JP2004015737A - 弾性波装置 - Google Patents

Abstract

【課題】特性の劣化を抑制しつつ小型化された弾性波装置を提供することを目的とする。
【解決手段】対向する櫛型電極からなるＩＤＴ電極３，４と、ＩＤＴ電極３，４の外側に配設された２以上の格子状の電極指からなる反射電極５１，５２とを圧電体基板２上に形成した弾性波装置２０において、ＩＤＴ電極３，４の一方の櫛型電極３２，４２と反射電極５１，５２とを導通させるとともに、反射電極５１，５２が、電極指間隔をＳとし、ｎを自然数としたとき、幅Ｌの電極指５３と、幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指５４とからなる。
【選択図】　　　　　図４

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性波装置に係り、更に詳しくは、通信機器や電子機器などの回路において使用され、弾性波を伝搬する弾性波装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図５は、従来の弾性波装置の１種であるＳＡＷフィルタ１１の構成を示した図である。図中の１１は弾性波装置、２は弾性体である圧電体基板、３は電気から弾性表面波へのエネルギー変換を行う入力側ＩＤＴ電極（Ｉｎｔｅｒ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：すだれ状電極）、４は弾性表面波から電気へのエネルギー変換を行う出力側ＩＤＴ電極である。また、３３及び４３はＩＤＴ電極の電極指、６１、６２及び６３は電極パッド（ボンディングパッド）、７１は入力端子、７２は出力端子、７３はグランド端子、８はボンディングワイヤである。
【０００３】
ＳＡＷフィルタ１１での弾性波伝搬の動作について説明する。入力端子７１に印加された電気信号は、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅｓ：弾性表面波）に変換される。すなわち、入力信号は、入力側ＩＤＴ３の電極指３３の交差部において、隣接する電極指３３間に電界を生じさせる。このとき、圧電体基板２が圧電体からなるため、上記電界によって歪が生じる。入力信号が周波数ｆの場合、生じる歪も周波数ｆで振動し、これが弾性表面波となって、電極指３３に垂直な方向に伝搬する。
【０００４】
また、出力側ＩＤＴ電極４では、弾性表面波が再び電気信号に変換され、出力端子７２から出力される。すなわち、入力側ＩＤＴ電極３と出力側ＩＤＴ電極４は、互いの電極指が平行となるように配置され、入力側ＩＤＴ電極から伝搬した弾性表面波が、出力側ＩＤＴ４の電極指４３の交差部において、隣接する電極指４３間に歪みを生じさせ、各電極指４３間に電位差を生じさせる。この様な電気信号から表面弾性波への変換と、表面弾性波から電気信号への変換は互いに可逆な過程である。
【０００５】
図６は、従来の２ポート型弾性波装置１２の構成を示した図である。図中の１２は弾性波装置、３１及び３２は入力側ＩＤＴ電極３を構成する櫛形電極、４１及び４２は出力側ＩＤＴ電極４を構成する櫛形電極、５１及び５２はＩＤＴ電極３，４の外側に配設された反射電極、５３は反射電極の格子状の電極指（ストリップライン）である。
【０００６】
入力側ＩＤＴ電極３及び出力型ＩＤＴ電極４は、それぞれを構成する櫛形電極の電極指が平行となるように隣接して配置されている。また、反射電極５１，５２は、その電極指５３がＩＤＴ電極３，４の電極指と平行となるように、ＩＤＴ電極３，４に隣接させて両側に配置されている。
【０００７】
図７及び図８は、図６の２ポート型弾性波装置１２を用いて構成される異なるタイプの２ポート型弾性波装置を示した図である。図中の６１は入力用電極パッド、６２は出力用電極パッド、６３はグランド用電極パッド、７３はグランド電位点である。
【０００８】
図７の２ポート型弾性波装置１３は、入力側ＩＤＴ電極３の上部に入力用電極パッド６１、下部にグランド用電極パッド６３が形成され、出力側ＩＤＴ電極４の上部にグランド用電極パッド６３、下部に出力用電極パッド６２が形成されている。これに対し、図８の２ポート型弾性波装置１４は、入力側ＩＤＴ電極３については同じであるが、出力側ＩＤＴ電極４の上部に出力用電極パッド６２，下部にグランド用電極パッド６３が形成されており、図７の場合とは逆になっている。
【０００９】
２ポート型弾性波装置の場合、共振点位相に応じて、０度タイプと、０度タイプに対し位相が反転する１８０度タイプとが存在し、図７を０度タイプの２ポート型弾性波装置１３とすれば、図８は１８０度タイプの２ポート型弾性波装置１４となる。この様に２ポート型弾性波装置では電極配置は等しくても、共振点位相が異なる０度タイプ又は１８０度タイプによって、入出力用電極パッド６１，６２とグランド用電極パッド６３の位置が異なることになる。
【００１０】
このため、０度タイプと１８０度タイプの２種類の２ポート型弾性波装置１３，１４を同一部品を用いて実現しようとすると、入力用電極パッドと出力用電極パッドの位置が異なり、どちらか一方のタイプ（本説明では図７の０度タイプ）のボンディングワイヤが長くなり、外部振動等による振れで種々の問題が発生することがある。
【００１１】
このような問題を解決するために、０度タイプの２ポート型弾性波装置と、１８０度タイプの２ポート型弾性波装置を異なる部品により構成することも考えられるが、その場合、製造工程が複雑化し、コストを上昇させてしまうという問題があった。
【００１２】
一方、主に携帯電話などの移動体通信機器に用いられる弾性波装置には常に更なる小型化が求められており、１つの通過帯域を有するシングル・バンド・フィルタは従来の３ｍｍ角から２５２０サイズのパッケージへ、２以上の通過帯域を有するデュアル・バンド・フィルタにおいても３．８ｍｍ角から３ｍｍ角あるいは３０２５サイズパッケージへサイズダウンが図られている。
【００１３】
このようなフィルタへの小型化要求を実現しようとすると、弾性波装置の圧電体基板チップサイズの縮小化を進めなければならず、こうした場合、限られたチップサイズ内に幾つものＳＡＷ共振器および電極パッドを詰め込まなければならない。
【００１４】
また、当然パッケージのサイズも小型化しなければならないが、パッケージが小さくなると各層を薄くし、あるいはスルーホール径を小さくするなどの検討を行うことが必要となる。また、デュアルバンドフィルタでは１つのパッケージに必要なＨｏｔ端子の数が増加することになる。
【００１５】
このような場合、限られたパッケージスペース内、詳しくはパッケージ壁面内に各電極パッドから各裏面端子への配線が詰め込まれることになり、配線間の間隔が狭くなり、配線間での結合が増える傾向にある。そのため、いわゆるグランド（Ｇｎｄ）が完全にはグランドに落ちなくなり、内部配線パターンなどによっては使用するグランド用端子によって帯域外減衰量に差異が現れることもある。
【００１６】
しかも、上述した通り、共振器パターンによっては圧電体基板チップ側電極パッドの配置が制限されるため、使用したいパッケージ側電極パッドを自由に選択できず、帯域外減衰特性の改善が難しいという問題点があった。
【００１７】
このような問題点に鑑みて改良された２ポート型弾性波装置が従来から提案されている。図９及び図１０は、特開平３−４０５１２号公報に開示されている従来の２ポート型弾性波装置１５，１６の構成を示した図である。
【００１８】
図９及び図１０の２ポート型弾性波装置１５，１６は、いずれもＩＤＴ電極３，４の一方の櫛形電極３１，４１が、従来の通り、電極パッドに接続されるとともに、他方の櫛形電極３２，４２が反射電極５１，５２を介して反対側の電極パッドに接続されている。このため、各電極パッド６１〜６３をＩＤＴ電極３，４に対し同じ方向に配置させることができ、圧電体基板２上の一側部に沿って一列に配置させることができる。
【００１９】
すなわち、図９に示した２ポート型弾性波装置１５では、ＩＤＴ電極３の下部の櫛形電極３２をバスバー９を介して隣接する反射電極５１の下部と導通させ、反射電極５１の上部を入力用電極パッド６１に接続することにより、櫛形電極３２が反射電極５１を介して入力用電極パッド６１に接続されている。また、ＩＤＴ電極４の下部の櫛形電極４２をバスバー９を介して隣接する反射電極５２の下部と導通させ、反射電極５２の上部をグランド用電極パッド６３に接続することにより、櫛形電極４２が反射電極５２を介してグランド用電極パッド６３に接続されている。
【００２０】
全く同様にして、図１０に示した２ポート型弾性波装置１６では、ＩＤＴ電極３の下部の櫛形電極３２をバスバー９を介して隣接する反射電極５１の下部と導通させ、反射電極５１の上部を入力用電極パッド６１に接続することにより、櫛形電極３２が反射電極５１を介して入力用電極パッド６１に接続されている。また、ＩＤＴ電極４の下部の櫛形電極４２をバスバー９を介して隣接する反射電極５２の下部と導通させ、反射電極５２の上部を出力用電極パッド６２に接続することにより、櫛形電極４２が反射電極５２を介して出力用電極パッド６２に接続されている。
【００２１】
この様にして、反射電極５１，５２を引き回しパターンの一部として用いることによって、電極パッド６１〜６３の圧電体基板２上での配置が、ある程度自由に選択できるようになり、小型の弾性波装置を得ることができる。
【００２２】
また、図９の２ポート型弾性波装置１５は０度タイプに該当し、図１０の２ポート型弾性波装置１６は、１８０度タイプに該当するが、電極パッド６１〜６３を圧電体基板２上の一方に配列させたことによって、０度タイプと１８０度タイプと電極パッドの位置が大きく変化しないため、２種類の部品を用意する必要はなくなり、製造工程の複雑化やコスト上昇を抑制することもできる。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、ＩＤＴ電極３，４および反射電極５１，５２、電極パッド６１〜６３は同一の導体膜で形成され、主にアルミまたはアルミに極少量の銅、チタン、クロムなどを混ぜた合金、金を主成分としたものなどが用いられている。これらの電極膜材料は薄膜として圧電体基板２上に堆積され、フォトリソグラフィで形成される。
【００２４】
通常、これらの電極膜には、導体抵抗がほとんどないが、ＩＤＴ電極３，４及び反射電極５１，５２の各電極パッド６１〜６３及びバスバー９から距離的に遠い先の部分では、他の部分と比較して導体抵抗が若干大きく観測される場合もある。特に、膜厚が薄い場合に導体抵抗が大きく観測される。使用周波数帯が高くなるのに応じて電極指幅は細くなるため、このような抵抗分は無視できなくなる。
【００２５】
上記公報に開示された従来の弾性波装置は、反射電極５１，５２に接続される櫛型電極３２，４２が、入力用、出力用又はグランド用のいずれであってもよいとされている。しかしながら、実際には反射電極５１，５２を入出力信号の引き回しパターンとして用いた場合、信号の伝搬経路が長くなることにより伝播損、主に抵抗損が増大し、電気特性に悪い影響が現れる。
【００２６】
また、反射電極５１，５２をグランド電極の引き回しパターンとして用いた場合であっても、使用周波数帯が数百ＭＨｚ以上になると１μｍ程度、使用周波数帯が１ＧＨｚ以上になるとサブミクロンオーダーの電極指幅が必要となることから、引き回しパターン（反射電極５１，５２）における抵抗損が無視できなくなり、やはり電気特性に悪い影響が現れる。
【００２７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、電気的特性の劣化を抑制しつつ小型化することができる弾性波装置を提供することを目的とする。特に、入出力信号の抵抗損を抑制しつつ小型化された弾性波装置を提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の本発明による弾性波装置は、対向する櫛型電極からなるＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の外側に配設された２以上の格子状の電極指からなる反射電極とを圧電体基板上に形成した弾性波装置であって、上記ＩＤＴ電極の一方の櫛型電極と上記反射電極とを導通させるとともに、上記反射電極が、電極指間隔をＳとし、ｎを自然数としたとき、幅Ｌの電極指と、幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指とからなることを特徴とする。
【００２９】
この様な構成により、反射電極を構成する一部の電極指をより太くして反射電極における抵抗を小さくするとともに、太い電極指においても高次のモードとして所定周波数の表面弾性波を反射させることができる。すなわち、電極指幅がＬ、電極指間隔がＳの反射電極の一部の電極指について、その幅をｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌとすることによって、反射電極を引き回しパターンとして用いる場合に、反射電極における抵抗損を低減するとともに、これに伴って生ずる反射特性の劣化を抑制することができる。
