系。

输入端子51、输出端子52及基准电位端子53、54设置在基板10上，分别安装凸块11、12、13、14。输入端子51、输出端子52及基准电位端子53、54是凸块安装端子(也称为凸块焊盘)。

输入端子51、输出端子52及基准电位端子53、54分别设置在基板10的角部。更具体而言，输入端子51和基准电位端子53在第一方向Dx上相邻设置。输出端子52和基准电位端子54在第一方向Dx上相邻设置。输入端子51和基准电位端子54在第二方向Dy上相邻设置。输出端子52和基准电位端子53在第二方向Dy上相邻设置。

输入端子51是用于向多个谐振器20、40及纵向耦合型滤波器30输入高频信号(输入信号)的端子。输出端子52是用于将透过了多个谐振器20、40及纵向耦合型滤波器30的高频信号(输出信号)向外部输出的端子。

基准电位端子53、54是用于将多个谐振器40及纵向耦合型滤波器30与基准电位连接的端子。基准电位例如是接地电位，与声表面波滤波器1的外部的接地电连接。

在本实施方式中，作为凸块安装端子，设置有四个输入端子51、输出端子52及基准电位端子53、54。但不限于此，设置有两个以上且四个以下的凸块安装端子即可。例如，也可以省略基准电位端子53、54的一个。另外，各凸块安装端子在俯视下呈圆形。但不限于此，各凸块安装端子也可以为四边形、多边形等其他形状。

多个谐振器20、40及纵向耦合型滤波器30在第二方向Dy上从输入端子51侧朝向输出端子52侧按照谐振器20、纵向耦合型滤波器30、谐振器40的顺序配置。谐振器20经由布线61而与输入端子51连接。另外，谐振器20经由布线62、62a而与纵向耦合型滤波器30连接。换言之，谐振器20串联连接在输入端子51与纵向耦合型滤波器30之间。需要说明的是，之后叙述区域A所示的谐振器20与纵向耦合型滤波器30之间的连接的详细结构。

纵向耦合型滤波器30具有多个纵向耦合型谐振子30a、30b、30c和第二反射器33、34。一对第二反射器33、34在第一方向Dx上相邻设置。多个纵向耦合型谐振子30a、30b、30c设置在一对第二反射器33、34之间。

多个纵向耦合型谐振子30a、30c的输入侧经由输入端口36(参照图2)而与上述的谐振器20电连接。多个纵向耦合型谐振子30a，30c的输出侧经由布线63、65、66而与基准电位端子53、54电连接。纵向耦合型谐振子30b的输入侧经由布线63、64、66而与基准电位端子53、54电连接。纵向耦合型谐振子30b的输出侧经由输出端口37(参照图2)、具体而言经由布线72、67而与输出端子52电连接。

布线63、64、65、66是用于将纵向耦合型滤波器30与基准电位端子53、54电连接的布线(基准电位连接布线)。布线64、65分别沿第一方向Dx延伸，在第二方向Dy上相邻配置。在布线64、65之间配置有纵向耦合型滤波器30。在布线64的一端侧及布线65的一端侧连接有共用的布线66。布线66沿第二方向Dy延伸，与基准电位端子54连接。在布线64的另一端侧及布线65的另一端侧连接有共用的布线63。布线63沿第二方向Dy延伸，与基准电位端子53连接。换言之，基准电位端子53、54经由布线63至布线66而连接。

第二反射器33、34分别与布线66、63连接。由此，相较于将布线66、63与第二反射器33、34分离配置的情况，能够增大布线66、63的布线宽度。由此，能够将纵向耦合型滤波器30与基准电位可靠地连接。另外，能够确保纵向耦合型滤波器30的设计自由度。另外，能够确保布线66、63的布线宽度而降低因布线电阻的增大引起的损耗。

谐振器40连接在纵向耦合型滤波器30的输出侧与基准电位端子54之间。更具体而言，谐振器40的一端侧连接在纵向耦合型谐振子30b的输出侧与布线67的连接部位。谐振器40的另一端侧经由布线68而与基准电位端子54连接。谐振器40及纵向耦合型滤波器30与共用的基准电位端子54连接。由此，相较于单独地设置谐振器40的端子的情况，能够减少凸块安装端子的数量。

