JP4543943B2 - 半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4543943B2 JP4543943B2 JP2005018082A JP2005018082A JP4543943B2 JP 4543943 B2 JP4543943 B2 JP 4543943B2 JP 2005018082 A JP2005018082 A JP 2005018082A JP 2005018082 A JP2005018082 A JP 2005018082A JP 4543943 B2 JP4543943 B2 JP 4543943B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating layer
- plating
- lead frame
- etching
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
0μm)を施す為に、粗化部が平滑化され封止樹脂との密着性を向上させるアンカー効果
が低下するという課題を有していた。
図1は、本発明の参考例における半導体装置用リードフレームの断面図である。
図2(a)〜(d)は、本発明の実施の形態における半導体装置用リードフレームの製造方法の工程フローに沿った断面図である。
2 リードフレーム
3 第一めっき層
4 凹凸部
5 第二めっき層
6 第三めっき層
101 基材
102 リードフレーム
103 第一めっき層
104 凹凸部
105 第二めっき層
106 第三めっき層
107 第四めっき層
Claims (2)
- 金属薄板材の基材に打抜きまたはエッチング加工を行いリードフレームを形成する工程と、前記リードフレーム表面に第一めっき層を鍍着する第一めっき層形成工程と、前記第一めっき層表面に前記第一めっき層よりもイオン化傾向の低いエッチングを妨げる金属めっき被膜を部分的に形成する工程と、前記エッチングを妨げる金属めっき被膜が形成された第一めっき層をエッチングする工程と、前記第一めっき層表面の前記エッチングを妨げる金属めっき被膜を除去する工程と、前記第一めっき層表面に薄膜の第二めっき層を鍍着する第二めっき層形成工程とを備えた半導体装置用リードフレームの製造方法。
- 金属薄板材の基材に打抜きまたはエッチング加工を行いリードフレームを形成する工程と、前記リードフレーム表面に第一めっき層を鍍着する第一めっき層形成工程と、前記第一めっき層表面に前記第一めっき層よりもイオン化傾向の低いエッチングを妨げる金属めっき被膜を部分的に形成する工程と、前記エッチングを妨げる金属めっき被膜が形成された第一めっき層をエッチングする工程と、前記第一めっき層表面の前記エッチングを妨げる金属めっき被膜を除去する工程と、前記第一めっき層表面に薄膜の第二めっき層を鍍着する第二めっき層形成工程と、前記第二めっき層表面に薄膜の第三めっき層を鍍着する第三めっき層形成工程とを備えた半導体装置用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005018082A JP4543943B2 (ja) | 2005-01-26 | 2005-01-26 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005018082A JP4543943B2 (ja) | 2005-01-26 | 2005-01-26 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006210489A JP2006210489A (ja) | 2006-08-10 |
JP4543943B2 true JP4543943B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=36967013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005018082A Expired - Fee Related JP4543943B2 (ja) | 2005-01-26 | 2005-01-26 | 半導体装置用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4543943B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009147336A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 密着性の促進 |
JP2009302209A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Nec Electronics Corp | リードフレーム、半導体装置、リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP6623108B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2019-12-18 | 古河電気工業株式会社 | リードフレーム材料およびその製造方法 |
JP7029504B2 (ja) * | 2020-09-23 | 2022-03-03 | Shプレシジョン株式会社 | リードフレームおよびパワー系半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002083917A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-03-22 | Noge Denki Kogyo:Kk | 表面に突起を有するリードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
JP2004349497A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | パッケージ部品及び半導体パッケージ |
-
2005
- 2005-01-26 JP JP2005018082A patent/JP4543943B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002083917A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-03-22 | Noge Denki Kogyo:Kk | 表面に突起を有するリードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置、および、半導体装置の製造方法 |
JP2004349497A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | パッケージ部品及び半導体パッケージ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006210489A (ja) | 2006-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010199166A (ja) | 光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
JP5549066B2 (ja) | リードフレーム型基板とその製造方法、及び半導体装置 | |
US20060016694A1 (en) | Tin-plated film and method for producing the same | |
US20110300401A1 (en) | Rolled Copper Foil or Electrolytic Copper Foil for Electronic Circuit, and Method of Forming Electronic Circuit using same | |
JP2010080895A (ja) | リードフレーム型基板とその製造方法ならびに半導体装置 | |
JP2012502462A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
JP4543943B2 (ja) | 半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
JP6044936B2 (ja) | 半導体素子搭載用基板の製造方法 | |
JP4639701B2 (ja) | 錫めっき皮膜を有する金属板及びそれを備えた電子部品並びに錫めっき皮膜の製造方法 | |
TWI649193B (zh) | 陶瓷元件及其製造方法 | |
JP2011166028A (ja) | Cof基板の製造方法 | |
KR20100105400A (ko) | 세라믹 기판 금속 피복 방법 | |
CN104538314A (zh) | 三层封装基板及封装芯片的制作方法及三层封装基板 | |
JP2013012727A (ja) | プリント回路基板及びその製造方法 | |
JP2007189177A (ja) | フレキシブル配線基板及びその製造方法。 | |
JP2007329325A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
TWI555449B (zh) | Printed circuit board copper foil and its manufacturing method and the use of the copper foil printed circuit board | |
JP4332068B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JP2017208461A (ja) | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 | |
JP2007173300A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JP2007088211A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
JP2007224411A (ja) | 微細回路用銅箔 | |
JP3159898U (ja) | プリント回路基板用基材 | |
WO2016194241A1 (ja) | 配線用基板の製造方法 | |
JP5447949B2 (ja) | 配線基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070116 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090707 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090831 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091027 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100125 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100224 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100303 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100419 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100608 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100621 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |