JP4550800B2 - プロブコールおよびその誘導体のエステルおよびエーテルの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、炎症および心臓血管疾患の治療に適するプロブコールおよびその誘導体のエステルおよびエーテルの製造方法である。

Ａｔｈｅｒｏ Ｇｅｎｉｃｓ，Ｉｎｃ．に譲渡されている米国特許第５，２６２，４３９号は、水溶性が増大したプロブコールの類似体を開示しており、そこでは、ヒドロキシル基の一方または両方をエステル基で置換し、それによって化合物の水溶性を増大させている。この第‘４３９号特許は、過剰のジカルボン酸無水物および触媒量の４−ジメチル−アミノピリジンを用いてそのジカルボン酸無水物が確実に液体であるために充分な温度でプロブコール処理することにより、プロブコールのカルボン酸誘導体を製造することができると報告している。これらの条件下では前記無水物それ自体が溶媒として作用するので、無水溶媒を必要としない。

Ａｔｈｅｒｏ Ｇｅｎｉｃｓ，Ｉｎｃ．出願の国際公開公報第０１／７０７５７号は、下記式の一定の化合物およびその医薬適合性の塩の使用とともに、使用方法および製造方法を記載している：

式中、
ａ）Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは、独立して、この分子の望ましい特性に悪影響を及ぼさないあらゆる基（水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、ヘテロアリール、置換へテロアリール、アルカリール、置換アルカリール、アラルキルまたは置換アラルキルを含む。）であり；ならびに
ｂ）Ｚは、（ｉ）置換もしくは非置換炭水化物、（ｉｉ）置換もしくは非置換アルジトール、（ｉｉｉ）スルホン酸を末端に有する、Ｃ１〜１０アルキルもしくは置換Ｃ１〜１０アルキル、（ｉｖ）ホスホン酸を末端に有する、Ｃ１〜１０アルキルもしくは置換Ｃ１〜１０アルキル、（ｖ）置換もしくは非置換Ｃ１〜１０アルキル−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｃ１〜１０アルキル、（ｖｉ）直鎖ポリヒドロキシル化Ｃ３〜１０アルキル、（ｖｉｉ）−（ＣＲ^２）１〜６−ＣＯＯＨ（この式中、Ｒは、独立して、水素、ハロ、アミノもしくはヒドロキシであり、このＲ置換基のうちの少なくとも１つは、水素ではない。）；または（ｖｉｉｉ）−（ＣＲ^２）１〜６−Ｘ（この式中、Ｘは、アリール、ヘテロアリールもしくは複素環であり、Ｒは、独立して、水素、ハロ、アミノまたはヒドロキシである。）である。

Ａｔｈｅｒｏ Ｇｅｎｉｃｓ，Ｉｎｃ．に譲渡された米国特許第６，１４７，２５０号は、ＶＣＡＭ−１の発現を阻害する化合物、組成物および方法、ならびに前記化合物および組成物の製造方法を提供している。この特許は、テトラヒドロフランの０．１Ｍ溶液中の一定量のプロブコールを２当量の水素化ナトリウムで処理し、室温で３０分間攪拌することにより、モノエステルを製造することができると報告している。この反応混合物に３当量の酸塩化物または酸無水物を添加し、この反応物を室温で１６時間攪拌する。１ＮのＨＣｌで反応を停止させ、酢酸エチルで希釈する。水性層を除去し、酢酸エチル層を水で洗浄し、次いで、塩化ナトリウム飽和水溶液で洗浄する。その酢酸エチル溶液を硫酸マグネシウムで乾燥させ、重力濾過または真空濾過して、濃縮する。生成物をシリカゲルクロマトグラフィーによって精製して、収率１４％の所望の化合物を得る。

米国特許第６，３２３，３５９号は、前記第‘２５０号特許にある化合物群の製造方法を開示し、特許請求の範囲に記載している。この第‘３５９号特許は、プロブコール化合物のアルカリ金属塩を形成するためのアルカリ金属水酸化物、アルカリ金属アルコキシド、アルカリアンモニウムアルコキシド、水酸化アルキルアンモニウムの使用を開示しており、それらの塩は、次いで、ジカルボン酸無水物と反応させる。

フランス特許第２，１６８，１３７号は、アルカリ水酸化物もしくは炭酸塩、第三アミンまたは第三級窒素複素環の存在下、加熱しながら不活性溶媒中、有機酸のハロゲン化物または無水物とプロブコールを反応させることによる、プロブコールのジエステルの生成を記載している。Ｏ位に金属を有するプロブコール誘導体を反応中間体として使用することもできる。

依然として必要とされているのは、有効であり、良好な収率をもたらす、米国特許第６，１４１，２５０号、同第６，３２３，３５９号および同第５，２６２，４３９号ならびに国際公開公報第０１／７０７５７号に記載されている化合物群の製造方法である。

本発明のもう１つの目的は、最終生成物の量を最適にするプロブコールまたはプロブコール誘導体のモノエステルおよびモノエーテルの製造方法を提供することである。

本発明のさらにもう１つの目的は、使用する試薬の量を最少にするプロブコールまたはプロブコール誘導体のモノエステルおよびモノエーテルの製造方法を提供することである。

最終生成混合物中のモノエステルの量を最適にし、試薬の量を最少にするプロブコールまたはプロブコール誘導体のエステルおよびエーテルの製造方法を提供する。

プロブコールまたはプロブコール誘導体は、遊離ヒドロキシルを有するプロブコールまたはその誘導体（親プロブコール分子上のものとは異なる置換基を少なくとも１個有するが、２個の遊離ヒドロキシル基は維持しているプロブコール化合物を意味する。）をグリニャール試薬またはリチウム試薬と反応させ、プロブコールまたはプロブコール誘導体のマグネシウム塩またはリチウム塩をそれぞれ生成させることにより、プロブコールのエステルに有効に転化させることができることを発見した。次に、強い酸化物アニオンを有するこのプロブコール化合物塩を、飽和もしくは不飽和ハロゲン化アシル、飽和もしくは不飽和カルボン酸無水物、飽和もしくは不飽和活性カルボン酸エステルまたは他のエステル形成試薬などのエステル形成性化合物と反応させる。また、このプロブコール化合物塩をエーテル形成性化合物と反応させて、プロブコールエーテルまたはプロブコールエーテル誘導体を発生させることができる。

広く説明すると、本発明は、
式Ｉ：

の化合物またはその塩を製造するための方法から成り、
この方法は、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４が、水素およびアルキルから成る群より選択され、前記アルキルが、ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、アミノ、ハロ、カルボキシおよびシアノによって場合により置換されており；
Ｒ^５およびＲ^６が、同じであり、または異なり、ならびにアルキル、アルケニルおよびアリール（これらはすべて、ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、アミノ、ハロ、カルボキシおよびシアノによって場合により置換されていてもよい。）から成る群より、独立して選択され；
Ｒ^５およびＲ^６が、一緒になって炭素環を形成することができ；
Ｘが、水素、場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；
Ｙが、場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し、
式ＩＩ：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、前に定義したとおりである。）
の化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アシル、飽和または不飽和カルボン酸無水物および飽和または不飽和活性カルボン酸エステル（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式Ｉの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含み、または
この方法は、
Ｘが、水素、場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；
Ｙが、場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルが、極性または荷電官能基を場合により含有し、
式ＩＩ（この式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、前に定義したとおりである。）の化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていることがある。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式Ｉの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む。

（発明の詳細な説明）
プロブコールまたはプロブコール誘導体のエステルの製造方法であって、最終生成混合物中のその量を最適にし、使用する試薬の量を最少にする方法を提供する。

プロブコールまたはこのプロブコール誘導体は、プロブコールまたはこのプロブコール誘導体をグリニャール試薬またはリチウム試薬と反応させ、プロブコールまたはこのプロブコール誘導体のマグネシウム塩またはリチウム塩をそれぞれ生成させることにより、プロブコールまたはプロブコール誘導体のモノエステルに転化させることができる。得られたプロブコール塩は、次いで、飽和もしくは不飽和ハロゲン化アシル、飽和もしくは不飽和カルボン酸無水物、飽和もしくは不飽和活性カルボン酸エステルまたは他のエステル形成試薬（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）などのエステル形成化合物と反応させる。

反応条件選択の最適化により、モノエステル約６４％（この場合、モノエステル６６％が、期待理論収率である。）、ジエステル約１３％および未反応プロブコールまたはプロブコール誘導体約２３％の生成物比を達成することができる。

もう１つの実施態様において、本発明は、プロブコールまたはプロブコール誘導体のエーテルの製造方法であって、最終生成物の量を最適にし、使用する試薬の量を最少にする方法を提供する。

プロブコールまたはプロブコール誘導体は、プロブコールまたはこのプロブコール誘導体をグリニャール試薬またはリチウム試薬と反応させ、プロブコールまたはこのプロブコール誘導体のマグネシウム塩またはリチウム塩をそれぞれ生成させることにより、プロブコールまたはプロブコール誘導体のモノエーテルに転化させることができる。得られたプロブコール塩は、次いで、ハロゲン化アルキル、アルキルトシレート、アルキルメシレート、適切な脱離基を有する他のアルキル基、または他のエーテル形成試薬（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）などのエーテル形成化合物と反応させる。

望ましい結果を達成するあらゆる溶媒を使用することができる。溶媒の例には、その反応条件下で不活性であるあらゆる有機溶媒、非プロトン性溶媒、エーテル（ＴＨＦまたはエチルエーテルなど）、液体アミド（ＤＭＦなど）、炭化水素（トルエンなどの芳香族炭化水素を含む。）およびそれらの混合物が挙げられる。ここで用いる語「溶媒」は、溶媒の混合物を包含する。ここで用いる可溶化剤には、テトラメチル尿素、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノンおよびヘキサメチルホスホルアミドが挙げられるが、これらに限定されない。一般に、グリニャール試薬またはリチウム試薬と反応し得るアルコールまたは他の試薬は、避けるべきである。

典型的に、反応は、不活性雰囲気下、例えば、窒素またはアルゴンブランケットのもとで行う。

反応の第一段階において、プロブコールまたはプロブコール誘導体を溶媒、補助溶媒もしくは可溶化試薬またはそれらの混合物の存在下でグリニャール試薬またはリチウム試薬と混合して、プロブコール塩を形成する。

第二段階において、このプロブコール塩をエステルまたはエーテル形成剤と反応させる。第一段階のプロブコール塩を単離し、これを後程、第二段階において使用することができ、またはニートの、もしくは適する溶媒中のエステルもしくはエーテル形成試薬をこのプロブコール塩混合物に単に導入することにより、第一段階と第二段階の両方を単一の反応容器で行うことができる。また、このプロブコール塩混合物を、ニートの、または適する溶媒中のエステルまたはエーテル形成試薬を収容している反応容器に添加してもよい。

第一および第二段階は、同じ温度もしくは異なる温度で行うことができ、または両方もしくはいずれか一方を傾斜温度で行うことができる。一般に、両段階とも、望ましい結果を達成するあらゆる温度（複数を含む）で行う。

反応は、いずれかの温度からほぼ凝固点または凝固点の直ぐ上までを含む低温で維持する。他の実施態様では、いずれか一方または両方の反応の温度は、０℃未満から室温以上（溶媒の沸点までを含む。）の範囲である。温度の選択は、作業者の好み、利用可能な装置、使用する１つまたは複数の溶媒の凝固点および沸点、試薬の反応性、ならびに副反応の制御に依存し得る。

また、いずれか一方または両方の反応の自然な発熱量を利用して、反応を温め、外部から加熱する必要を回避する。過剰なまたは望ましくない発熱量は、外部からの冷却により制御することができる。

本発明のもう１つの側面では、溶媒、補助溶媒もしくは可溶化剤またはそれらの混合物中にプロブコールまたはプロブコール誘導体およびエステルまたはエーテル形成剤を含有する混合物に、グリニャール試薬またはリチウム試薬を添加する。

特に広い形態において、本発明は、
式Ｉ：

の化合物またはその塩の製造方法を包含し、
この方法は、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４が、水素およびアルキルから成る群より選択され、前記アルキルが、ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、アミノ、ハロ、カルボキシおよびシアノによって場合により置換されており；
Ｒ^５およびＲ^６が、同じであり、または異なり、ならびにアルキル、アルケニルおよびアリール（これらはすべて、ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、アミノ、ハロ、カルボキシおよびシアノによって場合により置換されていてもよい。）から成る群より、独立して選択され；
Ｒ^５およびＲ^６が、一緒になって炭素環を形成することができ；
Ｘが、水素、場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；
Ｙが、場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し、
式ＩＩ：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、前に定義したとおりである）
の化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アシル、飽和または不飽和カルボン酸無水物および飽和または不飽和活性カルボン酸エステル（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式Ｉの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含み、または
この方法は、
Ｘが、水素、場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；
Ｙが、場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルが、極性または荷電官能基を場合により含有し、
式ＩＩ（この式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、前に定義したとおりである。）の化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていることがある。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式Ｉの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む。

第一の絞り込まれた実施態様において、本発明は、
式Ｉ：

の化合物またはその塩の製造方法を包含し、
この方法は、
式Ｉ中のＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４が、同じであり、または異なり、ならびに水素、および１から６個の炭素原子を有するアルキルから成る群より、独立して選択され；
Ｒ^５およびＲ^６が、同じであり、または異なり、ならびに１から８個の炭素原子を有するアルキル、１から８個の炭素原子を有するアルケニル、およびアシルから成る群より、独立して選択され；
Ｒ^５およびＲ^６が、一緒になって、３から８個の炭素原子を含有する炭素環を形成することができ；
Ｘが、水素；１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル；および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し、
式ＩＩ：

（この式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、前に定義したとおりである。）の化合物をグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アシル、飽和または不飽和カルボン酸無水物および飽和または不飽和活性カルボン酸エステル（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式Ｉの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含み、または
この方法は、
式Ｉ中のＸが、水素；１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル；および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルが、極性または荷電官能基を場合により含有し、
式ＩＩ（この式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、前に定義したとおりである。）の化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていることがある。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式Ｉの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む。

第二の実施態様において、本発明は、式ＩＩＩ：

（式中、
Ｘが、水素；１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル；および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有し；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する。）
の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶ：

の化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アシル、飽和または不飽和カルボン酸無水物および飽和または不飽和活性カルボン酸エステル（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第三の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アシル、飽和または不飽和カルボン酸無水物および飽和または不飽和活性カルボン酸エステル（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第四の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素；１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル；および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有し；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物をグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アシル、飽和または不飽和カルボン酸無水物および飽和または不飽和活性カルボン酸エステル（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第五の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物をグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アシル、飽和または不飽和カルボン酸無水物および飽和または不飽和活性カルボン酸エステル（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第六の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶ：

の化合物を、ハロゲン化アルキルマグネシウム、ハロゲン化アルケニルマグネシウム、ハロゲン化アルキニルマグネシウム、ハロゲン化アリールマグネシウム、ハロゲン化アリールアルキルマグネシウム、アルキルマグネシウムアルキル、アリールマグネシウムアリール、ハロゲン化アリールアルキニルマグネシウム、ハロゲン化アリールアルケニルマグネシウムおよびハロゲン化ヘテロアリールマグネシウム（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和カルボン酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第七の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を、ハロゲン化アルキルマグネシウム、ハロゲン化アルケニルマグネシウム、ハロゲン化アルキニルマグネシウム（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第八の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を、臭化メチルマグネシウム、塩化オクタデシルマグネシウム、塩化テトラデシルマグネシウム、臭化ｎ−ペンタデシルマグネシウム、塩化エチニルマグネシウム、臭化ｎ−ノニルマグネシウム、塩化ｎ−オクチルマグネシウム、臭化（２−メチルプロペニル）マグネシウム、臭化シクロペンチルマグネシウム、塩化ｔ−ペンチルマグネシウム、臭化シクロプロピルマグネシウム、塩化（１−メチル−２−プロペニル）マグネシウム、臭化１−デシルマグネシウム、臭化１−オクチルマグネシウム、臭化１−プロピニルマグネシウム、臭化ドデシルマグネシウム、塩化ｓ−ブチルマグネシウム、臭化１−プロペニルマグネシウム、臭化イソプロペニルマグネシウム、塩化（２，２−ジメチルプロピル）マグネシウム、臭化１−ヘプチルマグネシウム、臭化３−ブテニルマグネシウム、塩化１−ペンチルマグネシウム、塩化２−メチルプロピルマグネシウム、塩化（２−メチル−２−プロペニル）マグネシウム、臭化エチニルマグネシウム、臭化１−ヘキシルマグネシウム、塩化ビニルマグネシウム、塩化アリルマグネシウム、塩化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、臭化ビニルマグネシウム、臭化アリルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化シクロヘキシルマグネシウム、臭化シクロヘキシルマグネシウム、臭化１−プロピルマグネシウム、臭化イソブチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、臭化２−ブチルマグネシウム、臭化２−プロピルマグネシウム、ヨウ化メチルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、臭化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｔ−ブチルマグネシウムおよび塩化メチルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第九の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
式ＩＶの化合物の溶液を、臭化メチルマグネシウム、塩化オクタデシルマグネシウム、塩化テトラデシルマグネシウム、臭化ｎ−ノニルマグネシウム、塩化ｎ−オクチルマグネシウム、臭化（２−メチルプロペニル）マグネシウム、臭化シクロペンチルマグネシウム、塩化ｔ−ペンチルマグネシウム、臭化シクロプロピルマグネシウム、臭化１−デシルマグネシウム、臭化１−オクチルマグネシウム、臭化ドデシルマグネシウム、塩化ｓ−ブチルマグネシウム、塩化（２，２−ジメチルプロピル）マグネシウム、臭化１−ヘプチルマグネシウム、塩化１−ペンチルマグネシウム、塩化２−メチルプロピルマグネシウム、臭化１−ヘキシルマグネシウム、塩化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化シクロヘキシルマグネシウム、臭化シクロヘキシルマグネシウム、臭化１−プロピルマグネシウム、臭化イソブチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、臭化２−ブチルマグネシウム、臭化２−プロピルマグネシウム、ヨウ化メチルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、臭化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｔ−ブチルマグネシウムおよび塩化メチルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む、
第八の実施態様に記載の方法によって表される。

第十の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
式ＩＶの化合物の溶液を、臭化メチルマグネシウム、塩化ｎ−オクチルマグネシウム、臭化（２−メチルプロペニル）マグネシウム、臭化シクロペンチルマグネシウム、塩化ｔ−ペンチルマグネシウム、臭化シクロプロピルマグネシウム、臭化１−オクチルマグネシウム、塩化ｓ−ブチルマグネシウム、塩化（２，２−ジメチルプロピル）マグネシウム、臭化１−ヘプチルマグネシウム、塩化１−ペンチルマグネシウム、塩化２−メチルプロピルマグネシウム、臭化１−ヘキシルマグネシウム、塩化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化シクロヘキシルマグネシウム、臭化シクロヘキシルマグネシウム、臭化１−プロピルマグネシウム、臭化イソブチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、臭化２−ブチルマグネシウム、臭化２−プロピルマグネシウム、ヨウ化メチルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、臭化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｔ−ブチルマグネシウムおよび塩化メチルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む、
第九の実施態様に記載の方法によって表される。

第十一の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
式ＩＶの化合物の溶液を、塩化ｎ−オクチルマグネシウム、臭化（２−メチルプロペニル）マグネシウム、塩化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化シクロヘキシルマグネシウム、ヨウ化メチルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｔ−ブチルマグネシウムおよび塩化メチルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む、
第十の実施態様に記載の方法によって表される。

第十二の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
式ＩＶの化合物の溶液を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む、
第十一の実施態様に記載の方法によって表される。

第十三の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する飽和アシル、または１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルであり、前記飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
式ＩＶの化合物の溶液を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む、
第十二の実施態様に記載の方法によって表される。

第十四の実施態様において、本発明は、式Ｖ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をコハク酸無水物と反応させること；
前記式Ｖの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む、第十三の実施態様に記載の方法によって表される。

第十五の実施態様において、本発明は、式ＶＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をグルタル酸無水物と反応させること；
前記式ＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む、第十三の実施態様に記載の方法によって表される。

第十六の実施態様において、本発明は、式ＶＩＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を酢酸無水物と反応させること；
前記式ＶＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む、第十三の実施態様に記載の方法によって表される。

第十七の実施態様において、本発明は、式ＶＩＩＩ：

（式中、Ｒ^７およびＲ^８は、水素、アシル、アルキル、アルケニル、アリール、アラルキル、Ｓｉ（アルキル）_３、保護カルボキシ、アルクスルホニルおよびアリールスルホニルから成る群より、独立して選択される。）
の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、保護または非保護アミノにより置換されている酢酸無水物と反応させること；
前記式ＶＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む、第十三の実施態様に記載の方法によって表される。

第十八の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を、ハロゲン化アリールマグネシウムまたはハロゲン化ヘテロアリールマグネシウム（この場合、前記ハロゲン化アリールマグネシウムおよびハロゲン化ヘテロアリールマグネシウムは、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第十九の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、臭化３−クロロ−４−フルオロフェニルマグネシウム、臭化３−フルオロ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化５−フルオロ−２−メトキシフェニルマグネシウム、臭化５−フルオロ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化３，５−ジメチル−４−メトキシフェニルマグネシウム、臭化３−フルオロ−４−メチルフェニルマグネシウム、塩化３−［ビス（トリメチルシリル）アミノ］フェニルマグネシウム、ヨウ化３−チエニルマグネシウム、臭化３−フルオロ−４−クロロフェニルマグネシウム、臭化３，４，５−トリフルオロフェニルマグネシウム、臭化４−メトキシ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化２，４−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化２，３−ジメチルフェニルマグネシウム、塩化３−メチルフェニルマグネシウム、臭化（４−メチル−１−ナフタレニル）マグネシウム、臭化（３−フルオロ−４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化２−クロロ−５−チエニルマグネシウム、塩化３，４−ジメチルフェニルマグネシウム、臭化３−メチル−２−チエニルマグネシウム、臭化ペンタメチルフェニルマグネシウム、臭化３，４−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化（３，４−ジメチルフェニル）マグネシウム、臭化（３，５−ジクロロフェニル）マグネシウム、臭化（４−フルオロ−３−メチルフェニル）マグネシウム、臭化３，４−ジクロロフェニルマグネシウム、臭化２，３，５，６−テトラメチルフェニルマグネシウム、臭化９−フェナントリルマグネシウム、臭化（４−ｔ−ブチルフェニル）マグネシウム、臭化２，５−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化３，５−ジフルオロフェニルマグネシウム、塩化４−クロロフェニルマグネシウム、臭化（６−メトキシ−２−ナフチル）マグネシウム、臭化（２−メトキシ−１−ナフチル）マグネシウム、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（３−クロロフェニル）マグネシウム、臭化（３，５−ジメチルフェニル）マグネシウム、塩化（２−メチルフェニル）マグネシウム、臭化４−フルオロ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化（２，５−ジメチルフェニル）マグネシウム、臭化ｍ−メチルフェニルマグネシウム、臭化４−エチルフェニルマグネシウム、臭化２−ピリジルマグネシウム、臭化４−フェノキシフェニルマグネシウム、臭化２−ナフチルマグネシウム、臭化（２−メチル−１−ナフチル）マグネシウム、臭化２，６−ジメチルフェニルマグネシウム、臭化２−エチルフェニルマグネシウム、臭化４−（メチルチオ）フェニルマグネシウム、臭化（４−イソプロピルフェニル）マグネシウム、臭化３，４−メチレンジオキシフェニルマグネシウム、臭化３−フルオロフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウム、ヨウ化フェニルマグネシウム、臭化（４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化４−（ジメチルアミノ）フェニルマグネシウム、臭化２−チエニルマグネシウム、臭化（４−メチルフェニル）マグネシウム、臭化メシチマグネシウム（Ｍｅｓｉｔｙｍａｇｎｅｓｉｕｍ）、臭化２−トリルマグネシウム、臭化ペンタフルオロフェニルマグネシウム、臭化（４−クロロフェニル）マグネシウム、臭化１−ナフタレニルマグネシウム、塩化４−メチルフェニルマグネシウム、臭化４−フルオロフェニルマグネシウム、塩化フェニルマグネシウム、臭化フェニルマグネシウムおよび臭化（４−ビフェニリル）マグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第二十の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、臭化３，５−ジメチル−４−メトキシフェニルマグネシウム、臭化４−メトキシ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化２，４−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化２，３−ジメチルフェニルマグネシウム、塩化３−メチルフェニルマグネシウム、塩化３，４−ジメチルフェニルマグネシウム、臭化ペンタメチルフェニルマグネシウム、臭化３，４−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化（３，４−ジメチルフェニル）マグネシウム、臭化２，３，５，６−テトラメチルフェニルマグネシウム、臭化（４−ｔ−ブチルフェニル）マグネシウム、臭化２，５−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（３，５−ジメチルフェニル）マグネシウム、塩化（２−メチルフェニル）マグネシウム、臭化（２，５−ジメチルフェニル）マグネシウム、臭化ｍ−メチルフェニルマグネシウム、臭化４−エチルフェニルマグネシウム、臭化４−フェノキシフェニルマグネシウム、臭化２，６−ジメチルフェニルマグネシウム、臭化２−エチルフェニルマグネシウム、臭化（４−イソプロピルフェニル）マグネシウム、臭化３，４−メチレンジオキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウム、ヨウ化フェニルマグネシウム、臭化（４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化（４−メチルフェニル）マグネシウム、臭化メシチマグネシウム、臭化２−トリルマグネシウム、塩化４−メチルフェニルマグネシウム、塩化フェニルマグネシウムおよび臭化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第二十一の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、塩化３−メチルフェニルマグネシウム、臭化（４−ｔ−ブチルフェニル）マグネシウム、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、塩化（２−メチルフェニル）マグネシウム、臭化ｍ−メチルフェニルマグネシウム、臭化４−エチルフェニルマグネシウム、臭化２−エチルフェニルマグネシウム、臭化（４−イソプロピルフェニル）マグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウム、ヨウ化フェニルマグネシウム、臭化（４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化（４−メチルフェニル）マグネシウム、臭化２−トリルマグネシウム、塩化４−メチルフェニルマグネシウム、塩化フェニルマグネシウムおよび臭化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第二十二の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、塩化３−メチルフェニルマグネシウム、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、塩化（２−メチルフェニル）マグネシウム、臭化ｍ−メチルフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウム、ヨウ化フェニルマグネシウム、臭化（４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化（４−メチルフェニル）マグネシウム、臭化２−トリルマグネシウム、塩化４−メチルフェニルマグネシウム、塩化フェニルマグネシウムおよび臭化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第二十三の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第二十四の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する飽和アシル、または１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルであり、前記飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第二十五の実施態様において、本発明は、式Ｖ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶ：

の化合物の溶液を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をコハク酸無水物と反応させること；
前記式Ｖの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第二十六の実施態様において、本発明は、式ＶＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をグルタル酸無水物と反応させること；
前記式ＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第二十七の実施態様において、本発明は、式ＶＩＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を酢酸無水物と反応させること；
前記式ＶＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第二十八の実施態様において、本発明は、式ＶＩＩＩ：

（式中、Ｒ^７およびＲ^８は、水素、アシル、アルキル、アルケニル、アリール、アラルキル、Ｓｉ（アルキル）_３、保護カルボキシ、アルクスルホニルおよびアリールスルホニルから成る群より、独立して選択される。）
の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、保護または非保護アミノにより置換されている酢酸無水物と反応させること；
前記式ＶＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第二十九の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、ハロゲン化アリールアルキルマグネシウム、ハロゲン化アリールアルキニルマグネシウムおよびハロゲン化アリールアルケニルマグネシウム（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第三十の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、塩化２，５−ジメチルベンジルマグネシウム、塩化２，６−ジクロロベンジルマグネシウム、塩化２，４−ジクロロベンジルマグネシウム、塩化２−フルオロベンジルマグネシウム、塩化２，４−ジメチルベンジルマグネシウム、臭化３−ブロモベンジルマグネシウム、臭化４−ブロモベンジルマグネシウム、塩化（２−フェニルエチル）マグネシウム、塩化３−フルオロベンジルマグネシウム、塩化（３，４−ジクロロベンジル）マグネシウム、臭化２−ブロモベンジルマグネシウム、塩化４−メトキシベンジルマグネシウム、塩化４−メチルベンジルマグネシウム、塩化ｍ−メチルベンジルマグネシウム、塩化２−メチルベンジルマグネシウム、塩化３−クロロベンジルマグネシウム、塩化２−クロロベンジルマグネシウム、塩化ｍ−メトキシベンジルマグネシウム、塩化ベンジルマグネシウム、臭化（フェニルエチニル）マグネシウム、塩化４−フルオロベンジルマグネシウム、臭化ベンジルマグネシウム、塩化４−クロロベンジルマグネシウムおよび塩化２−クロロ−６−フルオロベンジルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第三十一の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、塩化２，５−ジメチルベンジルマグネシウム、塩化２，４−ジメチルベンジルマグネシウム、塩化（２−フェニルエチル）マグネシウム、塩化４−メトキシベンジルマグネシウム、塩化４−メチルベンジルマグネシウム、塩化ｍ−メチルベンジルマグネシウム、塩化２−メチルベンジルマグネシウム、塩化ｍ−メトキシベンジルマグネシウム、塩化ベンジルマグネシウムおよび臭化ベンジルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第三十二の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第三十三の実施態様において、本発明は、式ＩＩＩ
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する飽和アシル、または１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルであり、前記飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第三十四の実施態様において、本発明は、式Ｖ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をコハク酸無水物と反応させること；
前記式Ｖの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第三十五の実施態様において、本発明は、式ＶＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をグルタル酸無水物と反応させること；
前記式ＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第三十六の実施態様において、本発明は、式ＶＩＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を酢酸無水物と反応させること；
前記式ＶＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第三十七の実施態様において、本発明は、式ＶＩＩＩ：

（式中、Ｒ^７およびＲ^８は、水素、アシル、アルキル、アルケニル、アリール、アラルキル、Ｓｉ（アルキル）_３、保護カルボキシ、アルクスルホニルおよびアリールスルホニルから成る群より、独立して選択される。）
の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、保護または非保護アミノにより置換されている酢酸無水物と反応させること；
前記式ＶＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第三十八の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、アルキルマグネシウムアルキルまたはアリールマグネシウムアリール（この場合、前記アルキルマグネシウムアルキルまたはアリールマグネシウムアリールは、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第三十九の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第四十の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第四十一の実施態様において、本発明は、式Ｖ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をコハク酸無水物と反応させること；
前記式Ｖの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第四十二の実施態様において、本発明は、式ＶＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をグルタル酸無水物と反応させること；
前記式ＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第四十三の実施態様において、本発明は、式ＶＩＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を酢酸無水物と反応させること；
前記式ＶＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第四十四の実施態様において、本発明は、式ＶＩＩＩ：

（式中、Ｒ^７およびＲ^８は、水素、アシル、アルキル、アルケニル、アリール、アラルキル、Ｓｉ（アルキル）_３、保護カルボキシ、アルクスルホニルおよびアリールスルホニルから成る群より、独立して選択される。）
の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、保護または非保護アミノにより置換されている酢酸無水物と反応させること；
前記式ＶＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第四十五の実施態様において、本発明は、式Ｉ：

（式中、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、水素およびアルキルから成る群より選択され、前記アルキルは、ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、アミノ、ハロ、カルボキシおよびシアノによって場合により置換されており；
Ｒ^５およびＲ^６は、同じであり、または異なり、ならびにアルキル、アルケニルおよびアリール（これらはすべて、ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、アミノ、ハロ、カルボキシおよびシアノによって場合により置換されていてもよい。）から成る群より、独立して選択され；
Ｒ^５およびＲ^６は、一緒になって炭素環を形成することができ；
Ｘが、水素；１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル；および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有し；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する。）
の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＩ：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、前に定義したとおりである。）
の化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式Ｉの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第四十六の実施態様において、本発明は、式ＩＩＩ：

（式中、
Ｘが、水素；１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル；および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有し；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する。）
の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶ：

