TWI555449B - Printed circuit board copper foil and its manufacturing method and the use of the copper foil printed circuit board - Google Patents

Description

印刷電路板用銅箔及其製造方法與利用該銅箔之印刷電路板 【相關申請案】

本案係以日本專利申請案第2012-128737號為基礎主張巴黎公約之優先權的申請案。因此，本案係包含該日本專利申請案中所揭示之所有內容者。

本發明係關於一種印刷電路板用銅箔，更詳言之，係關於一種用於電子設備等的印刷電路板用銅箔及其製造方法，以及利用該銅箔之印刷電路板。

近年來隨著電子設備的小型化、輕量化及高性能化，更積極地要求印刷電路板之電路圖案的細微化。印刷電路板使用於例如半導體安裝基板或主機板基板等元件。

以往，關於在印刷電路板上形成銅電路圖案的方法，吾人所習知者有削減法與半加成處理法。

在削減法中，首先於絶緣基材表面層積銅箔。接著，在銅箔表面形成光阻層，然後在該光阻層上以微影形成圖案。然後藉由對銅箔中未被光阻層覆蓋的部分進行蝕刻以將其去除，而形成銅電路圖案。

在半加成處理法中，首先在絶緣基材表面形成稱為種子層的金屬薄層。接著，於種子層的表面上形成光阻層，並藉由微影在該光阻層上形成圖案。接著，藉由對種子層未被光阻層覆蓋的部分實施銅電鍍，以形成銅電路圖案。然後以蝕刻去除種子層未被施予銅電鍍的部分。

半加成處理法中，在以電解銅箔或是軋延銅箔形成種子層的情況下，於銅箔之一邊的表面(與絶緣基材接觸側的表面)上實施粗化處理。若銅箔表面被粗化，則在銅箔表面上形成細微的凸部。藉由使該凸部進入絶緣基材的內部而發揮物理性的錨定效果，進而使銅箔堅固地與絶緣基材的表面接合。

然而，以往的印刷電路板具有下述的問題。在半加成處理法中，銅箔表面之粗化程度較高的情況下，銅箔表面的凸部太過深入絶緣基材的內部。此情況下，為了從絶緣基材表面去除銅箔(種子層)，所需的蝕刻時間變長。另外，作為蝕刻時間變長的結果，銅電路圖案之線寬的減少量變大，難以形成細微的銅電路圖案。

另一方面，因為在銅箔(種子層)之表面的粗化程度過小的情況中，銅箔與絶緣基材的接合性變差，而銅箔易從絶緣基材表面剝離，亦難以形成細微的銅電路圖案。

作為與銅箔表面粗糙度相關的習知技術，以下的技術已為人所習知。日本特開平07-231152號公報(專利文獻1)中，記載表面粗糙度1~3μm的銅箔。該銅箔的表面上，設有長度0.6~1.0μm、最大直徑0.2~0.8μm、倒立淚滴狀的細微突起。日本特開2006-210689號公報(專利文獻2)中記載一種銅箔，其具有表面粗糙度(Rz：十點平均粗糙度)為2.5μm以下、由直徑0.05~1.0μm的球狀微粒子所形成的粗化處理層，該粗化處理層上具有由Mo、Ni、W、P、Co、Ge中任一種以上的元素所形成的防銹層，並且具有矽烷偶合層。日本特開2004-263300號公報(專利文獻3)中記載一種銅箔， 其表面粗糙度(Rz)為2.5μm以下，母材凹凸形狀之最小峰部間距離為5μm以上，且表面上存在平均粒徑2μm以下的結晶粒。日本特開2010-236058號公報(專利文獻4)中記載一種銅箔，其包含頂部角度θ係85度以下之突起形狀的細微銅粒子。日本特開平10-265872號公報(專利文獻5)中記載一種銅或銅合金材料，其根據以電子束三維粗糙度解析裝置擴大1000倍之表面的算術平均粗糙度為0.05~0.8μm，且表面積代替值為1.005~1.08。

然而，本案發明人瞭解到，在將專利文獻1~5中揭示的銅箔與絶緣基材接合的情況中，因為銅箔表面的凸部深入絶緣基材的內部，故去除銅箔所需的蝕刻時間變長。結果銅電路圖案的線寬之減少量變大，而難以形成細微的銅電路圖案。

本發明之目的在於提供一種與絶緣基材之接合性良好，且可從絶緣基材表面以蝕刻輕易地去除的印刷電路板用銅箔及使用該銅箔的印刷電路板。

本發明如同以下所述。

1.一種印刷電路板用銅箔，其至少一邊的表面，以下述式(1)所表示的密合度提升係數E的值為2.5~8；E=銅箔表面積/銅箔表面的十點平均粗糙度．．．(1)

(銅箔表面積，係相當於銅箔的長1μm×寬1μm之單位區域的表面積，銅箔的表面積，係以掃描式穿隧顯微鏡觀測該銅箔表面所得到的值)。

2.如上述1之印刷電路板用銅箔，對該銅箔表面施以蝕刻處理。

3.如上述2之印刷電路板用銅箔，其中以下述式(2)所表示的該銅箔表面的蝕刻量為1μm以下； 蝕刻量[μm]=(蝕刻前銅箔的質量-蝕刻後銅箔的質量)/(蝕刻面積×銅的密度)．．．(2)

(式中，銅的密度為8.96g/cm³)。

4.如上述2或3之印刷電路板用銅箔，用於該蝕刻處理的液體組成物，包含從過氧化氫、硫酸、鹵素離子及四唑類所形成的群中選擇1種以上。

5.如上述1~4中任一項之印刷電路板用銅箔，該銅箔表面未以銅以外的金屬、矽烷耦合劑或是黏著劑進行處理。

6.一種覆銅箔積層體，包含：絶緣基材、層積於該絶緣基材表面、上述1~5中任一項之印刷電路板用銅箔。

7.一種印刷電路板，具備上述6之覆銅箔積層體。

8.以半加成處理法形成電路圖案的上述7之印刷電路板。

9.以削減法形成電路圖案的上述7之印刷電路板。

10.上述8或上述9之印刷電路板，該電路圖案之線寬為20μm以下。

11.一種印刷電路板用銅箔的製造方法，其對銅箔的至少一邊的面進行蝕刻處理，俾令以下述之式(1)所表示的密合度提升係數E的值形成2.5~8；E=銅箔表面積/銅箔表面的十點平均粗糙度．．．(1)

(銅箔表面積，相當於銅箔的長1μm×寬1μm的單位區域之表面積，銅箔表面積，係以掃描式穿隧顯微鏡觀察該銅箔表面時所得到的值)。

12.如上述11之印刷電路板用銅箔的製造方法，用於該蝕刻處理的液 體組成物，包含從過氧化氫、硫酸、鹵素離子及四唑類所形成的群中所選擇的1種以上的材料。

13.如上述12之印刷電路板用銅箔的製造方法，該蝕刻用液體組成物中包含：0.2~1.5質量%的過氧化氫；0.5~3.0質量%的硫酸；0.3~3ppm的鹵素離子；以及0.01~0.3質量%的四唑類。

本發明可提供一種，與絶緣基材之接合性良好，且能以蝕刻輕易地從絶緣基材表面去除的印刷電路板用銅箔及使用該銅箔的印刷電路板。

圖1為實施例1之銅箔表面的3維影像(×30000)。

圖2為比較例1之銅箔表面的3維影像(×30000)。

圖3為實施例1之電路剖面的電子顯微鏡影像(×2000)。

圖4為比較例1之電路剖面的電子顯微鏡影像(×2000)。

一般用於電子設備等的印刷電路板，具備在絶緣基材表面上層積銅箔的覆銅箔積層體。

作為絶緣基材，可使用例如，將玻璃纖維含浸至環氧樹脂的基材、將紙基材含浸至苯酚樹脂的基材。亦有將該等基材稱為預浸體的情況。預浸體，係使將玻璃纖維等材料含浸至環氧樹脂(清漆)之基材半硬化者。

作為銅箔，可使用電解銅箔與軋延銅箔等。電解銅箔，係在鼓狀旋轉 陰極與沿著該旋轉陰極配置的陽極之間流入硫酸銅電解液後，於旋轉陰極表面電解析出銅，並將析出的銅連續地從旋轉陰極剝離所製得的銅箔。另一方面，軋延銅箔係將由鑄造等方法所得到的銅塊進行壓延加工所製得的銅箔。

