JP4544740B2 - プラズマ処理チャンバ内で基板を支持する支持体、基板をプラズマ内で処理する処理チャンバ、及び、基板をプラズマ域で均一に処理する方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ内での処理中に基板を支持するための支持体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
イオン化されたガスまたはプラズマは、例えば、半導体製作工程を含む多くの種類の製造工程で使用される。例えば、プラズマは化学気相堆積工程、エッチング工程およびイオン注入工程で使用される。図１を参照すると、典型的な従来のプラズマ処理チャンバ２０は、プラズマを形成するためにチャンバ内で処理ガスを分散するためのガス分散器３０を含む。該処理ガスプラズマは、基板５０を支持している陰極４０ａにＲＦ電圧を印加し、陽極４０ｂを電気的に接地し、チャンバ内に容量ＲＦ電界を形成することにより付勢される。しかしながら、従来のプラズマチャンバは、多くの場合、基板５０の表面全体で空間的に均一なプラズマシースを提供しない。空間的な均一とは、プラズマシースにより占有されているスペース全体でのプラズマイオンの均一な密度および／またはエネルギー分布を有するプラズマシースを意味する。プラズマイオンの不均一な分布は、多くの場合、ＲＦまたはＤＣ電界、あるいは基板５０の中心６０から周辺端縁７０までを横切る（矢印８０ａ、８０ｂにより表されているように）電流の変動のために発生する。
【０００３】
例えば、一定のチャンバ内では、陰極４０ａは、図１に示されているように、基板５０の回りに周方向に伸び、相対的に厚い絶縁体シールド９０によって電気的に隔離されている周辺部を含む。しかしながら、陰極４０ａの周縁部を隔離する絶縁体シールド９０は、基板５０の周辺端縁７０近くにある陰極４０ａとプラズマシースの間のＲＦ電流に大きく影響を及ぼすことがある。それ以外の処理チャンバにおいては、陰極４０ａは、基板（図示されていない）の周辺端縁７０に届かず止まり、そこまでずっと伸張していない。その結果、プラズマシースは、基板の周辺端縁近くで異常または切れ目を形成する。
【０００４】
このような従来のチャンバ内で基板５０の表面を横切って得られる不均一なプラズマイオン分布により、（典型的には、基板端縁から、１５ミリメートルから２０ミリメートルの距離、内向きに伸びている）基板の周縁端縁７０は、基板５０の中心部６０を基準にして、異なる速度でまたは異なる特性で処理できる。例えば、エッチング工程では、プラズマ異常は、基板の端縁７０で不均一な側壁輪郭を有するエッチング済みの形を生じさせることがある。これにより、基板５０の周辺端縁７０から得られる集積回路チップの収率は大幅に削減する。基板５０の周辺端縁５０で発生することがあるさらに低いプラズマイオン密度も、基板の周辺端縁７０のより低速化し、より非効率な処理につながる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来のプラズマ処理チャンバの別の不利な点は、処理チャンバ２０内で基板を保持するために使用される基板保持システム１００から生じる。従来の保持システム１００は、基板の周辺部を保持する機械的なクランプ、真空システム、または静電チャッキングシステムを含む。機械的なクランプ（図示されていない）は、基板の端縁を覆い、基板の収率を削減する。真空チャック（やはり図示されていない）は、処理ガスおよび浮遊粒子の基板の後方にある真空口へ向かう流れから基板５０の汚染を引き起こすことがある。図１に示されているような静電チャッキングシステムは、典型的には、静電荷を使用して基板５０を静電的に誘引するために基板５０の下に配置されている電気的に絶縁されている電極１１０を含む。静電チャックは、機械的なチャックおよび真空チャックの一定の問題を解決するが、チャックの表面を覆っている絶縁体がプラズマ処理ガス内で容易に腐食する重合材から作られているため、それらは多くの場合チャンバ内で容易に腐食する。また、静電チャックは別個の電源１２０を必要とし、チャックの電極１１０は、チャックの下にある陰極４０ａから電気的に完全に絶縁されなければならない。さらに、チャックの電極１１０を取り囲む絶縁材は、陰極４０ａからプラズマシースへの電気的な結合、および／または基板５０から陰極４０ａへの熱伝導を削減することがある。
【０００６】
したがって、基板の表面全体で空間的により均一なプラズマシースを提供する機器に対する必要性がある。また、やはり基板の周辺端縁を越えて伸びるプラズマシースを形成するために、基板の周辺端縁を越えてチャンバ内のＲＦおよびＤＣ界構成成分を拡張する機器に対する必要性もある。支持体上に基板を静電的に保持し、静電チャックおよび陰極構造物などの複数の上に重なる構造物を必要とせずに、基板上のプラズマにＲＦパワーを結合することができる機器に対する追加の必要性もある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、プラズマ処理チャンバ内で基板の表面全体に均一なプラズマを提供し、チャンバ内に基板を静電的に保持するためにも使用することができる基板支持体を目的としている。１つの実施態様においては、本発明は、その中に埋め込まれている電極、および基板を受け入れるための受入れ面を有する誘電部材を備える。誘電部材を支持している電気導体は、誘電部材内の電極を越えて伸びる周辺部を備える。電圧源は、電極から導体までＲＦパワーを容量結合するために、誘電部材内に埋め込まれている電極にＲＦバイアス電圧を供給する。導体の周辺部上のカラーリングは、プラズマ処理チャンバ内でのチャックの使用中に、導体の周辺部からカラーリングを通ってプラズマまでＲＦパワーを容量結合するほど十分に低いＲＦ電界吸収を備える。基板の周縁部の上で伸びるプラズマシースにより、処理速度が加速され、処理均一性が高められる。
【０００８】