另外，谐振器40配置于在第一方向Dx上相邻的两个凸块安装端子(基准电位端子54和输出端子52)之间。由此，能够将多个谐振器20、40、纵向耦合型滤波器30有效地配置于基板10，能够实现声表面波滤波器1的小型化。另外，由于也能够有效地配置各种布线，因此，能够确保各种布线的宽度而降低因布线电阻的增大引起的损耗，能够抑制声表面波滤波器1的特性劣化。

图3是示意性示出第一实施方式的声表面波滤波器的剖视图。需要说明的是，在图3中，在基板10的表面上仅示意性示出谐振器20、输入端子51、基准电位端子54，省略示出纵向耦合型滤波器30、谐振器40及各种布线。

如图3所示，声表面波滤波器1还具有安装基板80和密封件87。基板10经由凸块11、14分别安装于安装基板80的电极82。基板10的设置有谐振器20的面与安装基板80的表面S1对置配置，在基板10与安装基板80的表面S1之间形成有空间SP。密封件87覆盖基板10而设置于表面S1。

安装基板80是平板状的绝缘性基板，例如是玻璃环氧等印刷基板、或者氧化铝基板等陶瓷基板、或者聚酰亚胺等柔性基板、或者液晶聚合物基板。

安装基板80具有多个电介质层81、电极82、83、84及通孔85。多个电极84设置在多个电介质层81的层间。多个电极83设置在基板10的背面S2。多个通孔85贯穿各电介质层81而设置。通过多个通孔85将电极82、83、84电连接，由此，多个电极83分别将设置于基板10的输入端子51等与基准电位端子54等端子电连接。

需要说明的是，在图3中，为了容易理解，示出了安装基板80以三层的电介质层81形成的结构。但不限于此，安装基板80也可以具有一层、两层或四层以上的电介质层81。

接下来，对谐振器20、40及纵向耦合型滤波器30的详细结构进行说明。图4是示出谐振器的一例的俯视图。需要说明的是，在图4中，示出了谐振器20，但谐振器40也是同样的结构，针对谐振器20的说明也能够应用于谐振器40。

如图4所示，谐振器20具有IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极21、22和第一反射器23、24。第一反射器23及第一反射器24在第一方向Dx上相邻配置。一对IDT电极21、22在第一方向Dx上配置在第一反射器23与第一反射器24之间。IDT电极21、22及第一反射器23、24例如由铝(A1)或铝合金形成。但不限于此，IDT电极21、22及第一反射器23、24也可以使用其他的导电性材料。

一对IDT电极21、22在第二方向Dy上对置设置。IDT电极21具有汇流条21a和多个电极指21b。多个电极指21b分别沿第二方向Dy延伸，且沿第一方向Dx排列。汇流条21a沿第一方向Dx延伸，将多个电极指21b连接。IDT电极22具有汇流条22a和多个电极指22b。多个电极指22b分别沿第二方向Dy延伸，且沿第一方向Dx排列。汇流条22a沿第一方向Dx延伸，将多个电极指22b连接。

IDT电极21及IDT电极22构成为，在汇流条21a与汇流条22a之间配置有多个电极指21b、22b，并且，多个电极指21b与多个电极指22b在第一方向Dx上交替地配置。多个电极指21b及多个电极指22b的排列方向(第一方向Dx)是表面波传播方向。

第一反射器23具有一对汇流条23a、23c和多个电极指23b。多个电极指23b分别沿第二方向Dy延伸，且沿第一方向Dx排列。汇流条23a、23c分别沿第一方向Dx延伸，在第二方向Dy上相邻配置。汇流条23a将多个电极指23b的一端侧连接。汇流条23c将多个电极指23b的另一端侧连接。

第一反射器24具有一对汇流条24a、24c和多个电极指24b。多个电极指24b分别沿第二方向Dy延伸，且沿第一方向Dx排列。汇流条24a、24c分别沿第一方向Dx延伸，在第二方向Dy上相邻配置。汇流条24a将多个电极指24b的一端侧连接。汇流条24c将多个电极指24b的另一端侧连接。

需要说明的是，图4所示的谐振器20的结构只不过是一例，能够适当变更。例如，IDT电极21、22的多个电极指21b、22b的根数、长度、配置间距能够适当变更。另外，第一反射器23、24的多个电极指23b、24b的根数、长度、配置间距能够适当变更。例如，多个电极指23b、24b分别为6根，但也可以为7根以上且20根以下。另外，IDT电极21、22的多个电极指21b、22b的配置间距也可以与第一反射器23、24的多个电极指23b、24b的配置间距不同。

图5是示出纵向耦合型滤波器的一例的俯视图。如图5所示，纵向耦合型滤波器30具有多个纵向耦合型谐振子30a、30b、30c和一对第二反射器33、34。第二反射器33及第二反射器34在第一方向Dx上相邻配置。多个纵向耦合型谐振子30a、30b、30c在第一方向Dx上配置在第二反射器33与第二反射器34之间。

多个纵向耦合型谐振子30a、30b、30c分别具有对置的一对IDT电极31、32。IDT电极31具有汇流条31a和多个电极指31b。IDT电极32具有汇流条32a和多个电极指32b。IDT电极31、32的结构与上述的IDT电极21、22相同，省略重复的说明。另外，第二反射器33具有一对汇流条33a、33c和多个电极指33b。第二反射器34具有一对汇流条34a、34c和多个电极指34b。第二反射器33、34的结构与上述的第一反射器23、24的结构相同，省略重复的说明。

在第一方向Dx上，在纵向耦合型谐振子30a与纵向耦合型谐振子30c之间设置有纵向耦合型谐振子30b。纵向耦合型谐振子30a和纵向耦合型谐振子30c的各自的输入侧的IDT电极31通过布线62a连结，与谐振器20(参照图1)电连接。纵向耦合型谐振子30b的输出侧的IDT电极32经由布线72而与输出端子52及谐振器40电连接。这样，与输入端子51侧连接的多个纵向耦合型谐振子30a、30c和与输出端子52侧连接的纵向耦合型谐振子30b在第一方向Dx上交替地配置。

另外，纵向耦合型谐振子30a和纵向耦合型谐振子30c的各自的输出侧的IDT电极32如上述那样经由布线63、65、66而与基准电位端子53、54电连接。纵向耦合型谐振子30b的输入侧的IDT电极31经由布线63、64、66而与基准电位端子53、54电连接。

在图5中，纵向耦合型滤波器30构成为具有三个纵向耦合型谐振子30a、30b、30c。但不限于此，纵向耦合型滤波器30也可以具有五个以上的奇数个谐振子。

接下来，对谐振器20与纵向耦合型滤波器30之间的连接结构进行说明。图6是将图1的区域A放大示出的俯视图。图7是图6的VII-VII’剖视图。图8是图6的VIII-VIII’剖视图。需要说明的是，在图6中，以斜线示出布线64、64a、64b，与设置于不同层的布线62、62a、62b、62c、62d区分地示出。如图7、8所示，布线62、62a、62b、62c、62d是形成于第一层的金属层，布线64、64a、64b是形成于第二层的金属层。

如图6及图8所示，纵向耦合型滤波器30的纵向耦合型谐振子30a和谐振器20通过沿第二方向Dy延伸的布线62电连接。在布线62的一端侧设置有布线62a及布线64a的金属膜。布线62a及布线64a沿第一方向Dx延伸。在布线62的另一端侧设置有布线62b及布线64b的金属膜。布线62b及布线64b形成为第一方向Dx的宽度大于布线62的宽度。

布线64沿第一方向Dx延伸，在俯视下与布线62交叉。在布线64与布线62的层间设置有绝缘膜71，至少在布线64与布线62的交叉部，在基板10的表面上依次层叠布线62、绝缘膜71、布线64。由此，布线64与布线62被绝缘。

如图6及图7所示，布线64跨越布线62及绝缘膜71而设置，与第二反射器33及纵向耦合型谐振子30b的输入侧连接。在第二反射器33连接有沿第二方向Dy延伸的布线62d，在布线62d上设置有布线64的金属膜。在纵向耦合型谐振子30b连接有沿第二方向Dy延伸的布线62c，在布线62c上设置有布线64的金属膜。

通过这样的结构，能够有效地配置与基准电位端子53、54连接的布线64、以及将谐振器20与纵向耦合型滤波器30连接的布线62。由此，能够实现声表面波滤波器1的小型化。另外，在布线64与布线62的交叉部以外的区域，重叠设置有多层的金属膜。由此，能够降低布线电阻。

需要说明的是，在图6至图8中说明了谐振器20与纵向耦合型滤波器30之间的连接结构，但图1所示的谐振器40与纵向耦合型滤波器30之间的布线72、绝缘膜73及布线65的连接结构也是同样的。