本發明之印刷電路板用銅箔，係藉由蝕刻將與絶緣基材接觸側之表面緻密地粗化。用於蝕刻處理的液體組成物(蝕刻用液體組成物)，宜包含過氧化氫、硫酸、鹵素離子及四唑類所形成的群中所選擇的1種以上的材料，更宜包含水。

蝕刻用液體組成物中的過氧化氫濃度，宜為0.2~1.5質量%，較宜為0.3~1.2質量%，更宜為0.4~1.0質量%，最宜為0.5~0.8質量%。以使過氧化氫之濃度在上述範圍內的方式所調製出來的蝕刻用液體組成物，其對於銅的溶解速度大，具有優良的經濟效果。

蝕刻用液體組成物中之硫酸的濃度，宜為0.5~3.0質量%，較宜為0.5~2.5質量%，更宜為0.7~2.0質量%，最宜為1.0~1.8質量%。以使硫酸濃度在上述範圍內的方式所調製出來的蝕刻用液體組成物，其銅的溶解速度大，具有優良的經濟效果。

鹵素離子具有粗化銅箔表面的效果。藉由使用包含鹵素離子之蝕刻用液體組成物使銅箔表面粗化，可提高銅箔對於絶緣基材的接合性。

作為鹵素離子，可使用從氟離子、氯化物離子、溴離子及碘離子所形成的群中所選擇的1種以上的離子。而該等離子中較佳者為氯化物離子或是溴離子。

蝕刻用液體組成物中的鹵素離子之濃度，宜為0.3~3ppm、更宜為0.5~2.5ppm，最宜為0.7~2ppm。四唑類，藉由與鹵素離子併用，具有使銅箔表面緻密地粗化的效果。

因此，使用含有四唑類的蝕刻用液體組成物，使銅箔表面粗化，藉此，更可提高銅箔對於絶緣基材的接合性。

蝕刻用液體組成物所包含的四唑類，宜從1H-四唑、1-甲基四唑、1-乙基四唑、5-甲基四唑、5-乙基四唑、5-胺基四唑、5-n-丙基四唑、5-巰基四唑、5-巰基-1-甲基四唑、1、5-二甲基四唑、1、5-二乙基四唑、1-甲基-5-乙基四唑、1-乙基-5-甲基四唑、1-異丙基-5-甲基四唑及1-環氧己烷5-甲基四唑所形成的群中選擇1種以上之化合物。更佳為從1H-四唑、5-甲基四唑、5-乙基四唑、5-巰基-1-甲基四唑、1、5-二甲基四唑、1、5-二乙基四唑、及1-乙基-5-甲基四唑所形成的群中選擇1種以上之化合物。

蝕刻用液體組成物中的四唑類之濃度，較佳為0.01~0.3質量%，更佳為0.05~0.25質量%，最佳為0.1~0.2質量%。

使用上述之蝕刻用液體組成物蝕刻銅箔表面。蝕刻方法並未特別地限制，可使用例如噴塗法、浸漬法等公知的方法。

銅箔之蝕刻量，宜為1μm以下，較宜為0.1~1μm，更宜為0.2~0.9μm，最宜為0.3~0.7μm。若蝕刻量在上述範圍內，因為在層積絶緣基材與蝕刻後之銅箔時，可降低該銅箔埋入絶緣基材的量，故在之後的步驟中，能輕易地以蝕刻去除埋入絶緣基材中的該銅箔。銅箔的蝕刻量係以下述式(2)表示的值。

蝕刻量[μm]=(蝕刻前銅箔的質量-蝕刻後銅箔的質量)/(蝕刻面積×銅的密度)．．．(2)

(式中銅的密度為8.96g/cm³)