の化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第四十七の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第四十八の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素；１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル；および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有し；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、グリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第四十九の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、グリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第五十の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、ハロゲン化アルキルマグネシウム、ハロゲン化アルケニルマグネシウム、ハロゲン化アルキニルマグネシウム、ハロゲン化アリールマグネシウム、ハロゲン化アリールアルキルマグネシウム、アルキルマグネシウムアルキル、アリールマグネシウムアリール、ハロゲン化アリールアルキニルマグネシウム、ハロゲン化アリールアルケニルマグネシウムおよびハロゲン化ヘテロアリールマグネシウム（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第五十一の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を、ハロゲン化アルキルマグネシウム、ハロゲン化アルケニルマグネシウム、ハロゲン化アルキニルマグネシウム（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキル、ブチロラクトン、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびジエポキシブタン（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第五十二の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を、臭化メチルマグネシウム、塩化オクタデシルマグネシウム、塩化テトラデシルマグネシウム、臭化ｎ−ペンタデシルマグネシウム、塩化エチニルマグネシウム、臭化ｎ−ノニルマグネシウム、塩化ｎ−オクチルマグネシウム、臭化（２−メチルプロペニル）マグネシウム、臭化シクロペンチルマグネシウム、塩化ｔ−ペンチルマグネシウム、臭化シクロプロピルマグネシウム、塩化（１−メチル−２−プロペニル）マグネシウム、臭化１−デシルマグネシウム、臭化１−オクチルマグネシウム、臭化１−プロピニルマグネシウム、臭化ドデシルマグネシウム、塩化ｓ−ブチルマグネシウム、臭化１−プロペニルマグネシウム、臭化イソプロペニルマグネシウム、塩化（２，２−ジメチルプロピル）マグネシウム、臭化１−ヘプチルマグネシウム、臭化３−ブテニルマグネシウム、塩化１−ペンチルマグネシウム、塩化２−メチルプロピルマグネシウム、塩化（２−メチル−２−プロペニル）マグネシウム、臭化エチニルマグネシウム、臭化１−ヘキシルマグネシウム、塩化ビニルマグネシウム、塩化アリルマグネシウム、塩化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、臭化ビニルマグネシウム、臭化アリルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化シクロヘキシルマグネシウム、臭化シクロヘキシルマグネシウム、臭化１−プロピルマグネシウム、臭化イソブチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、臭化２−ブチルマグネシウム、臭化２−プロピルマグネシウム、ヨウ化メチルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、臭化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｔ−ブチルマグネシウムおよび塩化メチルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキル、ブチロラクトン、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびジエポキシブタン（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第五十三の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を、臭化メチルマグネシウム、塩化オクタデシルマグネシウム、塩化テトラデシルマグネシウム、臭化ｎ−ノニルマグネシウム、塩化ｎ−オクチルマグネシウム、臭化（２−メチルプロペニル）マグネシウム、臭化シクロペンチルマグネシウム、塩化ｔ−ペンチルマグネシウム、臭化シクロプロピルマグネシウム、臭化１−デシルマグネシウム、臭化１−オクチルマグネシウム、臭化ドデシルマグネシウム、塩化ｓ−ブチルマグネシウム、塩化（２，２−ジメチルプロピル）マグネシウム、臭化１−ヘプチルマグネシウム、塩化１−ペンチルマグネシウム、塩化２−メチルプロピルマグネシウム、臭化１−ヘキシルマグネシウム、塩化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化シクロヘキシルマグネシウム、臭化シクロヘキシルマグネシウム、臭化１−プロピルマグネシウム、臭化イソブチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、臭化２−ブチルマグネシウム、臭化２−プロピルマグネシウム、ヨウ化メチルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、臭化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｔ−ブチルマグネシウムおよび塩化メチルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキル、ブチロラクトン、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびジエポキシブタン（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第五十四の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を、臭化メチルマグネシウム、塩化ｎ−オクチルマグネシウム、臭化（２−メチルプロペニル）マグネシウム、臭化シクロペンチルマグネシウム、塩化ｔ−ペンチルマグネシウム、臭化シクロプロピルマグネシウム、臭化１−オクチルマグネシウム、塩化ｓ−ブチルマグネシウム、塩化（２，２−ジメチルプロピル）マグネシウム、臭化１−ヘプチルマグネシウム、塩化１−ペンチルマグネシウム、塩化２−メチルプロピルマグネシウム、臭化１−ヘキシルマグネシウム、塩化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化シクロヘキシルマグネシウム、臭化シクロヘキシルマグネシウム、臭化１−プロピルマグネシウム、臭化イソブチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、臭化２−ブチルマグネシウム、臭化２−プロピルマグネシウム、ヨウ化メチルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、臭化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｔ−ブチルマグネシウムおよび塩化メチルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキル、ブチロラクトン、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびジエポキシブタン（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第五十五の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を、塩化ｎ−オクチルマグネシウム、臭化（２−メチルプロペニル）マグネシウム、塩化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化シクロヘキシルマグネシウム、ヨウ化メチルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｔ−ブチルマグネシウムおよび塩化メチルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキル、ブチロラクトン、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびジエポキシブタン（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第五十六の実施態様において、本発明は、Ｉ
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキル、ブチロラクトン、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびジエポキシブタン（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第五十七の実施態様において、本発明は、式ＩＸ、Ｘ、ＸＩもしくはＸＩＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキルおよびブチロラクトンから成る群からの化合物と反応させること；
式ＩＸ、Ｘ、ＸＩもしくはＸＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第五十八の実施態様において、本発明は、式ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶもしくはＸＶＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびハロ酢酸アルカリ金属と反応させること；
式ＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶもしくはＸＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第五十九の実施態様において、本発明は、式ＸＶＩＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をジエポキシブタンと反応させること；
前記式ＸＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第六十の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を、ハロゲン化アリールマグネシウムまたはハロゲン化ヘテロアリールマグネシウム（この場合、前記ハロゲン化アリールマグネシウムおよびハロゲン化ヘテロアリールマグネシウムは、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキル、ブチロラクトン、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびジエポキシブタン（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第六十一の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、臭化３−クロロ−４−フルオロフェニルマグネシウム、臭化３−フルオロ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化５−フルオロ−２−メトキシフェニルマグネシウム、臭化５−フルオロ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化３，５−ジメチル−４−メトキシフェニルマグネシウム、臭化３−フルオロ−４−メチルフェニルマグネシウム、塩化３−［ビス（トリメチルシリル）アミノ］フェニルマグネシウム、ヨウ化３−チエニルマグネシウム、臭化３−フルオロ−４−クロロフェニルマグネシウム、臭化３，４，５−トリフルオロフェニルマグネシウム、臭化４−メトキシ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化２，４−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化２，３−ジメチルフェニルマグネシウム、塩化３−メチルフェニルマグネシウム、臭化（４−メチル−１−ナフタレニル）マグネシウム、臭化（３−フルオロ−４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化２−クロロ−５−チエニルマグネシウム、塩化３，４−ジメチルフェニルマグネシウム、臭化３−メチル−２−チエニルマグネシウム、臭化ペンタメチルフェニルマグネシウム、臭化３，４−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化（３，４−ジメチルフェニル）マグネシウム、臭化（３，５−ジクロロフェニル）マグネシウム、臭化（４−フルオロ−３−メチルフェニル）マグネシウム、臭化３，４−ジクロロフェニルマグネシウム、臭化２，３，５，６−テトラメチルフェニルマグネシウム、臭化９−フェナントリルマグネシウム、臭化（４−ｔ−ブチルフェニル）マグネシウム、臭化２，５−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化３，５−ジフルオロフェニルマグネシウム、塩化４−クロロフェニルマグネシウム、臭化（６−メトキシ−２−ナフチル）マグネシウム、臭化（２−メトキシ−１−ナフチル）マグネシウム、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（３−クロロフェニル）マグネシウム、臭化（３，５−ジメチルフェニル）マグネシウム、塩化（２−メチルフェニル）マグネシウム、臭化４−フルオロ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化（２，５−ジメチルフェニル）マグネシウム、臭化ｍ−メチルフェニルマグネシウム、臭化４−エチルフェニルマグネシウム、臭化２−ピリジルマグネシウム、臭化４−フェノキシフェニルマグネシウム、臭化２−ナフチルマグネシウム、臭化（２−メチル−１−ナフチル）マグネシウム、臭化２，６−ジメチルフェニルマグネシウム、臭化２−エチルフェニルマグネシウム、臭化４−（メチルチオ）フェニルマグネシウム、臭化（４−イソプロピルフェニル）マグネシウム、臭化３，４−メチレンジオキシフェニルマグネシウム、臭化３−フルオロフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウム、ヨウ化フェニルマグネシウム、臭化（４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化４−（ジメチルアミノ）フェニルマグネシウム、臭化２−チエニルマグネシウム、臭化（４−メチルフェニル）マグネシウム、臭化メシチマグネシウム（Ｍｅｓｉｔｙｍａｇｎｅｓｉｕｍ）、臭化２−トリルマグネシウム、臭化ペンタフルオロフェニルマグネシウム、臭化（４−クロロフェニル）マグネシウム、臭化１−ナフタレニルマグネシウム、塩化４−メチルフェニルマグネシウム、臭化４−フルオロフェニルマグネシウム、塩化フェニルマグネシウム、臭化フェニルマグネシウムおよび臭化（４−ビフェニリル）マグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキル、ブチロラクトン、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびジエポキシブタン（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第六十二の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、臭化３，５−ジメチル−４−メトキシフェニルマグネシウム、臭化４−メトキシ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化２，４−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化２，３−ジメチルフェニルマグネシウム、塩化３−メチルフェニルマグネシウム、塩化３，４−ジメチルフェニルマグネシウム、臭化ペンタメチルフェニルマグネシウム、臭化３，４−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化（３，４−ジメチルフェニル）マグネシウム、臭化２，３，５，６−テトラメチルフェニルマグネシウム、臭化（４−ｔ−ブチルフェニル）マグネシウム、臭化２，５−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（３，５−ジメチルフェニル）マグネシウム、塩化（２−メチルフェニル）マグネシウム、臭化（２，５−ジメチルフェニル）マグネシウム、臭化ｍ−メチルフェニルマグネシウム、臭化４−エチルフェニルマグネシウム、臭化４−フェノキシフェニルマグネシウム、臭化２，６−ジメチルフェニルマグネシウム、臭化２−エチルフェニルマグネシウム、臭化（４−イソプロピルフェニル）マグネシウム、臭化３，４−メチレンジオキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウム、ヨウ化フェニルマグネシウム、臭化（４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化（４−メチルフェニル）マグネシウム、臭化メシチマグネシウム、臭化２−トリルマグネシウム、塩化４−メチルフェニルマグネシウム、塩化フェニルマグネシウムおよび臭化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキル、ブチロラクトン、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびジエポキシブタン（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第六十三の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、塩化３−メチルフェニルマグネシウム、臭化（４−ｔ−ブチルフェニル）マグネシウム、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、塩化（２−メチルフェニル）マグネシウム、臭化ｍ−メチルフェニルマグネシウム、臭化４−エチルフェニルマグネシウム、臭化２−エチルフェニルマグネシウム、臭化（４−イソプロピルフェニル）マグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウム、ヨウ化フェニルマグネシウム、臭化（４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化（４−メチルフェニル）マグネシウム、臭化２−トリルマグネシウム、塩化４−メチルフェニルマグネシウム、塩化フェニルマグネシウムおよび臭化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキル、ブチロラクトン、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびジエポキシブタン（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第六十四の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、塩化３−メチルフェニルマグネシウム、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、塩化（２−メチルフェニル）マグネシウム、臭化ｍ−メチルフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウム、ヨウ化フェニルマグネシウム、臭化（４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化（４−メチルフェニル）マグネシウム、臭化２−トリルマグネシウム、塩化４−メチルフェニルマグネシウム、塩化フェニルマグネシウムおよび臭化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキル、ブチロラクトン、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびジエポキシブタン（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第六十五の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキル、ブチロラクトン、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびジエポキシブタン（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第六十六の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキル、ブチロラクトン、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびジエポキシブタン（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第六十七の実施態様において、本発明は、式ＩＸ、Ｘ、ＸＩもしくはＸＩＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキルおよびブチロラクトンから成る群からの化合物と反応させること；
式ＩＸ、Ｘ、ＸＩもしくはＸＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第六十八の実施態様において、本発明は、式ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶもしくはＸＶＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびハロ酢酸アルカリ金属と反応させること；
式ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶもしくはＸＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第六十九の実施態様において、本発明は、式ＸＶＩＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をジエポキシブタンと反応させること；
前記式ＸＶＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第七十の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、ハロゲン化アリールアルキルマグネシウム、ハロゲン化アリールアルキニルマグネシウムおよびハロゲン化アリールアルケニルマグネシウム（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第七十一の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、塩化２，５−ジメチルベンジルマグネシウム、塩化２，６−ジクロロベンジルマグネシウム、塩化２，４−ジクロロベンジルマグネシウム、塩化２−フルオロベンジルマグネシウム、塩化２，４−ジメチルベンジルマグネシウム、臭化３−ブロモベンジルマグネシウム、臭化４−ブロモベンジルマグネシウム、塩化（２−フェニルエチル）マグネシウム、塩化３−フルオロベンジルマグネシウム、塩化（３，４−ジクロロベンジル）マグネシウム、臭化２−ブロモベンジルマグネシウム、塩化４−メトキシベンジルマグネシウム、塩化４−メチルベンジルマグネシウム、塩化ｍ−メチルベンジルマグネシウム、塩化２−メチルベンジルマグネシウム、塩化３−クロロベンジルマグネシウム、塩化２−クロロベンジルマグネシウム、塩化ｍ−メトキシベンジルマグネシウム、塩化ベンジルマグネシウム、臭化（フェニルエチニル）マグネシウム、塩化４−フルオロベンジルマグネシウム、臭化ベンジルマグネシウム、塩化４−クロロベンジルマグネシウムおよび塩化２−クロロ−６−フルオロベンジルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第七十二の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、塩化２，５−ジメチルベンジルマグネシウム、塩化２，４−ジメチルベンジルマグネシウム、塩化（２−フェニルエチル）マグネシウム、塩化４−メトキシベンジルマグネシウム、塩化４−メチルベンジルマグネシウム、塩化ｍ−メチルベンジルマグネシウム、塩化２−メチルベンジルマグネシウム、塩化ｍ−メトキシベンジルマグネシウム、塩化ベンジルマグネシウムおよび臭化ベンジルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第七十三の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第七十四の実施態様において、本発明は、式ＩＸ、Ｘ、ＸＩもしくはＸＩＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物の溶液を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキルおよびブチロラクトンから成る群からの化合物と反応させること；
式ＩＸ、Ｘ、ＸＩもしくはＸＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第七十五の実施態様において、本発明は、式ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶもしくはＸＶＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびハロ酢酸アルカリ金属と反応させること；
式ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶもしくはＸＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第七十六の実施態様において、本発明は、式ＸＶＩＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をジエポキシブタンと反応させること；
前記式ＸＶＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第七十七の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、アルキルマグネシウムアルキルまたはアリールマグネシウムアリール（この場合、前記アルキルマグネシウムアルキルまたはアリールマグネシウムアリールは、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第七十八の実施態様において、本発明は、
Ｘが、水素であり；
Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第七十九の実施態様において、本発明は、式ＩＸ、Ｘ、ＸＩもしくはＸＩＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキルおよびブチロラクトンから成る群からの化合物と反応させること；
式ＩＸ、Ｘ、ＸＩもしくはＸＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第八十の実施態様において、本発明は、式ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶもしくはＸＶＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩を、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびハロ酢酸アルカリ金属と反応させること；
式ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶもしくはＸＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第八十一の実施態様において、本発明は、式ＸＶＩＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をジエポキシブタンと反応させること；
前記式ＸＶＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第八十二の実施態様において、本発明は、式ＸＩＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物をグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリールまたはハロ酢酸アラルキルと反応させて、ＩＸ、ＸまたはＸＩの化合物を形成すること；
前記ＩＸ、ＸまたはＸＩの化合物を加水分解すること；
前記式ＸＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

第八十三の実施態様において、本発明は、式ＸＶＩ：

の化合物またはその塩を製造するための、
式ＩＶの化合物をグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
前記マグネシウム塩をハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリールまたはハロ酢酸アラルキルと反応させて、ＸＩＩＩ、ＸＩＶまたはＸＶの化合物を形成すること；
前記ＸＩＩＩ、ＸＩＶまたはＸＶの化合物を加水分解すること；
前記式ＸＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
を含む方法によって表される。

定義
特に別段の指示がない限り、単独のまたは複合語の中の用語「アルキル」または「アルク（ａｌｋ）」は、１から１８個の炭素原子を有する、飽和直鎖、分枝鎖または環状第一級、第二級または第三級炭化水素を包含し、具体的には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、シクロペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチル、３−メチルペンチル、２，２−ジメチルブチルおよび２，３−ジメチルブチル、トリフルオロメチルならびに過フルオロアルキルを含む。この用語は、置換アルキル基と非置換アルキル基の両方を包含する。アルキル基は、活性化合物の特性に悪影響を及ぼさないあらゆる部分、例えば、限定ではないが、ヒドロキシル、ハロ（Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩを独立して含む）、トリフルオロメチルを含む過フルオロアルキル、アミノ、アルキルアミノ、アリールアミノ、アルコキシ、アリールオキシ、ニトロ、シアノ、アシル、アミド、カルボキサミド、カルボキシレート、チオール、アルキルチオ、アジド、スルホン酸、スルフェート、ホスホン酸、ホスフェートまたはホスホネート（これらは、非保護であるか、必要な場合には、当業者に公知であるように、例えば、Ｇｒｅｅｎｅら，Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎｓ，第二版，１９９１において教示されているように、保護されている）で置換されていてもよい。前記文献は、本明細書に参照により組込まれる。１つの実施態様において、アルキルは、例えば、ＣＦ３、ＣＨ２ＣＦ３、ＣＣｌ３またはシクロプロピルであり得る。

本文中でＣ（アルキル範囲）という用語が用いられているときは必ず、この用語は、あたかも具体的に、個別に記載されているかのごとく、そのクラスの各メンバーを独立して包含する。非限定的な例として、用語「Ｃ１〜１０」は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓ−ブチル、イソ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソ−ペンチル、ネオ−ペンチル、シクロペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、４−メチルペンチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、３−エチルブチル、４−エチルブチル、シクロヘキシル、ヘプチル、１−メチルヘキシル、２−メチルヘキシル、３−メチルヘキシル、４−メチルヘキシル、５−メチルヘキシル、６−メチルヘキシル、１−エチルペンチル、２−エチルペンチル、３−エチルペンチル、４−エチルペンチル、５−エチルペンチル、１−プロピルブチル、２−プロピルブチル、３−プロピルブチル、４−プロピルブチル、シクロヘプチル、オクチル、１−メチルヘプチル、２−メチルヘプチル、３−メチルヘプチル、４−メチルヘプチル、５−メチルヘプチル、６−メチルヘプチル、７−メチルヘプチル、１−エチルヘキシル、２−エチルヘキシル、３−エチルヘキシル、４−エチルヘキシル、５−エチルヘキシル、６−エチルヘキシル、１−プロピルペンチル、２−プロピルペンチル、３−プロピルペンチル、４−プロピルペンチル、５−プロピルペンチル、シクロオクチル、ノニル、シクロノニル、デシルまたはシクロデシルを含む（しかし、これらに限定されない）、その範囲に入る各化学種を独立して表す。同様に、Ｃ１〜６、Ｃ１〜８、Ｃ２〜８、Ｃ３〜８、Ｃ１〜１０およびＣ１〜１８は、その一切のメンバーグループを、あたかも各々が独立して本明細書に挙げられているかのごとく、独立して包含し得る。

特に別段の指示がない限り、単独のまたは複合語の中の用語「アルケニル」は、２から１０個の炭素原子を有するとともに１つまたはそれ以上の炭素−炭素二重結合を含む直鎖、分枝鎖または環状炭化水素を包含する。こうしたラジカルの例は、メチレン、エチレン、メチルエチレンおよびイソプロピリデンである。１，２−エタン−ジイル、１，１−エタン−ジイル、１，３−プロパン−ジイル、１，２−プロパン−ジイル、１，３−ブタン−ジイル、１，４−ブタン−ジイルなどは、この用語の範囲に包含される。本明細書において開示するアルキレン基または他の二価部分は、アルキル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシ、カルボキシル、アシル、アシルオキシ、アミノ、アミド（ａｍｉｄｏ）、カルボキシル誘導体、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アリールアミノ、アルコキシ、アリールオキシ、ニトロ、シアノ、スルホン酸、チオール、イミン、スルホニル、スルファニル、スルフィニル、スルファモニル、エステル、カルボン酸、アミド（ａｍｉｄｅ）、ホスホニル、ホスフィニル、ホスホリル、ホスフィン、チオエステル、チオエーテル、酸ハロゲン化物、無水物、オキシム、ヒドロジン、カルバメート、ホスホン酸、ホスホネートまたは本化合物の薬理活性を阻害しない他のあらゆる実行可能な官能基（これらは、非保護であるか、必要な場合には、当業者に公知であるように、例えば、Ｇｒｅｅｎｅら，Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎｓ，第二版，１９９１において教示されているように、保護されている。）から成る群より選択される１つまたはそれ以上の部分で場合により置換されていてることがある。前記文献は、本明細書に参照により組込まれる。