【００３０】
請求項２に記載の本発明による弾性波装置は、請求項１に記載の構成に加えて、上記反射電極と導通された櫛型電極が、反射電極を介してグランドに接続されたグランド櫛型電極であることを特徴とする。反射電極の一部の電極指幅を太くしたとしても、電極指の抵抗による特性劣化は生ずる。このため、反射電極を引き回しパターンの一部として用いる場合、グランドに導通される櫛形電極を引き回せば、入出力信号が反射電極の抵抗損によって劣化するのを防止できる。従って、グランドに接続される櫛型電極を反射電極と導通させることが好ましい。
【００３１】
請求項３に記載の本発明による弾性波装置は、請求項１に記載の構成に加えて、幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指が、幅Ｌの電極指よりも外側に配列されることを特徴とする。反射電極の外側では入射する表面弾性波の強度が弱くなるため、幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指を幅Ｌの電極指よりも外側に配列することによって、太い電極指が反射電極の反射特性に与える影響をより小さくすることができる。
【００３２】
請求項４に記載の本発明による弾性波装置は、請求項１に記載の構成に加えて、上記反射電極と導通された櫛型電極が、反射電極を介してグランドに接続されたグランド櫛型電極であり、幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指が、幅Ｌの電極指よりも外側に配列されることを特徴とする。グランドに導通される櫛形電極を引き回せば、入出力信号が反射電極の抵抗損によって劣化するのを防止できるとともに、太い電極指をより外側に配列することによって、太い電極指が反射電極の反射特性に与える影響をより小さくすることができる。
【００３３】
請求項５に記載の本発明による弾性波装置は、請求項１から４のいずれかに記載の構成に加えて、上記反射電極が、幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指を２以上有することを特徴とする。反射電極が太い電極指を２以上有することにより、反射電極における抵抗損をより低減することができる。
【００３４】
請求項６に記載の本発明による弾性波装置は、対向する櫛型電極からなる入力側ＩＤＴ電極と、対向する櫛型電極からなり、入力側ＩＤＴ電極に隣接して配置された出力側ＩＤＴ電極と、２以上の格子状の電極指からなり、これらのＩＤＴ電極の両側に配設される２つの反射電極とを圧電体基板上に形成した弾性波装置において、上記各ＩＤＴ電極の一方の櫛型電極を、それぞれ隣接する反射電極に導通させるとともに、各反射電極が、電極指間隔をＳとし、ｎを自然数としたとき、幅Ｌの電極指と、幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指とからなることを特徴とする。
【００３５】
２以上の隣接するＩＤＴ電極の両側に２つの反射電極が配設され、それぞれがＩＤＴ電極の引き回しパターンとして用いられる場合には、各反射電極について一部の電極指幅をｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌとし、ともに抵抗損を低減するとともに反射特性の劣化を抑制することが望ましい。
【００３６】
請求項７に記載の本発明による弾性波装置は、請求項６に記載の構成に加えて、反射電極に導通された上記一方の櫛型電極が、反射電極を介して圧電体基板上の他方の櫛型電極側に設けられた電極パッドに接続されることを特徴とする。この様な構成により、圧電体基板上で電極パッドをＩＤＴ電極に対し同じ側に配置させることができる。このため、例えば、電極パッドを一列に配置させることもできる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は、本発明による弾性波装置１７の一構成例を示した図である。図中の２は圧電体基板、３は入力側のＩＤＴ電極、４は出力側のＩＤＴ電極、５１及び５２は反射電極である。また、３１はＩＤＴ電極３の上側の櫛型電極、３２はＩＤＴ電極３の下側の櫛型電極、３３は櫛型電極３１，３２の電極指、４１はＩＤＴ電極４の上側の櫛型電極、４２はＩＤＴ電極４の下側の櫛型電極、４３は櫛型電極４１，４２の電極指である。
【００３８】
また、５３は反射電極５１，５２の細い電極指、５４は反射電極５１，５２の太い電極指、６１は入力用電極パッド、６２は出力用電極パッド、６３はグランド用電極パッド、７１は入力端子、７２は出力端子、７３はグランド端子、８はボンディングワイヤ、９はバスバーである。
【００３９】
櫛形電極３１，３２は、ともに複数の電極指３３からなり、互いの電極指３３が交互となるように対向して配置され、入力側ＩＤＴ電極３を構成している。同様にして、櫛形電極４１及び４２は、ともに複数の電極指４３からなり、互いの電極指４３が交互となるように対向して配置され、出力側ＩＤＴ電極４を構成している。
【００４０】
反射電極５１，５２は、ストリップラインからなるグレーティング反射電極であり、平行に配置された複数の電極指、すなわち、細い電極指５３及び太い電極指５４により構成される。各電極指５３，５４は、間隔Ｓにて等間隔に配置されており、電極指５３の幅はＬであるのに対し、電極指５４の幅は２Ｌ＋Ｓとなっている。
【００４１】
入力側ＩＤＴ電極３及び出力側ＩＤＴ電極４は、それぞれの電極指３３が平行となるように隣接して配置され、その両側に隣接して反射電極５１，５２が配置されている。また、反射電極５１，５２の電極指５３，５４は、ＩＤＴ電極３，４の電極指と平行となるように配置される。
【００４２】
ＩＤＴ電極３の上部の櫛形電極３１は、グランド用電極パッド６３を介してグランド端子７３に接続され、グランドとして利用される。同様にして、ＩＤＴ電極４の上部の櫛形電極４１も、グランド用電極パッド６３を介してグランド端子７３に接続され、グランドとして利用される。
【００４３】
ＩＤＴ電極３の下部の櫛形電極３２は、バスバー９を介して隣接する反射電極５１の下部と導通され、反射電極５１の上部は入力用電極パッド６１に接続されている。このため、下部の櫛形電極３２は、バスバー９、反射電極５１及び入力用電極パッド６１を介して入力端子７１に接続され、反射電極５１が引き回しパターンの一部として利用されている。
【００４４】
ＩＤＴ電極４の下部の櫛形電極４２は、バスバー９を介して隣接する反射電極５２の下部と導通され、反射電極５２の上部は出力用電極パッド６２に接続されている。すなわち、下部の櫛形電極４２は、バスバー９、反射電極５２及び入力用電極パッド６２を介して出力端子７２に接続され、反射電極５２が引き回しパターンの一部として利用されている。
【００４５】
反射電極５１，５２を引き回しパターンとして利用することにより、特別な引き回しパターンを設けなくても、入力用電極パッド６１及び出力用電極パッド６２を上部側に設けることができ、グランド電極６３を含む全ての電極パッドを上部に配置することができる。従って、各電極パッド６１〜６３を圧電体基板２上で一列に配置することができる。
【００４６】
図１では、反射電極５１，５２を構成する複数の電極指５３，５４が、全て間隔Ｓで配置されているが、これらの電極指のうち、それぞれ３本が幅２Ｓ＋Ｌの太い電極指５４、その他が幅Ｌの細い電極指５３からなる。
【００４７】
反射電極５１，５２を構成する電極指を太くすることによって、反射電極５１，５２における抵抗損を低減することができる。このため、反射電極５１，５２を引き回しパターンの一部として利用して、弾性波装置を小型化しようとする場合、一部の電極指５４の幅を太くすることによって、抵抗損によって入出力信号の電気的特性を劣化させることなく、弾性波装置を小型化することができる。
【００４８】
ここで、反射電極５１及び５２の一部の電極指５４の幅を太くした場合、これらの電極指５４では、その電極周期にあった周波数が最も強く反射されることになる。すなわち、幅２Ｓ＋Ｌの電極指５４が弾性表面波を反射する基本周波数は、幅Ｌの電極指５３群が表面弾性波を反射する基本周波数ｆｏよりも低い周波数ｆｌとなる。従って、反射電極５１及び５２の中間部に太さの異なる電極指５４が存在する場合、反射電極５１及び５２の反射特性は劣化することになる。
【００４９】
しかしながら、反射電極５１，５２を構成する一部の太い電極指５４の幅をｎ（Ｓ＋Ｌ）＋Ｌとすれば（ｎは自然数）、同じ位置に幅Ｌの電極指５３を配置する場合と比較すれば、その整数倍のピッチで電極指５４が配置されていることになる。