又，本發明中的「蝕刻量」，並非蝕刻處理後之銅箔的各處的深度，而是蝕刻處理後之銅箔表面全體的平均深度。

雖並未特別限制銅箔的厚度，但宜為3~35μm，更宜為5~30μm。在銅箔的厚度於此範圍內的情況中，銅箔的處理性變得良好。

銅箔與絶緣基材接觸側的表面，宜未以銅以外的金屬、矽烷耦合劑或是黏著劑(底漆)進行處理。本發明之銅箔的表面進行了緻密地粗化。因此，本發明之銅箔，即使不以銅以外的金屬、矽烷耦合劑或是黏著劑等材料進行表面處理，亦可相對於絶緣基材堅固地接合。

本發明之印刷電路板用銅箔，其與絶緣基材接觸側之表面的密合度提升係數E的值為2.5~8。密合度提升係數E，宜為2.7~7.5，較宜為2.9~7，更宜為3~6.5。密合度提升係數E若於上述範圍內，則銅箔表面形成細微的凹凸，可提升與絶緣基材的密合性。密合度提升係數E，係以下述式(1)表示的值；E=銅箔表面積C/銅箔表面的十點平均粗糙度D...(1)

(銅箔表面積C，相當於銅箔的長1μm×寬1μm之單位區域的表面積，銅箔的表面積係以掃描式穿隧顯微鏡觀察銅箔表面時所得到的值)。

銅箔的表面積C[μm²]，等於將考慮銅箔表面之既定區域內的凹凸的情況之表面積，除以假設該區域為平坦之情況的表面積的值。例如，銅箔的表面積C[μm²]，等於將考慮銅箔表面的長5μm×寬5μm之區域內的凹凸之情況的表面積，除以假設該區域為平坦之情況的表面積(意即5×5=25)的值。

銅箔表面的十點平均粗糙度D[μm]，係在JIS(日本工業規格)B 0601中所規定之十點平均粗糙度Rzjis。十點平均粗糙度Rzjis，係從粗糙度曲線，在該平均線的方向上僅取出基準長度，然後求得從此取出部分的平均線，在縱倍率的方向上所測定的最高的5個峰值之標高(Yp)的絶對值之平均值，與從最低的5個谷值之標高(Yv)的絶對值之平均值的和，並將此值以微米表示。

根據上述式(1)中的銅箔之表面積C[μm²]，係考慮銅箔表面的凹凸之情況的表面積。因此，具有銅箔表面越緻密銅箔的表面積C越大的傾向。此 處的「緻密」，係指銅箔表面的每個凸部皆為細微，且凸部密集的狀態。

銅箔的表面積C[μm²]，宜為以掃描式穿隧顯微鏡觀測銅箔之表面並得到3維形狀之資料後，根據此3維形狀資料所計算出來的值。另外，銅箔的表面積C[μm²]，宜為以掃描式穿隧顯微鏡將銅箔的表面放大30000倍時所得到的值。

掃描式穿隧顯微鏡，係檢測出在金屬探針與試片之間流動之穿隧電流的型態。若在前端為針尖狀的白金或鎢等金屬探針接近試片之後，在其間施加微小的偏壓電壓，則因為穿隧效應使穿隧電流流動。以使此穿隧電流保持定值的方式，使探針進行掃描，藉此可以原子等級觀察試片的表面形狀。

本發明之印刷電路板用銅箔的製造方法，係對銅箔的至少一邊的表面進行蝕刻處理，而使以下述的式(1)所表示的密合度提升係數E的值達到2.5~8；E=銅箔的表面積/銅箔的表面的十點平均粗糙度．．．(1)

(銅箔的表面積，係相當於銅箔的長1μm×寬1μm的單位區域的表面積，銅箔的表面積係以掃描式穿隧顯微鏡觀測該銅箔的表面時所得到的值)。

用於蝕刻處理的液體組成物，如同上述所說明。

本發明的銅箔，係使用熱壓接等公知的方法而層積在絶緣基材上。如此得到的積層板(覆銅箔積層體)，係用於形成印刷電路板的電路圖案。

以削減法形成印刷電路板的電路圖案的情況中，可將本發明的銅箔使用於印刷電路板的導電層。

以半加成處理法形成印刷電路板之電路圖案的情況中，可將本發明的 銅箔用於印刷電路板的種子層。

若根據本發明，可得到與絶緣基材之接合性良好，且可輕易地以蝕刻從絶緣基材的表面去除的印刷電路板用銅箔及使用該銅箔的印刷電路板。

[實施例] (實施例1)