好ましくは、カラーリングは、薄いコーティングまたは層、あるいは導体の周辺部を覆う誘電材料の環状リングを備える。カラーリングにより、導体の周辺部からのＲＦ電界構成成分は、そこを通ってプラズマシースに結合できる。好ましくは、誘電材料は、約１０^-3Ωｃｍ〜約１０¹Ωｃｍという低い抵抗を有する半導体誘電材料を含み、それは、電圧がチャックの電極に印加されるときに小さい電流が誘電材料を通って流れることができるほど十分に漏れやすい。
【０００９】
好まれている実施態様においては、支持体は、静電チャックとしても機能し、ＤＣ電圧はチャックに基板を静電的に保持するために誘電部材内の電極にかけられる。二重機能支持体は、チャンバ内でプラズマを発生させるためと、基板を静電的に保持するための両方で役に立つ。この構成により、別個の静電チャック構造物などの外来構成成分が、限られた体積のチャンバから排除される。
【００１０】
別の態様においては、本発明は、均一性を高めて、プラズマゾーンで基板を処理するための方法を含む。該方法においては、基板はプラズマゾーン内の誘電部材の上に置かれる。誘電部材は、その中に埋め込まれている電極を含み、誘電部材の電極を越えて伸びる周辺部を有する下にある電気導体により支持されている。ＲＦバイアス電圧は、ＲＦパワーを電極から下にある導体に容量結合するために、誘電部材内の電極に供給される。導体の周辺部は、電極の端縁を越えてプラズマに容量結合され、基板の周縁部の回りでプラズマイオンのより均一な密度またはエネルギー分布を提供する広げられたプラズマシースを提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の装置は、均一なプラズマイオンと基板の面を横切って分布するプラズマエネルギを有するプラズマシースを提供することができる。本装置はプラズマエッチングまたは反応イオンエッチングのための；イオン注入によって基板に材料を注入するための、または、化学気相堆積またはスパッタリングによって基板上に材料を溶着するためのプラズマを形成するのに使用することができる。半導体基板１３０のプラズマ処理に適した例示的な処理装置１２５を図２に概略的に示す。ここに示した本装置１２５の特定の実施形態は、本発明の操作を示しただけであって、本発明の範囲を限定して使用されるべきではない。このプラズマ処理装置１２５は、通常包囲された処理チャンバ１３２を含み、側壁１３５、頂壁１４０および底壁１４５を有している。基板１３０を処理するのに使用される処理ガスが、ガス分散システム１４６を介してチャンバ１３２内に導入される。このシステムは一般的に処理ガス供給部、ガス量制御システムおよびガス流量メータを含んでいる。処理ガスが、図２に示すように基板１３０の周辺近傍から、または図３に示したように基板を実質上均一に横切って処理ガスを分布できる有孔「シャワヘッド」ガス分布器を介して基板１３０の上方から導入される。一つまたはそれ以上の排気ポンプおよびスロットル弁を備えた排気システム１４８が、使用処理ガスの副産物を排気し、チャンバ１３２内の処理ガスの圧力を制御するのに使用される。一般的に、コンピュータ制御システムが、プログラムされた処理条件を使用してガス分散システム１４６と排気システム１４８を作動する。処理チャンバ１３２とその中の種々の成分は、ここでは金属、セラミックス、ガラス、ポリマーおよび複合材料を含む多様な材料から従来の機械仕上げおよび成形方法を使用して作ることができる。処理チャンバ１３２およびその内部の成分を製造するのに使用できる金属には、アルミニウム、陽極化アルミニウム、「ＨＡＹＮＥＳ２４２」、「Ａ１−６０６１」、「ＳＳ３０４」、「ＳＳ３１６」が含まれ、また陽極化アルミニムのＩＮＣＯＮＥＬが一般的に好まれる。
【００１２】
チャンバ１３２内の処理ガスは、電源１５８によって互いに相対的に電気的にバイアスされた一つまたはそれ以上の処理電極１５５ａ、１５５ｂと容量的に結合することによって、また、任意にチャンバ１３２近傍に一つまたはそれ以上の誘導コイル１５０を使用してチャンバ内に誘導電界を発生させることによって、付勢されてプラズマが形成され、またはプラズマイオンが基板に向けて加速される。誘導コイル１５０と処理電極１５５ａ、１５５ｂの組み合わされた誘導、容量結合部は同時に電力が供給され、基板を横切るプラズマのより均一な分布を有する高密度プラズマを提供する。
【００１３】
チャンバ内で基板１３０を支持するようにも作用する支持体アセンブリ２００は、通常誘電体部材２０５を含み、これに埋設された電極１５５ｂを有し、また、基板１３０を受け入れるために電極上方に受容面を有している。一般的に、電源１５８は電極１５５ｂに電気的に接続され、また他の電極１５５ａは、電気的に接地されており、これによって両電極は、互いに電気的にバイアスされている。電源１５８はＲＦバイアス電圧源を含み、ＲＦバイアス電圧を電極に提供し、基板を介して結合された第１ＲＦ電界成分を発生し、基板（矢印２２０で概略示する）上でプラズマを付勢し、第２ＲＦ電界成分が電極１５５ｂ（矢印２２５で概略示する）から下方向に延長している。チャンバ１３２内のプラズマイオンは、容量的に結合された二つの処理電極間に形成された第１ＲＦ電界成分によって基板１３０の方向に引きつけられる。
【００１４】
誘電体部材２０５を支持する導体２１０が、誘電体部材中の電極を越えて延長する周辺部２２８を備えている。導体２１０の周辺部上に配置されたカラーリング２３０は、ＲＦ電界吸収部を含み、このカラーリング２３０を介して導体２１０の周辺部２２８からチャンバ中のプラズマシースへの容量的および抵抗的ＲＦパワーを十分低くする。基板１３０の周辺の回りに形成された周辺ないし第３ＲＦ電界成分が拡大プラズマシースを提供し、基板のより均一な処理を提供する。この方法において、支持体アセンブリ２００が、電極１５５ｂの端部を越えて、好ましくは基板の端部を越えてプラズマシースを延長させることによって基板１３０の面を横切る改善されたプラズマイオン分布を提供する。
【００１５】