如以上说明的那样，本实施方式的声表面波滤波器1具有：基板10；至少一个以上的谐振器20、40，其设置于基板10，具有在第一方向Dx上相邻设置的一对第一反射器23、24和设置在一对第一反射器23、24之间的多个IDT(InterDigital Transducer，叉指换能器)电极21、22；与至少一个以上的谐振器20、40连接的纵向耦合型滤波器30，其设置于基板10，具有在第一方向Dx上相邻设置的一对第二反射器33、34和设置在一对第二反射器33、34之间的多个纵向耦合型谐振子30a、30b、30c；以及多个凸块安装端子(输入端子51、输出端子52及基准电位端子53、54)，其与纵向耦合型滤波器30及至少一个以上的谐振器20、40电连接，分别安装有凸块。多个凸块安装端子为两个以上且四个以下，在第一方向Dx上相邻的两个凸块安装端子之间设置有纵向耦合型滤波器30或谐振器20、40。

在本实施方式的声表面波滤波器1中，凸块安装端子包括：基准电位端子54，其与基准电位连接；以及输出端子52，其在第一方向Dx上与基准电位端子54相邻配置，输出端子52从纵向耦合型滤波器30及谐振器20、40输出输出信号，在基准电位端子54与输出端子52之间设置有谐振器40。

由此，声表面波滤波器1能够有效地将多个谐振器20、40、纵向耦合型滤波器30配置于基板10，能够实现声表面波滤波器1的小型化。另外，也能够有效地配置各种布线，因此，能够确保各种布线的宽度而降低因布线电阻的增大引起的损耗，能够抑制声表面波滤波器1的特性劣化

(第二实施方式)

图9是示意性示出第二实施方式的声表面波滤波器的俯视图。图10是示意性示出第二实施方式的声表面波滤波器的一部分的俯视图。图11是示意性示出第二实施方式的声表面波滤波器的剖视图。在第二实施方式的声表面波滤波器1A中，与上述第一实施方式不同，针对设置有覆盖多个布线及多个凸块安装端子的金属膜90、91、92、93、94的结构进行说明。

如图9及图10所示，在声表面波滤波器1A中，金属膜90覆盖布线61、61a、62、63、64、65、66、67、68而设置。金属膜91、92、93、94分别覆盖输入端子51、输出端子52、基准电位端子53、54而设置。金属膜90、91、92、93、94例如是金(Au)，例如通过蒸镀而形成。但是，金属膜90、91、92、93、94的材料不限于此，也可以为其他材料。

如图11所示，金属膜90、91、92、93、94设置在多个布线及多个凸块安装端子(在图11中仅示出输入端子51、基准电位端子54)的表面。通过设置金属膜90、91、92、93、94，能够保护多个布线及多个凸块安装端子，并且抑制布线电阻。

需要说明的是，如图10所示，声表面波滤波器1A还具有谐振器41。谐振器41设置在谐振器20与基准电位端子53之间。具体而言，谐振器41的一端侧经由布线61而与谐振器20及输入端子51电连接。谐振器41的另一端侧经由布线61a而与基准电位端子53电连接。由此，谐振器20与谐振器41在纵向耦合型滤波器30的输入侧构成梯型滤波器。

另外，纵向耦合型滤波器30具有五级的纵向耦合型谐振子30a、30b、30c、30d、30e。纵向耦合型谐振子30a、30c、30e的输入侧的IDT电极31(参照图5)分别经由布线62而与谐振器20电连接。纵向耦合型谐振子30b、30d的输出侧的IDT电极32(参照图5)分别经由布线72而与输出端子52及谐振器40电连接。

这样，构成纵向耦合型滤波器30的纵向耦合型谐振子30a、30b、30c、30d、30e的数量、设置于基板10的谐振器20、40、41的数量和配置也可以适当变更。例如，金属膜90、91、92、93、94也可以设置于上述的第一实施方式的声表面波滤波器1。

(第三实施方式)

图12是示意性示出第三实施方式的声表面波滤波器的俯视图。在第三实施方式的声表面波滤波器1B中，与上述第一实施方式及第二实施方式不同，针对谐振器20具有的一对第一反射器23、24中的一个第一反射器24与布线63(基准电位连接布线)连接的结构进行说明。

如图12所示，布线64和布线65分别沿第一方向Dx延伸，与沿第二方向Dy延伸的共用的布线63连接。布线64是将纵向耦合型谐振子30b、30d的输入侧的IDT电极31与基准电位端子53连接的布线。布线65是将纵向耦合型谐振子30a、30c、30e的输出侧的IDT电极32与基准电位端子53连接的布线。