實施例1中，首先，準備厚度12μm、尺寸150mm×150mm的電解銅箔。接著，蝕刻先前準備的電解銅箔的光亮面。蝕刻用液體組成物的組成及蝕刻條件如以下所述。又，光亮面，係在電解銅箔的兩面中，與鼓狀的陰極接觸側的表面。

．蝕刻用液體組成物的組成

過氧化氫：0.5質量%

硫酸：2質量%

1H-四唑：0.1質量%

氯化物離子：0.5ppm

．蝕刻的條件

蝕刻用液體組成物的溫度：30℃

噴塗壓力：0.1MPa

噴塗時間：1分鐘

接著，使用掃描式穿隧顯微鏡並以30000倍的倍率，觀察蝕刻後的銅箔表面。圖1係此時觀測的銅箔表面的3維影像。

測定蝕刻後的銅箔表面的長5μm×寬5μm的區域內的表面積。結果，銅箔的表面積為45.4[μm²]。測定係使用以下的裝置。

．掃描式穿隧顯微鏡(SII nanotechnology公司製，L-traceII/NanoNaviII station)

測定蝕刻之後的銅箔的表面粗糙度(Rzjis：十點平均粗糙度)。 結果，銅箔的表面粗糙度為0.55[μm]。測定係使用以下裝置。

．雷射顯微鏡(KEYENCE公司製，VK-9700II，使用408nm紫外光雷射)

根據上述式(1)，計算出密合度提升係數E。結果算出密合度提升係數E為3.30。算式如下。

E={45.4/(5×5)}/0.55=3.30

根據上述式(2)算出銅箔表面的蝕刻量。結果銅箔表面的蝕刻量為0.5μm。

藉由真空熱壓將蝕刻後的銅箔層積在預浸體(三菱瓦斯化學股份有限公司製，商品名：HL832NS)上。藉此製作預浸體及銅箔所形成的覆銅箔積層體。此覆銅箔積層體中，銅箔被蝕刻側的表面與預浸體密合。

使用如此得到的覆銅箔積層體，測定剝離銅箔的強度(剝離強度)。剝離強度係依照JIS C 6481所規定之方法所測定。結果剝離銅箔的強度為1.05kgf/cm。

接著蝕刻覆銅箔積層體的表面。蝕刻用液體組成物的組成及蝕刻條件如下所示。

．蝕刻用液體組成物的組成

過氧化氫：3質量%

硫酸：7質量%

商品名：三菱瓦斯化學股份有限公司製，CPE-770

．蝕刻條件

蝕刻用液體組成物的溫度：35℃

噴塗壓力：0.2MPa

噴塗時間：1分鐘

接著測定蝕刻後的覆銅箔積層體的銅箔的厚度。結果十點測定的平均厚度為2.5μm。測定係使用以下裝置。

．渦電流式銅膜厚計(FISCHER公司製，FISCHERSCOPE MMS)

為了在銅箔上形成電路圖案，進行以下的處理。首先在蝕刻後的覆銅箔積層體的銅箔之上，實施無電解銅鍍敷0.5μm。接著，在實施了無電解銅鍍敷的銅箔上層積乾膜光阻。接著，經過曝光、顯影步驟，在光阻層上形成光阻圖案。接著，對已形成光阻圖案的銅箔，實施銅電鍍。最後使用光阻剝離液，去除銅箔上的光阻。光阻去除時的處理條件如下：

．光阻剝離液

單乙醇胺(monoethanolamine)：5質量%

商品名：三菱瓦斯化學股份有限公司製，R-100M

．處理條件

光阻剝離液的溫度：50℃

噴塗壓力：0.1MPa

使用金屬顯微鏡(OLYMPUS股份有限公司製，MX61L)測定形成於銅箔上的電路圖案的尺寸。結果，電路圖案的尺寸為線寬/間距=20μm/10μm。

接著使用蝕刻用液體組成物從基板上去除種子層(銅箔)。結果，完全去除種子層所需要的時間為1分鐘。種子層去除時的處理條件如下：

．蝕刻用液體組成物的組成

過氧化氫：2質量%

硫酸：6質量%

商品名：三菱瓦斯化學股份有限公司製，CPE-800

．處理條件

蝕刻用液體組成物的溫度：30℃

噴塗壓力：0.2MPa

以金屬顯微鏡(OLYMPUS股份有限公司製，MX61L)測定去除種子層(銅箔)後的電路圖案之線寬的減少量，線寬的減少量為5.0μm。圖3係以電子顯微鏡所觀測的電路的剖面影像。