支持体アセンブリの特定の態様につき次に開示する。支持体アセンブリ２００の誘電体部材２０５は、誘電体材料、より好ましくは半導体誘電体材料を備え、電極１５５ｂから電気的に絶縁され、チャンバ１３２内でプラズマとの電気的なショートニングを回避している。電極１５５ｂをカバーする誘電体層は、比較的低いＲＦ電界吸収材を備え、電極１５５ｂが誘電体部材２０５と上にある基板１３０を介しての容量結合することを許容している。誘電体部材２０５は、非ドープまたはドープされたセラミック材料のような低導電率を有する半導体誘電体材料とすることもでき、これらの材料には、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、窒化シリコン、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムおよびこれらの混合物がある。誘電体部材２０５は、基板１３０と直接接触し、支持する滑らかな受容面を有し、これを通して比較的均一な電気結合を提供する。誘電体部材は、約１０⁹Ωｃｍ〜約１０１¹Ωｃｍの体積抵抗（率）を備え、処理温度において電極１５５ｂから基板１３０への電流漏洩を制限するのが好ましい。
【００１６】
誘電体部材２０５は、埋設電極１５５ｂと一体をなすモノリシック・セラミック構造を備え、少なくとも約１０％の有孔率の低気孔レベルを、より好ましくは少なくとも約５％の有孔率を、また最も好ましくは少なくとも約２％の有孔率を有している。適したセラミック・モノリス材は、均衡プレス、ホット・プレス、成形・キャスティングまたはテープ・キャスティングによって製造される。別の方法として、誘電体部材２０５は、電極１５５ｂの回りに積層されたポリイミドまたはアラミド層のラミネート構造で作ることがもでき、一般的にシャモリアン（Ｓｈａｍｏｕｌｉａｎ）による１９９５年１月３１日出願の米国特許願第０８／３８１，７８６号に開示されている高圧釜圧力形成プロセスによる。この特許を参照により本明細書に組込む。
【００１７】
電極１５５ｂの上部および下部にある誘電体部材２０５の誘電体層の厚みは、比誘電率、抵抗率および厚みのような誘電体材料の電気特性に依存する。電極１５５ｂの上部の誘電体部材２０５の厚みは、ＲＦパワーの過度な減衰なしに電極に対して上にある基板１３０を介するＲＦパワーによるプラズマとの容量的結合を許容するのに十分な薄さであるのが好ましい。電極１５５ｂをカバーする上部誘電体層は、電極からのＲＦパワーをプラズマとの電気的な結合を許容するのに十分な薄さでなければならない。誘電体部材２０５の上部層は、電極１５５ｂからプラズマに向かい、また、第２上部電極１５５ａに向かう（または、電極１５５ａ、１５５ｂに印加される異なる電圧に依存して逆方向に）第１ＲＦ電界成分の結合を許容するのに十分小さいＲＦ電界減衰性を有している。上部カバーリング電界層の適した厚みは、約１００ミクロン〜約３ｍｍである。電極１５５ｂを支持する下部誘電体層は、電極１５５ｂからＲＦ電界の下方向成分が、下にある導体２１０からのＲＦパワーと、ＲＦ電界の過度な減衰なしに、容量結合するのに十分薄くなければならない。下部誘電体層は、下にある導体２１０に対して下方向に方向付けられている第２ＲＦ電界成分を容量的に結合する。下部誘電体層の適した厚みは、誘電体材料の電気特性に依存し、また所望の結合強度を提供するように注文製作できる。この第２誘電体層の一般的な厚みは、約１００ミクロン〜約５ｍｍである。
【００１８】
誘電体部材２０５内に埋設された電極１５５ｂは、導電性金属で製作され、この金属は、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、モリブデン、タンタル、チタンまたはこれらの混合物である。好ましい金属は、銅、タンタル、タングステン、プラチナ、レニウム、ハフニウムおよびこれらの合金を備える。これらの金属は、誘電体部材が高温処理を使用して形成される場合に好ましいのもである。電極１５５ｂは、例えば、約１〜１００ミクロン厚の銅層から作ることができ、誘電体部材２０５内に埋設される。別の方法として、電極は直径が約０．０１〜約５ｍｍのワイヤを有し、約２〜４００メッシュのメッシュ・サイズのワイヤ・メッシュから作ることができる。その断面は円形、楕円形または矩形である。
【００１９】
埋設電極１５５ｂを備えた誘電体部材２０５は、処理中基板の移動ないし配置ミスを阻止するように、基板１３０を支持体材に静電的に保持する静電気チャックとしても作用するのが好ましい。本実施形態において、電源１５８は誘電体部材２０５内の電極１５５ｂに電気的接続され、さらにチャッキング電圧を電極１５５ｂに印加し、電極またはまわりをとりまいている誘電体部材に静電電荷を発生し、基板１３０を静電的に保持する。この機能において、電源１５８は一般的にチャッキング電圧源を備え、約２００ボルト〜約２０００ボルトのＤＣチャッキング電圧を発生する。この電圧はＲＦバイアス電圧の印加と同時に電極１５５ｂに印加される。電極１５５ｂは、例えば、電源によって異なる電位に維持されたバイポーラまたはトリポーラ電極のような互いに電気的に絶縁された一つまたはそれ以上の導体から作ることもできる。
【００２０】
上記支持体アセンブリ２００は、さらに誘電体部材２０５の下に電気的な導体材料から成る導体２１０を備え、その導体２１０は、処理チャンバ１３２の中でその誘電体部材２０５を支持するのに適した上側表面を有する。一つの構成では、その導体２１０はアルミニウム等から成る金属板を備え、その金属板はその誘電体部材２０５の直下に位置決めされている。その導体は、その電極１５５ｂとその導体２１０に間ある誘電層を介して、容量的にその電極１５５ｂに結合されている。周辺部２２８は電極１５５の周縁部を越えて広がっており、より好ましくは、基板１３０の外周端を超えて広がっている。電極１５５ｂに印加されたＲＦ電圧は第２ＲＦ成分を生成し、その周波数成分は、下方に置かれた導体２１０に向かって下向きに出て行く。これらの電界成分は電極１５５ｂを下方の導体２１０に容量的に結合する。電極１５５ｂは誘電体部材２０５によって導体２１０から分離され電気的に絶縁されているので、支持体アセンブリ２００は容量部材として作用し、電極１５５ｂからのＲＦパワーを導体２１０に結合する。その第２ＲＦ電界成分がその導体と結合すると、その電界成分は、電極１５５ｂの周縁部を越えてその周り延在する導体２１０の周辺部２２８へと電気的に導かれる。このようにして、埋め込まれた電極を有する誘電体部材２０５は第２ＲＦ電界成分を発生させるために使われ、そして、その電界成分は基板１３０の周縁部の近傍の領域に送られる。
【００２１】
カラーリング２３０が、導体２１０の上に導体２１０の周辺部２２８と直接接触するように配置されている。そのカラーリング２３０は、十分に小さい電界吸収能を持ち、これにより導体２１０の周辺部２２８からのＲＦはそのカラーリングを介してプラズマと結合することができ、そして、そのプラズマシースが基板１３０の周縁部を越えて広がることを可能にしている。これにより、基板１３０の端部あるいは周縁部における、プラズマシースの異常あるいは切れ目がかなり少なくなり、そして、さらに均一なプラズマ処理速度を可能としあるいは基板全体にわたる特性を均一化することが可能となる。カラーリング２３０は、導体２１０の周辺部２２８の中の第２ＲＦを、第３のＲＦ成分と結合させそしてそれを形成する作用をすると考える。その第３ＲＦ成分は、電極１５５ｂから上方向に延びている第１のＲＦ成分とは相補的に、カラーリング２３０を横方向に通って延在する。カラーリング２３０と結合しているＲＦ電界は、導体２１０の中のＲＦ電界によってエネルギーが与えられ、矢印２３５で図示されている第３ＲＦ電界成分で概念的に代表できる。このようにして、導体２１０の電気的導体である周縁部とその上のカラーリング２３０の結合は、電極１５５ｂの延長部として機能する。この結果、カラーリング２３０に全体で起こる結合によって、電極１５５ｂの有効容量結合部の面積が増加する。周縁部で結合しているカラーリング２３０により広くされたプラズマシースにより、基板１３０の周縁部全体においてさらに均一なプラズマイオン分布が得られる。
【００２２】
導体２１０の形状と大きさ、および、導体２１０の上にあるカラーリング２３０の直径は、電極１５５ｂのアクティブな領域を増加させるように選ばれる。その結果、電界の広がりの領域とその結果としてのプラズマシースが、電極１５５ｂの周縁部を越えて延在するようになるようになる。好ましくは、導体２１０は、基板１３０の形状と大きさに対応する形状と大きさに形成された金属板で作られている。直径約２００ｍｍ（８インチ）の円形基板に対して、導体２１０の適切な直径は約２００〜約２２０ｍｍである。図３と図４に図示されているように、導体２１０は、典型的には１９０〜２００ｍｍの直径を有する蜂起中央部分２５０とその蜂起中央部分の周りに延在する周縁張り出し部分２２８を有する、台形のような形状を有することができる。
【００２３】
カラーリング２３０は、誘電体または半導体性誘電体を備える環状あるいは層状部分を備える。その部分は導体２１０の周辺部２２８を覆い、そして十分に薄い。この結果、導体２１０の周縁部からのＲＦパワーの相当な部分が基板１３０の周縁部を取り囲んでいるプラズマシースと結合できる。カラーリング２３０の形状と厚さは、カラーを製造するために使われている物質の吸収特性、特に、電極１５５ｂの特定のＲＦ周波数における吸収特性に依存する。導体２１０の上側表面とカラーリング２３０の下側表面の両方は（ここでカラーリングは別の構造で、導体の滑らか表面に合わせたコーティングしていない）、磨かれて滑らかな上側表面を備える。これにより、導体２１０とカラーリング２３０の間で滑らかでかつ均一にＲＦを結合させることができる。この際、中間の空気ギャップおよびその他の過度な表面の粗さにより形成される性質に影響される電気的インピーダンスと干渉することはない。滑らかな結合表面は、表面間の空気ギャップおよびその他の接触抵抗を少なくし、そしてそれらの二つの要素の間で結合しているＲＦ電界の強度を増加させる。さらに、その滑らかな結合表面は、その表面間の空間におけるアークの発生およびグロー放電をも少なくする。その理由は、その表面間の領域に外部の電荷を帯びたプラズマ種が接近することが少なくなること、および／または、励起されたガス状の種の平均自由行程を小さくするからである。この結果、なだれ絶縁破壊およびその結果としてのプラズマの形成の可能性が少なくなる。好ましくは、滑らかな結合表面は、ピークＲＭＳが約１０ミクロン未満、より好ましくは約３ミクロン未満、最も好ましくは約０．５ミクロン未満の表面粗さを備える。
【００２４】
一つの形態では、カラーリング２３０は、導体２１０の周辺部２２８の上側表面の上に、誘電体あるいは半導体的誘電体物質を備える層を形成することにより作られる。通常のフレームスプレイ法、プラズマスプレイ法、あるいは溶液を用いるコーティング法が含まれるコーティング方法によって、導体の周縁部分の上に誘電体層をつけることができる。別の形態では、そのカラーリング２３０は中実の環状リングを備える。それは、均一で導体２１０の側表面と滑らかな電気的結合ができるために十分なだけ、滑らかに磨かれた下側結合表面を持つ。その環状リングは、セラミックスや高分子物質に慣用のキャスティング成形法、インジェクション成形、機械加工等を施すことにより形成される。
【００２５】
好ましい実施形態では、カラーリング２３０は、電極１５５ｂと導体２１０に同心の環状リングを備え、その環状リングの半径方向内側の表面は、その導体の半径方向外側の表面に接触している。カラーリング２３０の内径は、導体２１０をぴったりと取り囲むことができるのに十分なだけの大きな寸法になっている。例えば、約１９０ｍｍの直径を有する円形の導体２１０に対しては、カラーリング２３０の適当な内径は約１９０〜約２００ｍｍである。その環状リングはその基板１３０を支持することができる上側表面をも有することができる。好ましくは、環状リング２３０の上側表面は支持体アセンブリ２００の上側収容表面とほぼ同一面となっており、基板１３０の周縁部まで延在している。好ましくは、その環状リングは、支持部から取り外すことができ、腐食したときあるいは壊れたときに、その環状リングを速やかに交換できるようになっている。慣用の誘電体あるいは半導体性誘電体である場合には、カラーリング２３０の厚さは典型的には約５〜約１０ｍｍである。
【００２６】
好ましくは、カラーリング２３０は、ＲＦ電界吸収が十分に小さくなるように、十分に薄い誘電体物質で作られている。これにより、１〜２０ＭＨＺのＲＦにおいて、導体２１０の周縁部分からＲＦパワーをプラズマに容量的に結合させる。適切な誘電体物質は少なくとも２以上の誘電率を持ち、そして約０．１〜約１ｖｏｌｔ／ｎｍの絶縁破壊強度を有する。カラーリング２３０を製造するために適切な誘電体セラミックス物質には、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ホウ素、窒化ホウ素、シリコン、二酸化珪素、シリコンカーバイド、窒化シリコン、酸化チタン、炭化シタン、ホウ化ジルコニウム、炭化ジルコニウム、およびそれらの等価物あるいは混合物が含まれる。カラーリング２３０を形成するのに適切な高分子物質には、ポリイミド、ポリケトン、ポリエーテルケトン、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ナイロン、シリコン、そしてゴムが含まれる。基板１３０を加熱する工程のために、カラーリング２３０のために選択される誘電体物質は２００℃以上の温度に耐えることが好ましい。
【００２７】
好ましい実施形態では、カラーリング２３０を通ってＤＣ電界成分が伝えられあるいは誘導されるように、カラーリング２３０は低い電気抵抗を有する半導体性誘電体物質で作られる。この明細書では、半導体性誘電体とは、絶縁体物質より高い導電率を有するが、金属より低い導電率を有する物質をいう。半導体性誘電体物質は十分に低い電気抵抗をも有する。このため、直流電界成分を導体２１０からカラーリング２３０に電気的に結合させることができ、この結果、基板の周縁部の上により一致した均一なプラズマシースができる。普通、基板の端部においてはエッジ効果が顕著であるのであるが、これらの直流電界成分は、基板の端部における直流ポテンシャルを滑らかにそして均衡のとれたものにする。基板の周縁部のＤＣ電界成分が均衡がとれたものあるいは平衡がとれたものであればあるほど、電極１５５ｂの端部におけるアークの発生の可能性が少なくなる。好ましくは、その半導体カラーリング２３０は、約１０^-3Ωｃｍ〜１０²Ωｃｍ程度の抵抗値を持ち、もっと好ましくは、約１０^-3Ωｃｍ〜約１０¹Ωｃｍの抵抗値を持つ。カラーリング２３０を製造するのに適している半導体セラミック物質は、シリコン、シリコンカーバイドおよび窒化シリコンと同様に、例えば、以下に記載されたセラミック物質、つまり、酸化アルミニウム、酸化チタニウム、窒化アルミニウム、および他の導電性添加物の混合物等のドープされたセラミック物質を含む。典型的には、その導電性を強化する添加物は、セラミックの結晶構造においてインタースティシャル（侵入原子型）電気伝導あるいはグレイン境界型電気伝導の種を形成するもので、これにより高い電気伝導度をもたらす。基板１３０を加熱する工程のために、好ましくは、半導体性誘電体は、処理チャンバ１３２の中の作動温度において所望の抵抗値あるいは電導度を持つように選択される。シリコン等の物質もまたプラズマ環境においては好ましい。プラズマ環境においては、シリコン基板とそれを取り囲んでいるカラーリングの間の化学的不適合がないと基板の曲がりが小さいからである。シリコンのカラーリング２３０は、シリコン基板と同じ種のガス副産物をプラズマ環境の中に作る。これ故、基板の汚染を制限あるいは減少させる。別の方法として、シリコンカーバイドのような非反応性の物質は、おそらくプラズマ環境の中ではもっと好ましいであろう。プラズマ環境の中では、カラーリング２３０とプラズマの間の化学反応を少なくし、あるいは除去することが望ましいからである。
【００２８】
前記の基板３０、電極１５５ｂ、カラーリング２３０、導体２１０の周囲の電界線の双方向分布およびその結果のプラズマイオン密度を、モデル化プログラムを使って数値モデル化した。ＲＦ電界線とそのプラズマ分布のモデル化は、いくつかの簡略例を利用した。プラズマイオンの衝突を無視し、イオンのランダム移動がイオンの方向性移動よりかなり小さいと仮定した。また、プラズマ内の電子が、電位に対するプラズマイオン密度の指数依存性を与えるマクスウェル−ボルツマンのエネルギー分布機能を持つと仮定した。処理チャンバ壁１３５の面とのプラズマイオンの相互反応により、イオンが完全に吸収されると仮定した。電極１５５ｂを覆う誘電部材２０５の電荷移動度は小さくて、システムでの表面荷電は、表面に対する電子とイオンの束が等価になるまで蓄積されると仮定する。シミュレーションでは、シミュレーション箱の上部にイオンを発生させ、箱の上端から導入した。また、基板１３０上のＲＦ電荷は、イオン化源速度に影響しないと仮定した。
【００２９】
図４は、モデル化研究のため使ったシミュレーション箱内に載置した本発明の支持体２００の部分断面概略図である。支持体２００は、電極１５５ｂ、電極を覆う誘電部材２０５、導体２１０、及び導体２１０外周縁に支持されたカラーリング２３０から成る。図５は、支持体２００の誘電部材２０５の表面とカラーリング２３０を横切り均等に分布した電位線を示す数値特性グラフである。図には、−２００、−４００、−６００、及び−８００ボルトなどの異なる電位におけるほぼ平行な電位線が示されている。一般的に、モデル化された電位線は、カラーリング２３０と誘電部材２０５の表面に平行であり、基板１３０の表面を均等に横切って延びている。電極１５５ｂとカラーリング２３０の間の境界で発生した電位東線の小さな「へこみ」は、ほぼ均等な電位線の最小電価値であって、プラズマイオン分布に対する影響はわずか、あるいは、全くない。ＲＦ電界線は電位線とは直角であるため、本発明の支持体２００は、基板１３０の外周面２４５の中心線２４０にほぼ直角であり、それを越えて均等に延びてＲＦ電界線を提供することができる。また、約１．７または１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧を電力１５５ｂに印加することにより、電界を形成している。電界が交流ＲＦ電界なので、図５は、支持体２００周囲の電位線の瞬時の特性を示している。
【００３０】
反対に、図６は、支持体アセンブリ２００の部分として、導体２１０や被覆カラーリング２３０を使わない従来の支持体での数値モデル化電位線を示す。電位線または電界線は、垂直線から反れて、支持体の側面まわりに曲がる同心の楕円形線形成している。電位線は電極下面に向かって下方へカーブしており、電極の縁部まわりに曲がる（電位線に対して垂直な）電界線が形成される。その結果、支持体１３０の表面を横切るプラズマイオン分布が、特に基板の外周面では、均等でなくなり、基板表面の処理速度も均等でなくなる。
【００３１】
本発明の、外周に延びる導体２１０と被覆カラーリング２３０を有する支持体２００は、基板の外周面２４５を横切ってプラズマシースを伸張している。伸張されたプラズマシースは、基板１３０の処理表面でのプラズマイオンの分布や束をより均等にすることができる。基板１３０の外周面に隣接する伸張されたプラズマシースにより、基板外周面２４５でのＩＣチップの収率がかなり改善される。さらなる長所として、カラーリング２３０は支持体２００から脱着可能であるため、浸食または腐食した場合に、支持体全部を換えることなく、リングだけを交換できる。また、脱着可能なカラーリング２３０の導電性や化学薬品耐性も、所定のプラズマ処理で要する電気的および化学的特性を提供できるよう選択が可能となる。例えば、基板周囲のプラズマシースをより均等にするため、異なる基板処理環境によって、電気抵抗や誘電特定値などの異なる電気的特性をもつ所望のカラーリング２３０を使い分けることなどは、当業者にとっては明白であろう。
【００３２】
本発明のプラズマ処理装置１２５は、基板１３０上の素材を堆積、エッチング、埋設したり、基板表面での反応プラズマイオンの伸張プラズマシースや均等分布を維持したりするのに利用できる。装置１２５を使うときは、基板１３０を処理チャンバ１３２内に載置してから、制御圧の処理ガスをガス分散器１４６を経由して処理チャンバ１３２内へ導入する。処理ガスの流量、処理チャンバ内圧力、基板温度は、実行する処理内容によって異なる。基板１３０上に薄膜を形成するため装置１２５内で行う化学気相堆積（ＣＶＤ）処理法は、本明細書に参照により組込む、Ｓｚｅによる「ＶＬＳＩ技術、第２版の第９章」、マグローヒル出版社、ニューヨークに記述されている。また、基板上にＳｉＯ₂を堆積するための標準的な化学気相堆積（ＣＶＤ）処理法では、（ｉ）ＳｉＨ₄やＳｉＣｌ₂Ｈ₂などのシリコン系ガス、および、ＣＯ₂、Ｈ₂Ｏ、Ｎ₂Ｏなどの酸素系ガス、（ｉｉ）Ｓｉ（ＯＣ₂Ｈ₅）などのシリコンと酸素の両方を含む単独ガスを使う。さらに、基板上にシリコンやＳｉ₃Ｎ₄などを堆積するためのＣＶＤ処理法では、一般的に、ＳｉＨ₄、ＮＨ₃、Ｎ₂、Ｂ₂Ｈ₆、ＨＣｌ、ＰＨ₃などのガスが使われる。その他のＣＶＤ処理法のガスとしては、ＮＨ₃、ＡｓＨ₃、Ｂ₂Ｈ₆、ＨＣｌ、ＰＨ₃、ＳｉＨ₄などがある。また、本装置１２５は、同じく本明細書に参照により組込まれる、Ｓ．Ｍ．Ｓｚｅによる「ＶＬＳＩ技術、第２版の第５章」、マグローヒル出版社（１９８８）、に記載されているようなプラズマエッチング処理にも利用できる。標準的なエッチング処理法で使うようなガスとして、ＢＣ１₃、Ｃ１₂、ＳＦ₆、ＣＦ₄、ＣＦＣ１₃、ＣＦ₂Ｃｌ₂、ＣＦ₃Ｃｌ、ＣＨＦ₃、Ｃ₃Ｆ₈、Ｃ₄Ｆ₈、Ｃ₂ＣｌＦ₅などがあげられ、レジストエッチング処理法では、基板上のレジストをエッチング処理するために酸素含有エッチングガスを使う。基板１３０を洗浄するためＮＦ₃を使うプラズマ処理法が、本明細書に参照により組込まれるＣｈａｎｇらの米国特許第５，２０１，９９０号に記述されている。一般的に、処理ガスの流量は５０〜３０００ｓｃｃｍの範囲、処理チャンバ内圧力は１ｍＴｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲、基板温度は２５〜５００℃の範囲である。
【００３３】
図７は、処理チャンバ１３２内の電極１５５ｂに電気的に接続された電圧源１５８の一例を示すブロック図である。電圧源１５８は、電極１５５ｂにプラズマ発生ＲＦ電圧を供給するＡＣ電源と、電極１５５ｂにＤＣ把持電圧を供給するＤＣ電圧を含む。ＡＣ電源は４００ＫＨＺ〜１３．５６ＭＨＺの１つ以上の周波数を有するＲＦ発生電圧を電極１５５ａ、１５５ｂに提供し、処理チャンバ内に容量的に結合されたプラズマを形成する。電極１５５ｂに印加されるＲＦバイアス電流は典型的に約５０〜３０００ワットである。別のＤＣ電圧は電極１５５Ｂに印加され、基板を支持体に保持する電荷を形成する。ＤＣチャッキング電圧は典型的に２５０〜２０００ボルトである。
【００３４】
前記の電圧源１５８には、処理チャンバ１３２周囲に巻かれたコイル１５０に誘電結合電圧を供給するため、電源ＲＦ整合回路に接続された発生器３１０も備わっている。さらに電圧源１５８は、ＤＣ把持電圧源に電気的に接続されたバイアスＲＦ整合ＤＣ遮断キャパシタ回路３１５も備える。その回路からのＲＦ電力は、約５０〜３０００ワットの電力レベルで、ケーブル３２０を経て電極１５５ｂに印加される。処理用電極１５５ａ、１５５ｂをＲＦ電圧により互いに電気的にバイアスすると、その結果である処理チャンバ内のＲＦ電界の拡大域により、処理ガスからプラズマイオンが発生、および／または、基板１３０に向けてプラズマイオンが吸引される。ＲＦパワーは、電極１５５ｂにケーブル３２０経由でＤＣ把持電圧を供給するため、ブリッジ回路３２５とＤＣ変換器３３０にも接続される。基板１３０は、ＤＣ電圧でバイアスされた電極１５５ｂにより、誘電部材２０５の受容面に静電的に把持される。さらにまた、基板１３０の把持や解除、および、処理チャンバ１３２内でのプラズマ発生を促進するため、ＤＣ電流、ＲＦ電流、またはその両方を電極に供給することにより電極１５５ｂの動作を制御するためのシステム制御器３３５を、電圧源１５８に備えても構わない。