用語「アルキニル」は、２から１０個の炭素原子を含むか、２から６個の炭素原子を有するようなラジカルを含む、１つまたはそれ以上の三重結合を含む程度の、直鎖または分枝鎖の不飽和非環状炭化水素ラジカルを包含する。前記アルキニルラジカルは、下で定義するような基で場合により置換されていることがある。適するアルキニルラジカルの例には、エチニル、プロピニル、ヒドロキシプロピニル、ブチン−１−イル、ブチン−２−イル、ペンチン−１−イル、ペンチン−２−イル、４−メトキシペンチン−２−イル、３−メチルブチン−１−イル、ヘキシン−１−イル、ヘキシン−２−イル、ヘキシン−３−イル、３，３−ジメチルブチン−１−イルラジカルなどが挙げられる。

単独のまたは複合語の中の用語「アリール」または「アル（ａｒ）」は、１、２または３個の環を含む炭素環式芳香族系を意味し、この場合、前記の環は、ペンダント方式で互いに結合していてもよいし、または縮合していてもよい。この用語「アリール」は、アルキル、アルケニルおよびアルキニル、アルコキシ、アリールオキシ、ハロならびにアミノから成る群より選択される１つまたはそれ以上の部分で場合により置換されている「アリール」も包含する。

単独のまたは複合語の中の用語「アシル」は、式Ｃ（Ｏ）Ｒ’の基を指し、この式中のＲ’は、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールまたはアラルキル基である。「アシル」の例は、ホルミル、アセチル、ベンゾイル、トリフルオロアセチル、フタロイル、マロニル、ニコチニルなどである。

単独のまたは複合語の中の用語「アミノ」は、ラジカル−ＮＨ_２もしくは−ＮＨ−、または

を指す。

単独のまたは複合語の中の用語「アルコキシ」は、酸素結合によって結合されている、本明細書において定義するようなアルキル基を指す。アルコキシの例には、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、イソプロポキシおよびｔ−ブトキシアルキルが挙げられる。

単独のまたは複合語の中の用語「アリールオキシ」は、酸素結合によって結合している、本明細書において定義するようなアリール基を指す。

単独のまたは複合語の中の用語「アルクチオ」は、硫黄結合によって結合している、本明細書において定義するようなアルキル基を指す。

用語「カルボキシ」は、ラジカル

を指す。

単独のまたは複合語の中の用語「ハロ」および「ハロゲン」および「ハロゲン化物」は、クロロ、ブロモ、ヨードおよびフルオロを指す。

用語「置換されている」は、指定の原子または置換基上の１個またはそれ以上の水素原子が置換されていることを意味するが、但し、その指定の原子の正常な原子価を超えないこと、およびその置換によって安定な化合物が生じることになることを条件とする。典型的な置換には、本明細書において定義するような、ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、アミノ、ハロ、カルボキシ、シアノおよび保護基が挙げられる。こうした置換が、さらに置換されていることもある。

用語「極性または荷電官能基」は、１個またはそれ以上の水素原子の代わりに結合されている極性または荷電基を指す。非限定的な例には、カルボキシ、ヒドロキシ、アミノ、エポキシドなどが挙げられる。

単独のまたは複合語の中の用語「ヘテロアリール」は、硫黄、酸素、窒素またはリンから選択されるヘテロ原子を少なくとも１個含有する本明細書において定義するようなアリールを包含する。ヘテロアリールは、場合により「置換されている」（この用語は、本明細書において用いるとおりのものである。）ことがあり、および／または「保護基」（この用語は、本明細書において用いるとおりのものである。）で置換されていることがある。加えて、ヘテロアリール上の隣接する基が合わさって、５から７員の炭素環、アリール、ヘテロアリールを形成することがあり、そしてまたそれらも上記のとおり置換されていることがある。ヘテロアリールの非限定的な例は、プロピリジニル、テトラヒドロフリル、テトラヒドロフラニル、ピラニル、プリニル、テトラヒドロピラニル、ピペラジニル、ピペリジニル、モルホリノ、チオモルホリノ、テトラヒドロピラニル、イミダゾリル、ピロリニル、ピラゾリニル、インドリニル、ジオキソラニル、または１，４−ジオキサニル、アジリジニル、フリル、フラニル、ピリジル、ピリジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ベンゾオキサゾリル、１，２，４−オキサジアゾリル、１，３，４−オキサジアゾリル、１，３，４−チアジアゾール、インダゾリル、トリアジナイル、１，３，５−トリアジニル、チエニル、イソチアゾリル、イミダゾリル、テトラゾリル、ピラジニル、ベンゾフラニル、キノリル、イソキノリル、ベンゾチエニル、イソベンゾフリル、ピラゾリル、インドリル、イソインドリル、ベンズイミダゾリル、プリニル、カルバゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、ベンゾチアゾリル、イソチアゾリル、１，２，４−チアジアゾリル、イソオキサゾリル、１，２，４−オキサジアゾリル、１，３，４−オキサジアゾリル、ピロリル、キナゾリニル、キノキサリニル、ベンゾオキサゾリル、キノリニル、イソキノリニル、シノリニル、フタラジニル、キサンチニル、ヒポキサンチニル、ピラゾール、イミダゾール、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、チアジン、ピリダジン、トリアゾロピリジニルまたはプテリジニルであり、この場合、前記へテロアリールは、場合により置換されていることがある。

用語「保護基」または「保護されている」は、感受性または反応性の様々な基を保護して、前記の基の反応への干渉を防止する置換基を指す。グリニャールまたはリチウム試薬と反応する官能基を場合により保護して、望ましくない副反応を回避することができる。こうした保護は、Ｇｒｅｅｎｅら，Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ Ｓｏｎｓ，第二版，１９９１などにより教示されているような周知の方法で行うことができる。保護基は、反応後、当業者に公知のあらゆる方法で除去することができる。保護基の非限定的な例には、トリメチルシリル、ジメチルヘキシルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリルおよびｔ−ブチルジフェニルシリル、トリチル、または置換トリチル、アルキル基、アシル基、例えばアセチルおよびプロピニル、メタンスルホニル、ならびにｐ−トルエンスルホニルが挙げられる。例えば、保護カルボキシは、下記：

の一方から選択してもよい。

単独のまたは複合語の中の用語「カルボン酸無水物」は、式 アシル−ＯＣ（Ｏ）Ｒ^α、アシル−ＯＣ（Ｏ）ＯＲ^α、アシル−ＯＣ（Ｏ）ＳＲ^α、またはアシル−ＯＣ（Ｏ）ＮＲ^αＲ^βを有する化合物を包含し、この場合のＲ^αは、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリールおよびアラルキルから成る群より選択され、Ｒ^βは、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アルカリール、アラルキルおよび保護基（この用語は、本明細書において定義するとおりのものである。）から成る群より選択される。用語「無水カルボン酸」は、式：

（式中、Ｚは、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、アラルキルおよび−（ＣＨ_２）ＮＲ^βである）
を有する化合物を指す「カルボン酸無水物」を包含する。すべての「カルボン酸無水物」が、本明細書で定義するとおり、場合により「置換されている」ことがある。

用語「活性カルボン酸エステル」は、式Ｃ（Ｏ）ＳＲ”およびＣ（Ｏ）ＯＲ”を有する化合物を包含し、この場合のＲ”は、置換もしくは非置換アリールまたは非置換もしくは置換アルキルである。

用語「グリニャール試薬」は、ハロゲン化有機マグネシウム（Ｔｈｅ Ｃｏｌｕｍｂｉａ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ，第６版，２００１によって定義されているとおりのもの。前記文献は、本明細書に参照により組込まれる。）、または式ＲγＭｇＸおよびＲγＭｇＲδそれぞれによって表されるビス−有機マグネシウム化合物を意味し、この場合のＲγおよびＲδは、第一、第二または第三アルキル；アルケニル；アルキニル；アラルキル；ヘテロアリール；およびアリール（これらはすべて、「置換されている」（この用語は、本明細書において定義するとおりのものである。）ことがある。）から独立して選択され、Ｘは、ハロゲン化物によって表される。

用語「スルホニル」は、ラジカル

を指す。

用語「アルクスルホニル」は、ラジカル

を指す。

用語「エポキシド」は、

（式中、すべてのＲ基は、水素、アルキル、アリールおよびアリールアルキルから独立して選択され、この場合、前記アルキル、アリールおよびアリールアルキルは、極性官能基で場合により置換されていてもよい。）
を包含する。

用語「プロブコールのエステル」および「プロブコール誘導体のエステル」は、フェノール部分の一方または両方がアシル化されているプロブコールまたは（状況に応じて）プロブコール誘導体と定義する。用語「プロブコールのモノエステル」および「プロブコール誘導体のモノエステル」は、フェノール部分の一方がアシル化されているプロブコールまたは（状況に応じて）プロブコール誘導体と定義する。

用語「プロブコールのエーテル」および「プロブコール誘導体のエーテル」は、フェノール部分の一方または両方がアルキル化されているプロブコールまたは（状況に応じて）プロブコール誘導体と定義する。用語「プロブコールのモノエーテル」およびプロブコール誘導体のモノエーテル」は、フェノール部分の一方がアルキル化されているプロブコールまたは（状況に応じて）プロブコール誘導体と定義する。

用語「プロブコール誘導体」は、化合物：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４のうちの少なくとも１個は、ｔ−ブチル以外であり、ならびに／またはＲ^５およびＲ^６の一方もしくは両方が、メチル以外であり、ならびに／またはＸおよびＹの一方もしくは両方が、水素以外である）
を指す。

（実施例）

下記実施例は、本発明を説明するために提供するものであり、本発明の範囲を制限するためのものではない。当業者は、下記調製手順の条件および方法の公知の変形を利用して所望の化合物を製造することができることを、容易に理解するであろう。本実施態様および実施例に必要な材料は、文献で知られており、容易に購入することができ、または当業者には公知の出発原料から公知の方法で製造することができる。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化イソプロピルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。この反応物を室温にし、次いで、無水コハク酸（０．２５ｇ、２．５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。４５分間熟成させた後、１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させ、ＥｔＯＡｃで希釈した。次に、この二相反応物を室温に冷却し、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール６０％、ジコハク酸プロブコール１３％、およびプロブコール２７％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に臭化イソプロピルマグネシウム（１．０ｍＬ、ＴＨＦ中１．０Ｍ）を１度に添加した。この反応物を室温にし、次いで、無水コハク酸（０．２５ｇ、２．５ｍｍｏｌ）を１度に添加し、続いて無水ＴＨＦ（０．５ｍＬ）を添加した。１．５時間熟成させた後、１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させ、ＥｔＯＡｃで希釈した。次に、この二相反応物を室温に冷却し、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール５５％、ジコハク酸プロブコール２７％、およびプロブコール１８％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）および無水コハク酸（０．２５ｇ、２．５ｍｍｏｌ）充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化イソプロピルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を２分かけて添加した。４０分間熟成させた後、１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させ、ＥｔＯＡｃで希釈した。次に、この二相反応物を室温に冷却し、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール５３％、ジコハク酸プロブコール１７％、およびプロブコール３０％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化イソプロピルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を５℃にし、次いで、無水コハク酸（０．２５ｇ、２．５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。４５分間熟成させた後、１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させ、ＥｔＯＡｃで希釈した。次に、この二相反応物を室温に冷却し、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール４６％、ジコハク酸プロブコール４７％、およびプロブコール７％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化イソプロピルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。この反応物を室温にし、次いで、無水コハク酸（１２５．０ｍｇ、１．２５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１．５ｍＬ）中の溶液として５分かけて添加した。４０分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５５％、ジコハク酸プロブコール１７％、およびプロブコール２８％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化イソプロピルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（１２５．０ｍｇ、１．２５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１．５ｍＬ）中の溶液として５分かけて添加した。２０分間熟成させた後、１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させ、ＥｔＯＡｃで希釈した。次に、この二相反応物を室温に冷却し、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール５１％、ジコハク酸プロブコール３２％、およびプロブコール１７％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化イソプロピルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を６０℃にし、次いで、無水コハク酸（１２５．０ｍｇ、１．２５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１．５ｍＬ）中の溶液として５分かけて添加した。２０分間熟成させた後、１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させ、ＥｔＯＡｃで希釈した。次に、この二相反応物を室温に冷却し、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール４５％、ジコハク酸プロブコール４５％、およびプロブコール１０％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化イソプロピルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。この反応物を室温にし、次いで、無水コハク酸（７５．０ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１ｍＬ）中の溶液として５分かけて添加した。４５分間熟成させた後、１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させ、ＥｔＯＡｃで希釈した。次に、この二相反応物を室温に冷却し、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール５９％、ジコハク酸プロブコール２０％、およびプロブコール２１％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化イソプロピルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（７５．０ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１ｍＬ）中の溶液として５分かけて添加した。２０分間熟成させた後、１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させ、ＥｔＯＡｃで希釈した。次に、この二相反応物を室温に冷却し、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール５９％、ジコハク酸プロブコール２０％、およびプロブコール２１％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化イソプロピルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を６０℃にし、次いで、無水コハク酸（７５．０ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１ｍＬ）中の溶液として５分かけて添加した。２０分間熟成させた後、１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させ、ＥｔＯＡｃで希釈した。次に、この二相反応物を室温に冷却し、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール５９％、ジコハク酸プロブコール２６％、およびプロブコール１５％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化イソプロピルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。この反応物を室温にし、次いで、無水コハク酸（７５．０ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１ｍＬ）中の溶液として５分かけて添加した。４５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５４％、ジコハク酸プロブコール１０％、およびプロブコール３４％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンおよび０．５ｍＬの無水ヘキサンを充填した。得られた溶液に塩化イソプロピルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を室温にし、次いで、無水コハク酸（７５．０ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を５分かけて添加した。４５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５７％、ジコハク酸プロブコール１６％、およびプロブコール２７％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化シクロペンチルマグネシウム（０．５１ｍＬ、エチルエーテル中２．０Ｍ）を１度に添加した。この反応物を室温にし、次いで、無水コハク酸（７５．０ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を１度に添加し、一晩熟成させた。ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール４７％、ジコハク酸プロブコール１４％、およびプロブコール３９％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化シクロヘキシルマグネシウム（０．５１ｍＬ、エチルエーテル中２．０Ｍ）を１度に添加した。この反応物を室温にし、次いで、無水コハク酸（７５．０ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を１度に添加し、一晩熟成させた。ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール４８％、ジコハク酸プロブコール１４％、およびプロブコール３８％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化ベンジルマグネシウム（１．０２ｍＬ、エチルエーテル中１．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（７５．０ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を１度に添加し、一晩熟成させた。ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５０％、ジコハク酸プロブコール１４％、およびプロブコール３６％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に塩化ベンジルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を６０℃にし、次いで、無水コハク酸（７５．０ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。３０分間熟成させた後、１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させ、ＥｔＯＡｃで希釈した。次に、この二層反応物を室温に冷却し、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール５７％、ジコハク酸プロブコール１７％、およびプロブコール２８％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に塩化ベンジルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（７５．０ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。３０分間熟成させた後、１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させ、ＥｔＯＡｃで希釈した。次に、この二層反応物を室温に冷却し、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール５３％、ジコハク酸プロブコール１１％、およびプロブコール３６％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンおよび２．０ｍＬの無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を充填した。得られた溶液に塩化ベンジルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（７５．０ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。３０分間熟成させた後、１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させ、ＥｔＯＡｃで希釈した。次に、この二層反応物を室温に冷却し、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール５５％、ジコハク酸プロブコール２４％、およびプロブコール２１％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水トルエンおよび２．０ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に塩化ベンジルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を室温にし、次いで、無水コハク酸（７５．０ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。３０分間熟成させた後、１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させ、ＥｔＯＡｃで希釈した。次に、この二層反応物を室温に冷却し、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール５０％、ジコハク酸プロブコール９％、およびプロブコール４１％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて４．５ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に塩化ベンジルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（７５．０ｍｇ、０．７５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。３０分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール４５％、ジコハク酸プロブコール７％、およびプロブコール４８％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に塩化ベンジルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を５０℃にし、次いで、無水コハク酸（５５．０ｍｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。３０分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５２％、ジコハク酸プロブコール７％、およびプロブコール４１％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２．５ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に塩化ベンジルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（５５．０ｍｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。３０分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５１％、ジコハク酸プロブコール７％、およびプロブコール４２％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて１ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に塩化ベンジルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（５５．０ｍｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。４５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５７％、ジコハク酸プロブコール９％、およびプロブコール３４％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて１ｍＬの無水アニソールを充填した。得られた溶液に塩化ベンジルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（５５．０ｍｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。４５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５８％、ジコハク酸プロブコール１０％、およびプロブコール３２％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて０．５ｍＬの無水アニソールを充填した。得られた溶液に臭化２−メトキシフェニルマグネシウム（１．０２ｍＬ、ＴＨＦ中１．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（５５．０ｍｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。４５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール４２％、ジコハク酸プロブコール６％、およびプロブコール５２％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて０．５ｍＬの無水アニソールを充填した。得られた溶液に臭化３−メトキシフェニルマグネシウム（１．０２ｍＬ、ＴＨＦ中１．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（５５．０ｍｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。４５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール４５％、ジコハク酸プロブコール５％、およびプロブコール５０％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて１ｍＬの無水トルエンを充填した。得られた溶液に塩化ベンジルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（５５．０ｍｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させた後、ＥｔＯＡｃで希釈し、この二相反応物を室温に冷却して、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール５０％、ジコハク酸プロブコール８％、およびプロブコール４２％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて１ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に塩化オクチルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（５５．０ｍｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。４５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５３％、ジコハク酸プロブコール１２％、およびプロブコール３５％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した２５ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（０．２５ｇ、０．４８ｍｍｏｌ）を充填し、続いて０．２５ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に塩化ベンジルマグネシウム（０．５１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を１度に添加した。反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（５５．０ｍｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を１度に添加した。４５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５０％、ジコハク酸プロブコール７％、およびプロブコール４３％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した５０ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（５．０ｇ、９．６７ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２０ｍＬの無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を充填した。得られた溶液に塩化ベンジルマグネシウム（１０．０８ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を２分かけてゆっくりと添加した。添加が完了したら、反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（１．１ｇ、１０．９９ｍｍｏｌ）を１度に添加した。１５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５８％、ジコハク酸プロブコール１０％、およびプロブコール３２％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した５０ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（５．０ｇ、９．６７ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２０ｍＬの無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を充填した。得られた溶液に塩化オクチルマグネシウム（１０．０６ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を２分かけてゆっくりと添加した。添加が完了したら、反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（１．１ｇ、１０．９９ｍｍｏｌ）を１度に添加した。１ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させた後、ＥｔＯＡｃで希釈し、この二相反応物を室温に冷却して、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５３％、ジコハク酸プロブコール８％、およびプロブコール３９％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した５０ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（５．０ｇ、９．６７ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２０ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に、塩化ベンジルマグネシウム（９．９１ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を、内部反応温度を４０から５０℃の間で維持するような速度でゆっくりと添加した。添加が完了したら、反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（１．０３ｇ、１０．２９ｍｍｏｌ）を１度に添加した。１５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５６％、ジコハク酸プロブコール９％、およびプロブコール３５％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した５０ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（５．０ｇ、９．６７ｍｍｏｌ）を充填し、続いて１０ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に、塩化ベンジルマグネシウム（９．８８ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を、内部反応温度を４０から５０℃の間で維持するような速度でゆっくりと添加した。添加が完了したら、反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（０．９６５ｇ、９．６４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１０ｍＬ）溶液として４５分かけて添加した。４５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５８％、ジコハク酸プロブコール８％、およびプロブコール３４％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した５０ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（５．０ｇ、９．６７ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２０ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に、塩化ベンジルマグネシウム（１０．８ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を、内部反応温度を４０から５０℃の間で維持するような速度でゆっくりと添加した。添加が完了したら、反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（１．０３ｇ、１０．２９ｍｍｏｌ）を１度に添加した。４５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５２％、ジコハク酸プロブコール６％、およびプロブコール４２％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した５０ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（５．０ｇ、９．６７ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２０ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に、塩化ベンジルマグネシウム（８．９ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を、内部反応温度を４０から５０℃の間で維持するような速度でゆっくりと添加した。添加が完了したら、反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（１．０３ｇ、１０．２９ｍｍｏｌ）を１度に添加した。４５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５６％、ジコハク酸プロブコール１１％、およびプロブコール３３％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した５０ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（５．０ｇ、９．６７ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２０ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に、塩化ベンジルマグネシウム（８．２ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を、内部反応温度を４０から５０℃の間で維持するような速度でゆっくりと添加した。添加が完了したら、反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（１．０３ｇ、１０．２９ｍｍｏｌ）を１度に添加した。４０分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール５２％、ジコハク酸プロブコール１１％、およびプロブコール３７％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した５０ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（５．０ｇ、９．６７ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２０ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に、塩化ベンジルマグネシウム（７．５ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を、内部反応温度を４０から５０℃の間で維持するような速度でゆっくりと添加した。添加が完了したら、反応温度を４０℃にし、次いで、無水コハク酸（１．０３ｇ、１０．２９ｍｍｏｌ）を１度に添加した。４０分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール４８％、ジコハク酸プロブコール１０％、およびプロブコール４２％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した５０ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（５．０ｇ、９．６７ｍｍｏｌ）を充填し、続いて１０ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に、塩化ベンジルマグネシウム（９．８６ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を、内部反応温度を４０から５０℃の間で維持するような速度でゆっくりと添加した。添加が完了したら、反応温度を４０℃にし、次いで、ＴＨＦ（１０．２ｍＬ）中の無水コハク酸（１．０３ｇ、１０．２８ｍｍｏｌ）を３０分かけて添加した。４ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させた後、この二相反応物を室温に冷却して、相を分離した。ＨＰＬＣによるこの有機層の分析は、モノコハク酸プロブコール６４％、ジコハク酸プロブコール１３％、およびプロブコール２３％を示した。

還流冷却器、窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した５０ｍＬ乾燥三つ口丸底フラスコに、プロブコール（５．０ｇ、９．６７ｍｍｏｌ）を充填し、続いて１０ｍＬの無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を充填した。得られた溶液に、塩化ベンジルマグネシウム（９．８６ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を、内部反応温度を４０から５０℃の間で維持するような速度でゆっくりと添加した。添加が完了したら、反応温度を４０℃にし、次いで、ＴＨＦ（１０．２ｍＬ）中の無水コハク酸（１．０３ｇ、１０．２８ｍｍｏｌ）を３０分かけて添加した。ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール６４％、ジコハク酸プロブコール１３％、およびプロブコール２３％を示した。４ＮのＨＣｌでゆっくりと反応を停止させた後、この二相反応物を室温に冷却し、相を分離した。有機カットをＴＨＦおよび水で希釈し、次いで、再び相を分離した。

ＴＨＦカットを５ＮのＮａＯＨで洗浄した後、そのＴＨＦ溶液を減圧下、４５℃で追加の乾燥ＴＨＦとともに共沸乾燥させた。溶媒をヘプタンに切り替えた後、得られたスラリーを攪拌しながら０℃に冷却し、真空濾過した。残留物を冷ヘプタンで洗浄し、その湿潤ケークに、攪拌しながらｔ−ブチルメチルエーテル（ＭＴＢＥ）を添加した。得られたスラリーを濾過し、残留物を新たなＭＴＢＥで洗浄した。次に、それらのＭＴＢＥ濾液を併せ、１ＮのＨＣｌ、水で順次洗浄した。次に、減圧下、７０℃で、有機カットの溶媒をヘプタンに切り替えた。そのヘプタン溶液を４５分間かけて５℃に冷却し、得られたスラリーを濾過して、冷ヘプタンで洗浄し、乾燥させて、３．４２ｇのＭＳＰ（収率５７．３％、９７ＬＣＡＰ）を白色の固体として得た。融点１３９から１４２℃。１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：７．６２（ｓ，２Ｈ）、７．４５（ｓ，２Ｈ）、５．３７（ｓ，１Ｈ）、３．００（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）、２．７８（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）、１．４６（ｓ，６Ｈ）、１．４４（ｓ，１８Ｈ）、１．３４（ｓ，１８Ｈ）。

窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した１０ｍＬ乾燥丸底フラスコに、プロブコール（１．０ｇ、１．９３ｍｍｏｌ）を充填し、続いて４ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に、ｎ−ブチルリチウム（１．５８ｍＬ、ヘキサン中２．５Ｍ）を、内部反応温度を４０から５２℃の間で維持するような速度でゆっくりと添加した。添加が完了したら、追加のＴＨＦ（２ｍＬ）を添加し、反応温度を４０℃にした。得られた溶液に固体無水コハク酸（０．２０ｇ、２．００ｍｍｏｌ）を１度に添加した。１５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール１５％、ジコハク酸プロブコール４％、およびプロブコール８１％を示した。

窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した１０ｍＬ乾燥丸底フラスコに、プロブコール（１．０ｇ、１．９３ｍｍｏｌ）を充填し、続いて４ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に、ヘキシルリチウム（１．７０ｍＬ、ヘキサン中２．３Ｍ）を、内部反応温度を４０から５０℃の間で維持するような速度でゆっくりと添加した。添加が完了したら、追加のＴＨＦ（２ｍＬ）を添加し、反応温度を４０℃にした。得られた溶液に固体無水コハク酸（０．２０ｇ、２．００ｍｍｏｌ）を１度に添加した。１５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール２０％、ジコハク酸プロブコール５％、およびプロブコール７５％を示した。

窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した１０ｍＬ乾燥丸底フラスコに、プロブコール（１．０ｇ、１．９３ｍｍｏｌ）を充填し、続いて４ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に、ヘキシルリチウム（１．７０ｍＬ、ヘキサン中２．３Ｍ）を、内部反応温度を４０から５０℃の間で維持するような速度でゆっくりと添加した。添加が完了したら、ＤＭＦ（２ｍＬ）を添加し、反応温度を４０℃にした。得られた溶液に固体無水コハク酸（０．２０ｇ、２．００ｍｍｏｌ）を１度に添加した。１５分間熟成させた後、ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、モノコハク酸プロブコール１８％、ジコハク酸プロブコール１％、およびプロブコール８１％を示した。

窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した１０ｍＬ乾燥丸底フラスコに、プロブコール（１．０ｇ、１．９３ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に、塩化ベンジルマグネシウム（１．９７ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を、内部反応温度を４０から５０℃の間で維持するような速度でゆっくりと添加した。添加が完了したら、ＤＭＦ（４ｍＬ）を添加し、反応を室温で熟成させた。得られた溶液にヨード酢酸エチルエステル（０．２４ｍＬ、２．０３ｍｍｏｌ）を１度に添加した。この反応物を６０℃に加熱し、一晩熟成させた。ＨＰＬＣによるこの反応混合物の分析は、プロブコール約７０％および下記式：

のプロブコール−酢酸エチルエステル（プロブコールモノエーテル）３０％を示した。

窒素導入口、熱電対および攪拌棒を装着した１０ｍＬ乾燥丸底フラスコに、プロブコール（１．０ｇ、１．９３ｍｍｏｌ）を充填し、続いて２ｍＬの無水ＴＨＦを充填した。得られた溶液に、塩化ベンジルマグネシウム（１．９７ｍＬ、ＴＨＦ中２．０Ｍ）を、内部反応温度を４０から５０℃の間で維持するような速度でゆっくりと添加した。添加が完了したら、ＤＭＦ（４ｍＬ）を添加し、続いてヨード酢酸ナトリウム（０．４４ｇ、２．１２ｍｍｏｌ）を添加して、得られた溶液を６０℃に加熱し、一晩熟成させた。酸失活後のこの反応混合物のＨＰＬＣによる分析は、プロブコール約９８％および式ＸＶＩ：

のプロブコール−酢酸（プロブコールモノエーテル）２％を示した。

上の説明から、当業者は、本発明の本質的特徴を容易に突きとめることができ、ならびに本発明の精神および範囲を逸脱することなく本発明を様々に変化および変形させて、様々な使用法および条件に適合させることができる。

Claims (55)

1. 式Ｉ：
   

   

   （式中、
   Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、水素およびアルキルから成る群より選択され、前記アルキルは、ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、アミノ、ハロ、カルボキシおよびシアノによって場合により置換されており；
   Ｒ^５およびＲ^６は、同じであり、または異なり、ならびにアルキル、アルケニルおよびアリール（これらはすべて、ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、アミノ、ハロ、カルボキシおよびシアノによって場合により置換されていてもよい。）から成る群より、独立して選択され；
   Ｒ^５およびＲ^６は、一緒になって炭素環を形成することができ；
   Ｘが、水素；１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル；および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有し；
   Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する。）
   の化合物またはその塩を製造するための、
   式ＩＩ：
   

   

   （式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、前に定義したとおりである。）
   の化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
   前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アシル、飽和または不飽和カルボン酸無水物および飽和または不飽和活性カルボン酸エステル（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
   式Ｉの化合物を分離および単離すること
   を含む方法。
2. 式ＩＩＩ：
   

   

   （式中、
   Ｘが、水素；１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル；および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有し；
   Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する。）
   の化合物またはその塩を製造するための、
   式ＩＶ：
   

   

   の化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
   前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アシル、飽和または不飽和カルボン酸無水物および飽和または不飽和活性カルボン酸エステル（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
   式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
   を含む、請求項１に記載の方法。
3. Ｘが、水素であり；
   Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
   式ＩＶの化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
   前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アシル、飽和または不飽和カルボン酸無水物および飽和または不飽和活性カルボン酸エステル（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
   式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
   を含む、請求項２に記載の方法。
4. Ｘが、水素；１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル；および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；
   Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
   式ＩＶの化合物をグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
   前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アシル、飽和または不飽和カルボン酸無水物および飽和または不飽和活性カルボン酸エステル（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
   式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
   を含む、請求項２に記載の方法。
5. Ｘが、水素であり；
   Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
   式ＩＶの化合物をグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
   前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アシル、飽和または不飽和カルボン酸無水物および飽和または不飽和活性カルボン酸エステル（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
   式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
   を含む、請求項３に記載の方法。
6. Ｘが、水素であり；
   Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
   式ＩＶの化合物を、ハロゲン化アルキルマグネシウム、ハロゲン化アルケニルマグネシウム、ハロゲン化アルキニルマグネシウム、ハロゲン化アリールマグネシウム、ハロゲン化アリールアルキルマグネシウム、アルキルマグネシウムアルキル、アリールマグネシウムアリール、ハロゲン化アリールアルキニルマグネシウム、ハロゲン化アリールアルケニルマグネシウムおよびハロゲン化ヘテロアリールマグネシウム（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
   前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和カルボン酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
   式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
   を含む、請求項５に記載の方法。
7. Ｘが、水素であり；
   Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
   式ＩＶの化合物の溶液を、ハロゲン化アルキルマグネシウム、ハロゲン化アルケニルマグネシウム、ハロゲン化アルキニルマグネシウム（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
   前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
   式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
   を含む、請求項６に記載の方法。
8. Ｘが、水素であり；
   Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
   式ＩＶの化合物の溶液を、臭化メチルマグネシウム、塩化オクタデシルマグネシウム、塩化テトラデシルマグネシウム、臭化ｎ−ペンタデシルマグネシウム、塩化エチニルマグネシウム、臭化ｎ−ノニルマグネシウム、塩化ｎ−オクチルマグネシウム、臭化（２−メチルプロペニル）マグネシウム、臭化シクロペンチルマグネシウム、塩化ｔ−ペンチルマグネシウム、臭化シクロプロピルマグネシウム、塩化（１−メチル−２−プロペニル）マグネシウム、臭化１−デシルマグネシウム、臭化１−オクチルマグネシウム、臭化１−プロピニルマグネシウム、臭化ドデシルマグネシウム、塩化ｓ−ブチルマグネシウム、臭化１−プロペニルマグネシウム、臭化イソプロペニルマグネシウム、塩化（２，２−ジメチルプロピル）マグネシウム、臭化１−ヘプチルマグネシウム、臭化３−ブテニルマグネシウム、塩化１−ペンチルマグネシウム、塩化２−メチルプロピルマグネシウム、塩化（２−メチル−２−プロペニル）マグネシウム、臭化エチニルマグネシウム、臭化１−ヘキシルマグネシウム、塩化ビニルマグネシウム、塩化アリルマグネシウム、塩化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、臭化ビニルマグネシウム、臭化アリルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化シクロヘキシルマグネシウム、臭化シクロヘキシルマグネシウム、臭化１−プロピルマグネシウム、臭化イソブチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、臭化２−ブチルマグネシウム、臭化２−プロピルマグネシウム、ヨウ化メチルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、臭化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｔ−ブチルマグネシウムおよび塩化メチルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
   前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
   式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
   を含む、請求項７に記載の方法。
9. Ｘが、水素であり；
   Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
   式ＩＶの化合物の溶液を、臭化メチルマグネシウム、塩化オクタデシルマグネシウム、塩化テトラデシルマグネシウム、臭化ｎ−ノニルマグネシウム、塩化ｎ−オクチルマグネシウム、臭化（２−メチルプロペニル）マグネシウム、臭化シクロペンチルマグネシウム、塩化ｔ−ペンチルマグネシウム、臭化シクロプロピルマグネシウム、臭化１−デシルマグネシウム、臭化１−オクチルマグネシウム、臭化ドデシルマグネシウム、塩化ｓ−ブチルマグネシウム、塩化（２，２−ジメチルプロピル）マグネシウム、臭化１−ヘプチルマグネシウム、塩化１−ペンチルマグネシウム、塩化２−メチルプロピルマグネシウム、臭化１−ヘキシルマグネシウム、塩化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化シクロヘキシルマグネシウム、臭化シクロヘキシルマグネシウム、臭化１−プロピルマグネシウム、臭化イソブチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、臭化２−ブチルマグネシウム、臭化２−プロピルマグネシウム、ヨウ化メチルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、臭化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｔ−ブチルマグネシウムおよび塩化メチルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
   前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
   式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
   を含む、請求項８に記載の方法。
10. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物の溶液を、臭化メチルマグネシウム、塩化ｎ−オクチルマグネシウム、臭化（２−メチルプロペニル）マグネシウム、臭化シクロペンチルマグネシウム、塩化ｔ−ペンチルマグネシウム、臭化シクロプロピルマグネシウム、臭化１−オクチルマグネシウム、塩化ｓ−ブチルマグネシウム、塩化（２，２−ジメチルプロピル）マグネシウム、臭化１−ヘプチルマグネシウム、塩化１−ペンチルマグネシウム、塩化２−メチルプロピルマグネシウム、臭化１−ヘキシルマグネシウム、塩化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化シクロヘキシルマグネシウム、臭化シクロヘキシルマグネシウム、臭化１−プロピルマグネシウム、臭化イソブチルマグネシウム、臭化エチルマグネシウム、臭化２−ブチルマグネシウム、臭化２−プロピルマグネシウム、ヨウ化メチルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、臭化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｔ−ブチルマグネシウムおよび塩化メチルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項９に記載の方法。
11. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物の溶液を、塩化ｎ−オクチルマグネシウム、臭化（２−メチルプロペニル）マグネシウム、塩化エチルマグネシウム、塩化ｎ−プロピルマグネシウム、塩化イソプロピルマグネシウム、臭化イソプロピルマグネシウム、塩化シクロヘキシルマグネシウム、ヨウ化メチルマグネシウム、塩化ｎ−ブチルマグネシウム、塩化ｔ−ブチルマグネシウムおよび塩化メチルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項１０に記載の方法。
12. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物の溶液を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項１１に記載の方法。
13. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する飽和アシル、または１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルであり、前記飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物の溶液を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項１２に記載の方法。
14. 化合物Ｖ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物の溶液を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩をコハク酸無水物と反応させること；
    前記式Ｖの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項１３に記載の方法。
15. 化合物ＶＩ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩をグルタル酸無水物と反応させること；
    前記式ＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項１３に記載の方法。
16. 化合物ＶＩＩ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を酢酸無水物と反応させること；
    前記式ＶＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項１３に記載の方法。
17. 化合物ＶＩＩＩ：
    

    

    （式中、Ｒ^７およびＲ^８は、水素、アシル、アルキル、アルケニル、アリール、アラルキル、Ｓｉ（アルキル）_３、保護カルボキシ、アルクスルホニルおよびアリールスルホニルから成る群より、独立して選択される。）
    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、保護または非保護アミノにより置換されている酢酸無水物と反応させること；
    前記式ＶＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項２に記載の方法。
18. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物の溶液を、ハロゲン化アリールマグネシウムまたはハロゲン化ヘテロアリールマグネシウム（この場合、前記ハロゲン化アリールマグネシウムおよびハロゲン化ヘテロアリールマグネシウムは、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項６に記載の方法。
19. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、臭化３−クロロ−４−フルオロフェニルマグネシウム、臭化３−フルオロ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化５−フルオロ−２−メトキシフェニルマグネシウム、臭化５−フルオロ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化３，５−ジメチル−４−メトキシフェニルマグネシウム、臭化３−フルオロ−４−メチルフェニルマグネシウム、塩化３−［ビス（トリメチルシリル）アミノ］フェニルマグネシウム、ヨウ化３−チエニルマグネシウム、臭化３−フルオロ−４−クロロフェニルマグネシウム、臭化３，４，５−トリフルオロフェニルマグネシウム、臭化４−メトキシ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化２，４−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化２，３−ジメチルフェニルマグネシウム、塩化３−メチルフェニルマグネシウム、臭化（４−メチル−１−ナフタレニル）マグネシウム、臭化（３−フルオロ−４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化２−クロロ−５−チエニルマグネシウム、塩化３，４−ジメチルフェニルマグネシウム、臭化３−メチル−２−チエニルマグネシウム、臭化ペンタメチルフェニルマグネシウム、臭化３，４−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化（３，４−ジメチルフェニル）マグネシウム、臭化（３，５−ジクロロフェニル）マグネシウム、臭化（４−フルオロ−３−メチルフェニル）マグネシウム、臭化３，４−ジクロロフェニルマグネシウム、臭化２，３，５，６−テトラメチルフェニルマグネシウム、臭化９−フェナントリルマグネシウム、臭化（４−ｔ−ブチルフェニル）マグネシウム、臭化２，５−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化３，５−ジフルオロフェニルマグネシウム、塩化４−クロロフェニルマグネシウム、臭化（６−メトキシ−２−ナフチル）マグネシウム、臭化（２−メトキシ−１−ナフチル）マグネシウム、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（３−クロロフェニル）マグネシウム、臭化（３，５−ジメチルフェニル）マグネシウム、塩化（２−メチルフェニル）マグネシウム、臭化４−フルオロ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化（２，５−ジメチルフェニル）マグネシウム、臭化ｍ−メチルフェニルマグネシウム、臭化４−エチルフェニルマグネシウム、臭化２−ピリジルマグネシウム、臭化４−フェノキシフェニルマグネシウム、臭化２−ナフチルマグネシウム、臭化（２−メチル−１−ナフチル）マグネシウム、臭化２，６−ジメチルフェニルマグネシウム、臭化２−エチルフェニルマグネシウム、臭化４−（メチルチオ）フェニルマグネシウム、臭化（４−イソプロピルフェニル）マグネシウム、臭化３，４−メチレンジオキシフェニルマグネシウム、臭化３−フルオロフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウム、ヨウ化フェニルマグネシウム、臭化（４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化４−（ジメチルアミノ）フェニルマグネシウム、臭化２−チエニルマグネシウム、臭化（４−メチルフェニル）マグネシウム、臭化メシチマグネシウム（Ｍｅｓｉｔｙｍａｇｎｅｓｉｕｍ）、臭化２−トリルマグネシウム、臭化ペンタフルオロフェニルマグネシウム、臭化（４−クロロフェニル）マグネシウム、臭化１−ナフタレニルマグネシウム、塩化４−メチルフェニルマグネシウム、臭化４−フルオロフェニルマグネシウム、塩化フェニルマグネシウム、臭化フェニルマグネシウムおよび臭化（４−ビフェニリル）マグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項１８に記載の方法。
20. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、臭化３，５−ジメチル−４−メトキシフェニルマグネシウム、臭化４−メトキシ−２−メチルフェニルマグネシウム、臭化２，４−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化２，３−ジメチルフェニルマグネシウム、塩化３−メチルフェニルマグネシウム、塩化３，４−ジメチルフェニルマグネシウム、臭化ペンタメチルフェニルマグネシウム、臭化３，４−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化（３，４−ジメチルフェニル）マグネシウム、臭化２，３，５，６−テトラメチルフェニルマグネシウム、臭化（４−ｔ−ブチルフェニル）マグネシウム、臭化２，５−ジメトキシフェニルマグネシウム、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（３，５−ジメチルフェニル）マグネシウム、塩化（２−メチルフェニル）マグネシウム、臭化（２，５−ジメチルフェニル）マグネシウム、臭化ｍ−メチルフェニルマグネシウム、臭化４−エチルフェニルマグネシウム、臭化４−フェノキシフェニルマグネシウム、臭化２，６−ジメチルフェニルマグネシウム、臭化２−エチルフェニルマグネシウム、臭化（４−イソプロピルフェニル）マグネシウム、臭化３，４−メチレンジオキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウム、ヨウ化フェニルマグネシウム、臭化（４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化（４−メチルフェニル）マグネシウム、臭化メシチマグネシウム、臭化２−トリルマグネシウム、塩化４−メチルフェニルマグネシウム、塩化フェニルマグネシウムおよび臭化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項１９に記載の方法。
21. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、塩化３−メチルフェニルマグネシウム、臭化（４−ｔ−ブチルフェニル）マグネシウム、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、塩化（２−メチルフェニル）マグネシウム、臭化ｍ−メチルフェニルマグネシウム、臭化４−エチルフェニルマグネシウム、臭化２−エチルフェニルマグネシウム、臭化（４−イソプロピルフェニル）マグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウム、ヨウ化フェニルマグネシウム、臭化（４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化（４−メチルフェニル）マグネシウム、臭化２−トリルマグネシウム、塩化４−メチルフェニルマグネシウム、塩化フェニルマグネシウムおよび臭化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項２０に記載の方法。
22. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、塩化３−メチルフェニルマグネシウム、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、塩化（２−メチルフェニル）マグネシウム、臭化ｍ−メチルフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウム、ヨウ化フェニルマグネシウム、臭化（４−メトキシフェニル）マグネシウム、臭化（４−メチルフェニル）マグネシウム、臭化２−トリルマグネシウム、塩化４−メチルフェニルマグネシウム、塩化フェニルマグネシウムおよび臭化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項２１に記載の方法。
23. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項２２に記載の方法。
24. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する飽和アシル、または１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルであり、前記飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項２３に記載の方法。
25. 一般式Ｖ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物の溶液を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩をコハク酸無水物と反応させること；
    前記式Ｖの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項２４に記載の方法。
26. 一般式ＶＩ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩をグルタル酸無水物と反応させること；
    前記式ＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項２４に記載の方法。
27. 一般式ＶＩＩ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を酢酸無水物と反応させること；
    前記式ＶＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項２４に記載の方法。
28. 一般式ＶＩＩＩ：
    

    

    （式中、Ｒ^７およびＲ^８は、水素、アシル、アルキル、アルケニル、アリール、アラルキル、Ｓｉ（アルキル）_３、保護カルボキシ、アルクスルホニルおよびアリールスルホニルから成る群より、独立して選択される。）
    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、保護または非保護アミノにより置換されている酢酸無水物と反応させること；
    前記式ＶＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項２に記載の方法。
29. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルは、極性または荷電官能基を場合により含有する
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を、ハロゲン化アリールアルキルマグネシウム、ハロゲン化アリールアルキニルマグネシウムおよびハロゲン化アリールアルケニルマグネシウム（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項６に記載の方法。
30. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、塩化２，５−ジメチルベンジルマグネシウム、塩化２，６−ジクロロベンジルマグネシウム、塩化２，４−ジクロロベンジルマグネシウム、塩化２−フルオロベンジルマグネシウム、塩化２，４−ジメチルベンジルマグネシウム、臭化３−ブロモベンジルマグネシウム、臭化４−ブロモベンジルマグネシウム、塩化（２−フェニルエチル）マグネシウム、塩化３−フルオロベンジルマグネシウム、塩化（３，４−ジクロロベンジル）マグネシウム、臭化２−ブロモベンジルマグネシウム、塩化４−メトキシベンジルマグネシウム、塩化４−メチルベンジルマグネシウム、塩化ｍ−メチルベンジルマグネシウム、塩化２−メチルベンジルマグネシウム、塩化３−クロロベンジルマグネシウム、塩化２−クロロベンジルマグネシウム、塩化ｍ−メトキシベンジルマグネシウム、塩化ベンジルマグネシウム、臭化（フェニルエチニル）マグネシウム、塩化４−フルオロベンジルマグネシウム、臭化ベンジルマグネシウム、塩化４−クロロベンジルマグネシウムおよび塩化２−クロロ−６−フルオロベンジルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項２９に記載の方法。
31. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、塩化２，５−ジメチルベンジルマグネシウム、塩化２，４−ジメチルベンジルマグネシウム、塩化（２−フェニルエチル）マグネシウム、塩化４−メトキシベンジルマグネシウム、塩化４−メチルベンジルマグネシウム、塩化ｍ−メチルベンジルマグネシウム、塩化２−メチルベンジルマグネシウム、塩化ｍ−メトキシベンジルマグネシウム、塩化ベンジルマグネシウムおよび臭化ベンジルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項３０に記載の方法。
32. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項３１に記載の方法。
33. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する飽和アシル、または１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルであり、前記飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物の溶液を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項３２に記載の方法。
34. 式Ｖ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩をコハク酸無水物と反応させること；
    前記式Ｖの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項３３に記載の方法。
35. 式ＶＩ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩をグルタル酸無水物と反応させること；
    前記式ＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項３３に記載の方法。
36. 式ＶＩＩ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を酢酸無水物と反応させること；
    前記式ＶＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項３３に記載の方法。
37. 一般式ＶＩＩＩ：
    

    

    （式中、Ｒ^７およびＲ^８は、水素、アシル、アルキル、アルケニル、アリール、アラルキル、Ｓｉ（アルキル）_３、保護カルボキシ、アルクスルホニルおよびアリールスルホニルから成る群より、独立して選択される。）
    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を塩化ベンジルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、保護または非保護アミノにより置換されている酢酸無水物と反応させること；
    前記式ＶＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項２に記載の方法。
38. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、アルキルマグネシウムアルキルまたはアリールマグネシウムアリール（この場合、前記アルキルマグネシウムアルキルまたはアリールマグネシウムアリールは、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、保護アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロおよび保護カルボキシから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項６に記載の方法。
39. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物、アジピン酸無水物、スベリン酸無水物、セバシン酸無水物、アゼライン酸無水物、フタル酸無水物、マレイン酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項３８に記載の方法。
40. 式中のＸが、水素であり；
    Ｙが、１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アシル、および１から１８個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アシルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アシルおよび場合により置換されている飽和アシルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、コハク酸無水物、グルタル酸無水物および酢酸無水物（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項３９に記載の方法。
41. 式Ｖ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩をコハク酸無水物と反応させること；
    前記式Ｖの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項４０に記載の方法。
42. 式ＶＩ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩をグルタル酸無水物と反応させること；
    前記式ＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項４０に記載の方法。
43. 式ＶＩＩ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を酢酸無水物と反応させること；
    前記式ＶＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項４０に記載の方法。
44. 一般式ＶＩＩＩ：
    

    

    （式中、Ｒ^７およびＲ^８は、水素、アシル、アルキル、アルケニル、アリール、アラルキル、Ｓｉ（アルキル）_３、保護カルボキシ、アルクスルホニルおよびアリールスルホニルから成る群より、独立して選択される。）
    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を、ｎ−ブチル−ｓ−ブチルマグネシウム、ジメチルマグネシウム、ジ−ｎ−ブチルマグネシウム、ジエチルマグネシウムおよびジフェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、保護または非保護アミノにより置換されている酢酸無水物と反応させること；
    前記式ＶＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項２に記載の方法。
45. 式Ｉ：
    

    

    （式中、
    Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、水素およびアルキルから成る群より選択され、前記アルキルは、ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、アミノ、ハロ、カルボキシおよびシアノによって場合により置換されており；
    Ｒ^５およびＲ^６は、同じであり、または異なり、ならびにアルキル、アルケニルおよびアリール（これらはすべて、ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、アミノ、ハロ、カルボキシおよびシアノによって場合により置換されていてもよい。）から成る群より、独立して選択され；
    Ｒ^５およびＲ^６は、一緒になって炭素環を形成することができ；
    Ｘが、水素；１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル；および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有し；
    Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する。）
    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＩ：
    

    

    （式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６は、前に定義したとおりである。）
    の化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式Ｉの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む方法。
46. 式ＩＩＩ：
    

    

    （式中、
    Ｘが、水素；１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル；および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有し；
    Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有する。）
    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶ：
    

    

    の化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項４５に記載の方法。
47. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、グリニャール試薬と反応させてマグネシウム塩を形成するか、アルキルリチウム、アルケニルリチウム、アルキニルリチウム、アリールリチウム、アラルキルリチウムおよびヘテロアリールリチウム（これらはすべて、場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される試薬と反応させてリチウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩またはリチウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項４６に記載の方法。
48. Ｘが、水素；１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル；および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルは、極性または荷電官能基を場合により含有し；
    Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、グリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項４６に記載の方法。
49. Ｘが、水素であり；
    Ｙが、１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている不飽和アルキル、および１から１０個の炭素原子を有する、場合により置換されている飽和アルキルから成る群より選択され、前記場合により置換されている不飽和アルキルおよび場合により置換されている飽和アルキルが、極性または荷電官能基を場合により含有し；ならびに
    式ＩＶの化合物を、グリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、飽和または不飽和ハロゲン化アルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアルキル、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−スルホニルアリール、飽和または不飽和アルキル−Ｏ−アシルおよび飽和または不飽和エポキシド（これらはすべて、保護ヒドロキシ、アルキル、アルケニル、アシル、ニトロ、保護アミノ、ハロ、保護カルボキシ、エポキシドおよびシアノから成る群より選択される１個またはそれ以上によって場合により置換されていてもよい。）から成る群より選択される化合物と反応させること；
    式ＩＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項４６に記載の方法。
50. 式ＩＸ、Ｘ、ＸＩもしくはＸＩＩ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物の溶液を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキルおよびブチロラクトンから成る群からの化合物と反応させること；
    式ＩＸ、Ｘ、ＸＩもしくはＸＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項４６に記載の方法。
51. 式ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶもしくはＸＶＩ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物を塩化イソプロピルマグネシウムと反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびハロ酢酸アルカリ金属と反応させること；
    前記式ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶもしくはＸＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項４６に記載の方法。
52. 式ＩＶの化合物の溶液を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、４−ハロ酪酸アルキル、４−ハロ酪酸アリール、４−ハロ酪酸アラルキルおよびブチロラクトンから成る群からの化合物と反応させること；
    式ＩＸ、Ｘ、ＸＩもしくはＸＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項４６に記載の方法。
53. 式ＩＶの化合物を、臭化３−メトキシフェニルマグネシウム、臭化（ｏ−メトキシフェニル）マグネシウムおよび塩化フェニルマグネシウムから成る群より選択されるグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩を、ハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリール、ハロ酢酸アラルキルおよびハロ酢酸アルカリ金属と反応させること；
    前記式ＸＩＩＩ、ＸＩＶ、ＸＶもしくはＸＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項４６に記載の方法。
54. 式ＸＩＩ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物をグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩をハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリールまたはハロ酢酸アラルキルと反応させて、ＩＸ、ＸまたはＸＩの化合物を形成すること；
    前記ＩＸ、ＸまたはＸＩの化合物を加水分解すること；
    前記式ＸＩＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項４６に記載の方法。
55. 式ＸＶＩ：
    

    

    の化合物またはその塩を製造するための、
    式ＩＶの化合物をグリニャール試薬と反応させて、マグネシウム塩を形成すること；
    前記マグネシウム塩をハロ酢酸アルキル、ハロ酢酸アリールまたはハロ酢酸アラルキルと反応させて、ＸＩＩＩ、ＸＩＶまたはＸＶの化合物を形成すること；
    前記ＸＩＩＩ、ＸＩＶまたはＸＶの化合物を加水分解すること；
    前記式ＸＶＩの化合物またはその塩を分離および単離すること
    を含む、請求項４６に記載の方法。