(實施例2)

實施例2中，除了對用於電解銅箔的光亮面之蝕刻處理的液體組成物進行下述之變更外，進行與實施例1相同的實驗。

．蝕刻用液體組成物的組成

過氧化氫：0.5質量%

硫酸：2質量%

5-甲基四唑：0.1質量%

氯化物離子：1ppm

測定蝕刻後的銅箔表面的長5μm×寬5μm的區域內的表面積。結果，銅箔的表面積為44.7[μm²]。

測定蝕刻後之銅箔的表面粗糙度(Rzjis：十點平均粗糙度)。結果，銅箔的表面粗糙度為0.5[μm]。

根據上述式(1)算出密合度提升係數E。結果算出密合度提升係數E為3.58。算式如下：E={44.7/(5×5)}/0.5=3.58

根據上述式(2)算出銅箔表面的蝕刻量。結果，銅箔表面的蝕刻量為0.4μm。

剝離銅箔的強度為1.00kgf/cm。

去除種子層後的電路圖案之線寬的減少量為5.0μm。

(實施例3)

實施例3中，除了將用於電解銅箔之光亮面的蝕刻處理的液體 組成物進行如下述之變更外，進行與實施例1相同的試驗。

．蝕刻用液體組成物的組成

過氧化氫：1質量%

硫酸：2.5質量%

5-甲基四唑：0.05質量%

1，5-二甲基四唑：0.05質量%

氯化物離子：1ppm

測定蝕刻後的銅箔表面的長5μm×寬5μm的區域內的表面積。結果，銅箔的表面積為38[μm²]。

測定蝕刻後的銅箔的表面粗糙度(Rzjis：十點平均粗糙度)。結果，銅箔的表面粗糙度為0.25[μm]。

根據上述式(1)算出密合度提升係數E。結果算出密合度提升係數E為5.60。算式如下。

E={38/(5×5)}/0.25=6.08

根據上述式(2)算出銅箔表面的蝕刻量。結果，銅箔表面的蝕刻量為0.3μm。

剝離銅箔的強度為0.9kgf/cm。

去除種子層後的電路圖案之線寬的減少量為4.5μm。

(實施例4)

實施例4中，除了將用於電解銅箔之光亮面的蝕刻處理的液體組成物進行如下述之變更外，進行與實施例3相同的試驗。

．蝕刻的條件

蝕刻用液體組成物的溫度：35℃

噴塗壓力：0.2MPa

噴塗時間：1分鐘

測定蝕刻後的銅箔表面的長5μm×寬5μm的區域內的表面積。結果，銅箔的表面積為45[μm²]。

測定蝕刻後的銅箔的表面粗糙度(Rzjis：十點平均粗糙度)。結果，銅箔的表面粗糙度為0.45[μm]。

根據上述式(1)算出密合度提升係數E。結果密合度提升係數E為3.70。算式如下：E={45/(5×5)}/0.45=4.0

根據上述式(2)算出銅箔表面的蝕刻量。結果，銅箔表面的蝕刻量為0.65μm。

剝離銅箔的強度為0.95kgf/cm。

去除種子層後的電路圖案的線寬的減少量為5.0μm。

(比較例1)

比較例1中，除了使用一邊的表面預先被粗化的以下的電解銅箔外，進行與實施例1相同的試驗。

．電解銅箔

厚度：12μm

商品名：三井金屬礦業股份有限公司製，3EC-VLP

使用掃描式穿隧顯微鏡以30000倍的倍率觀測上述的電解銅箔表面。圖2為此時所觀測之銅箔表面的3維影像。

測定銅箔表面的長5μm×寬5μm的區域內的表面積。結果，銅箔的表面積為36.2[μm²]。

測定銅箔的表面粗糙度(Rzjis：十點平均粗糙度)。結果，銅箔的表面粗糙度為3.65[μm]。

根據上述式(1)算出密合度提升係數E。結果算出密合度提升係數E為0.40。算式如下。

E={36.2/(5×5)}/3.65=0.40

剝離銅箔的強度為0.90kgf/cm。

去除種子層後的電路圖案的線寬的減少量為9.8μm。圖4為藉由電子顯微鏡所拍攝的電路的剖面影像。

(比較例2)