【００５０】
このため、一部の電極指５４の幅をｎ（Ｓ＋Ｌ）＋Ｌとした場合、基本周波数が低下することによる表面弾性波の反射量の若干の低下はあるものの、高次のモードとして周波数ｆｏにおいても弾性表面波を反射することができる。従って、一部の太い電極指５４の幅をｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌとすることは、電極指幅Ｌ、電極指間隔Ｓとは全く無関係の電極幅にする場合に比べて、反射特性の劣化を抑制することができる。
【００５１】
なお、図１では、反射電極５１，５２を構成する太い電極指５４の幅が２Ｓ＋Ｌの場合の例が示されているが、本発明は、上記式のｎが１の場合に限定されず、２以上であってもよい。すなわち、電極指５４の幅は、３Ｓ＋２Ｌ、４Ｓ＋３Ｌ、５Ｓ＋４Ｌ等であってもよい。
【００５２】
また、図１では、各反射電極５１，５２に太い電極指５４が３本含まれる場合の例が示されているが、本発明はこのような場合には限定されない。すなわち、１本であっても抵抗損を低減する効果が得られ、２本以上であれば、更に大きな効果が得られる。
【００５３】
本実施の形態による弾性波装置は、反射電極を引き回しパターンの一部として利用する弾性波装置において、反射電極を構成する電極指のピッチを守りつつ、一部の電極指の幅を太くしている。すなわち、電極指の間隔をＳとした場合に、反射電極を幅Ｌの電極指と、幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指とにより構成している。
【００５４】
この様な構成により、反射電極の反射特性の低下を抑制しつつ、引き回しパターンにおける抵抗損を低減することができる。従って、弾性波装置全体としての特性劣化を抑制しつつ、ボンディングパッドの配置自由度を高め、弾性波装置を小型化し、あるいは、弾性波装置の製造を容易化することができる。また、製造の容易な減衰特性の良い小型の弾性波装置を提供することができる。
【００５５】
実施の形態２．
上記実施の形態１では、櫛形電極３２を入力用電極パッド６１へ引き回すための引き回しパターンの一部として反射電極５１を利用し、櫛形電極４２を出力用電極パッド６２へ引き回すための引き回しパターンの一部として反射電極５２を利用する場合の例について説明した。本実施の形態３では、櫛形電極３２及び４２をグランド用の引き回しパターンの一部として利用する場合、すなわち、グランド櫛形電極を引き回す場合について説明する。
【００５６】
図２は、本発明による弾性波装置１８の一構成例を示した図である。図２において、櫛形電極３１は、入力用電極パッド６１を介して入力端子７１に接続し、櫛形電極４１は、出力用電極パッド６２を介して出力端子７２に接続している。さらに、櫛型電極３２は、反射電極５１とバスバー９で導通し、グランド用電極パッド６３を介してグランド端子７３に接続し、櫛型電極４２は、反射電極５２とバスバー９で導通し、グランド用電極パッド６３を介してグランド端子７３に接続している。その他の構成は実施の形態１における図１の場合と同様である。
【００５７】
反射電極５１及び５２を引き回しパターンの一部として用いた場合、反射電極５１及び５２の３本の電極指５４の幅を太くしたとしても、入出力信号が流れる引き回しパターンとして用いると、通常の引き回しパターンよりは幅が細いため、電極指５３及び５４の抵抗により弾性波装置１８の特性が劣化する可能性がある。そのため、反射電極５１及び５２を引き回し電極のパターンの一部として用いる場合、グランド７３への櫛型電極３２及び４２のみと導通することにすれば弾性波装置１８の特性劣化はほとんど無視することができる。
【００５８】
本実施の形態による弾性波装置は、反射電極と導通された櫛型電極が、グランドに接続されるグランド櫛型電極としている。このため、反射電極を引き回しパターンの一部として利用する場合に、その抵抗損による弾性波装置の劣化を抑制することができる。
【００５９】
実施の形態３．
上記実施の形態１では、太い電極指５４が反射電極５１及び５２のそれぞれの中央部に配列される場合の例について説明したが、本実施の形態３では、太い電極指５４が反射電極５１及び５２のそれぞれの外側（ＩＤＴ電極３，４とは反対側）にある場合について説明する。
【００６０】
図３は、本発明による弾性波装置１９の一構成例を示した図である。この弾性波装置１９は、実施の形態１の図１で示された弾性波装置１７と比較すれば、太い電極指５４が反射電極５１及び５２の外側にある点で異なる。
【００６１】
反射電極５１及び５２では、その電極指に入射する弾性表面波の強度は、ＩＤＴ電極３，４から離れるほど、すなわち圧電体基板２の外側に行くほど弱まる。このため、反射電極５１，５２の幅の太い電極指５４が、反射電極５１，５２の反射特性に与える影響を低減するためには、幅の太い電極指５４を幅の狭い電極指５３よりも外側には配列させることが望ましく、反射電極５１，５２の中央より外側に配列させることが望ましい。さらに、反射特性に与える影響を最も少なくするためには、反射電極５１及び５２において最も外側に太い電極指５４を配列させることが望ましい。
【００６２】
実施の形態４．
上記実施の形態２では、櫛形電極３２及び４２をグランド用の引き回しパターンの一部として利用する場合について説明した。また、上記実施の形態３では、太い電極指５４が反射電極５１及び５２の外側にある場合について説明した。本実施の形態４では、実施の形態２と実施の形態３とを併せた、すなわち、櫛形電極３２及び４２をグランド端子７３の引き回しパターンの一部として利用し、かつ、太い電極指５４が反射電極５１及び５２の外側にある場合について説明する。
【００６３】
図４は、本発明による弾性波装置２０の一構成例を示した図である。図４において、櫛形電極３１は、入力用電極パッド６１を介して入力端子７１に接続され、櫛形電極４１は、出力用電極パッド６２を介して出力端子７２に接続されている。櫛型電極３２は、バスバー９を介して反射電極５１と導通され、グランド用電極パッド６３を介してグランド端子７３に接続される。櫛型電極４２は、バスバー９を介して反射電極５２と導通され、グランド用電極パッド６３を介してグランド端子７３に接続されている。そして、その他の構成は実施の形態３における図３の場合と同様である。
【００６４】
図４に示された弾性波装置２０では、その特性劣化をほとんど無視することができるように、櫛型電極３２及び４２を反射電極５１及び５２と導通してグランド端子７３への引き回しパターンとして用いている。しかも、反射電極５１及び５２の反射特性の向上を図るために、太い電極指５４を反射電極５１及び５２において最も外側に配列させている。従って、弾性波装置２０は、実施の形態１から実施の形態３までの効果を併せ持ち、低損失で高性能なより小型の弾性波装置となる。
【００６５】
なお、上記の各実施の形態では、ＩＤＴ電極が２つ配置された２ポート型弾性波装置の例に説明したが、本発明は、２つのＩＤＴ電極を有する弾性波装置に限定されず、２以上の任意の数のＩＤＴ電極を有する弾性波装置に適用することができ、同様の効果を奏する。さらに、多電極構造のいわゆるトランスバーサル形フィルタに適用することもできる。
【００６６】
また、本発明は、ＩＤＴ電極指の配列周期が全て同じ場合でなくとも、部分的あるいは全体的に配列周期が変化する場合にも適用することができ、同様の効果を奏する。また、ＩＤＴ電極内に浮き電極を有したり、あるいはＩＤＴ内の異なる部位に存在する浮き電極同士が電気的に接続された形状の場合にも適用することができ、同様の効果を奏する。
【００６７】
さらに、この発明は、ＳＡＷフィルタだけでなく、１端子対ＳＡＷ共振器やＳＡＷ遅延線、ＳＡＷ分散型遅延線、ＳＡＷコンボルバ等の電気信号とＬＳＡＷ、ＳＳＢＷとの変換機能を有するＩＤＴ電極を形成する他のＳＡＷデバイス全てに対して効果がある。また、これらのＳＡＷデバイスを用いた弾性波装置全てに対しても効果がある。
【００６８】
【発明の効果】
反射電極を間隔Ｓで配列された幅Ｌの電極指及び幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指により構成することにより、反射電極を引き回しパターンとして利用する小型の弾性波装置において、反射特性の劣化を抑制しつつ、反射電極の電極指での抵抗損失をより低減することができる。
【００６９】
また、反射電極を構成する幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指をグランド櫛型電極と導通することにより、入出力信号についての抵抗損を抑制し、弾性波装置としての特性劣化を防止することができる。
【００７０】
さらに、反射電極を構成する幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指を幅Ｌの反射電極よりも外側に配列することにより、反射電極の反射特性に与える影響を低減することができる。
【００７１】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による弾性波装置１７の一構成例を示した図である（実施の形態１）。
【図２】本発明による弾性波装置１８の一構成例を示した図である（実施の形態２）。
【図３】本発明による弾性波装置１９の一構成例を示した図である（実施の形態３）。
【図４】本発明による弾性波装置２０の一構成例を示した図である（実施の形態４）。
【図５】従来の弾性波装置の１種であるＳＡＷフィルタ１１の構成を示した図である。
【図６】従来の２ポート型弾性波装置１２の構成を示した図である。
【図７】従来の０度タイプの２ポート型弾性波装置１３の構成を示した図である。
【図８】従来の１８０度タイプの２ポート型弾性波装置１４の構成を示した図である。
【図９】改良された従来の２ポート型弾性波装置１５の構成を示した図である。
【図１０】改良された従来の２ポート型弾性波装置１６の構成を示した図である。
【符号の説明】
１２、１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９，２０　弾性波装置、
１１　ＳＡＷフィルタ、２　圧電体基板、３１，３２、４１，４２　櫛型電極、３３、４３，５３，５４　電極指、５１，５２　反射電極、
６１　入力用電極パッド、　６２　出力用電極パッド、
６３　グランド用電極パッド、７１　入力端子、７２　出力端子、
７３　グランド端子、８　ボンディングワイヤ、９　バスバー、
Ｌ　電極指の幅、Ｓ　電極指間隔

Claims (7)

1. 対向する櫛型電極からなるＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の外側に配設された２以上の格子状の電極指からなる反射電極とを圧電体基板上に形成した弾性波装置において、上記ＩＤＴ電極の一方の櫛型電極と上記反射電極とを導通させるとともに、上記反射電極が、電極指間隔をＳとし、ｎを自然数としたとき、幅Ｌの電極指と、幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指とからなることを特徴とする弾性波装置。
2. 上記反射電極と導通された櫛型電極が、反射電極を介してグランドに接続されたグランド櫛型電極であることを特徴とする請求項１に記載の弾性波装置。
3. 幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指が、幅Ｌの電極指よりも外側に配列されることを特徴とする請求項１に記載の弾性波装置。
4. 上記反射電極と導通された櫛型電極が、反射電極を介してグランドに接続されたグランド櫛型電極であり、幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指が、幅Ｌの電極指よりも外側に配列されることを特徴とする請求項１に記載の弾性波装置。
5. 上記反射電極が、幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指を２以上有することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の弾性波装置。
6. 対向する櫛型電極からなる入力側ＩＤＴ電極と、対向する櫛型電極からなり、入力側ＩＤＴ電極に隣接して配置された出力側ＩＤＴ電極と、２以上の格子状の電極指からなり、これらのＩＤＴ電極の両側に配設される２つの反射電極とを圧電体基板上に形成した弾性波装置において、上記各ＩＤＴ電極の一方の櫛型電極を、それぞれ隣接する反射電極に導通させるとともに、各反射電極が、電極指間隔をＳとし、ｎを自然数としたとき、幅Ｌの電極指と、幅ｎ（Ｌ＋Ｓ）＋Ｌの電極指とからなることを特徴とする弾性波装置。
7. 反射電極に導通された上記一方の櫛型電極が、反射電極を介して圧電体基板上の他方の櫛型電極側に設けられた電極パッドに接続されることを特徴とする請求項６に記載の弾性波装置。

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