【００３５】
前記の電極１５５ｂに印加されるＲＦバイアス電圧は、（ｉ）基板１３０上でプラズマを発生させるため基板を横切って延びる第１のＲＦ電界成分と、（ｉｉ）被覆導体２１０に結合する第２のＲＦ電界成分とを生成すると考えられる。導体の周囲部２２８上のカラーリングにより、導体２１０の第２の電界成分が導体とプラズマをカラーリング経由で結合し、第１ＲＦ電界成分を補足する第３のＲＦ電界成分をカラーリング上で生成する。その結果、ＲＦ電界が基板周縁２４５を取り囲んで横切って伸張し、基板周縁２４５からかなりの距離でプラズマイオンを基板１３０に向けて吸引するため、プラズマシースが拡張するのである。処理チャンバ内での均等なプラズマイオン分散の結果、中心線２４０から基板の周縁２４５までほぼ均等な処理速度が維持できることになる。
【００３６】
上記の本発明は好適な実施形態を詳細に説明したものであって、その他の変更例もまた可能である。例えば、カラーリングを処理チャンバの側壁と一体に形成してもよいし、支持体との一体構造にしてもよいし、また、支持体に電気的に接続するような別途の導体とカラーリングの組み合わせ構造で形成することも可能である。カラーリングの形状や構造のその他の様々な変更例は、当業者には明白であろうし、それら同様の構成も本発明の範囲である。それゆえ、付随する本発明の請求項は、上記の好適な実施形態の説明に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
本発明のこれら及び他の特徴、態様、及び利点は、以下の記載、付属の請求の範囲、及び本発明の実施例を説明する付属の図面を参照して、より理解されるであろう。
【図１】 図１（従来技術）は、基板の表面を横切る不均一なプラズマシースを説明する、従来技術の処理チャンバの概略断面図である。
【図２】 図２はチャンバ内の支持体上を横切って得られる均一なプラズマシースを説明する本発明による基板支持体及び処理チャンバの概略断面図である。
【図３】 図３は本発明による別の形態の処理チャンバ及び支持体の概略断面図である。
【図４】 図４は本発明によるさらに別の実施形態の支持体の概略断面図である。
【図５】 図５は図４の支持体を利用して得られる、均一な電位分布線のグラフである。
【図６】 図６は導体上の従来の支持体を利用して得られる、不均一な電位分布線のグラフである。
【図７】 図７は支持体上の電極に電力を供給する電源のブロック図である。
【符号の説明】
１２０…静電チャック電圧源、２０５…プラズマ、１４６…処理ガス分散器システム。

Claims (32)

1. プラズマ処理チャンバ内で基板を支持する支持体であって、
   （ａ）電極を埋め込まれ、且つ前記基板を受け取る受け取り面を有する誘電部材と、
   （ｂ）前記誘電部材を支持する導体であって、前記誘電部材の下方に位置すると共に、前記誘電部材内の前記電極を越えて伸びる周縁部を有する導体と、
   （ｃ）（ｉ）前記電極からのＲＦパワーを前記導体へ容量結合するため、ＲＦバイアス電圧を前記誘電部材内に埋め込まれた前記電極へ供給すると共に、（ｉｉ）前記基板を前記誘電部材へ静電的に保持するため、ＤＣ電圧を前記誘電部材内に埋め込まれた前記電極へ与える、電源と、
   （ｄ）前記導体の前記周縁部上にあるカラーリングであって、前記導体の前記周縁部からのＲＦパワーを、カラーリングを介して前記プラズマ処理チャンバ内のプラズマへ容量結合するのに十分低いＲＦ電界吸収を有するカラーリングとを有する支持体。
2. 前記電極の上にある前記誘電部材の厚さが、前記電極が上に重なる前記基板を介してＲＦパワーをプラズマへ容量結合することができるほど十分小さく、
   前記電極の下にある前記誘電部材の厚さが、前記電極がＲＦパワーを下に重なる前記導体へ容量結合することができるほど十分小さい、請求項１に記載の支持体。
3. 前記カラーリングが、前記導体の前記周縁部をカバーする誘電物質層を含む、請求項１に記載の支持体。
4. 前記カラーリングが、少なくとも約２の誘電率を有する誘電物質を含み、
   前記カラーリングが、前記導体からのＲＦパワーが１〜２０ＭＨＺのＲＦ周波数でプラズマへ結合することができるほど十分薄い、請求項３に記載の支持体。
5. 前記カラーリングが、約１０^−３Ωｃｍ〜約１０^２Ωｃｍの抵抗を有する半導電性誘電体を含む、請求項３に記載の支持体。
6. 前記カラーリングが、前記導体の前記周縁部と均一に接触して低インピーダンス電気結合を前記導体へ提供するほど十分滑らかな低結合表面を含む、請求項１に記載の支持体。
7. 前記電源が、約２００ボルト〜約２０００ボルトのＤＣ電圧を与える、請求項１に記載の支持体。
8. 前記電源が、約５０〜約３０００ワットのパワーレベルでＲＦバイアス電圧を与える、請求項１に記載の支持体。
9. 前記カラーリングが、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ホウ素、窒化ホウ素、シリコン、酸化シリコン、炭化シリコン、窒化シリコン、酸化チタン、炭化チタン、ホウ化ジルコニウム、及び炭化ジルコニウムの１つ又は複数を含む、請求項１に記載の支持体。
10. 前記カラーリングが、ポリイミド、ポリケトン、ポリエーテルケトン、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ナイロン、シリコーン、及びゴムの１つ又は複数を含む、請求項１に記載の支持体。
11. 請求項１の支持体を含む処理チャンバ。
12. 基板をプラズマ内で処理する処理チャンバであって、
    （ａ）プラズマを形成するため処理ガスを前記チャンバ内に分散するガス分散器と、
    （ｂ）電極を埋め込まれ、且つ前記基板を受け取るための受け取り面を有する誘電部材と、
    （ｃ）前記誘電部材を支持する導体であって、前記誘電部材の下方に位置すると共に、前記誘電部材内で前記電極の外辺部を越えて伸びる周縁部を有する導体と、