比較例2中，除了使用一邊的表面預先被粗化的以下的電解銅箔以外，進行與實施例1相同的試驗。

．電解銅箔

厚度：12μm

商品名：古河電氣工業股份有限公司製，FV-WS

測定銅箔表面的長5μm×寬5μm的區域內的表面積。結果，銅箔的表面積為33.8[μm²]。

測定銅箔的表面粗糙度(Rzjis：十點平均粗糙度)。結果，銅箔的表面粗糙度為2.20[μm]。

根據上述式(1)算出密合度提升係數E。結果算出密合度提升係數E為0.61。算式如下。

E={33.8/(5×5)}/2.20=0.61

剝離銅箔的強度為0.85kgf/cm。

去除種子層後的電路圖案的線寬的減少量為9.5μm。

(比較例3)

比較例3中，除了使用一邊的表面預先被粗化的以下的電解銅箔以外，進行與實施例1相同的試驗。

．電解銅箔

厚度：12μm

商品名：JX日礦日石金屬股份有限公司製，HLPLC

測定銅箔表面的長5μm×寬5μm的區域內的表面積。結果，銅 箔的表面積為32.2[μm²]。

測定銅箔的表面粗糙度(Rzjis：十點平均粗糙度)。結果，銅箔的表面粗糙度為2.05[μm]。

根據上述式(1)算出密合度提升係數E。結果算出密合度提升係數E為0.63。算式如下：E={32.2/(5×5)}/2.05=0.63

剝離銅箔的強度為0.85kgf/cm。

去除種子層之後的電路圖案的線寬的減少量為9.3μm。

(比較例4)

比較例4中，除了使用一邊的表面預先被粗化的以下的電解銅箔外，進行與實施例1相同的試驗。

．電解銅箔

厚度：12μm

商品名：福田金屬箔粉工業股份有限公司製，SV

測定銅箔表面的長5μm×寬5μm的區域內的表面積。結果，銅箔的表面積為31.3[μm²]。

測定銅箔的表面粗糙度(Rzjis：十點平均粗糙度)。結果，銅箔的表面粗糙度為1.85[μm]。

根據上述式(1)算出密合度提升係數E。結果算出密合度提升係數E為0.68。算式如下。

E={31.3/(5×5)}/1.85=0.68

剝離銅箔的強度為0.70kgf/cm。

去除種子層後的電路圖案的線寬的減少量為9.0μm。

(比較例5)

比較例5中，除了對用於電解銅箔的光亮面之蝕刻處理的液體 組成物進行下述之變更外，進行與實施例1相同的實驗。

．蝕刻用液體組成物的組成

過氧化氫：1.3質量%

硫酸：5質量%

5-胺基四唑：0.35質量%

商品名：三菱瓦斯化學股份有限公司製CPE-900

測定蝕刻後的銅箔表面的長5μm×寬5μm的區域內的表面積。結果，銅箔的表面積為36[μm²]。

測定蝕刻後的銅箔的表面粗糙度(Rzjis：十點平均粗糙度)。結果，銅箔的表面粗糙度為0.75[μm]。

根據上述式(1)算出密合度提升係數E。結果，密合度提升係數E為5.60。算式如下。

E={36/(5×5)}/0.75=1.92

根據上述式(2)算出銅箔表面的蝕刻量。結果，銅箔表面的蝕刻量為1.5μm。

剝離銅箔的強度為0.50kgf/cm。

去除種子層後的電路圖案的線寬的減少量為6.5μm。

(比較例6)

比較例6中，除了不蝕刻電解銅箔的光亮面以外，進行與實施例1相同的試驗。

將銅箔表面(未處理)的長5μm×寬5μm的區域內的表面積作為25[μm²]。

銅箔(未處理)的表面粗糙度(Rzjis：十點平均粗糙度)。結果，銅箔的表面粗糙度為0.1[μm]。

根據上述式(1)算出密合度提升係數E。結果密合度提升係數E為5.60。算式如下。

E={25/(5×5)}/0.1=10

剝離銅箔的強度為0.20kgf/cm。

去除種子層後的電路圖案的線寬的減少量為4.5μm。

實施例1~4及比較例1~6的結果表示於以下的表1。

實施例1~4中算出的密合度提升係數E大於比較例1~5中算出的密合度提升係數E。

實施例1、2及4之剝離銅箔的強度大於比較例1~6之剝離銅箔的強度。

實施例3之剝離強度與比較例1相等，但大於比較例2~6的剝離銅箔的強度。

實施例1~4的電路圖案的線寬減少量小於比較例1~5的電路圖案的線寬減少量。

實施例1~4蝕刻量少於比較例5的蝕刻量。

本發明的銅箔與絶緣基材的密合性良好。

因為本發明的銅箔之電路圖案的線寬減少量較小，故可形成細微的電路圖案。

本發明的銅箔，宜適用於電路圖案的線寬在20μm以下的印刷電路板。

Claims (13)

1. 一種印刷電路板用銅箔，其中：至少一個表面之以下述式(1)所表示的密合度提升係數E的值為2.5~8；E=銅箔的表面積/銅箔的表面的十點平均粗糙度．．．(1)(銅箔的表面積為銅箔的長1μm×寬1μm之單位區域的表面積，銅箔的表面積係以掃描式穿隧顯微鏡觀測該銅箔的表面時所得到的值)。
2. 如申請專利範圍第1項之印刷電路板用銅箔，其中，該銅箔的表面經過蝕刻處理。
3. 如申請專利範圍第2項之印刷電路板用銅箔，其中，以下述式(2)所表示的該銅箔的表面的蝕刻量為1μm以下；蝕刻量[μm]=(蝕刻前的銅箔的質量-蝕刻後的銅箔的質量)/(蝕刻面積×銅的密度)．．．(2)(式中，銅的密度為8.96g/cm³)。
4. 如申請專利範圍第2或3項之印刷電路板用銅箔，其中，用於該蝕刻處理的液體組成物，包含從過氧化氫、硫酸、鹵素離子及四唑類所形成的群中所選擇的1種以上的材料。
5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之印刷電路板用銅箔，其中，該銅箔的表面，未經銅以外的金屬、矽烷耦合劑或是黏著劑進行處理。
6. 一種覆銅箔積層體，包含：絶緣基材；以及層積於該絶緣基材表面的如請求項1至3中任一項之印刷電路板用銅箔。
7. 一種印刷電路板，包含：請求項6之覆銅箔積層體。
8. 如申請專利範圍第7項之印刷電路板，其中，以半加成處理法形成有電路圖案。
9. 如申請專利範圍第7項之印刷電路板，其中，以削減法形成電路圖案。
10. 如申請專利範圍第8或9項之印刷電路板，其中，該電路圖案的線寬為20μm以下。
11. 一種印刷電路板用銅箔的製造方法，其特徵為：對銅箔的至少一邊的表面進行蝕刻處理，俾令以下述式(1)所表示的密合度提升係數E的值達於2.5~8；E=銅箔的表面積/銅箔的表面的十點平均粗糙度．．．(1)(銅箔的表面積係於銅箔的長1μm×寬1μm的單位區域的表面積，銅箔的表面積係以掃描式穿隧顯微鏡觀測該銅箔的表面時所得到的值)。
12. 如申請專利範圍第11項之印刷電路板用銅箔的製造方法，其中，該用於蝕刻處理的液體組成物，包含從過氧化氫、硫酸、鹵素離子及四唑類所形成的群中所選擇的1種以上的材料。
13. 如申請專利範圍第12項之印刷電路板用銅箔的製造方法，其中，該蝕刻用液體組成物包含：0.2~1.5質量%的過氧化氫；0.5~3.0質量%的硫酸；0.3~3ppm的鹵素離子；以及0.01~0.3質量%的四唑類。