第一反射器24与布线63连接。换言之，第一反射器24的一部分兼作布线63。由此，相较于将布线63与第一反射器24分离配置的情况，能够增大布线63的布线宽度。由此，能够将纵向耦合型滤波器30与基准电位可靠地连接。另外，能够确保纵向耦合型滤波器30的设计自由度。另外，能够确保布线63、66的布线宽度而降低因布线电阻的增大引起的损耗。

需要说明的是，本实施方式的结构能够与上述第一实施方式及第二实施方式组合。

(变形例)

图13是示意性示出第三实施方式的变形例的声表面波滤波器的俯视图。在变形例的声表面波滤波器1C中，与上述第三实施方式相比，针对两个谐振器20A、20B在第一方向Dx上相邻配置、两个纵向耦合型滤波器30A、30B在第一方向Dx上相邻配置的结构进行说明。

如图13所示，谐振器20A、20B的输入侧经由共用的布线61而与输入端子51电连接。另外，谐振器20A经由布线62而与纵向耦合型滤波器30A电连接。谐振器20B经由布线62而与纵向耦合型滤波器30B电连接。

纵向耦合型滤波器30A、30B的输出侧经由布线72而与共用的谐振器40电连接。谐振器40经由布线68而与输出端子52电连接。

在本变形例中，谐振器20B的第一反射器24与布线63连接，纵向耦合型滤波器30B的第二反射器34与布线63连接。另外，纵向耦合型滤波器30A的第二反射器33与布线66连接。这样，即便在第一方向Dx上相邻地设置有多个谐振器20A、20B的情况下，由于第一反射器24及第二反射器34与布线63连接，因此，也能够有效地配置布线63，能够确保布线63的布线宽度。另外，能够确保纵向耦合型滤波器30A、30B的设计自由度。另外，能够确保布线63、66的布线宽度而降低因布线电阻的增大引起的损耗。

需要说明的是，图13所示的谐振器20A、20B、40及纵向耦合型滤波器30A、30B的配置只不过是一例，能够适当变更。例如，声表面波滤波器1C也可以设置四个以上的谐振器，还可以设置三个以上的纵向耦合型滤波器。

需要说明的是，上述实施方式用于容易理解本实用新型，并非用于限定地解释本实用新型。本实用新型在不脱离其主旨的范围内能够进行变更/改良，并且在本实用新型中也包含其等效物。

Claims (5)

1.一种声表面波滤波器，其特征在于，

所述声表面波滤波器具有：

基板；

至少一个以上的谐振器，其设置于所述基板，具有在第一方向上相邻设置的一对第一反射器和设置在一对所述第一反射器之间的多个IDT电极，其中，IDT是叉指换能器；

与至少一个以上的所述谐振器连接的纵向耦合型滤波器，其设置于所述基板，具有在所述第一方向上相邻设置的一对第二反射器和设置在一对所述第二反射器之间的多个纵向耦合型谐振子；以及

多个凸块安装端子，其与所述纵向耦合型滤波器及至少一个以上的所述谐振器电连接，分别安装有凸块，

多个所述凸块安装端子为两个以上且四个以下，

在所述第一方向上相邻的两个所述凸块安装端子之间设置有所述纵向耦合型滤波器或所述谐振器。

2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，

所述凸块安装端子包括：

基准电位端子，其与基准电位连接；以及

输出端子，其在所述第一方向上与所述基准电位端子相邻配置，所述输出端子从所述纵向耦合型滤波器及所述谐振器输出输出信号，

在所述基准电位端子与所述输出端子之间设置有所述谐振器。

3.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，

所述声表面波滤波器具有：

多个布线，其将多个所述凸块安装端子与所述纵向耦合型滤波器及所述谐振器连接；以及

金属膜，其覆盖多个凸块安装端子及多个所述布线。

4.根据权利要求2所述的声表面波滤波器，其特征在于，

所述声表面波滤波器具有：

多个布线，其将多个所述凸块安装端子与所述纵向耦合型滤波器及所述谐振器连接；以及

金属膜，其覆盖多个凸块安装端子及多个所述布线。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的声表面波滤波器，其特征在于，

所述纵向耦合型滤波器的多个所述纵向耦合型谐振子分别具有输入侧的IDT电极和输出侧的IDT电极，

将所述输入侧的IDT电极与基准电位连接的布线以及将所述输出侧的IDT电极与基准电位连接的布线分别连接到沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的共用的基准电位连接布线，

所述谐振器具有的一对所述第一反射器的至少一个与所述基准电位连接布线连接。

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