    （ｄ）前記電極へ電気的に接続された電源であって、（ｉ）前記電極からのＲＦパワーを、前記誘電部材の上にあるプラズマ及び下に重なる前記導体へ容量結合するため、ＲＦバイアス電圧を前記電極へ与えると共に、（ｉｉ）前記基板を前記誘電部材へ静電的に保持するため、ＤＣ電圧を前記電極へ与える、電源と、
    （ｅ）前記導体の前記周縁部の上にあるカラーリングであって、前記導体からのＲＦパワーを前記チャンバ内のプラズマへ容量結合するのに十分低いＲＦ電界吸収を有するカラーリングとを有する処理チャンバ。
13. 前記電極へ与えられた前記ＲＦバイアス電圧が、前記基板を介して広がり且つプラズマへ直接結合する第１のＲＦ電界成分と、下に重なる前記導体へ結合する第２のＲＦ電界成分とを発生する、請求項１２に記載の処理チャンバ。
14. 前記カラーリングが、前記第１のＲＦ電界成分を補足する前記カラーリングの上に第３のＲＦ電界成分を形成するために、前記導体内の前記第２のＲＦ電界成分が前記カラーリングを介して電気結合するような、十分低い電界吸収を含み、それにより、前記基板の前記周縁部を越えて拡がる拡大プラズマシースを提供する、請求項１３に記載の処理チャンバ。
15. 前記カラーリングが、少なくとも約２の誘電率を有する誘電物質を含み、
    前記カラーリングが、前記導体からのＲＦパワーが１〜２０ＭＨＺのＲＦ周波数でプラズマへ結合することができるほど十分薄い、請求項１２に記載の処理チャンバ。
16. 前記カラーリングが、前記導体の前記周縁部をカバーする誘電物質又は半導体物質層を含む、請求項１２に記載の処理チャンバ。
17. 前記カラーリングが、約１０^−３Ωｃｍ〜約１０^２Ωｃｍの抵抗を有する半導電性誘電物質を含む、請求項１６に記載の処理チャンバ。
18. 前記電極の下にある前記誘電部材の厚さが、前記電極からのＲＦパワーが下に重なる前記導体へ容量結合することができるほど十分小さい、請求項１２に記載の処理チャンバ。
19. 前記カラーリングが、前記導体の前記周縁部と均一に接触して前記導体へ低インピーダンスで電気結合するほど十分滑らかな低結合面を含む、請求項１２に記載の処理チャンバ。
20. 基板をプラズマ域で均一に処理する方法であって、
    （ａ）前記基板を、プラズマ域内で、電極を埋め込まれ且つ下に重なる導体によって支持される誘電部材の上に置くステップであって、前記導体は、前記誘電部材の下方に位置していると共に、前記電極を越えて伸びる周縁部を有しているステップと、
    （ｂ）（ｉ）プラズマ域でプラズマを付勢し、且つ前記電極からのＲＦパワーを下に重なる前記導体へ容量結合するために、ＲＦバイアス電圧を前記誘電部材内の前記電極へ供給し、（ｉｉ）前記誘電部材上の前記基板を静電的に保持するため、ＤＣ電圧を前記電極へ印加するステップと、
    （ｃ）前記導体の前記周縁部からのＲＦパワーを、前記電極を越えて伸びるプラズマシースへ容量結合するステップであって、カラーリングを前記導体の前記周縁部へ電気結合することを含み、前記カラーリングが、前記導体の前記周縁部内のＲＦパワーの少なくとも一部分を前記カラーリングの上にある拡大プラズマシースへ結合するほど十分低いＲＦ電界吸収を有している、ステップとを含む、方法。
21. ステップ（ｂ）において、前記電極へ与えられた前記ＲＦ電圧が、プラズマと結合するために基板を介して拡がる第１のＲＦ電界成分と、下に重なる前記導体と結合する第２のＲＦ電界成分とを発生するほど十分高い、請求項２０に記載の方法。
22. ステップ（ｃ）が、誘電物質又は半導体物質の層を含むカラーリングを、前記導体の前記周縁部へ電気結合することを含む、請求項２０に記載の方法。
23. 前記カラーリングが、約１０^−３Ωｃｍ〜約１０^２Ωｃｍの抵抗を有する半導電性誘電物質を含む、請求項２２に記載の方法。
24. 前記カラーリングが、前記導体と均一に接触及び結合するほど十分滑らかな結合面を含む、請求項２０に記載の方法。
25. ステップ（ｂ）が、約５０〜約３０００ワットのパワーレベルでＲＦバイアス電圧を供給することを含む、請求項２０に記載の方法。
26. ステップ（ｂ）が、約２００ボルト〜約２０００ボルトのＤＣ電圧を印加することを含む、請求項２０に記載の方法。
27. プラズマ処理チャンバ内で基板を支持する支持体であって、
    （ａ）電極を埋め込まれ、且つ前記基板を受け取る受け取り面を有する誘電部材と、
    （ｂ）前記誘電部材を支持する導体であって、前記誘電部材の下方に位置すると共に、前記電極を越えて伸びる周縁部を有する導体と、
    （ｃ）（ｉ）前記電極からのＲＦパワーを前記導体へ容量結合するために、十分高いＲＦバイアス電圧を前記電極へ供給すると共に、（ｉｉ）前記基板を誘電部材上で静電的に保持するため、ＤＣ電圧を前記電極へ更に与える、電源と、
    （ｄ）前記導体の前記周縁部をカバーする半導電性誘電体カラーリングであって、約１０^−３Ωｃｍ〜約１０^２Ωｃｍの抵抗を有し、且つプラズマ処理チャンバにおける支持体の使用中に、前記導体の前記周縁部からのＲＦパワーをプラズマへ結合するため十分低いＲＦ電界吸収を有するカラーリングとを含む支持体。
28. 前記電極と前記導体との間の前記誘電部材の厚さが、前記電極がＲＦパワーを下で重なる前記導体へ容量結合することができるほど十分小さい、請求項２７に記載の支持体。
29. 前記カラーリングが、前記導体の前記周縁部と均一に接触して前記導体からＲＦパワーの低インピーダンス結合を提供するのに十分滑らかな低結合表面を含む、請求項２７に記載の支持体。
30. 前記電源が、約２００ボルト〜約２０００ボルトのＤＣ電圧を与える、請求項２７に記載の支持体。
31. 前記電源が、約５０〜約３０００ワットのパワーレベルでＲＦバイアス電圧を与える、請求項２７に記載の支持体。
32. 前記カラーリングが、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ホウ素、窒化ホウ素、シリコン、酸化シリコン、炭化シリコン、窒化シリコン、酸化チタン、炭化チタン、ホウ化ジルコニウム、及び炭化ジルコニウムの１つ又は複数を含む、請求項２７に記載の支持体。

Images